1) MEMORIAS ASINCRONAS

DRAM: (Dynamic Random Access Memory) Es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto periodo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Fue inventada en los setenta en forma de módulos SIMM O DIMM

FPM-RAM: (Fast Page Mode) Memoria en modo paginado, esquema mas frecuente de chips de RAM. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. La ventaja de este memoria consiste en pedir permiso una sola vez u llevarse varios datos consecutivos; esto comenzó a usarse principios de os años noventa y dio buenos resultados a estos módulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y pueden tener 30 o 72 pines y se la utiliza en las Pentium 1 lo que logro con esta tecnología es agilizar el proceso de lectura, estas memorias ya no se utilizan mas.

EDO- RAM: (Extended Data Output RAM) Esta memoria permite a la CPU acceder más rápido porque envía bloques enteros de datos; con velocidades de acceso de 40 ó 30 ns.es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

BEDO – RAM: (Burst Extended Data Output RAM). Es un tipo mas rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección par las siguientes direcciones y un estado ¨ Pipeline¨ que solapa las operaciones. Fue diseñada originalmente para soportar mayores velocidades de BUS. Esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, sino a ráfagas, reduciendo aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria. Nunca salió al mercado.

2) MEMORIAS SINCRONASSDR SDRAM: (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM) Memoria con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168

contactos. Fue utilizada en los Pentium 2 y en los Pentium III, así como en los AMD K6, k7 y Duron. Dependiendo de la frecuencia de trabajo se divide en:

PC66- bus de memoria es de 66 MHz PC100-bus de memoria es de 100 MHz PC133- bus de memoria es de 133 MHz

PC66: La memoria SDRAM que funciona a 66 MHz. Actualmente sólo se utiliza en los Celeron.

PC100: La memoria SDRAM que funciona a 100 MHz. Hoy en día es la más utilizada (K6-2, K6-III, K7 Athlon, Pentium II modernos y Pentium III).

PC133:  la memoria SDRAM que funciona a 133 MHz.

DDR SDRAM: (Doublé Data Rate SDRAM) Envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos. Del mismo modo que la SDRAM, en función de la frecuencia del sistema se clasifican en (según JEDEC).

Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de slots.

Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.

PC 1600 o DDR200: Funciona a 2,5 V, trabaja a 200MHz, es decir 100MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 1,6 Gb/s (de ahí el nombre PC1600). Este tipo de memoria la utilizan los Athlon de AMD, y los últimos Pentium 4.

PC 2100 o DDR266: Funciona a 3,3 V, trabaja a 266MHz, es decir 133MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,16 Gb/s (de ahí el nombre PC2100).

PC 2700 o DDR 333: Funciona a 5 V, trabaja a 333MHz, es decir 166MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,7 Gb/s.

PC 3200 o DDR400 :

Velocidad del reloj: 200 MHzTiempo entre señales: 5 nsVelocidad del reloj: 200 MHzDatos transferidos por segundos: 400 millonesNombre del modulo: PC3200Máxima capacidad de transferencia: 3200 MB/s

PC 4200 o DDR2-553:

Velocidad del reloj: 266MHzTiempo entre señales: 3,7nsVelocidad del reloj: 266MHzDatos transferidos por segundos: 266millonesNombre del modulo: PC4300Máxima capacidad de transferencia: 4264 MB/s

PC4800 o DDR2-600: Trabaja a 600Mhz, es decir, 300 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 4,8 GBs (de ahí el nombre PC4800).

PC-5300 o DDR2-667: Trabaja a 667Mhz, es decir, 333 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 5,3 GBs (de ahí el nombre PC5300).

PC-6400 o DDR2-800: trabaja a 800Mhz, es decir, 400 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 6,4 GBs (de ahí el nombre PC6400).

DDR3: Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio. El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de datos más rápido, y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GB. También proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución global de consumo eléctrico.

Existen estándares de memoria DDR3 en el mercado Son las siguientes:

DDR-200 (2001)

DDR-266 (2002)

DDR-300 (2003)

DDR-333 (2004)

DDR-366(2004)

DDR-400 (2004)

DDR-433 (2004)

DDR-466 (2004)

DDR-500 (2004)

DDR-533 (2004)

RDRAM: Es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.

El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pines. Este tipo de memoria se utilizó en la videoconsola Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.

Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho de palabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y también trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 MHz virtuales o equivalentes; este conjunto le da un amplio ancho de banda. Por eso, a pesar de diseñarse como alternativa a la SDR SDRAM, se convirtió en competidora de la DDR SDRAM.

