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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales SMCTSM A.C.

XXIV Congreso Anual

27 al 30 de Septiembre, Riviera Maya, Quintana-Roo México 2004

Libro de Resúmenes Book of Abstracts

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Patrocinadores Sponsors

CINVESTAV Unidad Querétaro

y Unidad Zacatenco www.cinvestav.mx

Instituto Politécnico Nacional www.ipn.mx

Centro de Investigación en Materiales

Avanzados www.cimav.edu.mx

Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica www.inaoep.mx

Consejo Nacional de

Ciencia y Tecnología

www.conacyt.mx

Universidad Autónoma Metropolitana www.uam.mx

Centro de Investigación

en Química Aplicada

www.ciqa.mx

Centro Latinoamericano de Física www.cbpf.br/~claf

Instituto de Investigación en

Comunicación Óptica

www.iico.uaslp.mx

IPICyT www.ipicyt.edu.mx

AVS www.avs.org

Valley Research www.valleyresearch.com

FUMEC

www.fumec.org.mx LUFAC

lufac.com

Universidad Nacional

Autónoma de México

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INTERCOVAMEX www.intercovamex.com

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales, A.C. (SMCTSM)

Antes

Sociedad Mexicana de Ciencia de Superficies y Vacío, A.C. (SMCSyV)

XXIV Congreso Anual

del 27 al 30 de Septiembre Riviera Maya, Quintana-Roo, México 2004

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Comité Organizador Organizing Committee Alberto Herrera CINVESTAV-Qro. Presidente [email protected]

Wilfrido Calleja INAOE Secretario [email protected]

Jesús Carrillo CIDS- ICUAP Tesorero [email protected]

José Martín Yánez CINVESTAV-Qro. Vocal de Congresos [email protected]

Mario Rodríguez FATA Vocal de Cursos [email protected]

Máximo López López CINVESTAV Miembro Honorario [email protected]

iii

Matices, Agradecimientos y Bienvenida Estimados Participantes del XXIV Congreso Anual de la SMCTSM:

Estamos seguros de que disfrutarán de un evento de elevadísimo nivel académico, lo cual es producto del trabajo de los organizadores de las sesiones: • Alfredo Aguilar • Jesús Araiza • Gerardo Contreras • Javier de la Hidalga • Tessy López • Víctor Méndez

• Daniel Ramírez • Rafael Ramírez • Miguel Vargas • Alberto Vela • Sergio A. Tomás

Cada uno de los organizadores tuvo a bien el definir los alcances de su sesión, el invitar a científicos reconocidos en el ramo, y el darle difusión dentro de la comunidad científica y tecnológica respectiva. Se les agradece profundamente.

Al acercarse el principal evento de la SMCTSM, nuestro congreso anual, se evidencia el entusiasmo que despierta en la comunidad. Aún en tiempos financieramente difíciles (reflejado, sobre todo, en una fuerte reducción en el número de Proyectos CONACyT), el número de participantes será de los históricamente más altos (~250).

A condiciones cambiantes, organizaciones también cambiantes: • Nuestro nuevo nombre refleja las inquietudes de los miembros. Fue

acordado por consenso en una concurrida asamblea con participantes muy vocales, y después de una nutrida exposición de motivos vía Internet. Ahora ya no somos vacíos, sino materialistas.

• El acceso a bajo costo a increíbles tecnologías de la información, hizo posible personalizar las invitaciones y avisos que ustedes, participantes de este evento, recibieron. También, aunque menos obvio, la nueva base de datos está haciendo mucho más manejable y ampliando los horizontes de la Sociedad. Este Libro de Resúmenes fue armado por un equipo que se reunía virtualmente, cada quien desde la comodidad de su oficina o casa. Nuestro profundo agradecimiento también a nuestro webmaster, Pedro Martínez.

• El que las instituciones científicas del país estén pasando por baches económicos, se ve reflejado directamente en estos eventos. Este reto nos ha obligado a redefinir los alcances de la Sociedad, y a encontrar otras fuentes de financiamiento. De hecho, esperamos que se convierta en una gran oportunidad.

Respecto al año pasado, el perfil del Congreso (preferencias por área) no cambió considerablemente. El área que más creció fue Biomateriales. Un

iv

tema muy concurrido dentro del área de Caracterización fue la de Técnicas Fototérmicas, por lo que se creo una sesión especial. También este año se asigno una sesión especial a Ferroeléctricos.

Piedras angulares de este Congreso fueron Diana García y Elvia Aráujo. También participaron Servando Aguirre, Alejandra García, Edgar Franco, Rosario Soto, Omar Castillo, Oscar Gómez, Gemma Rendón y Víctor Elías Torres.

Gran parte de los fondos semilla del evento fueron conseguidos a través de las Membresías Institucionales o apoyos directos. Sin los fondos captados de las membresías de las siguientes instituciones, la operatividad de la SMCTSM (y del Congreso) no habría sido posible: • IPN • CIMAV • CLAF • CONACyT • INAOE • CINVESTAV-Querétaro • UAM • CIQA

• CINVESTAV-DF • IICO • IPICYT • Valley Research Corp. • INTERCOVAMEX • LUFAC • FUMEC • CFATA-UNAM

Después de agradecer a todas estas personas e instituciones, damos la bienvenida a todos los participantes a nuestro XXIV Congreso Anual.

Atentamente,

Comité Organizador

Alberto Herrera CINVESTAV Presidente

Wilfrido Calleja INAOE

Secretario

Jesús Carrillo CIDS- ICUAP

Tesorero

J. Martín Yánez CINVESTAV

Vocal de Congresos

Mario Rodríguez FATA

Vocal de Cursos

Máximo López CINVESTAV

Miembro Honorario

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Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. XXIV Congreso Anual

Riviera Maya, Quintana-Roo, del 27 al 30 de Septiembre, México 2004

Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales

Misión: Proveer foros para la discusión de los problemas tecnológicos y científicos relevantes a la emergente industria mexicana en el campo de la ciencia de superficies y de materiales.

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Tabla Global de Contenido

Plenarias 1

Sesiones Orales 7

Caracterización y Metrología (CME) .....................................................7 Sol-Gel (SGE).....................................................................................11 Procesos en Semiconductores (PSE)..................................................13 Peliculas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos I (RPD) ...............16 Semiconductores (SEM).....................................................................19 Técnicas Fototérmicas (TFT)..............................................................22 Nanoestructuras (NAN) .....................................................................25 Biomateriales (BIO) ..........................................................................29 Peliculas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos II (RPD) ..............32 Cálculos Ab-initio (CAB) ....................................................................33 Ferroeléctricos (FRR) ........................................................................35 Celdas Solares (CES) .........................................................................37

Carteles I 39

Caracterización y Metrología (CME) ...................................................39 Sol-Gel (SGE).....................................................................................48 Procesos en Semiconductores (PSE)..................................................54 Semiconductores (SEM).....................................................................60 Técnicas Fototérmicas (TFT)..............................................................73 Magnetismo (MAG) ............................................................................82 Plasmas (PLA) ...................................................................................85

Carteles II 85

Nanoestructuras (NAN) .....................................................................85 Biomateriales (BIO) ..........................................................................93 Peliculas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos (RPD) ................102 Cálculos Ab-initio (CAB) ..................................................................123 Celdas Solares (CES) .......................................................................125



viii

Vacío (VAC)..................................................................................... 129 Superconductores (SUP)................................................................. 130

Cursos Cortos 131

Índice por autor 134



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Tabla Detallada de Contenido Content

Plenarias 1 Bandgap engineering and device applications of dilute nitrides ....................... 1

W.Tu, Charles University of California

Materials and processes for flexible electronics............................................. 1 Gnade, Bruce

University of Dallas Texas

First principles electronic structure methods and the prediction of materials properties............................................................................................... 1

Trickey, S.B. University of Florida

Magnetic properties of aligned carbon nanotubes filled with Fe ....................... 2 Morán López, José Luis; López Urías,Florentino; Muñoz Sandoval, Emilio; Reyes Reyes, Marisol; Romero, Aldo; Terrones Maldonado, Mauricio1

Instituto Potósino de Investigación Científica Tecnológica

Photoacoustic and photothermal material characterization ............................. 2 Glorieux, Christ

Katholieke Universiteit Leuven, Belgium

Front end challenges in Silicon based technology.......................................... 3 Quevedo-Lopez, Manuel A.

The Materials Characterization & Processing Centers

Microstructural and surface morphological evolution at the atomic scale during growth of transition-metal nitride coatings: self-organized nanostructures ....... 3

Greene, Joe1; Shin, Chan-Soo1; Kodambaka, Suneel1; Ohmori, Kenji1; Petrov, Ivan1

1University of Illinois

Absorción de potencia de microondas en Titanatos de plomo modificados (Pe,Re)(Ti,Mn)O3 ..................................................................................... 4

Zamorano Ulloa, Rafael; Ceballos Sebastián, Ricardo Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

Films deposited by plasma for micro- and nano-electronics............................ 4 Kosarev, Andrey; Torres, A; Calleja Arriaga, Wilfrido

Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

Proyecto CINVESTAV - HITACHI................................................................. 5 Espinoza Beltrán, Francisco1; Herrera Gómez1, Alberto; Muñoz Saldaña, Juan1; Ramírez Bon, Rafael1; Trápaga Martínez, Luis Gerardo1; Yáñez Limón, José Martín1; Coronado, Francisco2

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Hitachi, Jalisco

Modification and analysis of materials using high energy ion beam techniques.. 5 Felter, Thomas E.




x

Thin polycrystalline cells and tandems based on CdTe and related II-VI materials................................................................................................ 5

Compaan, Alvin D. University of Toledo

Properties & applications of nanodiamond particulate.................................... 6 Shenderova, Olga

International Technology Center

Sesiones Orales 7

Caracterización y Metrología (CME) .................................................... 7 Metrología de materiales .......................................................................... 7

Mitani, Yoshito; Salas, José Antonio Centro Nacional de Metrología

Calibración del Sistema de Nanoindentación Nanoscope IV Dimension 3100..... 8 López Gómez, Magaly1; Muñoz Saldaña, Juan1; Espinoza Beltrán, Francisco1; Rychwalski, R.2

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Chalmers University of Tecnology, Advanced Materials

RHEED image analysis software: application to arsenide-nitride materials........ 8 Mendizabal-Ruiz, Gerardo; Martínez-Guerrero, Esteban

Instituto Tecnológico y de Estudios Superiores de Occidente

Molecular beam experiments of tribochemical reactions ................................ 9 Lara Romero, Javier; Rivera Rojas, José Luis; Rico Cerda, José Luis; Vázquez García, Salomón Ramíro

Fac. de Ing. Química, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo

Caracterización de sistemas unidimensionales por microscopía....................... 9 Ascencio, Jorge A.

Instituto Mexicano del Petróleo

Plastic deformation and fracture during nanoindentation test of brittle materials...............................................................................................10

Scholz, T.1; Schneider, G.A.1; Muñoz Saldaña, Juan2; Swain, M.V.3 1Technische Universität Hamburg-Harburg 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 3The University of Sidney

Sol-Gel (SGE) .................................................................................... 11 Nanomedicina: diseño, síntesis y aplicación de nuevos materiales .................11

Ascencio, Jorge A. Instituto Mexicano del Petróleo

Efecto del La2O3 en Catalizadores Base Pd/Al2O3-Ce-ZrOx . ...........................11 Flores, Eric; Sandoval, Sharon; Fuentes, Sergio; Olivas,Amelia

Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM

Preparación de Monolitos de Sílice con Vanadio como Modificador de Red e Incorporación de Esferas Nanométricas Monodispersas para Inducir el Fenómeno de Difracción en el Rango de la Luz Visible. .................................12

Cortés Escobedo,C.A.; Martínez Flores, Jesús Omar; Muñoz Saldaña, Juan; Yáñez Limón, José Martín

Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro



xi

Estructura y reactividad de soluciones sólidas La2-xCexO3, Ce1-xLa xO2/ Bi2Mo0.9W 0.1...........................................................................................12

Rangel, R.1; Bartolo-Pérez, Pascual2; Díaz, Gabriela3; Gómez-Cortés, Antonio3; Galván, Donald4

1Universidad Michoacana de San Nicolas de Hidalgo 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida 3Instituto de Física, UNAM 4Centro de Ciencias de la Materia Condensada, Universidad Autónoma de México

Preparation and Optical Properties of silica Sol-Gel Made Glass Colored with Carminic Acid.........................................................................................13

Díaz-Flores, L.L.; López Parroquín, H.; Rodríguez Paredes, S.; Barajas Fernández,J.; Sánchez Ruíz, P.A.

1Universidad de Tabasco

Procesos en Semiconductores (PSE)..................................................13 Microsensores y Actuadores tipo Trampolín para aplicaciones en Dispositivos Biosensores ...........................................................................................13

Alcántara Iniesta, Salvador1; Pérez Ruiz,Santiago Jesús2; Soto Cruz, Blanca Susana1; Ortega Jiménez, Luis Antonio1; Méndez Bognanni, Luis1; Sosa Sánchez, José Luis1; Muñoz Aguirre, Severino3; Hernandez A,Pablo Rogelio4; Romero-Paredes Rubio, Gabriel4; Calleja Arriaga, Wilfrido5

1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla 2Universidad Nacional Autónoma de México (n) 3Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP 4Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN 5Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

Grabado seco: Aplicaciones en Micro en Micro y Nanofabricación. ..................14 Reyes Betanzo, Claudia


Trigonal symmetry in GaAs1-xN1-x quantum dots for low x-values ...................14 Zelaya Angel, Orlando

Depto. de Física, CINVESTAV

Desarrollo de una Tecnología 0.8 µ BiCMOS Optimizada con Nuevos Materiales15 Coyotl Mixcoatl, Felipe; Rosales Quintero, Pedro; Torres Jácome, Alfonso


New Mechanism of Thermoelectric Cooling at Interface of Two Conducting Mediums ...............................................................................................15

Gurevich, Yuri1; Logvinov, Georgiy2 1Depto. de Física, CINVESTAV 2ESIME IPN

Transport of Nonequilibrium Carriers of Charge in Semiconductor Structures...16 Gurevich, Yuri1; Logvinov, Georgiy2; Espejo Lopez, Gabino3; García, Alberto4; Angeles Fragoso, Oscar2

1Depto. de Física, CINVESTAV 2 SEPI-ESIME-CULHUACAN-IPN 3Depto. de Mecatronica, Universidad Politecnica de Pachuca 4Depto. de Física, UAM-I

Peliculas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos I (RPD) ...............16 EXAFS and EELFS characterization of TiN thin film grown by PLD: The effect of plural scattering process in the determination of the coordination number ......16

Duarte Moller,José Alberto Centro de Investigación en Materiales Avanzados

Properties of pulsed laser ablated fullerene-like CNx thin films.......................17 Zambrano, G.1; Riascos, H.1; Prieto, P.1; Devia, Alfonso2; Arroyave, M.2; Galindo, H.3

1Universidad del Valle 2Universidad Nacional 3Universidad de los Andes



xii

New transparent conducting In-doped CdTeO3 thin films grown by pulsed-laser deposition. ............................................................................................17

Castro Rodríguez, R.; Peña Chapa, Juan Luis Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida

TiO2 thin films encapsulating commercial anatase particles deposited on glass microrods for photodegradation of phenol ..................................................18

Medina Valtierra, Jorge1; García Servín, Josafat1; Frausto Reyes,Claudio2; Calixto, Sergio2

1Instituto Tecnológico de Aguascalientes 2Centro de Investigaciones en Optica A.C., Unidad Aguascalientes

Efecto del depósito con iones de baja energía sobre el desgaste y la corrosión de multicapas de TiN/Ti. ..........................................................................18

Flores Martínez, Martín1; Muhl Saunders, Stephen2; Huerta Arcos, Lázaro2; Andrade Ibarra, Eduardo3

1Univesidad de Guadalajara 2IMM-UNAM 3Instituto de Física, UNAM

Semiconductores (SEM) .................................................................... 19 Electronic materials research at the University of Texas at Dallas ..................19

Gnade, Bruce University of Dallas Texas

HfSiON gate dielectrics for advanced CMOS devices.....................................19 Quevedo, Manuel A.; Chambers, J.J.; Visokay, M.R.; Colombo, L.

Centro de Ultrasónica, Cuba

Metal gate integration for advanced ULSI...................................................20 Wallace, Robert M.


Nanopartículas Semiconductoras en Zeolita Natural.....................................20 Flores Acosta, Mario; Ramírez Bon, Rafael


Estudio termodinámico del CdSe impurificado con Er3+ sintetizado mediante la técnica de depósito por baño químico ........................................................21

Portillo Moreno, Oscar1; Lima Lima, Hilda1; Lozada Morales,Rosendo2; Palomino Merino, Rodolfo2; Zelaya Angel, Orlando3

1Facultad de Ciencias Quimicas , BUAP 2Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP 3Depto. de Física, CINVESTAV

Caracterización estructural de ZnSe impurificado con iodo............................21 Rábago Bernal, Felipe de Jesús1; Lezama Pacheco, J.2; Mustre de León, José2; Espinosa, Francisco Javier2; Conradson, S.2

1Fac. de Ciencias, UASLP 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida

Técnicas Fototérmicas (TFT)............................................................. 22 Aplicaciones de técnicas fototérmicas en biotecnología.................................22

Cruz Orea, Alfredo Depto. de Física, CINVESTAV

Comparación de las cualidades metrológicas entre los modos de corriente y voltaje en la configuración inversa de la técnica fotopiroeléctrica a bajas frecuencias............................................................................................22

Ivanov Tsonchev, Rumen1; Gutiérrez Juárez, Gerardo2; Vargas Luna, Miguel2; Sosa Aquino, Modesto2; Moreno, Ivan1

1Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas 2Instituto de Física, Universidad de Guanajuato



xiii

Detección de algunas sustancias biológicas mediante deflexión fototérmica.....23 Larrea Cox, Pedro J.1; Escobar Uña, Aurora C.2; Cobas Aranda, Margarita2

1Centro de Aplicaciones Tecnológicas y Desarrollo Nuclear 2Agencia de Energìa Nuclear y Tecnologìas de Avanzada

Laser-based photoacoustic trace gas detection: applications in the environmental sciences and plant physiology..............................................23

Tomás, S.A. Depto. de Física, CINVESTAV

Normalized photoacoustic techniques: thermal diffusivity measurements of coating paints ........................................................................................24

Balderas López, José Abraham Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional

Caracterización termoelectrónica de semiconductores ..................................24 Rodríguez García, Mario Enrique

Centro de Física Aplicada y Tecnología Avanzada - UNAM

Aplicación de la espectroscopía de lente térmico en el estudio de vidrios sol-sel y cristales líquidos ..................................................................................24

Yáñez Limón, José Martín; Guzmán Gómez, Oscar; Mayén Mondragón, Rodrigo; Martínez Flores, Jesús Omar

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Nanoestructuras (NAN) .....................................................................25 Submicron bolometers for infrared detection ..............................................25

González, F. Javier1; Ilicb, B.2; Boreman, Glenn D.3 1IICO-UASLP 2College of Williams and Marry 3 Fac. de Física, Universidad Autónoma de Baja California

Propiedades ópticas de nanoparticulas .......................................................26 Ortiz, Guillermo Pablo; Mochan, Luis Wolf; Borensztein, Ives; Barrera, Ruben Gerardo

Instituto de Física, UNAM

Nano-structures in Si-Ge films..................................................................26 Kosarev, Andrey1; Torres Jácome, Alfonso1; Felter, Thomas E.2

1Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica 2Lawrence Livermore National Laboratory

Calculation of the 1e-1hh transition energy in disk-shaped GaAs quantum dots27 López López, Máximo1; Méndez García, Víctor Hugo2; Meléndez Lira, Miguel Angel1; Pérez Centeno, Armando1

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN 2IICO-UASLP

Mechanisms of photoluminescence of Si or Ge nanocrystallitesembedded in different matrixes ...................................................................................28

Torchynska, T. V. SEPI - ESFM, National Polytechnic Institute

Magnetism in corrugated carbon nanotori: the importance of symmetry, defects and negative curvature.................................................................28

Rodríguez Manzo, Julio A.; López Urías, Florentino; Terrones Maldonado, Mauricio; Terrones, Humberto

División de Materiales Avanzados, IPICYT



xiv

Biomateriales (BIO).......................................................................... 29 Estudio de los tiempos de germinación de semillas de jitomate en presencia de un campo magnético pulsado ...................................................................29

Sosa Aquino, Modesto1; Sánchez Rocha, Salvador2; Cano González, Mario Eduardo1; Vargas Luna, Francisco Miguel1

1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 2Depto. de Física, CINVESTAV

Development of an image analysis technique for the quantification of microstructural features in compact human bone ........................................29

Cómbita, L. F.; Restrepo,P. A; Rojas, F. A; Blaschke, M.M.; Sanabria, A.M. Universidad de los Andes, Perú

Normalized photoacoustic technique for thermal diffusivity measurements of dental resins..........................................................................................30

Balderas López, José Abraham1; Moreno-Márquez, M.2; Dorantes, S.1 1Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional 2Investigador Independiente

Evaluación de la calidad de maíz masa y tortilla utuilizando la espectroscopia de ultrasonido........................................................................................30

López H., G. A.1; Figueroa, Juan de Dios1; Galván Mendoza, Arturo1; Gaytán Martínez, Marcela1; Vélez, M.1; Martínez F.H.2

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Universidad Michoacana de San Nicolas de Hidalgo

Influencia de la L-α-lisofosfatidilcolina (LPC) sobre las propiedades térmicas y estructurales del almidón de maíz nativo. ..................................................30

Hernández Hernández, Ernesto1; Avila Orta, Carlos A.2; Hsiao, Benjamín S.2; Ramírez Cardona, Marius3; Gómez Aldapa, Carlos Alberto3; Maldonado Villalba, Lorena1; Thelpalo Carballo, Blanca S.3; Pérez Velázquez, Kristel1; Coreño Alonso, Oscar1; Urbina A., José E.4

1Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo 2Universidad del Estado de Nueva York 3Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo 4Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Mecanismo de agregación de gránulos de almidón de maíz ...........................31 Canónico Franco, Marcia1; Herrera Gómez, Alberto2

1Universidad Autónoma de Querétaro UAQ 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Peliculas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos II (RPD) ............. 32 Microwave ECR plasma nitriding of AISI 4140 steel .....................................32

Chirino,Serafín1; Escobar Alarcón, Luis2; Mejía Hernández, José Antonio3; Camps Carvajal, Edgar Enrique2

1Depto. de Ingeniería, Universidad Autonoma del Estado de Mexico 2Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares 3IMM-UNAM

La Cinética de Crecimiento en los Sistemas de Rocío Pirolítico y Depósito por Vapores Químicos Asistidos por Aerosol en el caso de los Óxidos Metálicos .....32

Conde-Gallardo, Agustín; Castillo, Nancy; Guerrero, Marcela J.; Soto, Ana Bertha Depto. de Física, CINVESTAV

GaN films grown on (001)- and (111) Si substrates by molecular beam epitaxy33 Cervantes Contreras, Mario1; Meléndez Lira, Miguel A.2; López López, Máximo2

1Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional 2Depto. de Física, CINVESTAV



xv

Cálculos Ab-initio (CAB) ....................................................................33 Study of Magnetism on Fen and Con Clusters as Hydrogen is absorbed ..........33

Beltran Sanchez, Marcela Regina Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

Parallelization of the DFT Code deMon .......................................................34 Calaminici, Patrizia

Depto. Quimica, CINVESTAV

The Cyclic Cluster Model in the KS-DFT Program deMon: An Approach for Simulating Periodic Systems ....................................................................34

Janetzko, Florian1; Koster, Andreas M.2 1Depto. de Química, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN 2Virginia Commonwealth University, Richmond, VA

Optical properties of nanoparticles ............................................................34 Noguez, Cecilia


The selectivity of a model zeolite ring over hydrocarbons with different symmetry, travelling with different orientations and speeds..........................35

Santamaria Ortiz, Rubén1; Zaragoza Rivera, Pedro2; Garcia Serrano, Luz Arcelia2 1Instituto de Física, UNAM 2Instituto Mexicano del Petróleo

