MEMORIASLa mayoría de los procesos que realiza un computador se encuentran constituidos por sistemas que manipulan la información para dar como resultado una o varias salidas. En este proceso de manipular la información, los sistemas requieren del almacenamiento temporal o permanente de los datos, así como de las instrucciones que manipulan la información.

Una memoria es entonces un dispositivo capaz de almacenar datos e instrucciones de largo o corto plazo, es decir que tienen la capacidad de memorizar el nivel de una variable binaria (bit). Las memorias en informática pueden ser semiconductoras, magnéticas u ópticas.

- Las memorias semiconductoras se usan comúnmente como memorias internas dada su velocidad de operación.- Las memorias magnéticas u ópticas se usan generalmente como memorias externas debido a su alta capacidad para almacenar grandes volúmenes de datos, aunque son más lentas comparadas con las semiconductoras.

Las unidades de memoria son módulos conformados por un conjunto de elementos agrupados de tal forma que tienen la capacidad de almacenar un bit de información (1 o 0).

1. Celda: elemento dentro de una memoria que almacena un bit de datos (1 o 0), puede corresponder a un único dispositivo electrónico como un flip-flop, condensador, o a un canal de disco magnético.

2. Palabra: es un grupo de celdas (bits) que representa datos o instrucciones dentro de una memoria, el tamaño de palabra varía de 4 a 64 bits

El tamaño o longitud de una palabra hace referencia al número de bits contenidos en ella,y hace referencia a una cadena finita de bits que son manejados como un conjunto por la máquina.

El tamaño de una palabra se refleja en muchos aspectos de la estructura y las operaciones de las computadoras. La mayoría de los registros en un ordenador normalmente tienen el tamaño de la palabra. El valor numérico típico manipulado por un ordenador es probablemente el tamaño de palabra. La cantidad de datos transferidos entre la CPU del ordenador y el sistema de memoria a menudo es más de una palabra. Una dirección utilizada para designar una localización de memoria a menudo ocupa una palabra. Los computadores actuales normalmente tienen un tamaño de palabra de 16, 32 ó 64 bits.

Los procesadores utilizados en ordenadores personales (por ejemplo, los Intel Pentium y los AMD Athlon) siguen con tamaños de palabra de 16 bits, para que tengan compatibilidad con diseños anteriores.

Dependiendo de cómo se organiza un computador, las unidades de tamaño de palabra se pueden utilizar para:

- Números enteros: Los contenedores de valores numéricos enteros pueden estar disponibles en varios tamaños diferentes, pero uno de los tamaños disponibles casi siempre será la palabra. Los otros tamaños, suelen ser múltiplos o fracciones del tamaño de palabra. Los tamaños más pequeños normalmente se utilizan sólo por eficiencia en la utilización de memoria, cuando se cargan en el procesador, sus valores normalmente son mayores, contenedores de tamaño palabra.

- Números en coma flotante: Los contenedores para valores numéricos en coma flotante son típicamente una palabra o un múltiplo de una palabra.

- Direcciones: Los contenedores para direcciones de memoria tienen que ser capaces de expresar el rango necesario de valores, pero no excesivamente grandes. A menudo el tamaño utilizado es el de la palabra pero puede ser un múltiplo o una fracción.

- Registros: Los registros son diseñados con un tamaño apropiado para el tipo de dato que almacenan, p.ej. enteros, números en coma flotante o direcciones. Muchas arquitecturas de computadores utilizan registros de "propósito general" que pueden albergar varios tipos de datos, estos registros se dimensionan para permitir los más grandes de estos tipos y el tamaño típico es el tamaño de palabra de la arquitectura.

- Transferencia memoria-procesador: Cuando el procesador lee del subsistema de memoria a un registro o escribe el valor de un registro en memoria, la cantidad de datos transferidos es a menudo una palabra. En

los subsistemas de memoria simples, las palabras son transferidas sobre el bus de datos de memoria, que típicamente tiene un ancho de una palabra o media palabra. En los subsistemas de memoria que utilizan caché, la transferencia de tamaño palabra se produce entre el procesador y la caché de nivel uno, en los niveles más bajos de la jerarquía de memoria las grandes transferencias (con múltiplos de la longitud de palabra) son normalmente utilizadas.

