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INFORME DE LABORATORIO N° 1 LABORATORIO: TRANSISTORES B.J.T INTEGRANTES: DARIO RUZ JASON RIFO FECHA: 21/04/2015 PROFESOR: Luis Gajardo

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INFORME

DE

LABORATORIO N° 1

LABORATORIO: TRANSISTORES B.J.T

INTEGRANTES: DARIO RUZ

JASON RIFO

FECHA: 21/04/2015

PROFESOR: Luis Gajardo

ASIGNATURA:

OBJETIVOS LABORATORIO.

- COMPROBACION DE ESTADO- MEDICION Y CALCULO HFE- MONTAJE CIRCUITO CON POLARIZACION FIJA (CÁLCULO Y COMPROBACION DE

FUNCIONAMIENTO)- APLICAR PROCEDIMIENTOS DE VERIFICACION DE SEMICONDUCTORES.

DESARROLLO.

PARA COMENZAR SE SOLICITARON LOS SIGUIENTES MATERIALES.

1 MULTITESTER CON CHICOTES.

1 FUENTE DE PODER SIMPLE CON CHICOTES.

1 PROTOBOARD.

2 TR 2N2222.

1 RESISTENCIA 3.3 KΩ.

1 RESISTENCIA 470 KΩ.

1 RESISTENCIA 150 KΩ.

IMAGEN 1. CIRCUITO A REALIZAR.

R.C = 3.3 KΩ

R.B = 470 KΩ

1. Determinación de estado del T.R con el MTT en posición diodo, medir voltaje de unión B.E (base – emisor) y BC (base colector).

- Teniendo en cuenta el valor normal fluctúa entre 500 <-> 800mV.

- Como se ve en las imágenes valor es el estimado ideal.

IMAGEN 2. MEDICION BASE EMISOR

IMAGEN 3. MEDICION BASE COLECTOR.

2. Comprobación de resistencias.-Como se nota en la imagen la resistencias medidas se encontraban en valores optimos.

IMAGEN4. PROCESO DE COMPROBACION ESTADO DE RESISTENCIAS.

3. Montaje de circuito.En la imagen nos encontramos en el proceso , de montaje del circuito.

IMAGEN 5. ARMADO DE CIRCUITO.

IMAGEN 6.CIRCUITO TERMINADO.

4. Medición de voltaje en cada resistencia y registro de la misma. Calculo con ley de OHM, corriente de base y colector.

5. Calculo de HFE y comparación con