Ferroeléctricos (FRR) ........................................................................35 Estudio Epr de la Transición de Fase..........................................................35

Ramírez Rosales, Daniel Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

AC behaviour and phase transition in PLZT 6/80/20 ferroelectric ceramics ......36 Peláiz Barranco, Aime1; García Zaldivar, O.1; Calderón Piñar,F.1; López Noda, R.2

1Universidad de la Habana 2Centro de Ultrasónica, Cuba

Mediciones del perfil de absorción de potencia a microondas en materiales ferroeléctricos y magnetoferroeléctricos.....................................................36

Álvarez Lucio, Guillermo1; Portelles Rodriguez, Jorge José2; Heiras Aguirre, Jesus L.2; Zamorano Ulloa, Rafael1

1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 2Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM

Impedance Spectroscopy in Ferroelectric Materials ......................................37 Valenzuela Monjarás, Raúl

Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

Celdas Solares (CES) .........................................................................37 Towards high efficiency/cost CdTe thin film solar cells..................................37

Morales Acevedo, Arturo Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Fabrication issues of a substrate configuration Cdte/Cds photovoltaic device ...37 Mathew, Xavier

Centro de Investigación en Energía, UNAM

Properties of CdS thin films growth by CBD as a function of Thiourea concentration and their influence on the CdTe solar cells performance............38

Contreras Puente, Gerardo Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN



xvi

Carteles I 39

Caracterización y Metrología (CME) .................................................. 39 Caracterización Morfológica y Térmica de Pelets De Mineral De Hierro Producidos Con Diferentes Tipos De Aglomerantes ......................................39

Santillano-Cardoza, J.1; Flores Farias,Riveliino2; Galindo-Sifuentes, Agustín2; Pérez Robles, Juan Francisco2; Trápaga-Martínez,G.2; Yañéz Limón, José Martín2

1Escuela de Ciencias Químicas, Universidad Juárez del Estado de Durango 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Ionization probability of sputtered atoms as a function of their energy: experimental SIMS study.........................................................................40

Villegas, Antonio; Kudriatsev, Yuriy; Godínez Hernández, José Antonio; Asomoza Palacio, René

1Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

The Attenuated Total Reflection Method for Thin-Films Characterization..........40 Muñoz Aguirre, N.1; Martínez Pérez, Lilia2; Rodríguez Juárez, Mauricio3; Zelaya Angel, Orlando4; Becerril Silva, Marcelino4; Garibay Febles, Vicente1; Lozada y Cassou, Marcelo1

1Instituto Mexicano del Petróleo 2CICATA-IPN-Legaria 3Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM 4Depto. de Física, CINVESTAV

Caracterización óptica de películas delgadas de Y2O3 por elipsometría espectral41 Villalpando Treto, Claudia Patricia1; Ortíz Saavedra, Juan1; Araiza Ibarra, José de Jesús1; Aguilar Frutis, Miguel Angel2; Falcony Guajardo, Ciro3

1Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada del IPN, Legaria 3Depto. de Física, CINVESTAV

Incremento en la resistividad eléctrica de las aleaciones para soldering 40Pb-60Sn y 34Pb-65Sn-1Zn obtenidas mediante la técnica de aleado mecánico por compactación múltiple cerrada .................................................................41

Rojas Chávez, Hugo; Jaramillo Vigueras, D. Escuela Superior de Ingeniería Química e Industrias Extractivas del IPN

Physicochemical Evaluation of Commercially Produced Instant Nixtamalized Corn Flour .............................................................................................42

Fernández Muñoz, José Luis1; Palacios Fonceca, Alin Jael2; Rodríguez García, Mario Enrique2

1CICATA-IPN-Legaria 2CFATA, UNAM

Physicochemical and Nutritional Comparison of Instant Tortilla and Arepa Flours ...................................................................................................43

Fernández Muñoz, José Luis1; González Dávila, Maria Laura2; Rojas Molina, Juan Isela2

1CICATA Querétaro 2CICATA-IPN-Legaria

Recuperación de la topografía de celdas de carga mediante el método de topografía de Moiré por proyección de autoimágenes ...................................43

Flores Moreno, Jorge Mauricio1; Rayas,Juan Antonio1; Aguayo, Daniel Donato1; Rodríguez-Vera, Ramón1; Martínez, Amalia1

1Centro de Investigaciones en Optica

Sistema para estudio y modificación de materiales a bajas temperaturas mediante aceleradores de partículas..........................................................44

Cruz Manjarrez, Héctor1; Barragán Vidal, Alberto1 1Instituto de Física, UNAM



xvii

Caracterización de Nanotubos de Carbón sintetizados por Aspersión Pirolítica..44 Aguilar-Elguézabal, A.1; Antúnez,Wilber1; de La Torre,Luis1; Lardizábal,Daniel1; Torres, Enrique1

1Centro de Investigación en Materiales Avanzados

Low-temperature and photoluminescence of Ga1-xInxAsySb1-y grown on Te –doped GaSb substrates by Liquid-phase Epitaxy LPE....................................44

Ramírez Cruz, María Alicia1; Gómez Herrera, María Lucero2; Herrera Pérez, José Luis1; Díaz Reyes, Joel2; Mendoza Álvarez, Gregorio Julio3; Peña Sierra, Ramón4

1CICATA-IPN-Legaria 2CICATA-IPN-Legaria 3Depto. de Física, CINVESTAV 4Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

Realistic Models of Molybdenum Oxide Catalysts Prepared in UHV..................45 Kaltchev, Matey G.1; Lara Romero, Javier2; Wang, Yilin3; Tysoe, Wilfred T.3

1Milwaukee School of Engineering 2 Fac. de Ing. Química, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo 3University of Wisconsin-Milwaukee

Caracterización de los cambios microestructurales inducidos con el tratamiento térmico, de una película de Ni-B aplicada mediante un proceso electroless sobre un acero A2 ..................................................................................45

Moreno López, Myriam1; Torres Sanchéz, Roal1; Aguilar Elguezabal,Alfredo1 1Centro de Investigación en Materiales Avanzados

Caracterización de las arenas de las dunas de samalayuca chihuahua ............46 Cruz Sánchez, Ezequiel1; Hernández, Arturo1; Corral, Verónica1; Díaz, Cesar2; Saenz, Francisco3; Boone, Keith3

1Centro de Investigación en Materiales Avanzados 2 Fac. de Física, Universidad Autónoma de Baja California 3NAFTA CENTER, S.A. DE C.V.

Bolómetro de a-Si-B:H enfriado a 4.2K Para detección de λ de los mm...........46 Heredia Jiménez, Aurelio Horacio; De la Hidalga Wade, Francisco Javier; Torres Jácome, Alfonso; Jaramillo Núñez, Alberto; Ambrosio, Roberto


Fission tracks effects in diamond...............................................................47 Fragoso Soriano, R.1; Espinosa Garcia, Guillermo2; Golzarri Moreno, José Ignacio2; Guerrero, Marcela J..1; Soto, Ana Bertha1; Vázquez López, Carlos1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Instituto de Física, UNAM

Caracterización eléctrica de dispositivos basados en el efecto Hall cuántico .....47 Rivera Álvarez, Zacarías1; Guillén Cervantes, Angel1; Zamora Peredo, Luis2; Méndez García, Víctor Hugo2; Hernández Márquez, Felipe3; López López, Máximo1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2IICO-UASLP 3Centro Nacional de Metrología

Obtención de prerreducidos de hierro a partir de minerales colombianos en horno rotatorio a nivel de laboratorio.........................................................48

Hoyos Cruz, Norma Constanza Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia

Sol-Gel (SGE).....................................................................................48 Sol-gel Fe/TiO2 nanomaterials for denitrification of water..............................48

Quintana, Patricia1; Lopez, Tessy2; Aguilar, Daniel1; Pacheco, Julia1; Cabrera, Armando1

1CICATA, Mérida 2Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

Efecto del La2O3 en Catalizadores Base Pd/Al2O3-Ce-ZrOx para la Reducción de NO .......................................................................................................49

Flores, Eric1; Sandoval, Sharon1; Fuentes, Sergio1; Olivas,Amelia1 1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM



xviii

Mejoramiento en la Resistencia a la Abrasión de Híbridos formado con poly(metil metacrilato), sílice obtenida por sol-gel y alumina nanométrica ......49

Calderón Guillen, Joel A.1; Jiménez Vargas, Christian D.2; Avilés Arellano, Luz Maria Reyna2; Pérez Robles, Juan Francisco2; González Hernández, Jesús2

1Centro de Química, BUAP 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Nano-encapsulation of anticonvulsant drugs into sol-gel materials .................50 López, Tessy

Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

Molecular vibration analysis and NMR of 1H of epilepsy drugs inside sol-gel TiO2 reservoirs .......................................................................................50

López, Tessy; Navarrete, Juan; Ascencio, Jorge A. Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

AA and GBM tumors treatment using nano-materials for controlled release .....51 López, Tessy; Ascencio, Jorge A.; Campero, Antonio


Photocatalytic degradation of 2,4- dichlorophenoxiacetic acid an 2,4,6-trichlorophenol with ZrO2 and Mn/ZrO2 sol-gel materials..............................51

López, Tessy; Álvarez, Mayra; Tzompantzi, Francisco Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

Phase evolution of sol-gel CaO-ZrO2 mixed oxides.......................................52 Quintana, Patricia1; López, Tessy2; García Palacios, Jaime2; Aguilar, Daniel3

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida 2Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa 3Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN

Supported effect on sol-gel platinum catalysts over Ce-Al2O3, La-Al2O3, Ce-ZrO2 and La-ZrO2 ...................................................................................52

López, Tessy; Pecchi, Gina Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

Evolución de las especies y partículas de plata contenidas en polvos y recubrimientos preparadas por el método sol-gel a diferentes tratamientos térmicos, utilizando resonancia paramagnética (EPR)...................................53

Garnica-Romo, Ma. Guadalupe1; Zamorano Ulloa, Rafael2; González Hernández, Jesús3; Tirado-Guerra, S.2; Yáñez Limón, José Martín3

1Universidad Michoacana de San Nicolas de Hidalgo 2Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 3Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Evaluación preliminar del implante de reservorios para tratamiento de epilepsia por medio de la comparación de imágenes anatomo-funcionales ......53

Castellanos, Pilar; Román, Germán; Iuga, Cristina; Ascencio, Jorge A.; López, Tessy


Procesos en Semiconductores (PSE)................................................. 54 Diseño de un Acelerómetro Capacitivo utilizando Tecnología MEMS ................54

Camacho Huerta, César Saúl; Heredia Jiménez, Aurelio Horacio; Gómez González, Casimiro; Blano García, Sergio; Espinoza Barbosa, Rosendo; Enriquez Guevara, Luis; Argudin Oscos,Alejandro

Depto. de Mecatrónica, Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla



xix

Modelo del ruido de acoplamiento en estructuras de circuito Metal-Óxido-Semiconductor, frente al escalamiento tecnológico ......................................54

Linares Aranda, Mónico1; Mendoza Hernández, Fernando2 1Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica 2Universidad de Sonora

Surface Micromachining for Uncooled IR sensors using SiNx as support layer...55 Ambrosio, Roberto; Landa, Mauro; Kosarev, Andrey; Torres Jácome, Alfonso


Desarrollo de contactos óhmicos para semiconductores III-V con barrera de difusión de Pd ........................................................................................55

Galván-Arellano, Miguel1; Ramírez Cruz, María Alicia2; Díaz Reyes, Joel3; Muñoz Hernández, Rocío Alejandra3; Peña Sierra, Ramón1; Kudriatsev, Yuriy1

1Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV 2CICATA-IPN-Legaria 3CICATA-IPN-Legaria

Caracterización de Óxidos Crecidos en Silicio de Alto Índice Cristalino bajo el Régimen Lineal y Delgado........................................................................56

Rodríguez Mora, Ramiro Rogelio; Calleja Arriaga, Wilfrido; De la HIdalga Wade, Francisco Javier


Obtención de las Razones de Oxidación Lineal para Silicio con Distintas Orientaciones Cristalinas y su Simulación con SUPREM.................................56

Rodríguez Mora, Ramiro Rogelio; Calleja Arriaga, Wilfrido; De la Hidalga Wade, Francisco Javier


Diseño de un micro-escáner bidimensional usando un espejo hiperbólico ........57 Rojas Hernández, Armando Gregorio; Sagarzazu, Gabriel; Molar, G.; Renero,Francisco; Calleja Arriaga, Wilfrido


Estudio de la formación de nanofacetas durante el crecimiento de GaAs por epitaxia de haces moleculares sobre sustratos con dirección (631) ................57

Cruz Hernández, Esteban1; Orlando Pulzara, Álvaro1; Francisco,Ramírez Arenas2; Méndez García, Víctor Hugo2; Rojas Ramírez,Juan Salvador1; López López, Máximo1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2IICO-UASLP

Diseño de un MicroSensor de Presión Interferométrico .................................57 Heredia Jiménez, Aurelio Horacio; Meza Espíritu, F.S.; Gómez González, Casimiro


Modeling of temperature distribution, conductivity distribution, and electric field for a 2D bolometer structure .............................................................58

García Cruz, María de la Luz; Torres Jácome, Alfonso; Kosarev, Andrey Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

Diseño de un micro sensor de presión óptico ..............................................59 Gómez González, Casimiro; Ramírez Pichón,Alonso; Heredia Jiménez, Aurelio Horacio

1Depto. de Mecatrónica, Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla

Crecimiento de aleaciones de GaAsN por epitaxia de haces moleculares .........60 Pulzara, A. Orlando1; Cruz Hernández, Esteban1; Rojas Ramirez, Juan Salvador1; Jiménez Sandoval,Sergio2; Meléndez Lira, Miguel1; López López, Máximo1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro



xx

Semiconductores (SEM) .................................................................... 60 Estructural and optical properties of GaNxP1-x thin films................................60

Pulzara Mora, Álvaro; López López, Máximo; Meléndez Lira, Miguel Dpto. de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Influence of the CdCl2 thermal annealing on the luminescent properties of CdS-CSVT thin films................................................................................60

Mendoza Pérez, Rogelio; Cárdenas García, Modesto; Sastre Hernandez, Jorge; Aguilar Hernández, Jorge; Contreras Puente, Gerardo

Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

Energía de banda prohibida en películas delgadas de Zn1-xCdxTe con exceso de Zn crecidas por erosión catódica de radio frecuencia ...............................61

Becerril Silva, Marcelino; Zelaya Angel, Orlando Dpto. de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Caracterización de películas epitaxiales de GaAs crecidas por MOCVD.............61 Peña Sierra, Ramón; Galván Arellano, Miguel; Romero, Gabriel; Manrique Moreno, Silvestre

Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Características de estructuras metal-semiconductor-metal para aplicaciones en microbolómetros ....................................................................................62

Delgadillo, N.; Kosarev, Andrey; Zuniga, Carlos Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

Obtención de la densidad de portadores y su movilidad en las aleaciones InGaAsSb y AlGaSb obtenidas por LPE.......................................................62

Rosendo, Enrique1; Romano, Román1; Díaz, Tomás1; Juárez, Héctor1; Martínez, Javier1; Navarro, Hugo2

1Centro de Ingeniería y Desarrollo Industrial 2IICO-UASLP

Estudio de los Mecanismos de Transporte en Películas de SIO2 Obtenidos por APCVD..................................................................................................63

Juárez, Héctor; Díaz, Tomás; Rosendo, Enrique; Martínez, Javier; Cuamatzi, Marcelo; Pacio, Mauricio; García, Alejandro; Morales, Crisoforo; Pacheco, Carlos; Serrano, Laura

Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Estudio morfológico de películas delgadas de CdSe depositadas sobre películas de CdCO3 mediante la técnica de Depósito por Baño Químico .......................63

Lima Lima, Hilda1; Portillo Moreno, Oscar1; Contreras Rascón, J.I.2; Lozada Morales, Rosendo2; Palomino Merino, Rodolfo2; Zelaya Angel, Orlando3

1Facultad de Ingeniería Química, BUAP 2Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP 3Depto. de Física, CINVESTAV

Caracterización Óptica De Películas De Pbs.................................................64 Rivera Ruedas, María G.; García García,Alejandra; Borrego Navejas, Laura; Ruiz Serrano, Diana; Ramírez Bon, Rafael


Preparación del CdSe impurificiado con Er3+ crecido mediante la Técnica de Depósito por Baño Químico ......................................................................64

Portillo Moreno, Oscar1; Lima Lima, Hilda1; Hernández Hernández,M.2; Zelaya Angel, Orlando2; Lozada Morales,Rosendo1; Palomino Merino, Rodolfo1

1Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP 2Depto. de Física, CINVESTAV



xxi

Crack-free GaN thick films on silicon (111).................................................65 Contreras, Oscar1; Ponce, Fernando2; Dadgar, Armin3; Krost, Alois3

1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM 2Department of Physics and Astronomy, Arizona State University 3Institut für Experimentelle Physik, Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Germanyde

Influencia del buffer en las propiedades de películas de CdS elaboradas por baño químico .........................................................................................65

Ochoa Landín, Ramón; Ramírez Bon, Rafael; Ortuño López, Mónica Balvanera Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Estudio del crecimiento de InN sobre sustratosde Si por epitaxia de haces moleculares ...........................................................................................66

Viveros Méndez, Perla X.; Orlando Pulzara, Álvaro; López López, Máximo Depto. de Física, CINVESTAV

Photoreflectance study of surface Fermi Level in GaAs and GaAlAs layers grown by MOCVD ...................................................................................66

Ramírez Cruz, María Alicia; Díaz Reyes, Joel; Peña Sierra, Ramón; Galván Arellano, Miguel; Leal Zandejas, Blanca; Vázquez López, Carlos

CICATA-IPN-Legaria

Oxidación de Películas de Nitruro de Silicio en Ambiente de Óxido Nitroso.......66 Carrillo L., Jesús

Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, BUAP

Estudio de los enlaces químicos de películas de SiO2 obtenidas por depósito químico en fase de vapor.........................................................................67

Díaz, T.1; Juárez, Héctor2; Rosendo, Enrique2; Martínez, Javier2; Cuamatzi, Marcelo2; Pacio, Mauricio2; García, Alejandro2; Morales, Crisoforo2; Pacheco, Carlos2; Serrano, Laura2

1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla 2Centro de Ingeniería y Desarrollo Industrial

Development of a fabrication process of thin film uncooled Infrared Imaging Arrays...................................................................................................68

Moreno, M.; Torres Jácome, Alfonso; Kosarev, Andrey; García Cruz, María de la Luz; Ambrosio, Roberto

1Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

Transparent conducting oxides based on ZnO by reactive sputtering ..............68 Becerril Silva, Marcelino1; Meléndez Lira, Miguel Angel1; Santana Aranda, Miguel Angel1; Jiménez Sandoval, Sergio2

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Films deposited by plasma for micro- and nano-electronics...........................69 Kosarev, Andrey; Torres Jácome, Alfonso; Calleja Arriaga, Wilfrido


Caracterización por espectroscoppía Raman de la aleación cuaternaria InxGa1-

xAsySb1-y altamente impurificado con Te crecido sobre (100) GaSb y obtenida por epitaxia en fase líquida. .....................................................................69

Corona Organiche, Edgar1; Díaz Reyes, Joel1; Herrera Pérez, J. L.1; Apam Martínez, J.C.2,3; López Cruz, Elías4; Mendoza Álvarez, Gregorio Julio5

1CICATA-Legaria-IPN 2División de Ing. Sistemas Computacionales, TESE 3ESIA-IPN 4Instituto de Física, BUAP 5Depto. de Física, CINVESTAV



xxii

Structural, electrical and optical characterization of heavily carbon-doped GaAs with a hole concentration 1020 cm-3grown by MOCVD.................................70

Díaz Reyes, Joel1; Peña Sierra, Ramón2; Manrique Moreno, Silvestre2; Galván Arellano, Miguel2

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN 2Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

Low-temperature photoluminescence of undoped and lightly tellurium doped In0.14Ga0.86As0.13Sb0.87 layers grown by liquid phase epitaxy..................70

Díaz Reyes, Joel1; Gómez Herrera, María Lucero1; Herrera Pérez, José Luis1; Mendoza Álvarez, Gregorio Julio2

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN 2Depto. de Física, CINVESTAV

Growth and characterization of AlxGa1-xAs layers obtained by MOCVD using metallic arsenic as precursor ....................................................................71

Díaz Reyes, Joel1; Manrique Moreno, Silvestre2; Peña Sierra, Ramón2; Vázquez López, Carlos2; Galván Arellano, Miguel1; Ramírez Cruz, María Alicia1

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Simulación de transistores de bajo y alto voltaje en tecnología CMOS de ±2.5V72 Del Valle Padilla, José Luis; Zamir Abud; García León, Juan Manuel; Sandoval Ibarra, Federico

CINVESTAV Unidad Guadalajara

Estructuras de proteccion contra ESD ........................................................72 Del Valle Padilla, José Luis; Benitez Sosa, Jorge; Dávalos Santana, Miguel Angel; Sandoval Ibarra, Federico


Técnicas Fototérmicas (TFT)............................................................. 73 Síntesis y caracterización mediante Espectroscopía de Lente Térmico, de monolitos de SiO2 con incorporación de Vanadio y Molibdeno, con propiedades de memoria óptica..................................................................................73

Martínez Flores, Jesús Omar; Yáñez Limón, José Martín Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Thermal Characterization of InGaAsSb/GaSb quaternary systems with Photoacoustic Technique .........................................................................74

Rodríguez, P.; González de la Cruz, Gerardo; Mendoza Álvarez, Gregorio Julio; Sánchez Sinencio, Feliciano


Photothermal detection of water vapour permeability in protein and gum-based edible films...................................................................................74

Tomás, S.A.1; Pedroza Islas, Ruth2; Cruz Orea, Alfredo1; Saavedra, Renato3; San Martín, Eduardo4

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Universidad Iberoamericana 3Universidad de Concepción 4Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN

Characterization of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films by Photoacoustic Spectroscopy .........................................................................................75

Tomás, S.A.1; Stolik Isakina, Suren1; Palomino Merino, Rodolfo2; Lozada Morales, Rosendo2; Persson,C3; Ahuja, Rajeev4; Pepe, Iuri5; Ferreira da Silva, Antonio5

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP 3Royal Institute of Technology 4Uppsala University 5Universidade Federal da Bahia



xxiii

Photoacoustic Technique and Atomic Force Microscopy Applied to the Study of Recombination Parameters In CdTe Films...................................................75

Cruz Orea, Alfredo1; González Trujillo, Miguel Ángel2; Albor Aguilera,Maria de Lourdes3; Castillo Alvarado, Fray de Landa3; Sánchez Sinencio, Feliciano1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Ciencias Básicas, IPN. 3Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

Thermal Diffusivity on Zn1-xMnxInSe4 Solid Compounds ................................76 Morales, Juan Eduardo1; Saavedra, Renato1; Cruz Orea, Alfredo2; Sagredo,Vicente2

1Universidad de Concepció, Colombia 2Depto. de Física, CINVESTAV

Determinación de Temperaturas de Transición de Fase en Cristales Líquidos Termotrópicos por Transmisión Óptica Modulada y Espectroscopia de Lente Térmico.................................................................................................76

Mayén Mondragón, Rodrigo; Yáñez Limón, José Martín Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Imagen fototérmica de tejidos biológicos utilizando microscopia fotopiroeléctrica. ....................................................................................77

Cruz Orea, Alfredo1; González Ballesteros, Rubén2; Suaste Gómez, Ernesto2 1Depto. de Física, CINVESTAV 2Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

Monitoreo de la taza fotosintetica en lirio acuático mediante la técnica fotoacústica ...........................................................................................77

Cardona Ricalde, A.; Mejia Barradas, Cesar; Tinoco, Abel; Díaz Gongora, José Antonio Iran; Calderón Arenas, José Antonio

1CICATA-IPN-Legaria

Determinaciòn de la efusividad tèrmica en silicio poroso mediante la técnica fotoacùstica ...........................................................................................78

Florido, Alex E.1; Zapata, Alvaro2; Mendoza Álvarez, Gregorio Julio3; Muñoz Hernández, Rocío Alejandra1; Peña Rodriguez, Gabriel Peña4; Calderón Arenas, José Antonio1

1CICATA-IPN-Legaria 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada Unidad Altamira 3Depto. de Física, CINVESTAV 4Universidad Francisco de Paula Santander, Depto. de Física

Photoacoustic detection of ethylene evolved from guava fruits coated with composite edible films .............................................................................78

Tomás, S. A.1; Bosquez Molina, Elsa2; Stolik Isakina, Suren3 1Depto. de Física, CINVESTAV 2Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa 3CEADEN

Study of photo-induced charge transfer in molecular materials based on Prussian blue analogs..............................................................................79

Stolik Isakina, Suren1; Tomás, S.A.2; Reguera, Edilso3; Sánchez Sinencio, Feliciano2

1CEADEN 2Depto. de Física, CINVESTAV 3IMRE, La Habana

Study of the Influence of Laser Irradiation on Corn Seeds by using Photoacoustic Spectroscopy .....................................................................79

Cruz Orea, Alfredo1; Hernández Aguilar, Claudia2; Carballo C., A.3; Ivanov Tsonchev, Rumen3; San Martín, Eduardo4; Michtchenko, A.2

1Depto. de Física, CINVESTAV 2ESIME IPN 3Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas 4Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN



xxiv

Detección de algunas sustancias biológicas mediante deflexión fototérmica.....80 Larrea Cox, Pedro J.; Cobas Aranda, Margarita; Escobar Uña, Aurora C.