- Resolución de unidades de dirección: Es una arquitectura dada, los sucesivos valores de direcciones designan sucesivas unidades de memoria. En muchos ordenadores, la unidad puede ser un carácter o una palabra (algunos han utilizado una resolución de bit). Si la unidad es una palabra, entonces se puede acceder a una gran suma de memoria utilizando una dirección de un tamaño dado. Por otra parte, si la unidad es un byte, se pueden direccionar caracteres individuales (p.ej. seleccionados durante la operación de memoria).

- Instrucciones: Las instrucciones máquina normalmente son fracciones o múltiplos de la longitud de palabra de la arquitectura. Esta es una elección natural ya que las instrucciones y los datos normalmente comparten el mismo subsistema de memoria.

3. Bit: estado 1 o 0

4. Nibble: grupo de 4 bits, (medio Byte)

5. Byte: grupo de 8 bits. Desde el punto de vista de la memoria un Byte es un único espacio de memora direccionable de tamaño 8 bits.

6. Dirección: es la posición de una unidad de datos dentro de la matriz de memoria y consiste en un numero que identifica la localidad de una palabra (localización física) dentro de la memoria y es única para cada palabra almacenada en la memoria, se especifica en binario, o hexadecimal

Ejemplo: se tiene un bus de direcciones de “n” bits, y cada palabra dato contiene “m” bits. (n=4, m=8)

7. Capacidad: es la manera como se especifica cuantos bits se pueden almacenar en una memoria en particular. (Numero total de datos que se pueden almacenar), se puede dar en bits en bytes. (n palabras x m bits).

Ejemplos: - una memoria de 8 palabras y 8 bits por palabra (8x8) tiene una capacidad de 64 bits o de 8 bytes.- una memoria de 4096 palabras y 20 bits por palabra (4096x20) tiene una capacidad de 81920 bits.

Ejercicio: -¿Cual será la capacidad de una memoria de 2Kx8?2*(1024)*8= 16384 bits o 2048 Bytes- ¿Cuál de las siguientes memorias almacena mas bits 5Mx8 o 1Mx16?

8. Densidad: es un término relacionado con la capacidad de una memoria y consiste en definir que una memoria es más densa que otra dado que tiene la capacidad mayor de almacenar mas bits en un mismo espacio.

9. Tiempo de acceso: Corresponde al tiempo que tarda una memoria en acceder a la información (medida de la velocidad de operación. También se puede decir que es el tiempo que se requiere para una operación de lectura. tacc = tiempo de recepción de una dirección en la entrada y la disposición de los datos en la salida

El tiempo de acceso es el intervalo de tiempo entre el instante en el cual una unidad de control de instrucción inicia una solicitud de datos o una solicitud para almacenar datos, y el instante en el cual los datos son obtenidos o se inicia el almacenamiento.

El tiempo de acceso es igual al tiempo del ciclo más el tiempo de latencia. El tiempo del ciclo corresponde al opuesto de la frecuencia de reloj; por ejemplo, en un ordenador con una frecuencia de 200 MHz, el tiempo del ciclo es de 5 ns (1/200*106) y el tiempo de latencia es el período de tiempo que conlleva el acceso a la memoria. Se denominan latencia de una memoria RAM a los diferentes retardos producidos en el acceso a los distintos componentes de esta última. Estos retardos influyen en el tiempo de acceso de la memoria por parte de la CPU, el cual se mide en nanosegundos (10-9 s).

Tipos de latencias• Demora de CAS o latencia de CAS (CAS significa Señalizador de Direccionamiento en Columna): es el número de ciclos de reloj que transcurre entre el envío del comando de lectura y la llegada de la información. En otras palabras, es el tiempo necesario para acceder a una columna. • Tiempo de precarga de RAS (conocido como tRP; RAS significa Señalizador de Direccionamiento en Fila): es el número de ciclos de reloj transcurridos entre dos instrucciones de RAS, es decir, entre dos accesos a una fila. • Demora de RAS a CAS (a veces llamada tRCD): es el número de ciclos de reloj correspondiente al tiempo de acceso de una fila a una columna. • Tiempo activo de RAS (a veces denominado tRAS): es el número de ciclos de reloj correspondiente al tiempo de acceso a una fila.

