UNVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS-ESPE

UNVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS-ESPE

Departamento de Elctrica y ElectrnicaElectrnica de PotenciaNRC: 2261

INFORME DE LABORATORIO No. 2

INTEGRANTES: Crdenas Mara Crdova Alex Vaca Paul Wilchez Allen

Quito 11 de Mayo de 2015

1. Tema de la prctica:

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

2. Objetivos Encontrar la curva caracterstica del Transistor. Conocer el comportamiento del transistor en regin de SATURACION.

3. Materiales Transistor BJT Osciloscopio Resistencia de 1 y 100 K Cables lagarto-lagarto Puntas de osciloscopio

4. Marco Terico

TRANSISTOR BIPOLAR BJT Eltransistor bipolares el ms comn de lostransistores, y como losdiodos, puede ser degermanioosilicio.

Un transistor bipolar se forma aadiendo una segunda regin p o n a un diodo de unin pn.

Existen dos tipostransistores: elNPNy elPNP, y la direccin del flujo de la corrienteen cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.

Eltransistores un dispositivo de 3patillascon los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con lapatillaque tiene la flecha en el grfico de transistor.

En la siguiente grafica se encuentra la curva caracterstica de salida de corriente de colector Ic en funcin del voltaje colector-emisor VCE

CONFIGURACION EMISOR COMUNEl emisor es comn a la entrada (base-emisor) y a la salida (colector-emisor). (Rashid, 2004)

Y con esto podemos decir que: Si variamos VCC no vara la malla 1 es decir no cambia IB Si IB es suficientemente alta para que VCE sea bajo entonces el transistor actuara como INTERRPTOR esto se da en la REGION DE SATURACION. Si IBsat es mayor que la corriente de base IB entonces el transistor trabaja en la regin de CORTE

5. SIMULACIONCircuito Usando Transistor 3904

Corriente Colector

Voltaje Colector Emisor

Corriente de Base

En esta parte podemos constatar que a pesar de variar el voltaje Vcc no afecta la primera malla es decir la corriente de base IB.Voltaje Base y Colector

6. Tabulacin de datos Tabla 1 Datos del circuitoVoltaje secundario [V]Voltaje max [V]Voltaje rms [V]Voltaje carga [V]Corriente caraga [mA]Corriente rms [mA]

Medidos14,219,814,810,8041212,6

Terico1216,9711212,310,80412

7. ErroresTabla 2 Errores entre valores teoricos y medidoserror % (Te/Me)

Voltaje secundario [V]15,49

Voltaje max [V]14,28

Voltaje rms [V]18,92

Voltaje carga [V]12,16

Corriente caraga [mA]9,96

Corriente rms [mA]4,7

8. Anlisis de resultados

9. Conclusiones

10. Recomendaciones

11. Referencias

Rashid, M. (2004). Electronica de Potencia. En M. Rashid, Electronica de Potencia circuitos, dispositivos y aplicaciones (pg. 39). PEARSON.repository.upb.edu.co. (s.f.). Obtenido de http://repository.upb.edu.co:8080/jspui/bitstream/123456789/74/1/Fundamentos%20de%20Electr%C3%B3nica%20Industrial%20-%20Hern%C3%A1n%20Valencia%20Gall%C3%B3n.pdfSemiconductor, O. (s.f.). Diodo MBR340. Datasheet. On Semiconductor.

Ilustracin 5 Datos obtenidos en la prctica

(Semiconductor)

ELECTRONICA DE POTENCIA Pgina 7