Centro de Aplicaciones Tecnológicas y Desarrollo Nuclear

Imágenes de onda térmica para la visualización rasgos subsuperficiales .........80 Saavedra, Renato1; Cruz Orea, Alfredo2

1Universidad de Concepción 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Estudio teórico experimental de un sistema de dos capas (metal-polímero) por medio de la celda fotoacústica abierta .......................................................80

García Rodríguez, Francisco Javier1; Ivanov Tsonchev, Rumen2; Gutiérrez Juárez, Gerardo3; Castillo Susunaga, Ramón1; Pichardo Molina, Juan Luis4

1Instituto Tecnológico de Celaya 2Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas 3Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 4Centro de Investigaciones en Optica

Simulación numérica de la difusión de calor en las configuraciones fotoacústica y fotopiroeléctrico...................................................................................81

González Arreguín, Alfredo1; García Rodríguez, Francisco Javier1; Yáñez Limón, José Martín2

1Instituto Tecnológico de Celaya 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Aplicación del modelo compuesto de difusión térmica y flexión termoelástica para el estudio de un sistema de dos capas por medio de la celda fotoacústica convencional..........................................................................................81

Pichardo Molina, Juan Luis1; Gutiérrez Juárez, Gerardo2; Vela-Lira,Héctor Archivaldo3; García Rodríguez, Francisco Javier3; Ivanov Tsonchev, Rumen4

1Centro de Investigaciones en Optica 2Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 3Instituto Tecnológico de Celaya 4Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas

Caracterización termoelectrónica de semiconductores ..................................82 Rodríguez García, Mario Enrique


Magnetismo (MAG) ........................................................................... 82 Influencia del método de síntesis en la respuesta de resonancia paramagnética electrónica en manganitas .......................................................................82

Gutiérrez Amador, María del Pilar1; Montiel Sánchez, Herlinda2; Álvarez Lucio, Guillermo3; Zamorano Ulloa, Rafael4

1Facultad de Química, UNAM 2CFATA, UNAM 3Depto. de Ciencias de Materiales, IPN 4Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

Conversión de NOx por Cu-mordenitas y su caracterización por EPR: influencia de la razón molar SiO2/Al2O3m .................................................................83

Petranovskyi, V.1; Zamora Ulloa, R.2; Chávez Rivas, F.2; Simakov, A.1; Pestryakov, A.3

1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, Universidad Autónoma de México 2Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 3Tomsk State University of Civil Engineering

Resonant and Non-resonant phenomena measurements of Ferromagnetic Resonance in Co-Rich amorphous ribbons ..................................................83

Montiel Sánchez, Ma. Herlinda1; Álvarez Lucio, Guillermo2; Betancourt Reyes, Israel1; Gutierréz Amador, María del Pilar3; Zamorano Ulloa, Rafael4; Valenzuela Monjarás, Raúl1

1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM 2Depto. de Ciencias de Materiales, IPN 3Facultad de Química, UNAM 4Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN



xxv

Ferromagnetic properties of one-dimensional molecule-based magnets and crystal structure of the novel crystalline phase of [Bis(u-benzoate-O,O’)(dimethylsulphoxide)]copper(II)........................................................84

Reyes Ortega, Yasmi1; Hernández Galindo, María del Carmen1; Alcántara Flores, José Luis1; Ramírez Rosales, Daniel2; Bernes, Silvain1; Escudero, Roberto3; Zamorano Ulloa, Rafael2

1Instituto de Ciencias, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla 2Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 3IIM-UNAM

Plasmas (PLA) ...................................................................................85 Mapas de densidad y temperatura del plasma de aluminio producido por ablación láser.........................................................................................85

Machorro Mejia, Roberto1; Pérez Tijerina, Eduardo2; Bohigas, J.3 1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, Universidad Autónoma de México 2Fac. Ciencias Físico Matemáticas, Universidad Autónoma de Nuevo León 3Instituto de Astronomía, UNAM

Carteles II 85

Nanoestructuras (NAN) .....................................................................85 TEM and EXELFS characterization of Au Nanoparticles Produced by Salt Reduction..............................................................................................85

Duarte Moller, Jorge Alberto CIMAV

Propiedades Decorativas de Aleaciones Nanoestructuradas de Aluminio-Molibdeno..............................................................................................86

Mesa Laguna, Víctor Hugo1; Hernández Pérez, Carlos David1; Martínez Sánchez, Enrique1; Guzmán Mendoza, José1; García Hipólito, Manuel1; Juárez Islas, Julio Alberto1; González, Carlos2

1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM 2Facultad de Química, UNAM

The Influence of Surface Segregation on the Optical Properties of Quantum Wells ....................................................................................................86

González de la Cruz, Gerardo Depto. de Física, CINVESTAV

Morphology a-Si1-xGex thin films Studied by AFM .........................................87 Sanchez, L.1; Kosarev, Andrey1; Torres Jácome, Alfonso1; Ilinski, Alexander2; Zuniga, Carlos1

1Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica 2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Self-assembled InAs nano islands on GaAs (100) substrates covered with Si fractional monolayers..............................................................................87

Saucedo-Zeni, N; Zamora Peredo, Luis; Lastras Martínez, Alfonso; Méndez García, Víctor Hugo

IICO-UASLP

AlGaAs/GaAs heterojunctions studied by photoreflectance spectroscopy with several modulation sources ......................................................................88

Méndez García, Víctor Hugo1; Zamora Peredo, Luis1; Rivera Álvarez, Zacarías2; Guillén Cervantes,Angel2; López López, Máximo2

1IICO-UASLP 2Depto. de Física, CINVESTAV



xxvi

Crecimiento de grano y morfología superficial de películas nanoestructuradas de GaAs1-xNx por microscopía de fuerza atómica..........................................88

Hernández Pérez, Carlos David; Martínez Sánchez, Enrique; Guzmán, J. M.; García Hipólito, Manuel; Juárez Islas, Julio Alberto; Álvarez Pérez, M. A.; Álvarez Fregoso, Octavio


Elaboración y Caracterización de Películas Nanoestructuradas de GaAs1-xNx depositadas sobre láminas de Molibdeno....................................................89

Rentería Servín,Olivia1; Santoyo Salazar,J.2; Martínez Sánchez, Enrique2; Guzmán, J. M.2; García Hipólito, Manuel2; Juárez Islas, Julio Alberto A.1; Álvarez Pérez, M. A.2; Álvarez Fregoso, O.2

1CFATA, UNAM 2Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

Segregation of Indium in piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (11n) substrates ..............................................89

López López, Máximo1; González de la Cruz, Gerardo1; Meléndez Lira, Miguel1 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Diffracted optical near field from nanoapertures..........................................90 Sumaya-Martinez, Juan; Olmos-Lopez, Omar

Depto. de Ingeniería, Universidad Autonoma del Estado de Mexico

Efectos de recocido en las propiedades ópticas y estructurales de pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs crecidos por MBE...............................................90

Cruz Silva, O.H.1; Pulzara Mora, Álvaro1; Cervantes Contreras, Mario2; Zelaya Angel, Orlando1; Meléndez Lira, Miguel1; López López, Máximo1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional

Determinación de eigenestados en pozos cuánticos tipo Poschl-teller bajo la influencia de un campo eléctrico externo....................................................91

Herrera Suárez, H. J.1; González de la Cruz, Gerardo2; Calderón Arenas, José Antonio3

1CICATA-IPN-Legaria 2Depto. de Física, CINVESTAV 3CICATA-IPN-Legaria

Photoluminescence Analysis of Porous Silicon According to a Modified Quantum Confinement Model .................................................................................91

Contreras Puente, Gerardo; Aguilar Hernández, Jorge; García Ruíz, Daniel; Cárdenas García, Modesto


Fuerza de casimir en una superred excitónica .............................................91 Hernández Cocoletzi, Gregorio1; Esquivel Sirvent, Raúl2; Hernández de la Luz, A.D.3

1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla 2Instituto de Física, UNAM 3Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores

Estudio de defectos en cristales fotónicos unidimensionales ..........................92 Cerdán Ramírez, Verónica1; Palomino Ovando, Martha Alicia1; Ramos Mendieta, Felipe2

1Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP 2Centro de Investigaciones en Física, Universidad de Sonora

Optical absorption study of bimetallic Au-Pt clusters prepared by simultaneous and successive reduction methods ............................................................92

Sánchez Ramírez, José Francisco1; Herrera Pérez, José Luis1; Bautista Hernández, Alejandro2; Pal, Umapada2

1CICATA-IPN-Legaria 2Instituto de Física, BUAP



xxvii

Efectos de la introducción de una monocapa de Si en la interfaz de pozos cuánticos de AlGaAs/GaAs .......................................................................93

Petrilli Barceló, Alberto Elías1; Pulzara Mora, Álvaro Orlando1; Caballero Rosas, Adriana2; Mejía García, Concepción2; Contreras Puente, Gerardo2; Pérez Centeno, Armando1; Meléndez Lira, Miguel1; Méndez García, Víctor Hugo3; Lopéz Lopéz, Máximo1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 3IICO-UASLP

Biomateriales (BIO) ..........................................................................93 Predicción De La Concentración De Glucosa En Tejido Utilizando Espectroscopía De Absorción En El Cercano Infrarrojo (Nir). .........................93

Araujo-Andrade, C.1; Ruíz, Facundo2; Martinez Mendoza, Jose Refugio2; Terrones, Humberto1; González Cruz, Monica3

1Instituto Potósino de Investigación Científica Tecnológica 2Fac. de Ciencias, UASLP 3Facultad de Ciencias Químicas, UASLP

Permeabilidad al vapor de agua de películas biodegradables utilizando un método fototérmico ................................................................................94

Aguilar Méndez, A.1; San Martín Martínez, Eduardo1; Cruz Orea, Alfredo2 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada del IPN, Legaria 2Depto. de Física, CINVESTAV

The Effect of Toasting and Boiling on the Fate of B-aflatoxins During Pinole Preparation............................................................................................94

Méndez Albores, A.1; Castañeda Roldan, E.1; Arámbula Villa, Gerónimo2; Moreno-Martínez, Ernesto3

1Facultad de Ingeniería Química, BUAP 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 3Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán, UNAM

Caracterización de tostadas elaboradas por nixtamalización tradicional de maíz azul ......................................................................................................94

Vélez M., J. J.1; Gaytán M.,M.1; Figueroa J., D. C.1; Martínez H., E. F.2 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2CICATA Querétaro

Estudio de los Cambios Químicos y Nutrimentales en el Grano de Maíz durante el Proceso de Nixtamalización Tradicional ...................................................95

Fernández Muñoz, José Luis1; Miranda Centeno, Carla Natalia2; Rojas Molina, Juana Isela2; Rodríguez García, Mario Enrique3; Leal, Myriam3

1CICATA-IPN-Legaria 2Universidad Autónoma de Querétaro UAQ 3CFATA, UNAM

Síntesis y caracterización de materiales híbridos quitosan-metacrilato de glicidilo-xantana, para aplicaciones biomédicas ...........................................96

Elizalde Peña, Eduardo Arturo1; Luna Bárcenas, J. Gabriel1; Martínez Ruvalcaba, Agustín2; Nuño Donlucas, Sergio M.2; Flores Ramírez, Nelly1; Vásquez García,Salomón3; González Hernández, Jesús1

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Univesidad de Guadalajara 3 Fac. de Ing. Química, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo

Estudio de las propiedades térmicas y físicas de harinas y tortillas elaboradas por un proceso de nixtamalización por extrusión. ........................................96

Yañez Ortega, Yadira1; San Martín Martínez, E.2; Fonseca Jaime, Moníca Rosalía2; Huerta González, Luis2

CICATA-IPN-Legaria



xxviii

Mejoramiento en la Calidad del Acero a través de Aglutinantes Orgánicos ( Almidón de Maiz Nativo y Modificado)........................................................97

García García, A.1; Ruíz Serrano, Diana1; Borrego Navejas, Laura1; Rivera Ruedas, Ma. Guadalupe1; Martínez Bustos, Fernando1


Desarrollo de Aglomerantes a base de Almidón de Papa y Aditivos vía Extrusión Termoplastica ..........................................................................97

Aguilar Palazuelos, E.1; Amaya Llano, Silvia Lorena1; Cervantes Sánchez, Nancy1; Morales Sánchez, I. E.1; Murúa Pagola, Beneranda1; Ramos Fernández, Sonia Lorena1; Martínez Bustos, Fernando1


Uso de la Espectroscopía por Impedancia bioeléctrica para la detección de anomalías en tejido subcutáneo................................................................98

Vargas Luna, Francisco Miguel1; Comas García, Mauricio2; Huerta Franco, Raquel3; Gutiérrez Juárez, Gerardo1

1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 2Facultad de Ciencias Químicas, UASLP 3Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo, Universidad de Guanajuato

Photoacoustic characterization of cationic starch .........................................99 Jaime Fonseca, Mónica Rosalía1; San Martín Martínez, Eduardo1; Balderas López, José Abraham2

1CICATA-IPN-Legaria 2Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional

Thermal properties of tortilla dough using a normalized photoacoustic technique ..............................................................................................99

Jaime Fonseca, Mónica Rosalía1; Balderas López, José Abraham2; San Martín Martínez, Eduardo1

1CICATA-IPN-Legaria 2Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional

Propiedades Mecánicas de los Biomateriales Utilizados en Ortopedia ..............99 Mendez Gonzalez, Ma. Magdalena


Acerca del uso de la radiometría fototérmica en el dominio de frecuencias y de los métodos multi-variables para estudiar un fantasma de piel humana........ 100

Gutiérrez Juárez,Gerardo1; Pichardo Molina, Juan Luis2; Landa Hernández, Adán1; Huerta Franco, María Raquel3

1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 2Centro de Investigaciones en Optica 3Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo, Universidad de Guanajuato

Estudio de la penetración de substancias de aplicación tópica en piel humana in vivo por medio de la configuración fotopiroeléctrica inversa..................... 100

Gutiérrez Juárez, Gerardo1; Rocha-Osornio, Laura Nohemi1; Huerta-Franco, María Raquel2; Ivanov, Rumen3; Huerta Franco, Bertha4

1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 2Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo, Universidad de Guanajuato 3Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas 4Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo de la Universidad de Guanajuato

Medición y análisis estadístico de la evolución de plantas de tomate con y sin micorriza usando la técnica fotoacústica de celda abierta............................ 101

Gutiérrez- Juárez,Gerardo1; Olalde Portugal, Víctor1; Sánchez Rocha, Salvador1; Vargas Luna, Francisco Miguel1; Madueño Rendón, Amado Larri1; Huerta Franco, María Raquel2

1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 2Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo de la Universidad de Guanajuato



xxix

Obtención de la difusividad térmica y del coeficiente de difusión de oxígeno por medio de la técnica fotoacústica de celda abierta en hojas de tomate con y sin micorriza ........................................................................................101

Vargas Luna, Francisco Miguel1; Sánchez Rocha, Salvador1; Olade Portugal, Víctor1; Huerta Franco, María Raquel2; Gutiérrez Juárez, Gerardo1; Sosa, Modeto1; Córdova Fraga, Teodoro1; Bernal Alvarado, Jesús1

1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 2Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo de la Universidad de Guanajuato

Velocidad de sedimentación globular medida por medio del método fotopiroeléctrico inverso ........................................................................102

Huerta Franco,María Raquel1; Gutiérrez Juárez, Gerardo2; Pichardo Molina, Juan Luis3; Vargas Luna, Francisco Miguel2; Ivanov, Rumen4; Bernal Alvarado, Jesús2; Sosa Aquino, Modesto2

1Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo de la Universidad de Guanajuato 2Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 3Centro de Investigaciones en Optica 4Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas

Peliculas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos (RPD) ................102 Full EELS characterization of TiC thin film.................................................102

Moller Duarte, José Alberto Fac. de Física, Universidad Autónoma de Baja California

EXAFS and EELFS characterization of TiN thin film grown by PLD: The effect of plural scattering process in the determination of the coordination number ....103

Duarte Moller,José Alberto Centro de Investigación en Materiales Avanzados

Green and red emissions from cathodoluminescent Al2O3 : CeCl3, MnCl2 coatings deposited by spray pyrolysis process...........................................103

Caldiño García, Ulises1; García Hipólito, Manuel2; Martínez Sánchez, Enrique 2; Ramos Brito, Francisco2; Álvarez Fregoso, Octavio2; Huerta Arcos, Lázaro2; Guzmán Mendoza, José2; Falcony Guajardo, Ciro3; Martínez Martínez, Rafael2

1Depto. de Física, UAM-I 2Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM 3Depto. de Física, CINVESTAV

Caracterización óptica y mecánica de vidrios laminados con películas delgadas de ZnS y ZnS-CuS ................................................................................103

Aguilar, J.O.1; Gómez-Daza, O.1; Brito, A.2; Nair, M.T.S.1; Nair, P.K.1 1Centro de Investigación en Energía, UNAM 2Instituto de Investigaciones Eléctricas

Morfología y Propiedades de Recubrimientos de Ti sobre acero AISI304 preparados por erosión catódica .............................................................104

García Lara, Adrían; Montero, Cecilia Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Saltillo

Effect of the nitrogen content in the electrical resistivity of ReNx films produced by reactive pulsed laser deposition ............................................105

Diaz, Jesus Antonio1; de la Cruz, Wencel2; Farías, Mario2; Rosas, Axel3; Soto, G.2 1IICO-UASLP 2Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM 3 Fac. de Física, Universidad Autónoma de Baja California

Caracterización estructural y electroquimica de electrodos de Ni:Zn:S obtenidos por electrodepósito y baño quimico para su empleo en electrolizadores alcalinos. ......................................................................105

Martinez Millán, Wenceslao1; Cano, Ulises2; Fernandez Madrigal, Arturo1 1Centro de Investigación en Energía, UNAM 2Instituto de Investigaciones Eléctricas



xxx

Microwave ECR plasma nitriding of AISI 4140 steel ................................... 106 Chirino,Serafín1; Escobar Alarcón, Luis2; Mejía Hernández, José Antonio3; Camps Carvajal, Edgar Enrique2

1Depto. de Ingeniería, Universidad Autonoma del Estado de Mexico 2Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares 3IMM-UNAM

Transición de fase en películas delgadas de CdSe por variación en el volumen de Se.................................................................................................. 106

Rubín Falfán, M.1; Lozada Morales, Rosendo1; Zelaya Angel, Orlando2; Portillo Moreno, Oscar3

1Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP 2Depto. de Física, CINVESTAV 3Facultad de Ingeniería Química, BUAP

Síntesis y caracterización de películas delgadas de SiO2 - Te y SiO2 - Sb....... 107 Urbina Álvarez, José E.1; Menchaca Rivera, Alejandro2; Mendoza Galván, Arturo1; Morales Sánchez, Eduardo3; Pérez Robles, Juan Francisco1; Avilés Arellano, Luz Maria Reyna1

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Universidad Autónoma de Coahuila 3Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo

Surface atomic structure, theorical and experimental reflection high-energy electron difraction patterns and homoepitaxy of GaAs(631) ........................ 107

Méndez García, Víctor Hugo1; Ramírez Arena, F. J.1; Orlando Pulzara, Álvaro2; López López, M.2


Preliminary studies on Y2O3:Mn films deposited by spray pyrolysis ............... 108 Calixto-Rodríguez, M.1; Esparza García+), Aneida1; Méndez García, Víctor Hugo1; Ramírez Elías, Miguel Ghebre1; Falcony Guajardo, Ciro2; García Hipólito,Manuel2


Red and green simultaneous emissions from ZnAl2O4:(Tb+Eu) .................... 108 Reyes Ortíz, Raúl1; García Hipólito, Manuel1; Álvarez Fregoso, Octavio1; Martínez Sánchez, Enrique1; Guzmán Mendoza, José1; Falcony Guajardo, Ciro2

1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM 2Depto. de Física, CINVESTAV

Caracterización eléctrica de estructuras mim basándose en películas de carbón amorfo de baja constante dieléctrica ....................................................... 109

Zuñiga, C.; Torres, A.; Kosarev, Andrey Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

Structural properties of titanium nitride thin films prepared by laser ablation 109 Escobar Alarcón, Luis1; Castro Colin, Marco Antonio1; Camps Carvajal, Edgar Enrique1; Mejía Hernández, José Antonio1; Romero Hernández, Saúl1; Muhl Saunders, Stephen2

1Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares 2Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

About the saturation of the N/C atomic ratio in a-CNx films......................... 110 Romero L., S.; Escobar Alarcón, Luis; Arrieta Castañeda, Alma; Camps Carvajal, Edgar Enrique

Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares

Estudio óptico de películas delgadas de NiO depositadas sobre vidrios recubiertos con ITO .............................................................................. 110

López Beltrán, Ana María1; García Jiménez, Pedro2; Mendoza Galván, Arturo2; Ramírez Bon, Rafael2

1Universidad Autónoma de Sinaloa 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro



xxxi

Propiedades Ópticas y Estructurales de Películas de TiO2:Tb y TiO2:Eu Crecidas por MOCVD-AA.....................................................................................111

Conde-Gallardo, Agustín; Castillo, Nancy; García-Rocha, Miguel; Hernández-Calderón, Isaac


Termoluminiscencia de soluciones sólidas dieléctricas impurificadas con Europio ...............................................................................................111

Rodríguez-Mijangos, R.; Pérez Salas, Raúl Universidad de Sonora

Películas uniformes en bandas de pvc de 30 cm x 200 cm ..........................112 Palacios, P.; Cruz Manjarrez, Héctor; Alba Andrade, Fernando; Flores Morales, Luis


Estudio de la Fusión en películas delgadas................................................112 Sánchez Chávez, H.D.1; Castillo Alvarado, Fray de Landa1; Ruthowshi, J.2; Wojtczate, L.2

1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 2University of Lody Pomorska

Spatial filtering with optical thin films ......................................................112 Moreno, Iván; Araiza Ibarra, José de Jesús

Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas

Electrochromic tungsten oxide thin films deposited on glass and fluorine tin oxide films by the spray pyrolysis method: the influence of the substrate nanostructure ......................................................................................113

Ortega, Jesús; Acosta, Dwight; Martínez, Arturo I.; Magaña, Carlos1; Aguilar Franco, M.; Morales, Juan G.


