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UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA. UNIDAD I CARACTERÍSTICAS NO LINEALES DE LOS DISPOSITIVOS ACTIVOS. INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES ELECTRÓNICA DE LAS TELECOMUNICACIONES. ALUMNOS: WENDY GUÍACI: V- 13749529 ALFREDO VELIZCI: V- 14016501 - PowerPoint PPT PresentationTRANSCRIPT
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTALPOLITÉCNICA DE LA FUERZA ARMADA
UNIDAD ICARACTERÍSTICAS NO LINEALES DE LOS
DISPOSITIVOS ACTIVOS
INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES
ELECTRÓNICA DE LAS TELECOMUNICACIONES
ALUMNOS: WENDY GUÍA CI: V- 13749529ALFREDO VELIZ CI: V- 14016501RINO MARTINEZ CI: V- 10077619JESÚS RIOBUENO CI: V- 15082818
El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
TRANSISTORES
Límites de operación del transistor
En los amplificadores con transistores hay dos casos extremos, cuando el transistor esta en saturación ( IC = Max ) que significa que vce es prácticamente 0 Voltio y cuando el transistor esta en corte ( IC = 0 ) que significa que vce es prácticamente igual a Vcc.
Límites de operación del transistor
Estos forman parte de los límites de operación del transistor, que deben tenerse en cuenta en el diseño de cualquier circuito, he aquí un conjunto típico para el transistor de silicio 2N2222
Voltaje colector – base VCB = 60 V Voltaje colector – emisor VCE = 30 VVoltaje base – emisor VBE = 5 VDisipación de potencia IC VCE = 500m/W
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
FET Transistor Efecto de Campo (inglés; Field Effect Transistor)
Es una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Entre los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET, MOSFET y MESFET.
Características de transistores FET
Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:
Por el terminal de control no se absorbe corriente.Una señal muy débil puede controlar el
componenteLa tensión de control se emplea para crear un
campo eléctrico
Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes:
Símbolo de un FET de canal N Símbolo de un FET de canal p
El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT. El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Source a Drenador disminuye.
FET
POLARIZACIÓN DEL FET POR EMPLAZAMIENTO DE PICO O FIJA
JFETCon polarización fija
VGSQ = - VGG
VDS = VDD - IDRS
TETRODO
Triodo
K
A
Tetrodo
+-
Polarización del Tetrodo.
válvula termoiónica
VÁLVULA TERMOIÓNICA CONSTRUIDA POR CUATRO ELECTRODOS: CÁTODO,DOS REJILLAS Y ÁNODO
1
2
3
4
AMPLIFICADOR LINEALES DE POTENCIA
Amplificador lineal Heathkit para radio de comunicacion HF,el amplificador es para las bandas de 10, 15, 20, 40, y 80 metros.
Amplificador lineal vhf rm vla-100
USO Y APLICACIONES DE TETRODO
Los tetrodos de alto voltaje del interruptor se utilizan para la conmutación de alto voltaje
Amplificador de Alta Frecuencia.
Multiplicador Modulador de Frecuencia.
ALGUNOS TETRODO EXISTENTE EN EL MERCADO
4cx1000a tetrodo tubo dealimentación de electrones del tubo
Frecuencia de alimentaciónA.m. de radio de 30 MHz hasta 40 kWF.M. radio de 88 a 110 MHz hasta 40 kWVHF T.V. 48 a 125 MHz hasta 30 kWT.V. UHF 470 a 860 MHz hasta 10 kW
Electro - harmonix 6973 tubo de vacíoelectrónico altavoz tetrodo tubo
Amplificadorcasero
Electrónico tube_power tubeelectronic tubo 8f76r tetrodo
Tubode radiodifusión