Fabricación

de

Circuitos

Integrados

María Isabel Schiavon - 2006

CRECIMIENTOEPITAXIAL

La tecnología más popular

Simplicidad de diseñoBaja disipaciónAltos niveles de integración e i

e o A B

C

D E

.5V DD

V DD

V DD

V C V TN V DD + V TP

i D

CMOS

VG=V ⇒ NMOS conduce

VG=0 ⇒ NMOS cortado

Si Vi=0 (source) ⇒C se descarga totalmente

Si Vi=V (drain) ⇒C se carga hasta VC=V-VT

VG=0 ⇒ PMOS conduce

VG=V ⇒ PMOS cortado

Si Vi=V (source) ⇒C se carga totalmente (VC=V)

Si Vi=0 (drain) ⇒C se descarga hasta VC=VT

-VG

Puerta de TransmisiónLos dos transistores conducen al mismo tiempo

Inversor CMOS

Ni GSv v=

PGS i DDv v V= −

NDS ov v=

P NDS DS DDv v V= −

NTV 0>

PTV 0<

N PD Di i= −SSV 0≤

VDD

vi o

VSS

DD

v i

VSS

V

v ov

N Ni GS T

n

v v V

Q cortado

= <P PGS i DD Tv v V V 0= − < <

tanpQ conduce

zona corriente cons te

N NG S T nv V Q co n d u ce>

-

. .N N NDS GS T

n

v v V

Q zona cte cte

>

-N N NDS GS T

n

v v V

Q zona resistiva

<

-P

P

GS i DD

DS o DD

v v V

v v V

= −

=

NDS o DDv v V= ≈

..P P P

P P P

DS GS T

DS GS T

v v V zona cte cte

v v V zona resistiva

> −

< −

DD

vi

V

ovD

QN

QP

vi

vo

A B

.5VDD

VDD

V TN

id

zona BNi Tv V≥

-N N NDS GS Tv v V>

-P P PDS GS Tv v V<

Qn zona cte. cte.Qp zona resistiva

zona ANi Tv V<

Qn corteQp zona resistiva

-P P PDS GS Tv v V<

DD

vi

V

ovD

QN

QP

vi

voA B

C.5VDD

VDD

VCVTN

id

( ) ( )N P

N P

DS DS

2 2N P

i T i DD T

i i

v V v V V2 2β β

= −

− = − −

P N

1

N Ni DD T T C

P P

v V V V 1 Vβ ββ β

−

= + + + =

Dos fuentes de corriente en serie

iDP

iDN

-N N NDS GS Tv v V>

-P PDS GS TP

v v V>

Qn y Qp zona cte. cte.

zona C

Ni Tv V≥

DD

vi

V

ovD

QN

QP

vi

voA B

C

D E

.5VDD

VDD

VDD

VCVTNVDD+ VTP

i d

-N N NDS GS Tv v V<

-P P PDS GS Tv v V>

Qn zona resistivaQp cortado

-Pi DD Tv V V≥

zona E

zona D

-N N NDS GS Tv v V<

Qn zona resistivaQp zona cte. cte

DD

vi

V

ovD

QN

QP

vi

vo

.5VDD

VDD

VDD

VTN VDD+ VTP.5VDD

βN/ βP= 10

βN/ βP= 0,1

βN

/ βP

=1

Influencia de las características de

los transistores

t

vi

t

vo

d

f trt

t

Características de conmutación

VOHmín

VIHmín

VOLmáx

VILmáx

NM

NML

H

ei

eo

VDDVTNVDD+ VTP

~VDDVOH

dvodvi

= -1

VIHVI L

VOL~0

Margen de ruido

Proceso Pozo N Proceso Pozo P

Proceso Doble Pozo Proceso SOI

Sección inversor CMOS

Layout inversor CMOS

Proceso Pozo N

Vista NMOS

Layout

P+P+N+N+

Pozo NSustrato P

VSS

VDD

v in

vout

SiO2Sección

Inversor CMOS

CMOS: etapas proceso fabricación

PozoN-WELL

SUSTRATO P

ÓXIDO DE CAMPO

Difusión de pozo

Máscara 1

CMOS: etapas proceso fabricación

Área activaÓXIDO FINO

Definición de áreas activas

Máscara 2

CMOS: etapas proceso fabricación

POLISILICIOPolisilicio

Definición de las puertas

Máscara 3

Difusión n+MOS canal N

CMOS: etapas proceso fabricación

Implante N+N+ N+

Máscara 4

CMOS: etapas proceso fabricación

Difusión p+MOS canal P

Implante P+ P+ P+

Máscara 5

Máscara 6

CMOS: etapas proceso fabricación

Perforaciones de contacto

Contactos

Máscara 7

CMOS: etapas proceso fabricación

Metalización

Metal

Pasivación

MetalizaciónMáscara 7

Máscara 8

Conexionado ( )micro soldaduras

Lay-outs

Generaciónde un camino de baja

impedancia entre alimentación y tierra en un CI CMOS debido a la formación de transistores

bipolares parásitos.

Latch-up

Rs

T1 y T2 conforman un tiristor

Valores elevados deRs y Rw provocan la conducción de T1 y T2, la realimentación positiva intrínseca provoca un cortocircuito permanente entre Vdd y masa ⇒ LATCH-UP.

Minimización de la gananciade los transistores parásitos

Aumento de la distancia entre dispositivos P y N

Anillos de guarda

Aumento número de contactos pozo y sustrato. Proximidad a las fuentes de conexión

Reducción de la resistividad de sustrato y pozo

Precauciones

Diseño de circuitos electrónicos

definición arquitectura

verificación funcional

diseño lógico y verificación

diseño circuital y verificación

Fabricaciónen serie

ensayo, verificación caracterización

prototipos

Concepcióny diseño

especificación circuito

Diseño a nivel transistores

Dimensionamiento transistores

Simulación eléctrica pre lay-out

Layout y verificación reglas

Extracción del circuito

Simulación eléctrica post lay-out

Diseño Circuital y verificación

ETAPAS DELPROYECTO