Síntesis y caracterización de películas delgadas de carbono nitrurado utilizando un cañón de electrones..........................................................................113

Rebollo-Plata, Bernabé1; Lozada Morales, Rosendo1; Palomino Merino, Rodolfo1; Zelaya Angel, Orlando2; Sandoval García, Pablo1; Portillo Moreno, Oscar1; Dávila Pintle, Antonio1


Crecimiento y caracterización de películas delgadas de germanio amorfo utilizando un cañón de electronesnitrurado utilizando un cañón de electrones114

Sandoval García, Pablo1; Lozada Morales, Rosendo2; Palomino Merino, Rodolfo1; Zelaya Angel, Orlando3; Rebollo-Plata, Bernabe1; Portillo Moreno, Oscar1; Dávila Pintle, Antonio1

1Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP 2Instituto Tecnológico de Querétaro 3Depto. de Física, CINVESTAV

Estudios sobre películas delgadas de Si1-xGe1-xdepositadas mediante un cañón de electrones .......................................................................................114

Guarneros, C.1; Rebollo-Plata, Bernabe1; Lozada Morales, Rosendo1; Palomino Merino, Rodolfo1; Zelaya Angel, Orlando2; Sandoval García, Arturo1; Portillo Moreno, Oscar1; Dávila Pintle, Antonio1


Propiedades ópticas y eléctricas de películas delgadas de TiO2 amorfo dopadas con azul de metileno y rodamina 6g ........................................................115

Torres-Kauffman, Julián; Palomino Merino, Rodolfo; Xoxocotzi-Aguilar, Reyna; Díaz-Furlong, Alfonso; Lozada Morales, Rosendo; Dávila Pintle, Antonio

Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP



xxxii

Improving the Electrical Conductivity of ZnO Thin-Films by Means of Thermal Annealing in a Molecular Hydrogen Atmosphere ........................................ 115

Martínez Pérez, Lilia1; Aguilar Frutis, Miguel Angel2; Zelaya Angel, Orlando3; Muñoz Aguirre, Narcizo4

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada del IPN, Legaria 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN 3Depto. de Física, CINVESTAV 4Instituto Mexicano del Petróleo

Distribución de la Magnetización de capas no-equivalentes acoplados por la interacción de intercambio ..................................................................... 115

Castillo Alvarado, Fray de Landa1; Urbaniate-Kucharczyto,A.2 1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 2University of Lodz

Determination of the optical band gap in carbon nitride thin films................ 116 Arrieta Castañeda, Alma1; Escobar Alarcón, Luis2; Camps Carvajal, Edgar Enrique Edgar2; Camacho López, Marco Antonio3; Sosa Fonseca, Rebeca1

1Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa 2Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares 3Depto. de Ingeniería, Universidad Autonoma del Estado de Mexico

Análisis del comportamiento mecánico de recubrimientos híbridos de SiO2-PMMA por nanoindentación .................................................................... 116

López Gómez, Magaly; Almaral Sánchez, Jorge Luis; Ramírez Bon, Rafael; Muñoz Saldaña, Juan


High resolution photoluminescent spectroscopy measurements for praseodymium doped circonia powders.................................................... 117

Ramos Brito, Francisco1; García Hipólito, Manuel2; Martínez Martínez, Rafael2; Camarillo, Enrique3; Hernández, José Manuel3; Falcony Guajardo, Ciro4

1Universidad Autónoma de Coahuila 2Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM 3Instituto de Física, UNAM 4Depto. de Física, CINVESTAV

Estudio de la Interfaz silicio-silicio poroso por medio de una estructura FET, en presencia de hidrógeno, oxígeno y aire húmedo........................................ 117

Romero-Paredes Rubio, Gabriel; Ramírez del Valle, José Angel; Peña Sierra,Ramón Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

Interdependencia de los parámetros de crecimiento y su relación con los procesos de deposición en PLD ............................................................... 118

Barrales Guadarrama, V. R.1; Meléndez Lira, Miguel Ángel2; Vázquez Cerón, Ernesto Rodrigo1;

1Departamento de Electrónica, UAM Azcapotzalco 2Depto. Física, CINVESTAV

Respuesta elástica de superficie en espumas ............................................ 118 Carrillo Estrada, José Luis; Paleta Daniel, G. A.


Al2O3films doped with Ce, Mn and analysis RBS......................................... 118 Martínez Martínez, Rafael1; Rickards, Jorge2; García Hipólito, Manuel1; Álvarez Fregoso,Octavio1; Caldiño García, Ulises3; Falcony Guajardo, Ciro4

1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM 2Instituto de Física, UNAM 3Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa 4Depto. de Física, CINVESTAV

Optical and structural characterization of Si rich SiO2 nanostructured thin films prepared by reactive RF-sputtering ......................................................... 119

Sánchez-Meza, E.1; Meléndez Lira, Miguel2 1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 2Depto. de Física, CINVESTAV



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Recubrimientos duros base TiN fabricados por la técnica de erosión catódica reactiva DC..........................................................................................119

Espinoza Beltrán, Francisco1; Morales Hernández, J.2; García González, Leandro1 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Universidad Autónoma de Querétaro UAQ

Properties of pulsed laser ablated fullerene-like CNx thin films.....................119 Zambrano, G.1; Riascos, H.1; Prieto, P.1; Devia, Alfonso2; Arroyave, M.2; Galindo, H.3

1 Departamento de Física, Universidad del Valle, Cali, Colombia. 2 Departamento de Física, Universidad Tecnológica de Pereira, Pereira, Colombia y Centro de Semiconductores, Universidad de los Andes, Mérida, Venezuela 3 Laboratorio de Física del Plasma, Universidad Nacional, Seccional Manizales, Colombia

La Cinética de Crecimiento en los Sistemas de Rocío Pirolítico y Depósito por Vapores Químicos Asistidos por Aerosol en el caso de los Óxidos Metálicos....120

Conde-Gallardo, Agustín; Castillo, Nancy; Guerrero, Marcela J.; Soto, Ana Bertha Depto. de Física, CINVESTAV

GaN films grown on (001)- and (111) Si substrates by molecular beam epitaxy121 Cervantes Contreras, Mario1; Meléndez Lira, Miguel A.2; López López, Máximo2

1Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional 2Depto. de Física, CINVESTAV

New transparent conducting In-doped CdTeO3 thin films grown by pulsed-laser deposition. ..........................................................................................121

Castro Rodríguez, R.; Peña Chapa, Juan Luis Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida

TiO2 thin films encapsulating commercial anatase particles deposited on glass microrods for photodegradation of phenol ................................................122



Efecto del depósito con iones de baja energía sobre el desgaste y la corrosión de multicapas de TiN/Ti. ........................................................................122


1Univesidad de Guadalajara 2IIM-UNAM 3Instituto de Física, UNAM

Cálculos Ab-initio (CAB) ..................................................................123 Cálculo del esfuerzo triaxial de TiCxN 1-x mediante primeros principios ..........123

Rivas Silva, Juan Francisco1; Sánchez Ramírez, José Francisco2; García González, Leandro3; Rivas Silva, Juan Francisco1

1Instituto de Física, BUAP 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN 3Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Estudio All-Electron De La Estructura Electrónica De Sulfuros De Actinidos Xs (X=Th, Pu) ..........................................................................................123

Chigo Anota, E.1; Rivas Silva, J.F.2 1Centro de Química, BUAP 2Instituto de Física, BUAP

Stable structures of small carbon clusters ................................................124 Sosa Hernández, E.M.1; Alvarado Leyva, P.G.2

1Fac. de Contaduría y Administración, UASLP 2Fac. de Ciencias, UASLP



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DFT cluster embedding study of CO absorption on doped MgO (100) surface. 124 Caballero Cruz, Reyna E.; Quintanar, Carlos; Castaño, V. M.

CFATA, UNAM

First principles total energy studies of the phase transitions in AgBr............. 124 Palomino Rojas, Luis Alberto1; Hernández Cocoletzi, Gregorio1; Takeuchi Tan, Noboru2

1Instituto de Física, BUAP 2Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM

Celdas Solares (CES)....................................................................... 125 Procesamiento y caracterización óptica de silicio poroso obtenido por disolución anódica ................................................................................ 125

Contreras Puente, Gerardo; García Ruíz, Daniel; Aguilar Hernández, Jorge Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

Sistema de crecimiento de películas uniformes multicapa para aplicaciones fotovoltaicas ........................................................................................ 125

Cruz Manjarrez, Héctor1; Alba Andrade, Fernando1; Flores Morales, Luis1 1Instituto de Física, UNAM

Estudio por espectroscopia µ-Raman en celdas solares de CdS/CdTe............ 126 Godínez Hernández, José Antonio1; Kudriatsev, Yuriy1; Villegas, Antonio1; Asomoza Palacio, René1; Contreras Puente, Gerardo2; Aguilar, J.2; Mendoza Pérez, Rogelio2; Ximello Quiebras, José Nestor2; Jiménez Sandoval, Sergio3; Rodríguez Melgarejo, Francisco3

1Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV 2Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 3Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Fabrication issues of a substrate configuration CdTe/CdS photovoltaic device 126 Mathew, Xavier


Improving the Filling Factor of Silicon Solar Cells by Reducing the Ni/Si Contact Resistance ............................................................................... 127

Morales Acevedo, Arturo; Pérez Sánchez, Francisco Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

Properties of Cds Thin Films Growth by CBD............................................. 127 Ximello Quiebras, José Nestor1; Contreras Puente, Gerardo Silverio1; Rueda Morales, Gabriela1; Santana Rodriguez, Guillermo2; Mathew, Xavier3; Morales Acevedo, Arturo4

1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 2Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM 3Centro de Investigación en Energía, UNAM 4Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

Estudio µ-Raman en Celdas Solares de CdTe/CdS ..................................... 127 Godinez-Hernandez, José Antonio1; Kudriatsev, Yuriy2; Villegas, Antonio2; Asomoza Palacio, René2; Contreras Puente, Gerardo3; Mendoza Pérez, Rogelio3; Ximello Quiebras, José Nestor3; Jiménez Sandoval, Sergio4; Rodríguez, Fernando4

1Centro de Investigación en Materiales Avanzados 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN 3Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 4Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Cálculos numericos C-V de celdas solares de peliculas delgadas CdTe/CdS.... 128 Inoue-Chávez, J. A.; Ximello Quiebras, José Nestor; Castillo Alvarado, Fray de Landa; Contreras Puente, Gerardo




xxxv

Effects of CdCl2 treatment on the properties of CdS films............................128 Peña Chapa, Juan Luis1; Castro Rodríguez, R.1; Oliva,I.1; Riech I.,Martel A.2

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida 2Universidad Autónoma de Yucatán

Fotorreflectancia en pozos cuánticos de Alx Ga1-x As/GaAs/AlxGa1-xAs crecidos por epitaxia de haces moleculares...........................................................129

Caballero Rosas, Adriana1; Mejía García, Concepción1; López López, Máximo2; Contreras Puente, Gerardo1; Cano Aguilar, Oscar3

1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 2Depto. de Física, CINVESTAV 3ESIA del IPN

Vacío (VAC) .....................................................................................129 Control de las presiones parciales de mezclas de gases para el Depósito de Películas por Ablación Láser reactiva........................................................129

García Gradilla, Víctor Julián1; Soto Herrera, Gerardo1; Miltrani, Enrique2 1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM 2Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Division de Fisica Aplicada

Superconductores (SUP) .................................................................130 Efecto isotopico en los sistemas BPBO y BKBO. .........................................130

García Torija, José Óscar; Espinoza Rosales, José Eduardo Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Las consecuencias del desplazamiento del oxigeno apical en la resonancia de 41meV................................................................................................130

Puch Ceballos, Felipe1; Rubio Ponce, Alberto2 1Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas 2Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

Cursos Cortos 131 Properties & Applications of Nanodiamond Particulate ................................131

Shenderova, Olga International Technology Center

Photothermal Techniques: Theory Of Thermal Waves And Methods For Determination Of Specific Heat Capacity, Thermal Conductivity, Thermal Diffusivity And Thermal Conductivity .......................................................132

Glorieux, Christ Katholieke Universiteit Leuven, Belgium

Materials for High-K Integration..............................................................132 Robert Wallace

Electrical Engineering and Physics University of Texas at Dallas

Caracterización Óptica de Semiconductores ..............................................132 Meléndez Lira, Miguel


Índice por autor 134



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Plenarias Plenary Talks

18-372/5

Bandgap engineering and device applications of dilute nitrides W.Tu, Charles

University of California

Recently there is much interest in III-N-V compound semiconductors, because only a small amount of nitrogen incorporation (~ 2%) in conventional GaAs- and InP-based III-V compounds results in very large bandgap bowing, large change of band lineups, and even change in band structures. These three properties produce interesting electronic and optoelectronic device applications. The large bandgap bowing has stimulated an intense interest in using GaInNAs/GaAs heterostructures on GaAs substrates for 1.3 micron vertical-cavity surface-emitting lasers. In this talk we shall describe the low-power electronic application of low-bandgap GaInNAs on GaAs as the base of an Npn heterojunction bipolar transistor (HBT). The bandgap bowing is mainly due to moving down of the conduction band edge. As a result, if N is incorporated in a quantum well, the conduction band offset is increased, making electron confinement much better. In this talk, we show that if N is incorporated in quantum-well barriers, the conduction band offset of GaInNP/GaAs can be very small.

18-373/5

Materials and processes for flexible electronics Gnade, Bruce


High speed, high performance computation will continue to be dominated by silicon-based microelectronics for the foreseeable future. However, there are many applications that would benefit from the development of large area, distributed electronic systems, especially if the systems were rugged, flexible, and inexpensive per square foot, even if individual device performance was relatively low. I will present results on substrates, materials and devices that are compatible with low temperature, flexible substrates, with specific applications for electronic textiles and flexible displays. Examples of woven organic light emitting structures will be presented. This work is supported in part by the U.S. Army Soldier and Biological Chemical Command, Soldier Systems Center.

18-391/5

First principles electronic structure methods and the prediction of materials properties

Trickey, S.B.

University of Florida

Computational prediction and characterization of the structure, energetics, and properties of material systems is an extraordinarily demanding task. This is especially true for surfaces and



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ultrathin films, which lack the localization of molecules and the 3-dimensional periodicity of perfect crystals. Predictive theory, modeling, and simulation nevertheless have been pursued vigorously because of their great potential payoffs in helping focus experimental efforts and in obtaining results in physical regimes inaccessible to experiment. Over roughly the last three decades, great progress has been made in the goal. In this talk I will give a brief review of the main methodological approaches (DFT vs. wave-function, all-electron vs. pseudopotential, plane-wave vs. gaussian vs. numerical basis sets) and highlight their essential strengths and limitations. Then some examples of work using the all-electron, DFT, gaussian basis methodology in the code GTFOFF (S.B. Trickey, J.A. Alford, and J.C. Boettger, in "Computational Materials Science", vol. 15 of Theoretical and Computational Chemistry, J. Leszczynski ed. (Elsevier, Amsterdam, 2004)) 171-228] will be given, with emphasis on quantum size effects in ultra-thin films. The talk will conclude with a status summary of recent work to develop Current Density Functional Theory to handle external magnetic fields and and the complete redevelopment of GTOFF in modern, object-oriented C++ software. [Thanks for key contributions go to J.C. Boettger, N. Rösch, J.R. Sabin, J.A. Alford, U. Birkenheuer, R.J. Mathar, and Wuming Zhu. Work supported by US National Science Foundation ITR grants DMR-0218957 and DMR-0325553]

18-397/5

Magnetic properties of aligned carbon nanotubes filled with Fe Morán López, José Luis; López Urías,Florentino; Muñoz Sandoval, Emilio; Reyes

Reyes, Marisol; Romero, Aldo; Terrones Maldonado, Mauricio1 Instituto Potósino de Investigación Científica Tecnológica

The magnetic properties of close packed1 CNx nanotubes partly filled with Fe were measured. The experimental study of the hysteresis reveals abrupt magnetization changes at low magnetic fields, when the field is applied parallel to the nanotube bundle axis. However, when the magnetic field is applied perpendicular to the axis, we observed a continuous and more squared hysteresis loop. This behavior is clearly explained by a model consisting of ferromagnetic atomic cylinders in a hexagonal 2D array. The model considered the interplay between the ferromagnetic coupling exchange and dipole-dipole interactions in the Fe cylinders using a Heisenberg model in conjunction with Monte-Carlo simulations. We calculated the hysteresis loops and analyzed the dependence of the coercive field as a function of the aspect ratio (L/d), and inter-wire distances. The hysteresis loop observed when the applied field is parallel to the bundle axis is attributed to the creation of helical vortex magnetization states within the close packed wire configuration.

18-392/5

Photoacoustic and photothermal material characterization Glorieux, Christ


When incident light is absorbed by a material, the resulting heat generation leads to photothermal and photoacoustic (PAPT) phenomena. Along with the increasing possibilities of laser light generation, during the last two decades, PAPT phenomena have been investigated and exploited more and more for material characterization. In this talk, the main power of PAPT techniques, i.e. the accurate and localized determination of surface and sub-surface elastic and thermal material properties will be explained and illustrated by a selection of recently achieved applications. The concept of thermal waves will be introduced and an



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overview of photothermal excitation and detection schemes will be given. Applications of photothermal determination of thermal material properties will be illustrated, as well as the use of photothermal techniques for the study of the behavior of thermal properties in the neighbourhood of phase transitions. The generation of laser generated surface acoustic waves (SAW) will be described as well as experimental methods to detect very small and fast SAW induced displacements. The feasibility of SAW laser ultrasonics for non-destructive testing will be illustrated on the basis of applications of coating, microstructure and defect characterization. A nice application of impulsive stimulated scattering, a laser technique in which photothermal and photoacoustic phenomena are simultaneously studied, will be highlighted in the determination of structural, acoustic, thermal and orientational relaxation of supercooled salol. Focussing on a selection of applications, specific attenation will be also given to the unique feature of PAPT and similar techniques to determine the sub-surface depth dependence of elastic, thermal and related properties using neural network signal recognition.

18-393/5

Front end challenges in Silicon based technology Quevedo-Lopez, Manuel A.


Since its early days the silicon semiconductor industry has used a small number of well-understood materials. However, as transistors approach the end of traditional scaling, the materials necessary to design them will become increasingly complex. Besides the fundamental materials limitations, the elementary block of the semiconductor industry, the integrated circuit (IC, invented in 1958), is also becoming extremely difficult to design.The semiconductor physics that underlies the IC was discovered in the early part of the past century, and by the early 60’s, it was simplified and codified such that it could be used to design transistors of reduced size and increasing performance. However, in this sub-100 nm device era, the use of conventional materials as well as conventional transistor architectures might not be functional enough to maintain Moore’s law. In this talk, the new materials and structural requirement options and new research model options to continue with Moore’s law will be discussed. We will review the front end process (FEP) challenges that the Si-based semiconductor industry currently faces. Particular attention will be given to the “gate stack”, which includes alternate gate dielectrics as well as alternate gate electrodes. Typical front end of the line electrical, physical as well as chemical characterization will be presented.

18-374/5

Microstructural and surface morphological evolution at the atomic scale during growth of transition-metal nitride coatings: self-organized

nanostructures Greene, Joe1; Shin, Chan-Soo1; Kodambaka, Suneel1; Ohmori, Kenji1; Petrov, Ivan1

1University of Illinois

Polycrystalline TiN and related transition-metal (TM) nitride thin films are typically deposited by reactive magnetron sputter deposition and employed as diffusion barriers in microelectronics as well as hard, wear-, and corrosion-resistant coatings in mechanical and optical applications. Since cubic TM nitrides are highly anisotropic, control of preferred orientation is essential. We use a combination of HR-XRD, TEM, HR-XTEM, AFM, and STM analyses to characterize micro- and nanostructures. Kinetic Monte Carlo modeling and analytic theory, accounting for



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anisotropic adatom diffusivities and Ehrlich barriers at descending step edges together with kinetic roughening and atomic shadowing processes, are used to develop an atomic scale understanding of microstructural and surface morphological evolution. Adatom transport and surface site energies required for the models are obtained from in-situ high-temperature STM and LEEM analyses. The overall results yield design rules which allow the synthesis of controlled microstructures with greatly enhanced physical properties. Taking these concepts a step further, and using spontaneous natural patterning processes found in nature, we show that self-organized nanostructures consisting of commensurate nanolamellae, nanocolumns, nanospheres, and nanopipes can be synthesized to further extend the range of achievable properties. All of these structures are a result of kinetic limitations and require low growth temperatures combined with low-energy (less than the lattice atom displacement potential), very high flux, ion irradiation during deposition. This is easily achievable using tunable magnetically-unbalanced magnetrons. Property enhancements include increases in oxidation resistance, diffusion barrier lifetime, and hardness by factors from 50% to orders of magnitude. The range of colors available for decorative coatings is greatly expanded and new applications such as biologically active optical probes and selective sieves for biomolecules become possible. Finally, we extend these ideas to low-dimensional nanostructures such as perfectly periodic 1D wires and 2D domes, arcs, pyramids, and teardrops

13-375/5

Absorción de potencia de microondas en Titanatos de plomo modificados (Pe,Re)(Ti,Mn)O3

Zamorano Ulloa, Rafael; Ceballos Sebastián, Ricardo


Mediante la técnica de resonancia paramagnética electrónica (EPR), estudiamos los titanatos de plomo modificados con tierras raras(RE), cuya fórmula general es: . Las tierras raras usadas son Sm, La y Ho. En este trabajo se determina experimentalmente el estado magnético de los paramagnetos presentes en los sistemas. Los estados de espín determinados son Sm(S=5/2), Fe(S=5/2), y Mn(S=1/2, 3/2), estos corresponden a los estados de oxidación: , , y respectivamente. Se observan claramente para hierro y manganeso poblaciones en los sistemas, los cuales corresponden a impurezas en las muestras. Se midió el parámetro espectroscópico para todos los iones magnéticos, y se determinaron los ambientes locales. Para el manganeso se midió el parámetro de interacción hiperfina A y se detectaron las transiciones prohibidas.

18-376/5

Films deposited by plasma for micro- and nano-electronics Kosarev, Andrey; Torres, A; Calleja Arriaga, Wilfrido


Plasma processing which includes plasma deposition, plasma etching, pretreatment of substrate or previous film, and post-treatment of deposited films occupies significant part of processes used in modern electronics e.g. more than 60% of operations are related to plasma in integral circuit fabrication. Such important sectors of electronics as displays, solar cells, and sensors are based on plasma deposited materials. In this presentation we shall try to answer the question: what physics is under so widely employment of plasma?, and give an overview of the investigations at the microelectronics laboratory in INAOE. As the first example we shall consider deposition and properties of Si1-x-Gex films in entire range of Ge concentration. We



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shall discuss an effect of deposition conditions on structure and electronic properties of the films and general problems of formation “perfect” alloys, e.g. Si-Ge, Si-C etc. Application of these films and other plasma deposited films in un-cooled micro-bolometers fabricated by micromachining technique will be also discussed. As the second example we shall discuss deposition and properties of carbon films. These films are of much promise for low dielectric permittivity (K) inter-connect isolator for sub-micron electronics. The main requirements for such films are low K, high resistivity ρ, and high breakdown field Eb. Plasma deposited low K carbon films meet these requirement providing: K=2.1-2.3, ρ=1010-1012 Ohm cm, and Eb>106 V/cm. Finally prospects of development of plasma deposition and employment this technology in nano-electronics will be considered. Acknowledgement: This work is supported by CONACyT project # 42367.

18-400/5

Proyecto CINVESTAV - HITACHI Espinoza Beltrán, Francisco1; Herrera Gómez1, Alberto; Muñoz Saldaña, Juan1;

Ramírez Bon, Rafael1; Trápaga Martínez, Luis Gerardo1; Yáñez Limón, José Martín1; Coronado, Francisco2

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Hitachi, Jalisco

Se presentarán aspectos sobre la fabricación de nanolijas empleadas en el acabado de cabezas magnéticas lectoras de discos duros.

18-377/5

Modification and analysis of materials using high energy ion beam techniques

Felter, Thomas E.


In this talk, I review the capabilities of energetic ions beams in the field of materials science using examples from recent work at LLNL. Capabilities include ion beam stitching, ion tracking lithography, Rutherford backscattering, Channeling and Forward Recoil Spectroscopy. These techniques permit large-scale fabrication of nano sized features, adhesion of normally incompatible materials, and quantitative depth profiling even for hydrogen and deuterium. This work was performed under the auspices of the US Department of Energy by University of California Lawrence Livermore National Laboratory under contract No. W-7405-Eng-48.

18-378/5

Thin polycrystalline cells and tandems based on CdTe and related II-VI materials

Compaan, Alvin D.

