previo 7 pareto
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InformeeeeTRANSCRIPT
UNMSMFacultad de Ingeniera Electrnica,Elctrica y de Telecomunicaciones
Apellidos y NombresN de Matricula
Montes Carranza Julio Anibal13190178
CursoTema
Dispositivos Electrnicos ITransistor bipolar NPNCaractersticas Bsicas
InformeFechasNota
PrevioRealizacinEntrega
Nmero23 de octubre del 201430 de octubre del 2014
7
GrupoProfesor
6Ing. Luis Paretto Q.
Transistor bipolar NPN
Transistor C828:
Codigo de transistorDescripcion y aplicacionCasoEstilo Diag.NMaxima corriente en el colector(Amp) IcColector a emisor (volts)BVceoColector a Base (volts) BVcboColector a Base (volts)BVeboHfe Disipaciion mxima del colector (watts)Frecuencia (M Hz) ft
C828NPN-SiTO920.470704120min0.625200
PROCEDIMIENTO:a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener el (P1 = 0 ).b) Medir los voltajes entre colector emisor (Vce), entre base emisor(Vbe), y entre emisor tierra (Ve).c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2Tabla 2Valores (R1= 56 K)Ic (mA.)Ib (A.)Vce(v.)Vbe(v.)Ve(v.)
Teoricos7.636641202.6840.71.694
Datos:R1= 56 KR2= 22 KRe= 0.22 k Rc= 1 K
+12vVBE= 0.7 v (Por ser silicio)P1= 0 K = 120
Formulas a usar:
V=
Rb=
Ib=
Ve=Ie.Re
Ic=Ib.
Ie=Ic+Ib
Resolviendo:
V== 3.385 v
Rb== 15.795 k
Ib==0.064mA
Ic=120(0.100)=7.636mA
Ie=7.69998mA
Vce=-(7.636)(1+0.22)+12=2.684v
Ve=(0.22)(7.69998)=1.694 v
d) Cambiar R1 a 68K , repetir los pasos (a) y (b), anotar los datosobtenidos en la Tabla 3 (por ajuste de P1).Tabla 3Valores (R1= 56 K)Ic (mA.)Ib (A.)Vce(v.)Vbe(v.)Ve(v.)
Teoricos6.684561203.8460.72.408
Resolviendo:
V== 2.933 v
Rb== 13.689 k
Ib==0.056mA
Ic=120(0.090)=6.684mA
Ie=10.943mA
Vce=-(6.684)(1+0.22)+12=3.846
Ve=(0.22)(10.943)=2.408 v
e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K , 250K , 500K y 1M .Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce(Usar Re=0). Llenar la Tabla 5.
P1100K250K 500K1M
Ic(mA.) 4.8730.614- 1.378- 2.534
Ib(uA.)415.116 - 11-21
Vce(v.)6.05511.25113.68115.091
Para P1=100K:
V== 1.483 v
Rb== 19.281 k
Ib==-0.041mA
Ic=120(0.061)=4.873mA
Ie=4.914mA
Vce=-(4.873)(1+0.22)+12=6.055
Para P1=250K:
V== 0.805v
Rb== 20.524 k
Ib==5.116 A
Ic=50(0.025)=0.614mA
Ie=0.614mA
Vce=-(0.614)(1+0.22)+12=11.251v
Para P1=500K:
V== 0.457v
Rb== 21.163 k
Ib==- 0.011 mA
Ic=120(-0.011)=- 1.378mA
Ie=-1.389mA
Vce=-(-1.378)(1+0.22)+12=13.681v
Para P1=1000K:
V== 0.245v
Rb== 21.551k
Ib==- -0.021mA
Ic=120(-0.021)=- 2.534mA
Ie=-2.555mA
Vce=-(-2.534)(1+0.22)-12=15.091v