10.Memoria volatil: es un tipo de memoria que requiere de aplicación de energía eléctrica para mantener la información, si se corta el suministro de energía la información se borra automáticamente. Generalmente las memorias semiconductoras son volátiles

11. Memoria no volatil: es un tipo de memoria en la cual si se corta el suministro de energía la información no se borra, sino que permanece almacenada por un tiempo prolongado. Generalmente las memorias magnéticas son no volátiles.

12. Memoria interna: es la memoria principal o memoria de trabajo del sistema, allí se guardan las instrucciones, y los datos sobre los cuales se está trabajando en la CPU, son de tipo semiconductor y son rápidas aunque limitadas en capacidad.

13. Memoria secundaria: Llamada también memoria externa, es la memoria encargada de almacenar grandes cantidades de información externa al sistema, es no volátil por ejemplo los discos magnéticos.

14. Memoria cache: Es un tipo de memoria intermedia de alta velocidad que sirve como memoria de respaldo de las memorias internas que son de menor velocidad que el procesador almacenado los datos o instrucciones de usos frecuente del procesador. Los datos de programa son trasmitidos a la cache cuando la CPU las necesita.

15. Memoria virtual es una técnica de gestión de la memoria que permite que el sistema operativo disponga, tanto para el software de usuario como para sí mismo, de mayor cantidad de memoria que la disponible físicamente combinando la RAM del equipo con espacio temporal en el disco duro. Cuando queda poca RAM, la memoria virtual mueve datos de la RAM a un espacio llamado archivo de paginación. Al mover datos al archivo de paginación y desde él, se libera RAM para completar la tarea.

16. RWM: es un tipo de memora que se puede leer y escribir indistintamente con la misma facilidad.

17. ROM: (Read Only Memory), memoria de solo lectura, es un tipo de memoria no volatil que solo puede escribirse una vez y los datos quedan almacenados en ella de forma permanente, pudiéndose solo leerse, alguna veces se puede reescribir pero el proceso de escritura es mas complicada que el de lectura. Normalmente se llama ROM mascara. A los programas grabados en una memoria ROM se les llama FirmWare (software grabado en una memoria de solo lectura).

18.PROM: es un tipo de memoria en la cual se pueden escribir datos con ayuda de equipos especializados.

19. OTP: One time programable, es un tipo de PROM, que se puede grabar una vez, y después solo se puede leer, son baratas y se usan para fabricación en serie. El proceso de escritura es destructivo y solo se puede realizar una vez.

20. EPROM: (Erasable Programable Read Only Memory), PROM borrable, es un tipo de memoria que se puede volver a grabar si se borran los datos existentes en la matriz de memoria, Existen dos tipos las UV-EPROM u las EEPROM, de acuerdo a la manera de borrado.

21. UV-EPROM: común mente llamada EPROM, generalmente pose una ventana de cristal de cuarzo que permite borrar la memoria usando luz ultravioleta, para posteriormente grabarla nuevamente, se puede grabar varias veces pero es costosa

22. EEPROM: (Electrically Erasable Programable Read Only Memory), también llamada E2PROM, PROM borrable eléctricamente, es un tipo de memoria que se puede volver a grabar y borrar mediante el control de un programa y un circuito programador adecuado mediante pulsos eléctricos, es mas económica y mas rápida que la UV-EPROM.

23. FLASH: son memorias de lectura escritura de alta densidad, no volátiles, que se pueden grabar y borra fácilmente. Son de alta velocidad y relativamente económicas, se usan para programas de usuario.

24. BIOS: Es una memoria de solo lectura, secuencial porque ejecuta los programas que posee siguiendo siempre el mismo orden y es no volátil, El contenido de esta memoria es fijo, Este FirmWare es grabado en la memoria ROM, por el fabricante de la board, donde finalmente se instala el chip de memoria ROM (BIOS), y no se puede modificar a través de los métodos habituales. La bios además contienen el POST (Power On Self Test) y el BOOTSTRAP.