University of Toledo

The thickness of CdTe solar cells is usually far greater than needed for full optical absorption. Furthermore, CdTe reduction has many advantages, ranging from faster production to reduced Cd load. We describe how we have used magnetron sputtering to prepare a series of CdS/CdTe cells on TEC-7 glass with CdTe thickness ranging from 2.5 to 0.5 µm. Without changing process parameters, we found the efficiency dropped about 25% as the CdTe thickness



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decreased from ~3 µm to 0.68 µm. The thin cells showed no greater degradation under stress than sputtered cells with 2.5 µm thick layers. Optimization of processing and back contacting for the thinner layers improves these results. Good performance with thin, and therefore small-grained, CdTe implies excellent grain boundary passivation. Some indirect evidence of grain boundary chemistry has been obtained from x-ray fine structure measurements at the Argonne Advanced Photon Source. We find a transition from a Cu2Te to a CuxO-like environment depending on the CdCl2 treatment. The low-temperature deposition process of magnetron sputtering appears to be a promising method for fabricating monolithic, tandem solar cells in which a second junction is deposited after the first junction. Our first tandem results will be presented which uses an all-sputtered process for the CdS/CdTe top cell and CdS/HgCdTe for the bottom cell and an interconnect junction of ZnTe:N/ZnO:Al. Work supported by the NREL High Performance PV and Thin Film Partnership Programs

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Properties & applications of nanodiamond particulate Shenderova, Olga


The term ‘nanodiamond’ is broadly used for a variety of diamond-based materials at the nanoscale including pure-phase diamond films, diamond particles and their structural assemblies such as loosely bound particle agglomerates or particles incorporated into other material matrices. Moreover, recently fabricated 1-D diamond nanorods and 2-D diamond nanoplates complete the set of possible dimensionalities of the structures. State of the art on existing forms of nanodiamond and methods of their synthesis will be briefly reviewed. Then, after a discussion on the carbon phase diagram at the nanoscale and theoretical predictions of nanodiamond stability, synthesis, properties and applications of nanodiamond of detonation origin will be presented. Detonation nanodiamond belongs to a so called class of ‘ultra-nanocrystalline’ diamond with the characteristic size of the basic diamond constituents encompassing the range of just a few nanometers to distinguish this type of material from other diamond-based nanostructures with characteristic sizes above ~10nm. Applications of detonation nanodiamond as coatings for cold cathodes as well as their bio-related applications will be discussed in more details.



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Sesiones Orales Oral Sessions

Caracterización y Metrología (CME) Área a cargo de: Alfredo Aguilar E. [email protected]

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Metrología de materiales Mitani, Yoshito; Salas, José Antonio

Centro Nacional de Metrología

Metrología de materiales es el campo de conocimiento relacionado con las mediciones de las propiedades de los materiales. Actualmente se reconoce la importancia de la calidad de las mediciones en las propiedades de los materiales, porque su efecto está dominado por la regla de que la calidad de los productos está directamente relacionada con la calidad de las mediciones en los ensayos realizados. Sin embargo, debido a la dificultad encontrada en definir el mensurando en estas mediciones, los resultados de los ensayos de materiales son muy sensibles a los procedimientos y a los métodos empleados en sus pruebas. Consecuentemente los procedimientos de medición son factores críticos en determinar las propiedades de los materiales, En el presente trabajo, se describe la iniciativa internacional para organizar la Metrología de Materiales desde la organización del Comité Consultivo para Metrología de Materiales (CCMM), como el grupo experto en materia de medición de las propiedades de material dentro del Comité Internacional de Pesas y Medidas (CIPM) bajo el Tratado del Metro, en el que México participa desde 1875. El objetivo de esta iniciativa es el de apoyar el establecimiento de la infraestructura metrológica de cada país para lograr trazabilidad y comparabilidad de medición de las propiedades de material, a través de un mecanismo similar a lo establecido para el esquema de trazabilidad con que cuenta para las mediciones en física, química y biología. Se discuten las formas de establecer la trazabilidad y comparabilidad de las propiedades de material, que son muy dependientes de los métodos de medición, y la necesidad de establecer los patrones de medición mediante los materiales de referencia, métodos de referencia y los sistemas de referencia. También se discute la importancia de la organización de los laboratorios de referencia u otras como productores de materiales de referencia y proveedor de las pruebas de aptitud, y se propone el papel que se deben jugar cada actor que participa en la cadena de trazabilidad.



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Calibración del Sistema de Nanoindentación Nanoscope IV Dimension 3100

López Gómez, Magaly1; Muñoz Saldaña, Juan1; Espinoza Beltrán, Francisco1; Rychwalski, R.2

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Chalmers University of Tecnology, Advanced Materials

Con el método de nanoindentación es posible determinar propiedades mecánicas de la superficie de materiales, como la dureza, el modulo de elasticidad, el porcentaje de recuperación elástica, la tenacidad a la fractura, etc. El requisito más importante es el conocimiento de la función de área (A=f(hc))de la punta de indentación utilizada durante la prueba. Esto es debido a que la mayoría de las propiedades a medir están en función directa del área de contacto. Conociendo la geometría del indentador, el área se puede relacionar directamente con las diagonales de la huella proyectada a la superficie (Vickers) o a través de la profundidad de penetración. En este estudio se determino la función de área de una punta de diamante de geometría de base triangular, la cual pertenece al sistema de nanoindentación Nanoscope IV Dimension 3100. Para ello, se utilizó un estándar de oro (material rígido plástico), el cual no presenta recuperación elástica. El procedimiento consistió en analizar una serie de indentaciones, obtenidas aplicando diferentes cargas, cuyas huellas se utilizaron como un negativo de la punta de diamante. En este trabajo de investigación se propone un método para determinar la sensibilidad del cantilever. La sensibilidad es un parámetro que relaciona el movimiento del piezoeléctrico (en la dirección Z), medido en nm y la deflexión del cantilever obtenida del sensor fotodiodo de cuadrantes, medida en Volts. Se utilizó un estándar de zafiro sobre el cual se hicieron indentaciones y del grafico de fuerza obtenido se calcula la sensibilidad como la pendiente en la región de contacto, teniendo unidades de nm/V. Se aplicaron cargas desde 0.3V hasta 2.4V. En un gráfico de sensibilidad contra carga se observo que la sensibilidad varía con respecto a la carga aplicada, por lo que se concluyó que en las pruebas de nanoindentación, donde comunmente se utiliza la sensibilidad como un promedio de todos los valores obtenidos con diferentes cargas, se deberá alimentar al equipo el valor de la sensibilidad correspondiente a la carga que será utilizada durante la prueba.

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RHEED image analysis software: application to arsenide-nitride materials

Mendizabal-Ruiz, Gerardo; Martínez-Guerrero, Esteban

Instituto Tecnológico y de Estudios Superiores de Occidente

Reflection high energy electron diffraction (RHEED) is commonly used for in-situ analysis of surface structure in crystal growth by molecular beam epitaxy (MBE). RHEED measurements have traditionally been applied to determine growth rate, surface morphology, and the strain relaxation during deposition of epitaxial layers of II-VI and III-V materials. More recently, RHEED has also been used for measuring substrate temperature, calibrate the elemental flux, texture determination of polycrystalline thin films, and in-situ detecting phase domains in III-Nitride materials. Indeed RHEED has become an essential tool for thin film processes and optimize quality of materials, so that, it is widely used in semiconductor growth industry and research laboratories. In order to extract quantitative information from RHEED, software of image processing is necessary. Hence various MBE systems have usually incorporated RHEED tool (e.g., electron gun and phosphorescent screen) with its corresponding image capture



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system and processing software. However, some software is limited because the post-processing data to obtain useful information. In this work we present new software PIR (from Procesamiento de Imagenes de RHEED) for analysing RHEED images of epitaxial layers of III-arsenide and III-Nitride materials. The developed software is a multipurpose program to analyse RHEED patterns in both, real-time and off-line data analysis which make it a powerful tool for characterization of thin films: (a) it determines the intensity oscillations from specular spot of digital video RHEED, and then applying Fourier transformed analysis it can accurately determine the growth rate. (b) It computes lattice constant spacing variation from the intensity profiles of (01) and (0-1) rods. This measurement is important for following in time the strain relaxation during the heteroepitaxy and can provide quantitative information about the kind of growth mode, the onset of the 2D/3D transition, and other information. (c) It produces a three-dimensional view of RHEED image which can give information about mosaicity of the crystal surface. (d) It identifies the azimuthal orientation (e.g. [100], [110], ...) for binary semiconductors and display it on the RHEED image. Finally, still under implementation is additional analysis for in-situ identification of hexagonal phase domains in the case of cubic-GaN layers. At the conference detailed computed results from GaAs, AlAs and GaN epitaxial layers with our software will be surely given.

1-363/1

Molecular beam experiments of tribochemical reactions Lara Romero, Javier; Rivera Rojas, José Luis; Rico Cerda, José Luis; Vázquez García,

Salomón Ramíro Fac. de Ing. Química, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo

Extreme-pressure lubricant additives are molecules that contain chlorine and/or sulfur in their chemical structure. They are incorporated into lubricant formulations which are used in extreme-pressure conditions (high pressures and temperatures) such as metal cutting and forming, deep drawing, grinding, etc. These type of additives react with the metal surface to form a solid film at the tool-metal piece interface which prevents seizure. The thermal decomposition of model extreme-pressure lubricant additives on clean iron was studied in ultrahigh vacuum using molecular beam strategies. A dc molecular beam was created using a directional dousing source where the beam is incident on the clean iron and the gas-phase products of the reactions are detected mass spectroscopically. The temperature- and pressure-dependence of the decomposition rate were obtained and compared to the kinetics obtained at higher pressures using a microbalance. In addition, the nature of the reactive film was elucidated using Auger and X-ray photoelectron spectroscopies. These results allowed us to explain the tribological behavior of the model EP lubricant additives under EP conditions. The molecules studied were CH2Cl2, CHCl3, CCl4, (CH3)2S2 and (C2H5)2S2.

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Caracterización de sistemas unidimensionales por microscopía. Ascencio, Jorge A.


El desarrollo de sistemas y materiales nanoestructurados involucra esfuerzos de síntesis con una vasta gama de métodos, sin embargo el entendimiento y el desarrollo de los materiales requiere de una caracterización completa para entender tanto la estructura que le constituye, la composición y en consecuencia las propiedades asociadas. En el caso de los sistemas unidimensionales, tanto nanotubos como nanorodillos y demás nanoestructuras de crecimiento



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en una sola dimensión, la determinación de estructura ha demostrado se muy completa cuando se emplean técnicas de microscopía, fundamentalmente mediante fuentes de iluminación basadas en electrones (microscopios electrónicos de barrido y transmisión) como mediante la evaluación de las fuerzas entre la muestra y una punta asociada a un piezo-eléctrico (microscopía de fuerza atómica y técnicas asociadas), las cuales brindan múltiples señales que van desde la estructura interna, la composición, la fricción, topología superficial e incluso las características electrónicas, magnéticas y mecánicas de los materiales. En este trabajo se presentarán ejemplos y fundamentos para la determinación estructural de sistemas unidimensionales tanto nanotubos como nanorodillos de metales, semiconductores y sistemas de carbón. Alternativamente el uso de métodos de simulación molecular en forma paralela para entender plenamente la estructura atomística y las implicaciones de esta en las propiedades de los materiales. Se presentaran ejemplos de determinación estructural nanotubos de carbón, nitruro de boro y de disulfuro de molibdeno, junto a nanorodillos de oro, sulfuro de cadmio, sulfuro de zinc, dióxido de estaño otros catalizadores desarrollados el grupo.

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Plastic deformation and fracture during nanoindentation test of brittle materials

Scholz, T.1; Schneider, G.A.1; Muñoz Saldaña, Juan2; Swain, M.V.3 1Technische Universität Hamburg-Harburg

2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 3The University of Sidney

Nanoindentation is widely used for measuring the elastic modulus E and the hardness H of small volumes of material and thin films. Moreover, the response of the samples during nanoindentation experiments can provide much more insights into the mode and onset of plastic deformation or fracture of the material. In this work we present nanoindentation experiments from very sharp down to blunt indenters exploiting the full load range from 0.25 mN to 10 mN of the testing device used (Triboscope, Hysitron, Minneapolis, USA). The materials investigated are sapphire, fused quartz, and single crystalline barium titanate (BaTiO3). In these materials three stages are identified during nanoindentation: purely elastic, elastic/plastic, and finally brittle fracture. The experiments often show a sudden additional penetration of the indenter without an increase of the load, which is commonly denominated as “pop-in effect”. We will show that reproducible pop-ins mark the transitions between the three stages. To gain a closer insight into the different phases, four different indenters are used, namely two cube corner and two conical shaped indenters each. The elastic to elastic/plastic transition was verified using the force/penetration curves and by calculating the mean pressure underneath the indenter. The fracture of the tested materials after the second pop-in was confirmed using an atomic force microscope. Following Field, Swain and Dukino the local fracture toughness was calculated afterwards by analysing this second pop-in.



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Sol-Gel (SGE) Área a cargo de: Tessy López [email protected]

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Nanomedicina: diseño, síntesis y aplicación de nuevos materiales Ascencio, Jorge A.


El desarrollo de materiales nanoestructurados mediante métodos de control de tamaño de partícula, promedio de estructura e incluso propiedades químicas y físicas involucradas al tamaño, la estructura y la composición de los materiales. Uno de los métodos más empleados para estos fines es en de sol-gel, aun y cuando no es el único, si ha demostrado poseer importantes alcances en cuanto al dominio de los sistemas y a las correspondientes propiedades involucradas.

En el presente trabajo se presenta un resumen de los trabajo en el tema de aplicaciones medicas de materiales nanoestructurados desarrollados por el grupo, involucrando tanto los métodos de síntesis, los de la determinación estructural y la comprensión mediante técnicas de simulación molecular. Así conjuntamente se demuestra el impacto de la conjunción de esfuerzos en un proceso complejo como la generación de radio fármacos, los controladores de dilatación, e incluso la liberación controlada de fármacos para su aplicación en tumores, problemas cardiacos o enfermedades neurodegenerativas.

9-287/1

Efecto del La2O3 en Catalizadores Base Pd/Al2O3-Ce-ZrOx . Flores, Eric; Sandoval, Sharon; Fuentes, Sergio; Olivas,Amelia

Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM

Se preparó una clase de catalizador por el método de sol-gel, en el cual se varía la concentración del modificador de lantano con el objetivo principal de estudiar su efecto. Esta variación en porcentaje en peso es de 0.05 en un caso y 0.1 en el otro. Los catalizadores y sus respectivos soportes fueron caracterizados por difracción de rayos X, microscopia electrónica de barrido, medición de área superficial, reducción a temperatura programada y espectroscopía en el rango UV y visible. Fué posible observar claras diferencias entre soportes y catalizadores, por lo que es posible concluir que la adición del Lantano como modificador tiene un efecto en las propiedades físicas de los catalizadores base Paladio y es observable a una concentración de 0.05%. Al aumentar a 0.1% la concentración de Lantano, el efecto en comparación con la adición de 0.05% es aparentemente muy similar. Se está llevando a cabo la caracterización química en la reacción de oxidación de CO y se espera probar las muestras en la reacción de reducción de NO por lo que nos reservamos nuestras conclusiones en espera de concluir las mediciones.



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9-189/1

Preparación de Monolitos de Sílice con Vanadio como Modificador de Red e Incorporación de Esferas Nanométricas Monodispersas para Inducir el Fenómeno de Difracción en el Rango de la Luz Visible.

Cortés Escobedo,C.A.; Martínez Flores, Jesús Omar; Muñoz Saldaña, Juan; Yáñez Limón, José Martín


El principio fundamental de la difracción consiste en la reflexión de ondas electromagnéticas, que al interactuar entre sí, dan lugar a fenómenos de interferencia constructiva y destructiva. Éstos fenómenos de interfase, originan un haz resultante, cuya dirección está dada por la relación existente entre la longitud de onda de la onda incidente y la distancia interplanar de un sistema periódico sobre el cual incide (ley de Bragg). En base a estos principios, en este trabajo se propone una ruta para sintetizar un sistema en el cual se pueda efectuar la difracción de la luz visible, haciendo uso del proceso Sol Gel, en medios ácido y básico, partiendo del TEOS como precursor, en ambos casos. Así, se realizó la incorporación de esferas nanométricas de sílice –preparadas por medio de reacciones de hidrólisis y condensación con hidróxido de amonio como catalizador morfológico- en una matriz de gel con iones vanadio como modificadores de red –preparado por medio de reacciones de hidrólisis y condensación en medio ácido. El tamaño de las nanoesferas monodispersas preparadas, está en el rango de la luz visible de 250 a 850 nm. De acuerdo con lo anterior, los iones de vanadio inmersos en el gel como modificadores de red incrementarán la diferencia de índices de refracción entre las esferas y el gel matriz, aumentando la probabilidad de que ocurra la reflexión y no la refracción en la interfase esferas-gel favoreciendo el fenómeno de difracción. Además, debido al fenómeno de encogimiento de la red del gel, se propiciará la formación de planos de nanoesferas acomodadas periódicamente. Se presenta una comparación de los monolitos obtenidos a partir de nanoesferas comerciales OPTA acidificadas, con los monolitos obtenidos a partir de TEOS y con la incorporación de nanoesferas preparadas, secados a temperatura ambiente y con una rampa de temperatura.

9-243/1

Estructura y reactividad de soluciones sólidas La2-xCexO3, Ce1-xLa xO2/ Bi2Mo0.9W 0.1

Rangel, R.1; Bartolo-Pérez, Pascual2; Díaz, Gabriela3; Gómez-Cortés, Antonio3; Galván, Donald4

1Universidad Michoacana de San Nicolas de Hidalgo 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida

3Instituto de Física, UNAM 4Centro de Ciencias de la Materia Condensada, Universidad Autónoma de México

Catalizadores de La2-x Cex O3 y Ce1-x LaxO2 fueron preparados por reacción en estado sólido, a partir de La2 O3 y CeO2, y sol-gel, con precursores de La(NO3)3 y C6H9O6Ce. Algunos catalizadores fueron soportados en Bi2 Mo0.9W0.1O6. Los compuestos se sinterizaron a 600°C. Posteriormente se caracterizaron mediante XRD, SEM y XPS. El área superficial se obtuvo por el método BET. Los análisis por XRD indican que no se forma una solución sólida La-Ce en el rango de composición de x=0.5-0.9. Los análisis por SEM muestran la formación de cristales de tamaño inferior para el caso del método de sol-gel, en comparación con el de estado sólido, así como una mejor dispersión del catalizador. Con XPS se determinó la composición química correcta para x=0.1, 0.5 y 0.9, para lo anterior se usaron factores de sensibilidad



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determinados a partir de compuestos estándar. También se hallaron los estados de oxidación de los catalizadores. Se probaron los compuestos en la reacción CO+½O2, iniciandose en algunos casos la reacción a 150°C, alcanzándose conversiones del 94% a temperaturas cercanas a 400°C. Se concluye que las fases sintetizadas son eficientes en la conversión de CO a CO2.

9-102/1

Preparation and Optical Properties of silica Sol-Gel Made Glass Colored with Carminic Acid

Díaz-Flores, L.L.; López Parroquín, H.; Rodríguez Paredes, S.; Barajas Fernández,J.; Sánchez Ruíz, P.A.

1Universidad de Tabasco

Silica based films and bulk samples, containing dispersed carminic acid molecules were prepared using the traditional sol-gel process. The precursor material was a mixture of water, TEOS, ethanol and carminic acid, the components were added at ratios known to provide materials with good structure. The carminic acid in powder form was introduced in the solution. Films and bulk samples with intense red color were obtained. The optical absorption and emission spectra of this material contain a number of visible and UV bands corresponding to transitions between discrete electronic energy levels. It is found that the optical and thermal stability of the coloration produced by the carminic acid is enhanced when it is embedded into the SiO2 matrix, especially in bulk samples.

Procesos en Semiconductores (PSE) Área a cargo de: Javier de la Hidalga [email protected]

8-155/1

Microsensores y Actuadores tipo Trampolín para aplicaciones en Dispositivos Biosensores

Alcántara Iniesta, Salvador1; Pérez Ruiz,Santiago Jesús2; Soto Cruz, Blanca Susana1; Ortega Jiménez, Luis Antonio1; Méndez Bognanni, Luis1; Sosa Sánchez, José Luis1;

Muñoz Aguirre, Severino3; Hernandez A,Pablo Rogelio4; Romero-Paredes Rubio, Gabriel4; Calleja Arriaga, Wilfrido5

1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla 2Universidad Nacional Autónoma de México (n)

3Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP 4Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN


Las micro o nano estructuras en forma de trampolines han mostrado una gran versatilidad en su empleo para la transducción de variables físicas como fuerza, presión, flujo, posición, desplazamiento y aceleración en señal eléctrica. La reducción de sus dimensiones ha traído, como consecuencia, un incremento no solo en su sensitividad, sino también un espectro mayor de sus aplicaciones, como en el caso de microsensores de masa en biosensores. La ventaja



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principal de los sensores tipo trampolín es su sensibilidad basada en la habilidad para detectar desplazamientos con precisión de hasta subnanometros, además por la relativa facilidad para su fabricación en arreglos de multielementos; difícilmente otro tipo de tecnología ofrece tal versatilidad. Resulta por lo tanto, de extremo interés, la investigación y desarrollo de estas estructuras. En este trabajo se revisa la teoría que describe el comportamiento de los trampolines, se simula, se encuentran los parámetros determinantes en el diseño de estas estructuras y se describe su fabricación; se realiza un arreglo para su caracterización y comprobación experimental.

8-193/1

Grabado seco: Aplicaciones en Micro en Micro y Nanofabricación. Reyes Betanzo, Claudia


El progreso de la microelectrónica se mide principalmente por el grado de reducción de las dimensiones de las estructuras que conforman los dispositivos de un circuito integrado. Esto exige el desarrollo de mejores tecnologías para obtener dispositivos cada vez menores, circuitos integrados con un mayor número de componentes y más rápidos. El grabado seco o por plasma es una etapa crítica y esencial en el desarrollo de tecnologías de micro- y nanofabricación de dispositivos, donde la transferencia fiel de los patrones litográficos hacia el material se torna cada vez más crítica, y por lo que nuevos requisitos de velocidad, selectividad, perfil de grabado y calidad de la superficie son necesarios. Estudios de los mecanismos de grabado han mostrado que la interacción plasma-superficie varía en cada material independientemente de los parámetros del proceso como son el tipo y mezcla de gas, presión, potencia, bombardeo de iones y temperatura del substrato. La combinación de los diagnósticos de plasma y del análisis de superficie es probablemente la mejor estrategia para desarrollar y entender las interacciones que acontecen en la superficie que llevarán a una mejor planeación del experimento. En esta plática se abordará el proceso de grabado seco de diversos materiales semiconductores, aislantes y conductores usados en la fabricación de dispositivos en micro y nanotecnologías, haciendo énfasis en los requisitos particulares de cada material en base a su aplicación. Así también, se abordarán técnicas de análisis de superficie y de diagnóstico de plasma.

8-215/1

Trigonal symmetry in GaAs1-xN1-x quantum dots for low x-values Zelaya Angel, Orlando


By means of an RF magnetron sputtering system nanocrystalline GaAs1-xNx thin films were prepared on 7059 Corning glass substrates using a GaAs target and N2 gas-ambient, at several substrate temperatures (Ts). The range of Ts was from room temperature to 400 ºC. The Nitrogen concentration into the layers is 0.0070 ± 0.0015. From X-ray diffraction patterns the average grain size was calculated to be 4.7 ± 0.8 nm. The energy band gap of the GaAsN nanorods, calculated from optical absorption spectra, is 2.90 ± 0.12 eV. Raman scattering spectra display the trigonal (rhombohedral) phase of the GaAsN lattice due to the crystalline structural transformation of zincblende-GaAs because of the introduction of N into the lattice.



