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Nueva tecnología de memoria de estado sólido para almacenamiento más denso y con menor consumo energético Enviar por email Los chips de memoria modernos deben cumplir muchos requisitos: Tienen que leer y escribir datos a alta velocidad y conservarlos durante mucho tiempo, cuanto más mejor. Esto último les exige ser duraderos. Además, deben hacer todo esto con el mínimo uso de energía. Una nueva tecnología de memoria no volátil, de estado sólido, la cual requiere 100 veces menos energía que los dispositivos convencionales comparables, tiene el potencial de batir todas las marcas en cuanto a consumo energético y otras cualidades. Las memorias no volátiles conservan sus datos incluso cuando el aparato está apagado, a diferencia de las memorias RAM de los ordenadores, las cuales sí son volátiles y pierden su contenido cuando la máquina se apaga. La estructura por capas diseñada por el equipo de James Tour, de la Universidad Rice, en Houston, Texas, Estados Unidos, consta de tantalio, óxido de tantalio nanoporoso y grafeno multicapa entre dos electrodos de platino. La aplicación de voltaje al “sándwich” de 250 nanómetros de grosor integrado por capas con las distintas composiciones químicas requeridas crea bits direccionables en puntos de encuentro entre

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Page 1: Nueva tecnología de memoria de estado sólido para almacenamiento más denso y con menor consumo energético

Nueva tecnología de memoria de estado sólido para almacenamiento más denso y con menor consumo energéticoEnviar por email

  

Los chips de memoria modernos deben cumplir muchos requisitos: Tienen que leer y

escribir datos a alta velocidad y conservarlos durante mucho tiempo, cuanto más mejor.

Esto último les exige ser duraderos. Además, deben hacer todo esto con el mínimo uso de

energía.

 

Una nueva tecnología de memoria no volátil, de estado sólido, la cual requiere 100 veces

menos energía que los dispositivos convencionales comparables, tiene el potencial de

batir todas las marcas en cuanto a consumo energético y otras cualidades.

 

Las memorias no volátiles conservan sus datos incluso cuando el aparato está apagado, a

diferencia de las memorias RAM de los ordenadores, las cuales sí son volátiles y pierden

su contenido cuando la máquina se apaga.

 

La estructura por capas diseñada por el equipo de James Tour, de la Universidad Rice, en

Houston, Texas, Estados Unidos, consta de tantalio, óxido de tantalio nanoporoso y

grafeno multicapa entre dos electrodos de platino.

 

La aplicación de voltaje al “sándwich” de 250 nanómetros de grosor integrado por capas

con las distintas composiciones químicas requeridas crea bits direccionables en puntos de

encuentro entre capas. Los voltajes de control que desplazan los iones de oxígeno y las

vacantes conmutan los bits entre el estado de cero y el de uno.

 

Page 2: Nueva tecnología de memoria de estado sólido para almacenamiento más denso y con menor consumo energético

Esquema de la composición por capas del nuevo dispositivo de memoria. (Imagen: Tour Group /

Rice University)

 

Los nuevos dispositivos requieren solo dos electrodos por circuito, haciéndolos más

simples que las memorias flash actuales que utilizan tres.

 

Dado que esta memoria tantalio se basa en sistemas de dos terminales, es factible apilar

memorias creando un conjunto de gran capacidad gracias a este mejor aprovechamiento

del espacio. Además, este nuevo tipo de memoria no necesita ni siquiera diodos o

selectores, por lo que es una de las memorias ultradensas más fáciles de construir.

 

Todo ello convierte a esta nueva tecnología de memoria en una fuerte competidora para

otras clases en desarrollo o ya en uso, sobre todo en actividades como almacenar vídeo

de alta resolución o para guardar el enorme volumen de datos que los servidores de

internet deben almacenar.

 

Información adicional

Page 3: Nueva tecnología de memoria de estado sólido para almacenamiento más denso y con menor consumo energético

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