El POST consiste en una rutina de chequeo de los componentes hardware, que incluye una comprobación del procesador, la tarjeta de video, verifica el estado de la memoria determinando la cantidad existente (conteo de memoria), controla a las unidades de disco duro y algunos periféricos. Si durante la ejecución de esta rutina (POST), la misma encuentra algún error lo marcara mediante una serie de beeps (codigo sonoro) y si el error se produce luego de ejecutado, el video la serie de beeps será acompañada por un mensaje en pantalla, determinando de esta manera la naturaleza del error.

Después de efectuar la comprobación POST, el programa de arranque BOOTSTRAP, También es llamado «Bootstrap Loader» (cargador de inicio), que comprobara el orden de booteo y verificara según el orden establecido en el SETUP y cargado en la memoria CMOS –RAM, donde procederá a ir en busca de la unidad que contenga los archivos que permiten la carga del sistema operativo.

25. CMOS-RAM: (Complementary Metal Oxido Semiconductor Random Access Memory), Es una memoria alterna a la BIOS que posee 64 renglones, de 8 bits cada uno, de muy bajo consumo y recargable. Su función es la de contener los datos declarados en el programa Setup, como la cantidad y tipo de discos, y de unidades, orden de booteo, etc....Esta memoria es volátil y necesita ser alimentada por una pila para mantener los datos que posee, cuando el equipo se encuentra apagado. A menudo la CMOS suele confundirse con la propia BIOS, pero es si es una entidad de memoria diferente.

El SETUP hace posible generar los ajustes para la configuración física del equipo. Las variables modificadas mediante el uso del programa SETUP son almacenadas en la CMOS Para acceder al SETUP, en el momento del arranque de la PC debemos presionar la tecla “Supr” o "f2" segun el mother.

26. SAM: memoria de acceso secuencial, es contraria a la RAM, es decir que el tiempo de acceso no es contante sino que depende de cada localidad de la memoria. Para localizar un dato es necesario recorrer toda la memoria.

27. FIFO: (First In- First Out): Primero que entra es el primero en salir, el primer datos que se escribe es el primero que se lee, se usa en sistemas con velocidades diferentes por ejemplo el PC y la impresora, también es llamada buffer o memoria intermedia.

28. LIFO: (Last In – First Out): ultimo en entrar es el primero en salir, este tipo de memoria almacena datos y luego los saca en orden inverso, el ultimo dato almacenado es el primero que se lee, también es llamada pila Push down.

29. RAM: (Random Access Memory) memoria de acceso aleatorio, son memorias volátiles en las cuales la localización física real de una palabra no afecta el tiempo que se tarda en leer dicha palabra en esa localidad o escribir en ella, es decir el tiempo de acceso es igual para cualquier localidad de memoria.

30. SRAM: es un tipo de memoria RAM estática en la cual los datos almacenados permanecen guardados mientras que no se corte la fuente de energía si necesidad de reescribirlos periódicamente. Están compuestas por latch.

31. DRAM: es un tipo de memoria RAM dinámica en la cual los datos almacenados no permanecen guardados aun si la fuente de energía esta activa, sino que necesitan ser reescritos periódicamente o refrescados. Están compuestas por condensadores.

SRAM Sincrónica: Este tipo de memoria tiene una entrada de reloj, la cual le permite operar en sincronía con otros dispositivos. La ventaja de estas memorias viene proporcionada por lo que se podría llamar su funcionamiento automático, guiado por la señal de reloj, por lo que no es necesario ocuparse de generar las señales de control.

32. Operaciones básicas de una memoria: La función básica de las memorias es almacenar información. Sin embargo las memorias tienen la característica específica de permitir escribir o leer datos en su interior. En la figura siguiente se observa la estructura básica de una memoria de 1K de 4 bits, en la cual se indican sus partes básicas.

Figura 1. Esquema descriptivo de una Memoria

En la figura anterior la entrada de direcciones (A0 a A9), como su nombre lo indica, define la posición a escribir o leer dentro de la memoria, las entradas y salidas de datos definen los datos a escribir y leer respectivamente, la entrada WE’ controla el tipo de operación que la memoria debe hacer y la entrada OE’ corresponde a la señal de habilitación de la memoria, la cual habilita o deshabilita la memoria para responder a las demás entradas.

