EL OSCILADOR DE GUNN

UNIVERSIDAD COOPERATIVA DE COLOMBIA

JOHNNATAN FERNANDEZe-mail: esjon_05@hotmail.com

WILMER FIGUEROAe-mail: wilmerfr@gmail.com

JOSE REINALDO SANDOVAL TORRESe-mail: jsandova10@hotmail.com

Febrero de 2013

Resumen.

Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente elctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.

Introduccin.

Dentro del programa a desarrollar en el curso de Telecomunicaciones III se tiene como objetivo el entendimiento y aprendizaje de la transmisin de seales por medio de Guas de Onda, para tal efecto se hace imprescindible conocer el funcionamiento de los dispositivos generadores de seal, la cual ser trasportada

atravs de dichas guas de onda, de ah parte la importancia y relevancia que se debe tener en al identificacin y prediccin del funcionamiento de dichos elementos.

Montaje.

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)mailto:jsandova10@hotmail.com

Resultados.

VOLTAJE SUMINISTRAD

O

CORRIENTE SUMINISTRAD

A

LECTURA DEL

VATIMETRO

POTENCIA ENTREGAD

AEFICIENCI

A

V I P leido Po = P leido x 4

V mA mW mW %0,0 0,0 0,00 0,00 0,0%0,5 55,0 0,00 0,00 0,0%1,0 62,5 0,00 0,00 0,0%1,5 82,5 0,00 0,00 0,0%2,0 107,5 0,00 0,00 0,0%2,5 112,0 0,00 0,00 0,0%3,0 125,0 0,00 0,00 0,0%3,5 124,0 0,00 0,00 0,0%4,0 112,5 0,00 0,00 0,0%4,5 110,0 0,00 0,00 0,0%5,0 105,0 1,05 4,20 0,8%5,5 105,0 1,31 5,24 0,9%6,0 105,0 1,58 6,32 1,0%6,5 100,0 1,85 7,40 1,1%7,0 100,0 2,10 8,40 1,2%7,5 80,0 2,29 9,16 1,5%8,0 100,0 2,50 10,00 1,3%8,5 90,0 2,69 10,76 1,4%9,0 80,0 2,89 11,56 1,6%9,5 90,0 3,05 12,20 1,4%10,0 90,0 3,25 13,00 1,4%

TABLA 3-1

9. A partir de los resultados obtenidos en la tabla 3-1, trace la figura 3-5 la curva de corriente en funcin del voltaje del Oscilador de Gunn

Grafica.Corriente en funcin del voltaje del oscilador de Gunn.

DIODO DE GUNN

0,0

20,0

40,0

60,0

80,0

100,0

120,0

140,0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5 9,0 9,5 10,0

VOLTAJE (V)

CO

RR

IEN

TE (m

A)

FIGURA 3-5

10. a partir de los resultados obtenidos trace en la figura 3-6 la curva de potencia entregada Po en funcin del voltaje suministrado al Oscilador de Gunn.

DIODO DE GUNN

0,0

2,0

4,0

6,0

8,0

10,0

12,0

14,0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5 9,0 9,5 10,0

VOLTAJE (V)

POTE

NC

IA (P

o)

FIGURA 3-6Anote el voltaje para el que el oscilador de Gunn comienza a oscilar.Observe la figura 3-5 y responda si el voltaje se encuentra en la region de resistencia negativa.SI

DIODO DE GUNN

0,0%

0,2%

0,4%

0,6%

0,8%

1,0%

1,2%

1,4%

1,6%

1,8%

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5 9,0 9,5 10,0

VOLTAJE (V)

EEFI

CIE

NC

IA (%

)

CONCLUSIONEn este ejercicio se familiarizo con los principios de operacin de un oscilador de diodo Gunn, Se trazo l CURV V-I del diodo Gunn y se pudo constatar que aparece una regin de resistencia negativa, la cual aunque no fue tan exacta como muestra el marco terico de la practica de laboratorio si trata de concordar con el patrn que este lleva, se logro calcular la eficiencia y no fue tan aproximada como esperbamos que fuera.

REGUNTAS DE REVISION1. Cules son los componentes principales

de un Oscilador de Gunn?

Rt/a: Espigas metlicas, Tornillo de sintona dielctrica, conector hembra BNC diafragma perforado y adaptador

2. En que materiales es posible obtener el efecto Gunn?

Rt/a: el efecto Gunn solo es posible en algunos materiales semiconductores tipo n, los ms utilizados son: ARSENIURO DE GALIO (GaAs) y el FOSFURO DE INDIO (InP).3. Describa el fenmeno que ad origen a la

resistencia dinmica negativa en un cristal semiconductor.

Rt/a: Cuando el voltaje se incrementa de modo que el gradiente de potencial a travs de la porcin de material excede un umbral cercano a 3,3 kV/cm , la corriente comienza a disminuir y se dice que el material presenta una resistencia negativa.

4. Qu determina la frecuencia exacta del oscilador de Gunn?

Rt/a: Depende de la velocidad que deriva de los dominios y de la longitud de la porcin de material.

5. Un oscilador de Gunn genera una seal de microondas de onda continua (OC) de 100 mW, con una eficiencia de 2%. Cunta potencia debe disipar el disipador de calor?