XDR DRAM: (Extreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambús RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento. Esta tecnología elimina la inusual alta latencia

que plagaba a su predecesor RDRAM. XDR, también se centra en el ancho de banda soportado por sus pines, lo que puede beneficiar considerablemente los costos de control en la producción de PCB, esto es debido a que se necesitarían menos caminas (lanes) para la misma cantidad de ancho de banda. Rambus, posee todos los derechos sobre esta tecnología y actualmente esta implementada en la consola de videojuegos Play Station 3. Actualmente los módulos XDR soportan una capacidad mínima de 1 GB.

XDR2 DRAM: Es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámico que se ofrece por Rambus. Rambus ha diseñado XDR2 como una evolución de, y el sucesor, XDR RAM. Como compañía de semiconductores Rambus solo produce un diseño, sino que debe llegar a cuerdos con los fabricantes de memoria para producir chips DRAM XDR2, y ha habido una notable falta de interés en hacerlo.

4) DRDRAM: Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza ráfagas de 2 ns, picos de varios Gbytes/sg y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz. Es el complemento ideal para las tarjetas graficas AGP, evitando los cuellos de botella entre la tarjeta grafica y la memoria principal durante el acceso directo a memoria par el manejo de las texturas graficas. Este tipo de memoria se utilizo en el sistema de videojuegos Nintendo 64 y otros aparatos de posterior salida.

5) SLDRAM (Synclink Dram) Se basa, al igual que la DRDRAM, es un protocolo propietario, que separa las líneas CAS, RAS y de datos. Los tiempos de acceso no dependen de la sincronización de múltiples líneas, por lo que este tipo de memoria promete velocidades superiores a los 800 MHz, ya que además puede operar al doble de velocidad del reloj del sistema.

6) SRAM: (Static Random Access Memory), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.

La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales.

ASYNC SRAM: La memoria cache de los antiguos 386, 486 y primeros Pentium, asíncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns

SYNC SRAM: Es la generación siguiente, capaz de sincronizarse con el procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns

PIPELINED SRAM: Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns

7) EDRAM: Significa “Embedde DRAM”, un condensador basado en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en la misma matriz como un ASIC o el procesador. El costo por bit es superior a la de los chips DRAM independientes, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la EDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa.

Incorporación de la memoria en el procesador ASIC o permite mucho más amplios buses y velocidades más altas de operación, y debido a la mayor densidad de memoria DRAM, en comparación con SRAM , mayores cantidades de memoria se puede instalar en pequeñas

Fichas si EDRAM se utiliza en lugar de ESRAM. EDRAM se necesitan más pasos del proceso en comparación con fab integrado SRAM, lo que eleva el costo, pero el ahorro en la zona de 3X compensaciones de memoria EDRAM el coste del proceso, cuando una cantidad significativa de memoria se utiliza en el diseño.

Memorias EDRAM, al igual que todas las memorias DRAM, requieren periódica de restauración de las células de memoria, lo que añade complejidad.

8) ESDRAM: (Enhanced Sdram) Incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos accesos pueden ser resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria cache utilizada en los procesadores. Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s. El problema es el mismo que el de las dos anteriores, la falta de apoyo, y en este caso agravado por el apoyo minoritario de ALPHA, VLSI, IBM y DIGITAL.

9) VRAM: (Video RAM) es una memoria DRAM y DIMM diseñado específicamente para su uso en las tarjetas graficas.

Es más rápido que la DRAM convencional. A diferencia de la DRAM, se le permite leer y escribir al mismo tiempo. Su frecuencia es de 80 MHz y tiempo de acceso es de 20-25 ns.Es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported

TIPOS: SAM WRAM SGRAM MDRAM CDRAM 3D RAM GDDR- SDRAM RAM extendida

10) SGRAM: Es un tipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bit masking (escribir en bit especifico sin afectar a otros) y block write (rellenas un bloque de memoria con un único color). A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM es de un solo puerto. De todas maneras, puede abrir dos páginas de memoria como una, simulando el doble puerto que utilizan otras tecnologías RAM.

Tiene mejores características que las FPM, EDO, VRAM, WRAM y SDRAM.

Las SGRAM y las SDRAM se volvieron los tipos de DRAM más Populares a finales de los 90 y principios del año 2000

11) WRAM: (Windows RAM): es un tipo de VRAM equipada con líneas separadas de lectura y escritura, que ofrece sin embargo tiempos rápidos de acceso y es barata de producir. Por ejemplo, las tarjetas gráficas Matrox MGA Millennium y la Number Nine Revólution 3D "Ticket to Ride" usan WRAM.