Las operaciones básicas que se pueden ejecutar sobre una memoria consisten en leer y almacenar información mediante el uso del bus de datos y direcciones. Estas operaciones ocurren en un orden lógico, el cual se indica a continuación:• Apuntar a la dirección de memoria que se desea leer o escribir mediante el uso del bus de direcciones• Selección del tipo de operación: Lectura o escritura.• Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operación de escritura)• Retener los datos de la memoria (en el caso de una operación de lectura)• Habilitar o deshabilitar la memoria para una nueva operación.

33. Módulos de memoria: Los módulos de memoria son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados integrados de memoria por una o ambas caras, logrando integrados de cientos o miles de Kilobits. Además de los chips de memoria, los módulos poseen un integrado que permite la identificación del mismo ante el computador por medio de un protocolo de comunicación.

34. Módulos de Memoria RAM: Se utilizan como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se cargan las instrucciones que ejecuta el procesador y otras unidades de cómputo. La expresión memoria RAM se utiliza frecuentemente para describir a los módulos de memoria utilizados en los computadores personales y servidores.

La tecnología de memoria RAM actual es síncrona es decir que usa una señal de sincronización para realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias que eran asíncronas. Las tecnologías síncronas, permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia mayor a 66 Mhz, en la actualidad han alcanzado 2666 Mhz.

35. Módulo de Memoria SIMM: (Single In-line Memory Module) - módulo de memoria en Única línea. Los contactos en ambas caras están interconectados, poseen un bus de datos de 16 o 32 bits y almacenaba hasta 64 megabytes. El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de largo y usaba un conector de 32 pines. Un formato más largo de 4.25", tenia 72 pines

36. Módulo de Memoria DIMM: (Dual In-line Memory Module) - Módulo de memoria dual en línea, Los contactos (o pines) están separados en ambos lados Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits.

37. Módulo de Memoria SO-DIMM: (Small Outline DIMM) consisten en una versión compacta de los módulos DIMM y es usado en computadores portátiles.

38. Módulo de Memoria SDR SDRAM: Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III, así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Los tipos disponibles son:

- PC66 de 66,6 MHz- PC100 de 100 MHz- PC133 de 133 MHz

39.Módulo de Memoria DDR SDRAM: Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory.

Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj, de esta forma trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos para computadores de escritorio y en módulos de 144 contactos para portátiles. Trabajan con 2,5 VoltiosLos tipos disponibles son:

- PC1600 o DDR 200: funciona a un máx de 200 MHz.- PC2100 ó DDR 266 de 133 MHz a máx de 266,6 MHz.- PC2700 ó DDR 333 de 166 MHz a un máx de 333,3 MHz.- PC3200 ó DDR 400 de 200 MHz aun máx de 400 MHz.- PC4500 o DDR 500: de 400 MHz a un máx de 500 MHz

40. Módulo de Memoria DDR2 SDRAM: Double Data Rate type two Synchronous Dynamic Random-Access Memory

Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR, que permiten mayor ancho de banda, usando un reloj interno al doble de frecuencia, de esta forma puede transmitir dos veces más información, permitiendo que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, haciendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Se presentan en módulos DIMM de 240 pines con una sola muesca para computadores de escritorio y en módulos de 200 pines para portátiles. Trabajan con 1,8 VoltiosLos tipos disponibles son:

- PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533,3 MHz.- PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un máx de 666,6 MHz.

- PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz.- PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz.- PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un máx de 1200 MHz

41. Módulo de Memoria DDR3 SDRAM: Double Data Rate type three Synchronous Dynamic Random-Access Memory

Proporciona significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo teniendo un consumo menor que las DDR2. Esto permite subir la frecuencia de funcionamiento de una manera más sencilla sin miedo a quemarla, llevándola al doble de la velocidad de la memoria a la misma frecuencia. Los módulos DIMM DDR3 tienen 240 pines para computadores de escritorio y en módulos de 200 pines para portátiles, el mismo número que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a la ubicación diferente de la muesca.Trabajan con 1,5 VoltiosLos tipos disponibles son:

- PC3-6400 o DDR3-800: funciona a un máx de 800 MHz.- PC3-8500 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz.- PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un máx de 1333,3 MHz.- PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.- PC3-14900 o DDR3-1866: funciona a un máx de 1866,6 MHz.- PC3-17000 o DDR3-2133: funciona a un máx de 2133,3 MHz.- PC3-19200 o DDR3-2400: funciona a un máx de 2400 MHz.- PC3-21300 o DD3-2666: funciona a un máx de 2666,6 MHz.

42. Módulo de Memoria DDR4: es la nueva versión esperada para las memorias DDR; pero el cambio no es exactamente como los anteriores. Estos dispositivos utilizan un buffer, a modo de memoria interna, que es rellenado antes de mandar los datos al procesador. De esta forma esos datos se mandan todos juntos al procesador. En las memorias DDR este buffer tenia un tamaño de 2 bits, es decir, era capaz de guardar la información de 2 bits antes de ser enviados. Para las memorias DDR2 es de 4 bits. Con esto se consigue que las memorias DDR2 puedan enviar el doble de información utilizando la misma frecuencia de funcionamiento. DDR3 vuelve a aumentar el tamaño de este buffer y lo lleva hasta 8 bits. En este caso se permite que exista otro modo de uso a 4 por si se quiere disminuir la latencia. Esto ha provocado que una memoria DDR3 sea capaz de mover 4 veces más datos que una DDR a la misma frecuencia de funcionamiento. Sin embargo este paso no se toma en el estándar DDR4. Este tendrá el mismo tamaño de buffer que las memorias DDR3, esos 8 bits. Por lo tanto las mejoras vendrán sobre todo debidas a los aumentos en las frecuencias de funcionamiento. En concreto las velocidades que se espera de las primeras DDR4 estarán justo por encima de las DDR3 más rápidas. Con el paso del tiempo esto se mejorar sin duda.

El voltaje, en las memorias DDR4, pasa de 1.5V a 1.2V. Esto significa una reducción de mas o menos el 30% a la misma frecuencia de funcionamiento. Es un cambio muy importante y es uno de los puntos fuertes de la memoria DDR4.

43. Módulo de Memoria RIMM: (Rambus Inline Memory Module)- RDRAM (Rambus DRAM): Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus compradores a pagar regalías en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la memoria DDR de uso libre, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la consola PlayStation 3. Se presenta en módulos RIMM de 184 contactos.

TALLER

1. De acuerdo a lo visto en clase diga con sus propias palabras que es una memoria

2. Explique 5 características de cada una de los diferentes tipos de memoria interna que tiene un computador

3. Consulte cuáles son los diferentes tipos de latencia y explique cada uno mediante un ejemplo

4. Consulte en internet como se puede actualizar el firmware de la BIOS

5. Haga un cuadro comparativo con las características más relevantes de los diferentes tipos de memorias DDR

6. Se tiene Una memoria de 512MBytes digaa) Que capacidad en bits tieneb) Cuantas palabras se tienen si el tamaño de palabra es de 8bitsc) De cuantos bits es el registro de direcciones y cuantas direcciones se tienen en total

7. Explique en que consiste el proceso de escritura en la memoria dada en la figura si se quiere almacenar el dato binario correspondiente al @ en código ascii, en la posición de memoria 0xF.

8. Explique en que consiste el proceso de lectura en la memoria dada en la figura si se quiere extraer el dato binario de la posición de memoria 0xC, y diga a que carácter del código ascii corresponde ese dato

9. consulte en internet sobre cuales son los principales fabricantes de memorias

10. consulte en internet cual es la capacidad de almacenamiento más grande que manejan las memorias RAM actuales.

11: Consulte en internet si se graba un dato en una memoria USB y se guarda sin volverla a conectar cual será el tiempo máximo de retención de los datos sin que estos se pierdan 12. consulte: ¿Cómo ingresar a la BIOS (Setup)? ¿Cómo hacer un Clear al CMOS?