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8-182/1

Desarrollo de una Tecnología 0.8 µ BiCMOS Optimizada con Nuevos Materiales

Coyotl Mixcoatl, Felipe; Rosales Quintero, Pedro; Torres Jácome, Alfonso


La tecnología CMOS ha sido usada desde la década de 1980 por su bajo consumo de potencia, alto margen de ruido y por su creciente velocidad de transmisión de datos en dispositivos submicrométricos y nanométricos. Su evolución ha sido determinada por los avances en tecnología en sistemas litográficos, métodos de introducción de impurezas e ingeniería de nuevos materiales. Asimismo, el diseño de estructuras hibridizadas con la tecnología bipolar (BiCMOS) ha permitido un alto desempeño en velocidad en transmisión de datos y consumo de potencia. Dentro del marco de la construcción del Laboratorio Nacional de Nanoelectrónica (LNN), el grupo de Microelectrónica del INAOE pretende desarrollar el proceso fabricación BiCMOS para la integración de circuitos digitales y analógicos. Esto implica una gran cantidad de trabajo, relacionado al establecimiento de las bases físicas y tecnológicas, tanto en dispositivos MOS como BJTs. Se pretende, que una vez establecido el proceso de fabricación MOS se integren dispositivos bipolares, tratando de modificar lo menos posible este proceso. Lo que no es una tarea fácil porque existe el compromiso entre complejidad del proceso de fabricación y el rendimiento del transistor bipolar. No obstante, el peso de este compromiso puede ser reducido con el uso de un material semiconductor amorfo con mayor banda de energía prohibida como emisor del transistor bipolar (HBT). En esta plática se abarcan los avances en el desarrollo de un proceso de fabricación con tecnología BiCMOS para obtener dispositivos de efecto de campo con una longitud mínima de canal de 0.8µ con un alto desempeño a un bajo costo. Para este fin se debe hacer ingeniería de drenaje, ajuste del voltaje de umbral, voltaje de punchthrough, resistencia serie, etc. Del mismo modo, se debe cuidar un efecto parásito destructivo e intrínseco a CMOS conocido como latchup mediante la tecnología disponible y mediante una optimización en las reglas de layout, y al mismo tiempo, obtener HBTs con una frecuencia unitaria de corte de al menos 20 GHz y una ganancia de emisor común de 30.

8-148/1

New Mechanism of Thermoelectric Cooling at Interface of Two Conducting Mediums

Gurevich, Yuri1; Logvinov, Georgiy2 1Depto. de Física, CINVESTAV

2ESIME IPN

Effect of cooling and heating of contact of two mediums is predicted when d.c electric current flows through this contact, and this effect does not reduce to the Peltier effect. The suggested electrothermal effect is barrierless effect (in opposite to the Peltier effect being barrier effect), and takes place always at finite magnitudes of contact surface heat conductivity. This effect displays itself even in the case when the conducting materials are identical. Generally, both Peltier effect and barrierless effect display themselves jointly, and they are the values of one order in linear approximation by electric current. It is shown that barrierless effect disappears at great values of the contact thermal conductivity, while the Peltier effect is negligible small at low values of the contact thermal conductivity.



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Transport of Nonequilibrium Carriers of Charge in Semiconductor Structures

Gurevich, Yuri1; Logvinov, Georgiy2; Espejo Lopez, Gabino3; García, Alberto4; Angeles Fragoso, Oscar2

1Depto. de Física, CINVESTAV 2 SEPI-ESIME-CULHUACAN-IPN

3Depto. de Mecatronica, Universidad Politecnica de Pachuca 4Depto. de Física, UAM-I

Theory of recombination processes in semiconductors self-coordinated with Maxwell’s equations is constructed. It is follows from it that electron and hole life-times can be entered only in some special cases. At that these times coincide. It is found out the influence of heating of carriers of charge and the heterogeneity of temperature fields on the recombination processes. The question about formation of electron and hole quasineutral packages is investigated. It is shown that generally the electron and hole concentrations do not coincide in the quasineutral package. The last is connected with the appearance of nonequilibrium carriers on impurity centers. It is proved that at finite recombination rates nonequilibrium electrons and holes essentially influence on the transport phenomena even in linear approximation by external perturbations. At that the resistance of semiconductor structure essentially depends not only on electron and hole mobility but also on the rates of the bulk and surface recombination. Boundary conditions for a current flowing through the boundary of two conducting media are formulated. These boundary conditions take into account surface conductivity and surface recombination. The basic ideas of the general theory are used for calculation of a nonlinear current of hot carriers in bipolar structures with arbitrary geometrical sizes. The role of nonequilibrium carriers in transport of hot carriers is analyzed.

Peliculas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos I (RPD) Área a cargo de: Francisco Espinoza Beltrán [email protected]

2-104/1

EXAFS and EELFS characterization of TiN thin film grown by PLD: The effect of plural scattering process in the determination of the

coordination number Duarte Moller,José Alberto

Centro de Investigación en Materiales Avanzados

This work presents the study of a series of TiNx thin films, grown by PLD over Si (1 1 1) substrate at different partial pressures of N2. Ti target was ablated in presence of a N2 atmosphere and a series were made in order to observe the influence for different partial pressures of the N2 during the growing up of TiNx thin films. To determine the elemental ratio and the chemical states of the samples, these series were analyzed in-situ by AES, XPS, EELS.



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Ex-situ were examined by TEM and EXAFS. Micro-hardness tests were performed also to determine the influence of the N quantity in this hardness at the final thin film obtained, getting accurated results. Structural parameters were obtained by EXAFS and EELFS experiments and their respective corrections were obtained by applying an ab-initio approximation and compared with the model compound. Is appreciable the strong effect of the plural scattering process in the electron induced fine structure. We report a discussion of the effect in the coordination number and the atomic distance obtained with both techniques.

2-272/1

Properties of pulsed laser ablated fullerene-like CNx thin films Zambrano, G.1; Riascos, H.1; Prieto, P.1; Devia, Alfonso2; Arroyave, M.2; Galindo, H.3

1Universidad del Valle 2Universidad Nacional

3Universidad de los Andes

Fullerene-like CNx thin films were synthesized by Pulsed Laser Ablation (PLA) of pyrolytic graphite (99.99%) target in nitrogen using a (500 mJ, 7 ns, 1064 nm) Nd: YAG pulsed laser. The films were deposited onto silicon substrates at 300 0C in nitrogen atmosphere within the 5–100 mTorr pressures. Fullerene-like CNx films thicknesses at different pressures varied between 150 and 200 nm for deposition times of 15 minutes. The composition and structure of these films were analysed by means of Reflection Absorption Infrared Spectroscopy (RAIRS), XPS, and Raman spectroscopy and the morphology of the films surfaces by AFM. The RAIRS analysis of films deposited at different pressures show the presence of the 2229 y 2273 cm-1 stretching peaks associated to CN triple bonds (C=N) of nitriles and isocyanides. On the other hand, the XPS study of the N 1s bonding energy region provided typical spectra of the CNx materials. The spectra present the energy peaks at 400.8 (P2) and 398.4 eV (P3), that usually are assigned to nitrogen that is bonded to sp2 and sp3–coordinated C atoms respectively. For a fullerene-like structure with developed basal planes, nitrogen is mostly bonded in an sp2–reach environment. In our conditions films deposited at 5 mTorr the P2/P3 ratio is 1.2 indicating a fullerene-like structure. Finally, the Raman analysis of films produced at different pressures shows the characteristic D and G peaks at 1360- 1370 cm-1 and 1580-1590 cm-1 relate to the bond length in sp3 or sp2 coordinated carbon respectively. Elastic modulus measured from the unloading portion of an indentation curve was about (120 ± 5) GPa and the elastic recovery was about 90% by using the pyramidal shape of AFM tip at 14 µN load and indentation depth of 6 nm. CNx films hardness was between 10 and 20 GPa. The present study demonstrated that the laser ablation technique of graphite target at low nitrogen pressures, by using a Nd: YAG-pulsed laser, is a viable technique for the growth of fullerene-like CNx films.

2-273/1

New transparent conducting In-doped CdTeO3 thin films grown by pulsed-laser deposition.

Castro Rodríguez, R.; Peña Chapa, Juan Luis

Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida

Indium-doped cadmium telluride oxide (CdTeO3:In) thin films (100–480 nm thick) have been deposited by pulsed-laser deposition on glass substrates without a postdeposition anneal. The structural, electrical, and optical properties of these films have been investigated as a function of doping amount during deposition. Films were deposited at substrate temperature of 420 °C in O2 partial pressures of 55 mTorr. The films (˜300 nm thick) show electrical resistivities as



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low as 1.54x10-2 Ω-cm, an average visible transmittance of ˜90%, and an optical band gap of 3.14 eV. This work was supported under Project CONACYT-México 40540-F.

2-329/1

TiO2 thin films encapsulating commercial anatase particles deposited on glass microrods for photodegradation of phenol



Degussa P-25 TiO2 encapsulated in a TiO2 thin film was prepared by a sol-gel method. TiO2–anatase thin films were deposited on a fiberglass substrate and then ground to obtain glass microrods containing the composite TiO2 films. As confirmed by Raman spectroscopy and AF microscopy, the TiO2 films incorporating P-25 TiO2 particles were prepared. It appeared that calcining the samples at 450ºC actived this photocatalytic material. The photoactivity of the films, calcined at 450°C, and Degussa P-25 TiO2 was assessed using gas chromatography to study the photodegradation of phenol, an industrial pollutant, in water under 365 nm irradiation. By using the glass microrods containing 15 wt.% P-25 thin films, there was a higher degradation of phenol within 6 h of irradiation. Degradation product formation was evident within this time. It also appeared that following phenol degradation, the degradation products themselves undergo photolysis. After 2.0 h of irradiation, the level of degradation of the F-P25/15 thin film was higher compared with the level of degradation with the 2.9 mg TiO2 dispersion. Concluding, The film with 15.0 wt. % of P-25 TiO2 was found to be more photoactive (54 ppm of degraded phenol at 6 h of illumination) as an equivalent dispersion of Degussa P-25 TiO2.

2-302/1

Efecto del depósito con iones de baja energía sobre el desgaste y la corrosión de multicapas de TiN/Ti.


1Univesidad de Guadalajara 2IMM-UNAM

3Instituto de Física, UNAM

Las multicapas metal-cerámico son materiales muy adecuados para sustituir a los recubrimientos monolíticos debido a su mejor resistencia al desgaste y la corrosión. Esta mejoría se logra al combinar las propiedades de los materiales que las constituyen como los efectos que se producen al controlar sus espesores individuales. En este trabajo se reportan los resultados del depósito de multicapas de TiN/Ti por medio de espurreo magnetrón asistido con campos magnéticos variables. El campo magnético del magnetrón se modificó por medio de una bobina colocada a su alrededor. Se hizo un mapeo de la modificación del campo magnético en el espacio entre el blanco y el sustrato, de las características del plasma en la región cercana al sustrato, de las energías y número de iones arribando al sustrato y de la tasa de depósito. Se reporta la influencia en la microestructura de las multicapas por el bombardeo del sustrato en términos de la relación iones-átomos y de la energía aportada por lo iones por átomo depositado para el caso del titanio. Se encontró que al incrementar la corriente en la



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bobina de 0 a 12A la energía de los iones que bombardean, el sustrato aumentó de 12 a 21 eV y la energía por átomo depositado de 27 a 37 eV por átomo. El bombardeo afectó de forma diferencial la microestructura de las capas metálicas y las cerámicas, en el caso del titanio al aumentar la energía por átomo depositado aumenta el tamaño de grano para la orientación (101) y en el caso del nitruro de titanio el tamaño de grano se reduce para las principales orientaciones. La resistencia a la corrosión y el desgaste aumentaron al incrementar el campo magnético aplicado. Se hicieron análisis de MFA, AES y XPS para analizar las superficies y perfiles de profundidad y RBS para estudiar interfases, densidad y espesor de las multicapas.

Semiconductores (SEM) Área a cargo de: Rafael Ramírez Bon [email protected]

3-381/1

Electronic materials research at the University of Texas at Dallas Gnade, Bruce


The electronic materials program at the University of Texas at Dallas is undergoing a major expansion. In this talk I will review the experimental facilities and capabilities in the Materials Science and Engineering program at UTD, as well as quickly review several of the active research areas, including: gate stack materials for advanced CMOS, low temperature processing for fabricating thin-film transistors on plastic substrates, molecular electronics, organic semiconductors, and low permeability plastic substrates

3-365/1

HfSiON gate dielectrics for advanced CMOS devices Quevedo, Manuel A.; Chambers, J.J.; Visokay, M.R.; Colombo, L.

Centro de Ultrasónica, Cuba

Aggressive scaling of CMOS devices challenges the continued usefulness of nitrided SiO2 gate dielectrics. Binary oxides, such as Al2O3, HfO2, ZrO2 and Y2O3, have been widely investigated as alternative gate dielectric materials owing to their relatively high dielectric constants. However, binary oxides exhibit low crystallization temperature and high dopant diffusivities that make them undesirable candidates for integration into a standard CMOS flow. Incorporating silicon into a binary oxide to form compounds such as HfSiO, ZrSiO, YSiO, LaSiO and GdSiO can increase crystallization temperature and improve interfacial properties, but these silicon-containing compounds can still crystallize, allow dopant penetration and, in addition, phase separate at the high temperatures routinely encountered in a standard CMOS flow. Incorporating nitrogen into binary oxides or silicon-containing oxides can improve the crystallization, phase separation and dopant diffusion behavior of these materials. Recent literature on zirconium oxynitride and hafnium oxynitride demonstrates that nitrogen incorporation increases the crystallization resistance and reduces boron penetration in these materials. The objective of this presentation is to describe the advantageous physical and electrical properties of hafnium silicon oxynitride, HfSiON, which is stable at 1100 °C, shows



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boron blocking better than SiON and exhibits carrier mobility that is 80% of the universal curve.

3-382/1

Metal gate integration for advanced ULSI Wallace, Robert M.


The semiconductor industry roadmap indicates that there are several formidable challenges to overcome to enable the continued scaling of integrated circuits. A key area of interest is in the scaling of the gate stack of a fundamental device, the CMOS transistor. This talk will examine issues and recent results examining the integration of metals for gate electrodes in scaled CMOS. We will describe our work examining the stability of potential metal gate electrode candidates, including Mo-based alloys. This work was supported by the Texas Advanced Technology Program

3-197/1

Nanopartículas Semiconductoras en Zeolita Natural Flores Acosta, Mario; Ramírez Bon, Rafael


En los sistemas con dimensiones muy reducidas, donde los electrones son confinados, aparecen una serie de fenómenos físicos que no habían sido observados en sistemas con dimensiones ordinarias. Uno de los fenómenos más interesantes es el incremento de la banda de energías prohibidas (gap) como consecuencia de la reducción de las dimensiones del semiconductor. Este fenómeno tiene repercusiones en aplicaciones tecnológicas muy importantes porque permite sintonizar el gap de un semiconductor mediante el control del tamaño de las partículas que lo componen. De aquí el interés en el estudio de procesos de preparación de semiconductores dirigidos a la producción de nanoestructuras con tamaño de partícula controlado. Clusters de semiconductores en zeolitas han sido ampliamente estudiados, principalmente CdS en zeolitas tipo Y. El PbS es otro material semiconductor que también ha sido incorporado en zeolitas, aunque sobre este sistema existe muy poca información. Se ha observado que los clusters de PbS en zeolitas tipo Y producen picos de absorción excitónica alrededor de 300, 400 Y 600 nm. En este trabajo hemos sintetizado el material PbS en zeolita natural mediante un método de reacción química en solución alcalina a temperatura controlada. Se sintetizaron cinco muestras a temperaturas 25-50 ºC y se realizó un estudio de sus propiedades estructurales y ópticas. Los resultados muestran que se logró la formación de nanopartículas de PbS de dimensiones nanometricas en la matriz cristalina de estas zeolitas.



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3-201/1

Estudio termodinámico del CdSe impurificado con Er3+ sintetizado mediante la técnica de depósito por baño químico

Portillo Moreno, Oscar1; Lima Lima, Hilda1; Lozada Morales,Rosendo2; Palomino Merino, Rodolfo2; Zelaya Angel, Orlando3

1Facultad de Ciencias Quimicas , BUAP 2Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP

3Depto. de Física, CINVESTAV

Ocho películas de CdSe impurificadas con Er3+ preparadas por Depósito por baño químico (DBQ) sobre sustratos de vidrio a 70ºC ±2ºC, son investigadas. Se utilizaron las soluciones: CdCl2, 0.01M, KOH 0.1 M, NH4NO3 0.5 M. Todas las soluciones se preparan con agua desionizada a temperatura ambiente y utilizando reactivos grado analítico. La selenourea (SeC(NH2)2) 0.093 M genera los iones Se2-, ésta se preparó en atmósfera de gas inerte y se conservó a temperatura de 4ºC. Como impurificante se utilizó Er(NO3). 5H2O 0.022M (ocho diferentes volúmenes) preparado a temperatura ambiente. Se mantuvieron constantes los parámetros de crecimiento: temperatura, agitación, concentración de los reactivos y pH. En los espectros de Rayos X, de la muestra sin impurificante CdSe (AG) se observan los picos localizados en las posiciones angulares: 2θ = [25, 35, 42.01, 49.69], correspondientes a la fase Zincblenda reportados en la literatura científica. Para las muestras impurificadas se observan los picos localizados en las posiciones angulares: 2θ = [23.90, 25.35, 27.08, 42.01, 49.69] que comparados con los mencionados estándares corresponden a la fase Wurtzita del CdSe. De estos resultados se observa la transición de fase Zincblenda-> Wurtzita. Los espectros de absorción óptica muestran disminución de Eg para las muestras impurificadas de Eg = 1.80 eV a Eg = 1.74 eV con comportamiento oscilatorio, observándose Eg = 0.06 eV. En el modelo termodinámico que proponemos para la incorporación del Er3+, en la estructura cristalina del CdSe (AG), a baja concentraciones los iones ocupan las vacancias y a alta concentración saturan dichas vacancias, ocupando los intersticios en la red cristalina. Este efecto ha sido observado en CdSe crecido por evaporación e impurificado con Erbio.

3-332/1

Caracterización estructural de ZnSe impurificado con iodo Rábago Bernal, Felipe de Jesús1; Lezama Pacheco, J.2; Mustre de León, José2;

Espinosa, Francisco Javier2; Conradson, S.2 1Fac. de Ciencias, UASLP

2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida

En este trabajo se presentan los resultados de la caracterización mediante rayos X de ZnSe impurificado con Iodo El iodo se introduce al cristal debido al método de fabricación, en este caso por Transporte Químico en fase vapor, ya que es el agente de transporte. Los resultados muestran que el iodo no produce otras fases que las del cristal puro y que entra en la red substituyendo al Selenio. Se observó una mayor distancia a primeros vecinos conservándose la misma distancia a segundos vecinos. Se comparan estos resultados con los obtenidos para otros materiales semiconductores de la misma familia.



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Técnicas Fototérmicas (TFT) Área a cargo de: Sergio Armando Tomás Velázquez [email protected]

12-367/1

Aplicaciones de técnicas fototérmicas en biotecnología Cruz Orea, Alfredo


Algunas aplicaciones de técnicas fototérmcas en el área de biotecnología son mostradas. Entre estas aplicaciones se muestra la caracterización térmica de películas comestibles en función de diferentes parámetros usados para su elaboración. También una configuración fotoacústica diseñada para la medición de permeabilidad al vapor de agua, en películas biodegradables, es mostrada así como también algunos resultados que se han obtenido usando esta configuración experimental. En el área de fito-remediación se muestra la aplicación de la espectroscopia fotoacústica para el estudio de detección de compuestos aromáticos en raíces de plantas, las cuales se encuentran expuestas a condiciones de alta contaminación ambiental en particular de suelos. Finalmente mostramos un estudio sobre el efecto de la radiación láser en semillas de maíz en las cuales estudiamos, estadísticamente, la variación cualitativa de clorofilas en plántulas de maíz cuyas semillas fueron, o no, irradiadas con láser.

12-186/1

Comparación de las cualidades metrológicas entre los modos de corriente y voltaje en la configuración inversa de la técnica

fotopiroeléctrica a bajas frecuencias Ivanov Tsonchev, Rumen1; Gutiérrez Juárez, Gerardo2; Vargas Luna, Miguel2; Sosa

Aquino, Modesto2; Moreno, Ivan1 1Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas

2Instituto de Física, Universidad de Guanajuato

Usando un sensor piroeléctrico de polivinildiflurade (PVDF), en la configuración inversa de la técnica fotopiroeléctrica, se midió la razón señal ruido (RSR) en los modos de corriente y de voltaje. El estudio se hizo para tres diferentes muestras en contacto con el piroeléctrico (aire, agua y piel de cerdo), en el rango de frecuencia de 0.1 a 10 Hz. En el modo voltaje se usó un preamplificador de alta impedancia de entrada. Se encontró que para frecuencias de modulación abajo de 1 Hz la RSR es mayor en el modo voltaje, sin embargo, para frecuencias mayores que 1 Hz, el modo corriente es preferible. Lluvia de ideas 1. Para el modo corriente no se necesita preamplificador con alta impedancia de entrada. En este trabajo se utilizo un preamplificador hecho en casa con una impedancia de entrada de un TΩ. La desventaja este preamplificador es que solo funciona por abajo de 10 Hz. Preamplificador ITHACO 1201 2. El modo corriente no es sensible tan sensible a impurezas. La impurezas tienen un resistencia eléctrica alta, como en el modo corriente. Si 3. Por debajo de un Hz se deben de hacer muchas mediciones para un punto con el objetivo de disminuir la influencia del ruido, sobre los resultados experimentales, el ruido no se disminuye pero l influencia si. 4. Por arriba de un Hz



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no es necesario repetir las mediciones varias veces, ya que para los tres materiales analizado el error relativo que induce el ruido esta por debajo del 1%. 5. En el modo de corriente la influencia de voltajes parásitos disminuye drásticamente, estos voltajes son inducidos por la red eléctrica o otras fuentes de señales electromagnéticas. 6. En el caso de modo corriente no se debe prestar tanta atención en apantallar a la celda fotopiroeléctrica, esto es muy importante cuando se hacen estudio sobre tejido biológicos

12-383/1

Detección de algunas sustancias biológicas mediante deflexión fototérmica

Larrea Cox, Pedro J.1; Escobar Uña, Aurora C.2; Cobas Aranda, Margarita2 1Centro de Aplicaciones Tecnológicas y Desarrollo Nuclear

2Agencia de Energìa Nuclear y Tecnologìas de Avanzada

Analizada la factibilidad práctica de utilizar el efecto de deflexión fototérmica, originado por la propagación de dos haces láser a través de una muestra líquida, uno de los cuales es absorbido generando una lente térmica, mientras que el otro se desvía de su trayectoria al interactuar con la región calentada por el primero, se presenta su variante colineal como posible método no destructivo para la detección de bajas concentraciones en sustancias biológicas. La instalación experimental empleada fue previamente ajustada usando patrones de yodo en tetracloruro de carbono. Fueron obtenidas, además, curvas de calibración para muestras purificadas de citocromo C en etanol y hemoglobina en agua, así como colesterol en una solución 1:1 de agua y alcohol. Esto brinda nuevas perspectivas para la detección de otras sustancias de interés.

12-364/1

Laser-based photoacoustic trace gas detection: applications in the environmental sciences and plant physiology

Tomás, S.A. Depto. de Física, CINVESTAV

A general description of laser-based photoacoustic trace gas detection is given, with special emphasis on ethylene detection. Two applications of this technique are mentioned. The first application, within the field of the Environmental Sciences, regards the detection of ethylene in the Mexico City atmosphere. In order to obtain spatial and temporal resolution, air samples were simultaneously collected at different sites of the city and in different seasons. Additionally, the continuous measurement of ethylene reflects extremely high maximum values of this compound, of the order of several dozens ppbV, which take place during the morning rush-hours. In the second part of this work, laser-based photoacoustics is applied to the detection of ethylene emitted by climacteric fruits coated with edible coatings. The clear difference between the ethylene patterns emitted by control and treated fruits indicates that the use of edible coatings prolonged the shelf life of treated fruits by retarding ethylene emission and enhancing texture as compared to control samples.



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12-326/1

Normalized photoacoustic techniques: thermal diffusivity measurements of coating paints

Balderas López, José Abraham

Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional

A general description of the one-dimensional three-layered model for heat diffusion, in the surface absorption model, is given. Based on this model Normalizad Photoacoustic techniques, for thermal characterization, are described. Their advantages over conventional non-normalized methodologies are enhanced. Finally the application of these normalized photoacoustic techniques, for thermal diffusivity meaurements on coating paints, are described. Some experimental results are reported.

12-384/1

Caracterización termoelectrónica de semiconductores Rodríguez García, Mario Enrique


En este curso, se presentan los aspectos experimentales teniendo en cuenta la dimensionalidad y calibración del sistema radiometrico y los aspectos teóricos de la Radiometria Fotérmica infrarroja, seguido de un tratamiento matemático para la obtención de soluciones únicas mediante ajustes multípara métricos de las ecuaciones diferencias en el dominio de la frecuencia. Este es un tema bastante controversial en la literatura, en especial cuando se analizan resultados de propiedades térmicas utilizando espectroscopia foto acústica, en el que se presentan regularmente soluciones en la señal de amplitud sin presentar resultados de ajustes simultáneos en la seña de fase. Se establece el concepto de onda térmica a partir de la solución general y se presentan aplicaciones como: Obtención de espectros radiometritos en fase y amplitud; determinación de variación de parámetros en función del rango de frecuencia, imágenes térmicas y termoelectrónicas, imágenes de defectos en semiconductores. Se enfocaran los resultados a imágenes térmicas y termoelectrónicas en obleas de silicio y GaSb dopada con telurio. Finalmente se presentan resultados de aplicaciones de esta técnica en el estudio de la interfase de Si-SiO2 para el estudio de transientes de la interfase que es un problema de aplicación industrial que frecuentemente se presnta en obleas de silicio pasivadas térmicamente y que pudiera estar relacionada con cambios en la velocidad de precombinación superficial de la oblea.

12-309/1

Aplicación de la espectroscopía de lente térmico en el estudio de vidrios sol-sel y cristales líquidos

Yáñez Limón, José Martín; Guzmán Gómez, Oscar; Mayén Mondragón, Rodrigo; Martínez Flores, Jesús Omar


La espectroscopia de lente térmica es una técnica muy versátil en el estudio de propiedades térmicas y ópticas de materiales semitransparentes, los cuales pueden ser sólidos o líquidos. Con ella se pueden realizar determinaciones directas de la difusividad térmica del material así como del coeficiente de variación de temperatura del índice de refracción, adicionalmente es posible determinar la conductividad térmica, el coeficiente de absorción óptico y la eficiencia



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cuántica de la fluorescencia. Por otra parte dada la alta sensibilidad del factor de aumento del coeficiente de absorción óptica, en los últimos años se han desarrollado técnicas combinadas con cromatografía de líquidos de alta resolución en la detección de contaminantes tales como pesticidas. En este trabajo se presenta la utilización de la espectroscopia de lente térmico en la configuración de modo desempalmado en el estudio de dos tipos de materiales de interés tecnológico, monolitos de SiO2 preparados mediante el proceso Sol-Gel con incorporación de metales de transición, Mn, Cr, Va, Mo, y cristales líquidos termotropicos (nonanoato de colesterilo, carbonato de colesterilo-oleilo y de sus mezclas). En los vidrios sol-gel se realiza la determinación de la difusividad térmica de los monolitos en función de las concentraciones del metal introducido, los cuales resultan ser más bajos que la contraparte de vidrios por fundido debido en parte a la alta porosidad de estos monolitos. Adicionalmente se encuentra un efecto de memoria óptica muy relevante, el cual es inducido por la incidencia del láser de excitación focalizado en un radio de aproximadamente 40 micras con potencias de incidencia superiores a 10 mW, cuya intensidad del efecto depende del tiempo de exposición. Este efecto de memoria óptica consiste en la grabación permanente de un gradiente del índice de refracción con perfil gausiano en la zona de incidencia del láser, lo cual provoca un efecto de difracción en esta zona dando un contraste altamente pronunciado en la transmisión respecto del resto de la muestra no procesada. En el caso de los cristales líquidos los estudios se complementan con microscopia óptica de polarización, calorimetría diferencial y transmisión óptica modulada en la identificación de los rangos de estabilidad de las diferentes mesofases, asi como de las texturas presentes en ambos tipos de cristales líquidos y en sus mezclas, las cuales permiten variar los rangos de temperatura de estabilidad de las diferentes mesofases. Se encuentra una inversión en el signo del coeficiente de temperatura del índice de refracción, lo cual provoca una inversión en el efecto de lente térmico de negativo a positivo en la fase colesterica cónica focal.

Nanoestructuras (NAN) Área a cargo de: Víctor Mendez [email protected]

10-395/1

Submicron bolometers for infrared detection González, F. Javier1; Ilicb, B.2; Boreman, Glenn D.3

1IICO-UASLP 2College of Williams and Marry

3 Fac. de Física, Universidad Autónoma de Baja California

Uncooled bolometric detectors used in infrared imaging systems have slow time constants (~10 ms) which makes them impractical for fast-frame-rate imaging applications. By reducing the size of the bolometer its thermal mass is also reduced making the detector faster. In the case of submicron bolometers, where the dimensions of the sensor are much smaller than the wavelength, an antenna is needed to couple power into the temperature-sensitive element. Due to the small size of these detectors, they have to be fabricated using electron-beam lithography. The small size of these bolometers also increases their responsivity because a smaller amount of energy is needed to increase their temperature. These detectors have collection areas in the order of 10 µm2 which are too small for commercial infrared imaging



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systems where a typical pixel area ranges from 20 × 20 µm2 to 50 × 50 µm2. In this talk two different approaches to cover a typical pixel area are presented. The first type of IR pixel is a two-dimensional array of serially connected submicron bolometers. These arrays can cover any pixel area and will increase the signal-to-noise ratio of a single detector by a factor of N for an N×N array. The second IR pixel was fabricated by using a Fresnel Zone Plate Lens (FZPL) to collect and focus energy to a single submicron detector. An FZPL-coupled detector of 200 µm in diameter showed a 2× increase in D* compared to single element detectors. An 8 × 8 array of antenna-coupled pixels were fabricated on a commercial ROIC, measurements made on this antenna-coupled infrared focal plane array showed that the integration of submicron detectors to a commercial ROIC is possible. Keywords: submicron detectors, antenna-coupled detectors, infrared detectors, infrared focal plane array, fresnel zone plate lenses.

10-142/1

Propiedades ópticas de nanoparticulas Ortiz, Guillermo Pablo; Mochan, Luis Wolf; Borensztein, Ives; Barrera, Ruben Gerardo


Recientemente se han reportado novedosas técnicas para la síntesis de nanopartículas. La microscopía electrónica de transmisión de alta resolución ha sido una de las técnicas preferidas para la caracterización de las nanoestructuras generadas. Sin embargo, la acción directa del transductor del microscopio, u otros factores ambientales del medio, necesariamente modifican sus formas. Uno de los interrogantes que se ha planteado es de que manera la actividad catalítica se correlaciona con la morfología de las nanopartículas por lo que podría ser crucial no invadir la muestra. Una solución exitosa para este problema ha sido el desarrollo de los métodos ópticos. Básicamente, las técnicas experimentales consisten en la medición de la dispersión y de la absorción de luz. El trabajo teórico consiste en resolver las ecuaciones del campo electromagnético local para una muestra de forma arbitraria. Conectando esta información con las eficiencias de extinción y de absorción se pretende analizar tamaño, forma y composición de la muestra. Varios autores han contribuido al desarrollo de un método numérico conocido como DDA. En este, se sustituye una muestra de forma arbitraria por una red cúbica de N dipolos ocupando su volumen. La solución autoconsistente de cada momento dipolar permite calcular las eficiencias de dispersión, absorción y extinción. En general el resultado es m ás confiable mientras más fina sea la malla. En esta plática, presentamos un método jerárquico de escalas múltiples especialmente diseñado para resolver problemas lineales muy grandes. Con este m todo hemos extendido los cálculos tipo DDA hasta incorporar 106 dipolos. Hemos calculado los modos ópticamente activos en la aproximación cuasiestática y la polarizabilidad de las nanopartículas separarando factores geométricos de la composición de la muestra, y hallamos una fuerte correlación entre las resonancias del sistema y su forma. Hemos hallado que la convergencia del método es extremadamente sensible a la orientación de la red de dipolos y que para algunas geometrías simples aún 105 dipolos son insuficientes.

10-316/1

Nano-structures in Si-Ge films Kosarev, Andrey1; Torres Jácome, Alfonso1; Felter, Thomas E.2

1Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica 2Lawrence Livermore National Laboratory

When crystal dimensions become comparable to the wavelength of the electrons in the solid, quantum effects will appear opening new opportunities for electronics. Preparation of nano-



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materials and nano-device structures requires usually high temperature processes at T» 1000 C°. Molecular beam epitaxy is conventionally used method for fabrication of nano-materials and nano-structures for electronics. Though this technique can be employed for rather specific tasks, rather than for large-scale production of electronic devices. Therefore low temperature processes with scaling up opportunity as e.g. plasma deposition are very attractive. In the first part of our presentation we shall give an overview of the recent results for crystalline Si-Ge nano-structures prepared by various techniques. The second part will concern the investigations performed by INAOE-LLNL for plasma deposited Si-Ge films. We shall describe the effect of the deposition conditions and Ge concentration on nano-structure of the films. Finally, in the third part, we shall discuss further development of low temperature plasma based technology for fabrication nano-materials and related device structures. Acknowledgement. This work is performed in the framework of CIAM-2002 program. The investigations in INAOE are supported by the CONACyT project # 42367. The work of T.Felter was performed under auspices of the U.S.Department of Energy by Lawrence Livermore National Laboratory under contract No.W-7505-Eng-48.

10-314/1

Calculation of the 1e-1hh transition energy in disk-shaped GaAs quantum dots

López López, Máximo1; Méndez García, Víctor Hugo2; Meléndez Lira, Miguel Angel1; Pérez Centeno, Armando1

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN 2IICO-UASLP

Self assembled GaAs quantum dots (SAQDs) have a lot of promising applications, for example: QDs lasers are expected to have higher temperature stability, lower current density threshold, and higher power emission. Usually in the literature SAQDs are reported with a shape that has the following characteristics: (a) azimuthal symmetry, and (b) a height much smaller than the lateral dimensions. Therefore their shape can be approximated to a structure with a disk geometry. In this work, we present a theoretical method to estimate the 1e-1hh transition energy of disk-shaped GaAs quantum dot embedded in AlGaAs barriers. Taking advantage of the disk geometry, the Schrödinger equation in cylindrical coordinates can be solved. After some algebraic manipulations, we obtain two transcendental equations which can be solved by numerical methods. In order to show the dependence of the 1e-1hh energy transition on dimensions, the GaAs disk dimensions were varied from 4 to 15 nm in radius, and from 1 to 8 monolayers in height. The calculations were carried out for the temperature of 80 K, and with two Al concentrations in the AlxGa1-xAs barriers: x=0.30 and 0.35. Our model was applied to GaAs SAQDs grown by molecular beam epitaxy[1]. The GaAs quantum dots dimensions were determined by high resolution transmission electron microscopy observations. The calculated values of the 1e-1hh transition energy are in agreement with the experimental results from photoluminescence and photoreflectance spectroscopy.



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10-386/1

Mechanisms of photoluminescence of Si or Ge nanocrystallitesembedded in different matrixes

Torchynska, T. V.

SEPI - ESFM, National Polytechnic Institute

The photoluminescence (PL) in infrared 1.1-1.6 eV and visible 1.7-2.0 eV spectral ranges of porous silicon and Si nano-crystallites embedded in SiO2 have been investigated intensively during last ten years. A lot of versions for the mechanism of this photoluminescence have been discussed, but sill remains to be clarified. The main problem for definition of PL mechanisms is connected with the existence of several PL bands, which could be attributed both to SiO2 and to Si nano-crystallites (n/c). The short analyses of these mechanisms will be presented. Then the experimental results: photoluminescence (PL) spectra, their temperature dependence, PL excitation and Raman scattering spectra as well as AFM investigations performed on porous silicon as well as Si or Ge quantum dots (QD) embedded in silicon oxide versus Si (Ge) concentration and QD size will be discussed. Silicon oxide films enriched by Si or Ge were created by magnetron films co-spattering from two sources, Si (Ge) and quartz on quartz or crystalline Si substrates. After deposition the films were annealed at 800 oC or 1100oC in the Ar atmosphere for creation of Ge or Si nanocrystallites. To verify the PL mechanism the chemical origin of QDs was changed and PL spectra of silicon oxide films with Ge QDs have been measured. The optical properties of Si nanocrystallites embedded in amorphous Si matrix are discussed as well. The PL spectra confirmed the oxide related origin of the visible PL centers. The nature of infrared PL bands and their intensity and spectral position versus Si or Ge concentrations and QD size was analyzed within a model of the quantum confinement effect in nano-crystalline objects. . The work was supported by NSF – CONACYT program: NSF award DMI – 0306376 and CONACYT project 42436, as well as by International cooperation projects Mexico – USA, Mexico-Israel, Mexico-Ukraine and CGPI-IPN, Mexico.

10-387/1

Magnetism in corrugated carbon nanotori: the importance of symmetry, defects and negative curvature

Rodríguez Manzo, Julio A.; López Urías, Florentino; Terrones Maldonado, Mauricio; Terrones, Humberto

División de Materiales Avanzados, IPICYT

We demonstrate that carbon nanotori constructed by either coalescing C60 molecules along the five-fold axis (incorporating pentagons and octagons) or by joining the ends of Haeckelite tubes (containing heptagons, hexagons and pentagons), exhibit large magnetic moments when an external magnetic field is applied. In particular, we have used a pi-orbital nearest-neighbor tight-binding Hamiltonian with the London approximation in order to study the influence of uniform external magnetic fields on various types of torous-like carbon nanostructures with negative and positive Gaussian curvature. We have calculated the ring currents and the induced magnetic moments on these structures. The results reveal the presence of an unexpected magnetic response, which is due to the presence of non-hexagonal carbon rings. Our results could also explain the existence of ferromagnetic nanocarbons. We envisage that coalesced peapods may exhibit unusual magnetic properties. This work was done under the auspices of CONACyT (Mexico) through grants G-25851-E,36365-E, 37589-U, J36909-E, W-8001 (Millennium Initiative), the UC-MEXUS through grant PS/CN 02-114, and the CIAM initiative (grants CO2-41464 and CO2-4242



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Biomateriales (BIO) Área a cargo de: Miguel Vargas Luna [email protected]

4-133/1

Estudio de los tiempos de germinación de semillas de jitomate en presencia de un campo magnético pulsado

Sosa Aquino, Modesto1; Sánchez Rocha, Salvador2; Cano González, Mario Eduardo1; Vargas Luna, Francisco Miguel1

1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 2Depto. de Física, CINVESTAV

Se presenta un estudio experimental sobre los tiempos de germinación de semillas de jitomate en presencia de un campo magnético pulsado (generado a base de imanes permanentes en movimiento)a baja frecuencia. Se ha medido el tiempo de germinación de semillas testigo y semillas en presencia de un campo magnético, ambos conjuntos de semillas permanecieron en las mismas condiciones de humedad y a temperatura ambiente.

4-394/1

Development of an image analysis technique for the quantification of microstructural features in compact human bone

Cómbita, L. F.; Restrepo,P. A; Rojas, F. A; Blaschke, M.M.; Sanabria, A.M. Universidad de los Andes, Perú

This paper proposes a methodology to obtain some human bone microstructural features using image analysis procedures in order to find a relationship between those and its mechanical properties. The methodology involves techniques and algorithms specifically designed to describe the microstructural features like osteons roundness, osteons mean diameter, human bone osteons regularity and microhardness. The methodology was compared with manual techniques that had the same aim, and proposes a first step to correlate mechanical parameters with microstructural features. Next step was searching correlations between obtained results in both methodologies to establish a non-destructive and automated technique to predict human bone mechanical properties. The results drawn to confirm human bone osteons regularity is a microstructural property with a closely relationship with shear stress, although that relationship is not linear. This work is a first approach in the selection of lyophilized bone fragments as a raw material in the manufacturing of structural bioimplants by machining techniques.



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4-136/1

Normalized photoacoustic technique for thermal diffusivity measurements of dental resins

Balderas López, José Abraham1; Moreno-Márquez, M.2; Dorantes, S.1 1Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional

2Investigador Independiente

Two self-consistent photoacoustic methodologies, for measuring thermal diffusivity of dental resins, are presented. These methodologies make use of the analytical solution for the one-dimensional heat diffusion problem for a three-layer system, assuming the surface absorption model. The analytical procedure relies on the normalization of the theoretical photoacoustic signal from the three layers with the corresponding signal from the uppermost two layers, involving linear fits on the normalized amplitude (in semi-log scale) and phase, as functions of the modulation frequency root square. The normalization procedure eliminates the frequency-dependent instrumental electronic contribution (transfer function) and some thermophysically non-relevant proportionality factors in the theoretical equations, thus making the analysis feasible. The thermal diffusivity of two different dental resins was measured and good agreement was obtained between results from both the amplitude and phase, showing the consistency between these two photoacoustic methodologies.

4-147/1

Evaluación de la calidad de maíz masa y tortilla utuilizando la espectroscopia de ultrasonido.

López H., G. A.1; Figueroa, Juan de Dios1; Galván Mendoza, Arturo1; Gaytán Martínez, Marcela1; Vélez, M.1; Martínez F.H.2

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Universidad Michoacana de San Nicolas de Hidalgo

La espectroscopia de ultrasonido, se fundamenta en la transmisión de energía acústica debido a cambios microestructurales en los materiales. En la industria del maíz – tortilla, las variaciones en el tamaño de grano de maíz y la granulometría de la partícula en harinas y masa tienen un efecto importante en la absorción de agua, textura y rendimiento de masa y tortilla. Estos cambios físicos fueron evaluados por medio de ultrasonido midiendo la variación de la velocidad acústica, frecuencias y amplitudes. Para lo cual se utilizó la técnica de contacto, empleando el método de onda continua a una frecuencia de 54 kHz. Los resultados muestran correlaciones altamente significativas (P < 0.01) entre la velocidad acústica y tamaño de partícula y humedad en masa y vida de anaquel, textura y humedad en tortilla. El comportamiento matemático siguió una ecuación cuadrática afectada por la densidad y /ó el modulo elástico. La espectroscopia de ultrasonido puede ser una técnica alternativa para medir con ventajas las propiedades fisicoquímicas del maíz, masa y tortilla de una manera no destructiva, rápida, precisa y barata. Palabras Claves: Masa, Tortilla, Ultrasonido, Onda continua.

4-138/1

Influencia de la L-α-lisofosfatidilcolina (LPC) sobre las propiedades térmicas y estructurales del almidón de maíz nativo.

Hernández Hernández, Ernesto1; Avila Orta, Carlos A.2; Hsiao, Benjamín S.2; Ramírez Cardona, Marius3; Gómez Aldapa, Carlos Alberto3; Maldonado Villalba, Lorena1;



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Thelpalo Carballo, Blanca S.3; Pérez Velázquez, Kristel1; Coreño Alonso, Oscar1; Urbina A., José E.4

1Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo 2Universidad del Estado de Nueva York

3Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo 4Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Los lípidos endógenos y exógenos en el almidón son de gran importancia debido a que influyen notablemente en las propiedades fisicoquímicas y estructurales en el almidón. En ese sentido, la mayoría de los estudios referentes a la interacción entre lípidos y almidón, han sido realizados de manera ideal; es decir, extraen la amilosa del almidón y posteriormente los mezclan para evaluar su interacción y finalmente medir sus propiedades. En el presente trabajo se usó almidón nativo de maíz granular adicionando un lípido exógeno (LPC) diluido en agua, a concentraciones de 16.66, 13.04, 9.09 y 4.76% en peso respecto del almidón en base seca, la concentración total de agua en el almidón fue del 80% (% p/p). Se usó Calorimetría Diferencial de Barrido (DSC) para evaluar las propiedades térmicas, así como para dar un pre-tratamiento térmico a la mezcla a distintas temperaturas a fin de evaluar el cambio de la estructura granular mediante microscopia electrónica de barrido (SEM). Los resultados mostraron que la calorimetría diferencial de barrido no es capaz de detectar la formación del complejo de inclusión almidón-LPC, durante el primer calentamiento. Sin embargo no es así para la disociación de dicho complejo, ya que se observa un endoterma a 100°C, aproximadamente; y durante el segundo calentamiento aparece esta misma endoterma de fusión pero a 107oC, aproximadamente. La entalpía de gelatinización varía con la concentración de LPC, ya que a altas concentraciones de LPC la entalpía disminuye, pero a bajas concentraciones la entalpía aumenta. Por otro lado las micrografías tomadas por SEM mostraron la conservación de la estructura granular por efecto de la adición del lípido de modo que cuanto mayor es la concentración del lípido mayor es la conservación de la estructura granular.

4-308/1

Mecanismo de agregación de gránulos de almidón de maíz Canónico Franco, Marcia1; Herrera Gómez, Alberto2

1Universidad Autónoma de Querétaro UAQ 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

El grado de cocimiento de masa de almidón de maíz ocurre en forma aleatoria dentro de una matriz de gránulos en geometría empaquetada. La energía necesaria para que se gelatinice una primera generación de gránulos de almidón es menor que la energía requerida para gelatinizar la segunda generación de gránulos de almidón. Esto ocurre porque tienen menor disponibilidad de agua, lo que a su vez disminuye la probabilidad de que dos gránulos contiguos logren gelatinización. Debido a que los gránulos gelatinizados son agentes de agregación, fue posible hacer una cuantificación de las energías de gelatinización través de la distribución de tamaño de partícula, empleando dispersión de luz. Pequeños incrementos de temperatura y tiempo de cocción dan como resultado distribuciones de tamaño de partícula diferentes. Estos se cuantificaron a través del análisis de los distintos tipos de agregados formados. El análisis de los datos experimentales permitió establecer un mecanismo y una cinética de agregación, con la cual se obtuvieron las constantes de velocidad y las energías de activación de los distintos tipos de agregados.



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Peliculas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos II (RPD) Área a cargo de: José de Jesús Araiza Ibarra [email protected]

6-132/1

Microwave ECR plasma nitriding of AISI 4140 steel Chirino,Serafín1; Escobar Alarcón, Luis2; Mejía Hernández, José Antonio3; Camps

Carvajal, Edgar Enrique2 1Depto. de Ingeniería, Universidad Autonoma del Estado de Mexico

2Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares 3IMM-UNAM

A microwave electron cyclotron resonance plasma source (ECR) was employed to modify the mechanical surface characteristics of pieces of AISI 4140 steel. Experiments were carried out in a pressure range between 4×10-4 and 7×10-4 Torr, using a 60/40 hydrogen/nitrogen gas mixture and an incident microwave power of 400 W. Prior to the samples treatment the plasma was studied using a Langmuir probe to determine the electron temperature and the plasma density, the excited plasma species were determined by means of optical emission spectroscopy. All samples were treated for 45 min. in a low temperature regime (~ 250°C) and the surface hardness increased up to 100% of the initial value, with a nitrogen depth penetration of 4 microns. The highest hardness and depth penetrations were obtained when the highest plasma densities were used to carry out the treatments.

6-212/1

La Cinética de Crecimiento en los Sistemas de Rocío Pirolítico y Depósito por Vapores Químicos Asistidos por Aerosol en el caso de los

Óxidos Metálicos Conde-Gallardo, Agustín; Castillo, Nancy; Guerrero, Marcela J.; Soto, Ana Bertha


La técnica de crecimiento de pelícuals delgadas sólidas conocida como "Rocío Pirolítico" (Spray pyrolysis), es una de los métodos mas antiguos de recubrimientos. A pesar de que el método es una alternativa para el crecimiento de varios sistemas cristalinos, generalmente, los productos sólidos finales tienen poca calidad intergranular y superficial; dando lugar a una límitada aplicación de dichos productos y por tanto a una limitada utilidad de la técnica de depósito misma. No obstante, bajo condiciones termodinámicas adecuadas de la solución líquida inicial y de la condiciones de depósito, el crecimiento por rociado de gotas líquidas puede dar lugar a un depósito por vapores químicos (Aerososl Assisted-CVD). En el presente trabajo se discuten las condiciones bajo las cuales se tiene uno u otro regimen de crecimiento, y se discute la diferencia entre ambas cinéticas de crecimiento para el caso especial de algunos óxidos metálicos crecidos a partir de diversos tipos de soluciones líquidas.



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6-137/1

GaN films grown on (001)- and (111) Si substrates by molecular beam epitaxy

Cervantes Contreras, Mario1; Meléndez Lira, Miguel A.2; López López, Máximo2 1Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional


GaN films were prepared on (001)- and (111) oriented Si substrates by molecular beam epitaxy. We investigated the effect on the GaN crystal quality of the Si substrate irradiation with N (nitridation) for a time tN (0 < tN < 60 min.) previous to growth. High resolution transmission electron microscopy (HRTEM) observations reveled that even when there is no intentional nitridation (tN = 0), a non-uniform amorphous SiN layer with a thickness of about 2.5 nm was formed at the GaN/Si interface. The uniformity and thickness of the SiN layer increased by increasing tN. The characterization results of the samples, showed that, in spite of the presence of the amorphous SiN layer, the GaN films grew epitaxially with the hexagonal phase and there is an optimal nitridation time for which the GaN crystal quality can be improved. We carried out a study changing the Ga cell temperature TGa (960 ºC < TGa < 1040 ºC) at the optimum nitridation time. We concluded that by using TGa around the stoichiometric temperature films of higher quality are obtained, but invariably with the hexagonal phase. In order to avoid the formation of the amorphous SiN layer we employed a SiC buffer layer at the interface. We prepared GaN films over SiC/Si(111) and SiC/Si(001) using different growth conditions. In GaN films on SiC/Si(111) the results obtained by different characterization techniques showed that the SiN layer formation was avoided, but the obtained films presented the hexagonal phase. On the other hand GaN films on SiC/Si(001) showed in general a mixture of the hexagonal and the cubic phase. By varying the growth conditions we succeeded to find the optimum parameters to obtain GaN films with only the cubic phase.

Cálculos Ab-initio (CAB) Área a cargo de: Alberto Vela [email protected]

5-244/1

Study of Magnetism on Fen and Con Clusters as Hydrogen is absorbed Beltran Sanchez, Marcela Regina


A study of the effect of H absorption on the magnetic moment. On Fen and Con clusters containing up to 4 transition metal Fe or Co, and up to 2 Hydrogen atoms, has show that the successive addition of H atoms lead either to monotonic or to an oscillatory change in the magnetic moment as compared with the free cluster magnetic moment. The calculations have been done using gradient corrected density functional approach. Our studies on clusters A detailed analysis of the density of electronic states shows that the variations in the magnetic moment can be related to the location of the lowest unoccupied molecular orbital in the parent cluster. Ii is also shown that the addition of hydrogen can substantially change the magnetic anisotropy. In particular Co3H2 is shown to exhibit magnetic anisotropy that is higher than any of the known anisotropies in the molecular nano-magnets.



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5-195/1

Parallelization of the DFT Code deMon Calaminici, Patrizia

Depto. Quimica, CINVESTAV

The implementation of basic algorithms of molecular quantum chemistry codes in the framework of the density functional theory (DFT) program deMon on different paraller architectures is discussed. An MPI implementation strategy (shadow programming)is proposed. The performance of this implementation on shared distributed memory architectures is reported. The impact of the communication protocol on the program performance is analyzed. Some illustrative examples are shown.

5-184/1

The Cyclic Cluster Model in the KS-DFT Program deMon: An Approach for Simulating Periodic Systems Janetzko, Florian1; Koster, Andreas M.2

1Depto. de Química, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN 2Virginia Commonwealth University, Richmond, VA

The cyclic cluster model (CCM) offers an alternative for describing properties of one-, two- and three-dimensional periodic systems compared with the usual applied free cluster (FCM) and supercell (SCM) model. First we present a comparison of the cyclic cluster model with the FCM and SCM approach showing the differences and advantages of the CCM. Afterwards the implementation of the CCM in the Kohn-Sham density functional theory (KS-DFT) program deMon is discussed. The necessary modifications of two-center and three-center integrals are described and a scheme for the numerical integration of the exchange-correlation potential and energy within the CCM is derived. The performance of the CCM implementation is analyzed by benchmark calculations. Finally, results of test calculations are given for the CCM and the convergence to the bulk limit is compared with results of free cluster calculations.

5-192/1

Optical properties of nanoparticles Noguez, Cecilia


The fabrication of nanostructures requires a deeper understanding of the physical phenomena involved at this scale. Low-dimensional quantum structures have shown to have unique optical and electronic properties, which have been employed in the fabrication of new opto-electronic devices. In particular, the shape and size of low-dimensional structures are crucial parameters to determine their physical properties. It is well known that the distribution of electronic states on a nanostructure depends on its size, and the confinement potential acting on the electrons is associated to its shape. Therefore, the exact knowledge of the size and shape of a nanostructure is of decisive importance in the development of the science and technology at the nanometer scale. Furthermore, the characterization of these parameters are important issues either in fundamental research or in technological applications, covering from growth and characterization to device processing. The chiral nature of the clusters, which means they exist in distinct right-handed and left-handed variations, dramatically affects the way in which they absorb polarized light. This optical effect had been predicted theoretically to occur in metal nanostructures, and it has been observed experimentally in a special class of clusters.



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5-214/1

The selectivity of a model zeolite ring over hydrocarbons with different symmetry, travelling with different orientations and speeds

Santamaria Ortiz, Rubén1; Zaragoza Rivera, Pedro2; Garcia Serrano, Luz Arcelia2 1Instituto de Física, UNAM

2Instituto Mexicano del Petróleo

We explore the selectivity of a model zeolite ring over representative hydrocarbons of the crude oil. The model ring consists of 7 silicon tetrahedral units and one chemically active aluminum site through which hydrocarbons with symmetries varying from almost spherically symmetric to linear chains (1D), planar (2D) and pyramidal (3D) structures diffuse. The selectivity is further investigated when the hydrocarbons travel with different orientations and speeds. The semiclassical Born-Oppenheimer molecular dynamics approximation is used to characterize the chemical dynamics, as well as to determine the energetics and reaction products. The simulations reveal noticeable differences in energy profiles and charge populations. Our results are important to understand aspects of mass transport and some of the factors that control the catalytic activity in zeolites.

Ferroeléctricos (FRR) Área a cargo de: Daniel Ramírez Rosales (IPN) [email protected]

13-301/1

Estudio Epr de la Transición de Fase Ramírez Rosales, Daniel


Efectuamos experimentos EPR sobre iones paramagnéticos Fe3+, Mn2+ y Mn4+ que son impurezas en el cerámico ferroeléctrico PbTiO3. Las diferentes absorciones EPR de estos elemantos evidencian claramente una transición de fase local en la región de 130 K. Varios autores apuntan que hay algunas dificultades para reproducir dichos resultados, pero aun así reportan una transición de fase inconmesurable. En un estudio previo sobre el efecto de los iones como impurezas en PbTiO3 : Mn4+ identificamos la posición por sustitución que cada uno de estos ocupan en la red. La variación de parámetros EPR con la temperatura, indican que todos estos sitios de la red experimentan cambios con la temperatura. Cambios precursores de la transición de fase local, son observados al menos desde 180 K pero son dramáticos a T≈ 130 K. Los experimentos son altamente dependientes de la rapidez con la que la temperatura cambia (∼ 1.0 0C/min). Todos los cambios observados son irreversibles.



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13-352/1

AC behaviour and phase transition in PLZT 6/80/20 ferroelectric ceramics

Peláiz Barranco, Aime1; García Zaldivar, O.1; Calderón Piñar,F.1; López Noda, R.2 1Universidad de la Habana

2Centro de Ultrasónica, Cuba

The electrical conductivity in ferroelectric materials affects the physical properties because of there will be a competition between the growth of ferroelectric phase and free charge carriers. Its study helps to understand not only the effects of conductivity on domain structure and its motion but also the nature of charge carriers. Pb0.94La0.06(Zr0.80Ti0.20)0.985 O3 ferroelectric ceramics (PLZT 6/80/20) were prepared by the standard ceramic technique and the corresponding ac behaviour was analyzed around and above the phase transition. Two relaxation processes are identified, showing that the so-called ‘‘universal relaxation law’’ holds for the studied system. A distinct dispersion in the values of the ac conductivity, around the temperature corresponding to the maximum of the dielectric losses factor, is observed. This critical point appears below the transition temperature of the material due to the relaxor behaviour. On the other hand, the frequency dependence of the real part of ac conductivity at various temperatures and the hysteresis loops show a classical behaviour for relaxor materials showing diffuse phase transition.

13-213/1

Mediciones del perfil de absorción de potencia a microondas en materiales ferroeléctricos y magnetoferroeléctricos

Álvarez Lucio, Guillermo1; Portelles Rodriguez, Jorge José2; Heiras Aguirre, Jesus L.2; Zamorano Ulloa, Rafael1

1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 2Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM

El perfil de absorción de potencia electromagnética a microondas de un material se define por los rasgos característicos del espectro de absorción de microondas en función de la temperatura y/o de un campo magnético externo aplicado; el cual nos dice si la absorción es resonante o no-resonante. Para ciertos materiales se establece la naturaleza dieléctrica o magnética de esta absorción de microondas. En el presente trabajo se estudia el perfil de absorción no-resonante de microondas (ANOREM) como función de la temperatura, a frecuencias de 8.8 - 9.8 GHz (Banda X), en los materiales ferroeléctricos BaTiO3 y PbTiO3, y los magnetoferroeléctricos YMnO3 y Pb(Fe1/2Nb1/2)O3; por medio de un espectrómetro modificado de resonancia paramagnética electrónica (EPR -Electron Paramagnetic Resonance-). El perfil ANOREM como función de la temperatura, experimentalmente denominado MAMMAS (MAMMAS -Magnetically Modulated Microwave Absorption Spectroscopy-), es una técnica sin contactos, no destructiva y altamente sensitiva que ha sido empleada con éxito originalmente en el estudio y caracterización de la superconductividad; recientemente ha sido empleada para detectar la transición de fase magnética en materiales. Esta técnica puede distinguir diferentes dinámicas disipativas de centros absorbentes de microondas. Por lo anterior, surge en este trabajo el interés por detectar, estudiar y caracterizar las transiciones de fase ferroeléctrica y magnética que presentan estos materiales. Estos perfiles de absorción son mostrados, resaltando sus principales características.



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13-247/1

Impedance Spectroscopy in Ferroelectric Materials Valenzuela Monjarás, Raúl


Polarization phenomena in solids occur through a wide variety of processes. However, since each process possess a different dynamics (i.e., a different time-constant), it is possible to separate them (to resolve them) by measuring the impedance response at different excitation frequencies. In some cases, it is also possible to simulate the impedance response by means of an equivalent circuit, and even to find an association between the element of the equivalent circuit and some physical parameters of the material. This methodology is known as Impedance Spectroscopy (IS). In this work, a brief review of IS will be presented, as well as its general application to the case of ferroelectric solids. Some interesting cases will be discussed with more detail.

Celdas Solares (CES) Área a cargo de: Gerardo Contreras [email protected]

11-399/1

Towards high efficiency/cost CdTe thin film solar cells Morales Acevedo, Arturo


Solar cells based on poly-crystalline semiconductor thin films have great potential for decreasing the cost of photovoltaic energy. However, this kind of solar cells have characteristics very different from those fabricated on crystalline silicon for which the carrier transport and behavior is clearly known. Instead, for hetero-junction solar cells made on less known polycrystalline materials the design is almost empirical. In this work, several physical aspects related to the behavior of polycrystalline thin film solar cells will be discussed, and some considerations for an adequate design will be made, in order to attain high Efficiency/Cost solar cells. In particular, the recombination at the grain boundaries and its influence on the short circuit current as a function of the crystallite sizes on the active material is considered. Based on this, the appropriate thickness of each layer and their resistivity will be discussed. These considerations will be applied to CdS/CdTe hetero-junction solar cells, taking into account the typical properties of CdS and CdTe thin films used for solar cells.

11-327/1

Fabrication issues of a substrate configuration Cdte/Cds photovoltaic device

Mathew, Xavier Centro de Investigación en Energía, UNAM

CdTe/CdS photovoltaic device is one of the front runners along with CIGS in the race to obtain high efficiency all thin film solar cells. CdTe has the advantage of an optimum band gap for the



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efficient photo conversion and the variety of fabrication methods available for the development of good quality thin films. The superstrate CdTe/CdS devices has efficiency exceeding 16% and the commercial CdTe/CdS photovoltaic panels are competing in the photovoltaic market with an efficiency of 9% and expected life span of 20% years. The conventional polycrystalline thin film solar cells are usually manufactured on transparent conducting oxide (TCO) coated glass substrates and offer no weight advantage or shape adaptability for curved surfaces. Producing thin film solar cells on flexible metal foil or polymer substrates however offers several advantages for space as well as terrestrial applications. Even though the CdTe solar cells on glass substrates have efficiencies exceeding 16%, not much effort was reported on the development of these devices on flexible substrates. One of the hurdles in the development of CdTe devices on metallic substrates is that most of the metal foils do not form an efficient ohmic contact with CdTe and it is difficult to incorporate an additional buffer layer as ohmic contact to increase the cell efficiency. The criteria of matching thermal expansion coefficients and work function, limit the choice of available substrate materials. Another reason is that during CdCl2 annealing treatment, diffusion of impurities changes the ohmic contact properties. In this report the fabrication issues of the CdTe/CdS hetrojunction on flexible substrates as well as the dependence of the post deposition annealing on the optoelectronic parameters of the CdTe/CdS junction are discussed.

11-398/1

Properties of CdS thin films growth by CBD as a function of Thiourea concentration and their influence on the CdTe solar cells performance

Contreras Puente, Gerardo


We present in this work a study of the growth kinetics and the optical properties of CdS thin films as processed by the Chemical Bath Deposition (CBD) technique. For the deposition we used cadmium chloride, ammonium chloride, ammonium hydroxide and thiourea in suitable proportions, the deposition was carried out on SnO2: F conducting glass. The growth kinetics is relatively fast when the quantity of thiourea is increased in the solution of deposition. Such films show an average transmittance of 90 % and a mean band gap energy of 2.36 eV. With this characteristics, the films can in principle be used like the window material in the CdS/CdTe solar cells.



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Carteles I Poster Session I

Caracterización y Metrología (CME)

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Caracterización Morfológica y Térmica de Pelets De Mineral De Hierro Producidos Con Diferentes Tipos De Aglomerantes

Santillano-Cardoza, J.1; Flores Farias,Riveliino2; Galindo-Sifuentes, Agustín2; Pérez Robles, Juan Francisco2; Trápaga-Martínez,G.2; Yañéz Limón, José Martín2

1Escuela de Ciencias Químicas, Universidad Juárez del Estado de Durango 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

En este trabajo se presenta la caracterización morfológica, mecánica y térmica de pelets de mineral de hierro, producidos con diferentes aglomerantes. Los aglomerantes utilizados fueron: resinas coloides 494, 900Lv, 900Lvs y 940 que básicamente se componen de acetato de vinilo; también se utilizaron aglomerantes derivados de almidones: Inagel 100, Papigel, Maxigel, Maxisol 2020, almidón-ceroso y almidón-maíz. El desempeño de las propiedades termo-físicas de los pelets producidos con estos aglomerantes se comparan con las propiedades de pelets producidos con poliacrilamidas comúnmente utilizadas en la planta peletizadora de Peña Colorada, las cuales son: Nalco y Nalquim (que adicionalmente contienen Carbonatos y Silicatos de Sodio). Adicionalmente, se presentan resultados de la porosidad obtenida en pelet cocido utilizando los diferentes aglomerantes. La determinación de la porosidad se realizó siguiendo la norma ASTM C (373-88)4 la cual utiliza el principio de Arquímedes. Los resultados obtenidos son: resina 494 con 23.2%, 22% en el caso del almidón Inagel 100, y 21.7% en el caso de la resina 900Lvs y el resto de los aglomerantes proporcionaron una porosidad menor en el pelet cocido. También se realizó este tipo de análisis explorando la dependencia con la temperatura de procesamiento, 650, 800, 950 y 1200 oC. En cuanto a las pruebas de resistencia a la compresión la mejor fue la resina coloide 940 con 220kg de resistencia, siguiendo la 494 con 195kg, la 900Lvs con 185kg, el almidón-maíz con 170kg, la Maxigel con 145kg y la Inagel 100 con 140kg. Estos valores son incluso algunos superiores a los obtenidos utilizando la resina convencional, Nalco que proporciona una resistencia en torno de 145 kg, Dentro de estos sistemas es de gran interés el estudio del mecanismo de deshidratación, con este propósito se determinaron los coeficientes efectivos de difusión de humedad en el pelet verde procesados con los diferentes aglomerantes. Este coeficiente de difusión de humedad efectivo se determino, ajustando los datos experimentales de perdida de peso en pelets esféricos, con la solución analítica de perdida de peso, considerando un proceso de difusión de humedad del pelet hacia el exterior y resolviendo la ecuación de difusión de agua del pelet hacia el exterior. También se presentan determinaciones del coeficiente de difusividad térmica de pelets cocidos, realizando experimentos de termalización, monitoreando la temperatura del centro del pelet y ajustando a la solución analítica al resolver la ecuación de difusión de calor en esta geometría y condiciones experimentales.



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1-154/0

Ionization probability of sputtered atoms as a function of their energy: experimental SIMS study

Villegas, Antonio; Kudriatsev, Yuriy; Godínez Hernández, José Antonio; Asomoza Palacio, René


Energy distribution of secondary (sputtered ions) ions N±(E) is a function of the energy distribution of the sputtered atom NºE) and their ionization probability P±(E): N±(E)= Nº(E)* P±(E). In this study we analyzed experimentally with SIMS method the energy distribution of Si- and F- secondary ions, sputtered from fluorine implanted silicon. Generally, any experimental energy distribution, measured by SIMS, is a convolution of the real ion energy distribution with so-called apparatus function g(E): n-(E)= Integral ( g(E) N(E)- dE ). In first approximation g(E) represents a change of the transmission of the instrument with change of the energy of ion. The ionization probability of F is close to unity for used SIMS regimes (N±(E)= Nº(E)), so we can use the energy distribution of F- in order to find g(E) from a comparison between the experimental energy distribution of F- ions and the theoretical distribution of F atoms: NF(E)=E/(E+U)3. The defined apparatus function we used for a de-convolution with experimental energy distribution of Si- ions in order to find P-

Si(E). We have compared the ionization probability of the secondary Si- ions with prediction of existing models, and found that the electron tunneling model can explain emission of “high energy” Si ions, only (the ions with energy more than 20eV). For emission of “low energy” ions (with energy between 0 and 20 eV) another model should be developed. A possible reason for the secondary ion separation on “high energy” and “low energy” parts is discussed in the report.

1-158/0

The Attenuated Total Reflection Method for Thin-Films Characterization Muñoz Aguirre, N.1; Martínez Pérez, Lilia2; Rodríguez Juárez, Mauricio3; Zelaya Angel,

Orlando4; Becerril Silva, Marcelino4; Garibay Febles, Vicente1; Lozada y Cassou, Marcelo1

1Instituto Mexicano del Petróleo 2CICATA-IPN-Legaria


Attenuated total reflection (ATR) is a technique usually used for determining the optical constants of thin-film samples. It differs from ellipsometry and reflectometry methods, in that ATR probes the sample with an evanescent wave rather than a collimated beam of light. The evanescent wave can be made to interact with material in its field, as for example a thin-film material. If an interacting metal thin-film is used, Surface Plasmons Waves (SPW) are generated. Such SPW phenomenon is principally used for characterizing organic materials. In this work, thermal evaporated gold films of about 45 nm thickness were prepared over corning glass substrates. After that, organic thin-films for researching on their optical and structural properties were deposited over the gold films. ATR measurements for the system gold/organic-film at the Surface Plasmons Resonance (SPR) are presented. The results on the structural characterization of the system are supported by AFM images. Also, as an additional application of the ATR technique, it is show how the interaction of the evanescent wave with SnO2 thin-films could be used for CO2 flux detection.



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1-283/0

Caracterización óptica de películas delgadas de Y2O3 por elipsometría espectral

Villalpando Treto, Claudia Patricia1; Ortíz Saavedra, Juan1; Araiza Ibarra, José de Jesús1; Aguilar Frutis, Miguel Angel2; Falcony Guajardo, Ciro3

1Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada del IPN, Legaria


Se han medido y analizado las características ópticas de un conjunto de películas delgadas de óxido de itrio depositadas sobre substratos de Si a diferentes temperaturas y tiempos de ataque de la superficie previo al depósito. Estas películas se preparan mediante erosión catódica de Radio Frecuencia y la caracterización fue realizada por Elipsometría Espectral. Los datos fueron ajustados a un modelo que consiste en silicio cristalino/estructura de película/aire. Las características ópticas de las películas de óxido de itrio se modelaron en principio, usando como referencia los resultados obtenidos para Si cristalino y Y2O3 amorfo con inclusiones de Y2O3 cristalino. Posteriormente, se modelaron las estructuras usando la ecuación de Sellmeier para medios transparentes como primera aproximación donde X2 está en el rango de 1 a 5 para los diferentes ajustes. Así también se modelaron usando la ecuación de Cauchy para medios transparentes como segunda aproximación. Estos resultados se correlacionan con los obtenidos por la técnica de Microscopía por Transmisión de Electrones demostrando que este modelo funciona bien para la estructura con una matriz de óxido de itrio amorfo con inclusiones cristalinas de Y2O3.

1-269/0

Incremento en la resistividad eléctrica de las aleaciones para soldering 40Pb-60Sn y 34Pb-65Sn-1Zn obtenidas mediante la técnica de aleado

mecánico por compactación múltiple cerrada Rojas Chávez, Hugo; Jaramillo Vigueras, D.

Escuela Superior de Ingeniería Química e Industrias Extractivas del IPN

Los equipos modernos de computación requieren de técnicas de soldadura blanda conocida en ingles como soldering, según la American Welding Society: este tipo de soldadura es la unión por medio de un metal que solidifica por debajo de 427 °C. Las aleaciones para soldering facilitan la unión de partes sin causar daño por calor y proporcionan una unión rápida en circuitos impresos. Las principales aleaciones para soldering son aleaciones del sistema Sn-Pb, éstas tienen un punto eutéctico con composición de 61.9% Sn, siendo su temperatura eutéctica de 183 °C con una resistividad eléctrica superior a los 15µΩ.cm. Las impurezas pueden afectar desde el diseño de las aleaciones para soldering y otras propiedades, por ello deben mantenerse en un mínimo contenido. La aleación mecánica (AM) es un proceso en el que se involucra una amplísima cantidad de deformación plástica (generando exceso de defectos puntuales y reticulares), fractura y soldadura en frío de los componentes sólidos. El refinamiento extremo del grano es una de las características más importantes del AM. Un método alternativo cuyo propósito es mejorar el control en el AM es el Aleado Mecánico por Compactación Múltiple Cerrada y consiste en aplicar una presión uniaxial sobre láminas delgadas colocadas alternadamente, después que han sido deformadas se cortan en dos partes simétricas y se empalman para repetir la operación de deformación. Esta técnica tiene las ventajas de evitar la contaminación de las aleaciones, no tiene heterogeneidad de una región a otra en las aleaciones y no presenta porosidad. Para obtener un incremento en la resistividad



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eléctrica en los soldering obtenidos por el proceso convencional, es necesario aplicar tratamientos térmicos de envejecido o variar la composición química. Por la técnica propuesta, sólo es necesario variar los ciclos de compactación para incrementar la resistividad eléctrica de la aleación a una composición química constante. Por lo anterior, en el presente trabajo se optó por la obtención de las aleaciones 40Pb-60Sn y 34Pb-65Sn-1Zn para soldering por la técnica de Aleado Mecánico por Compactación Múltiple Cerrada. Se evaluó el comportamiento de la resistividad en dichas aleaciones con el fin de compararla con las obtenidas por el proceso convencional y con las que han sido tratadas térmicamente. Con la ayuda del análisis térmico diferencial, fue posible determinar las temperaturas de fusión, además de que se determinó que es a partir del ciclo 9 donde se presenta la reacción eutéctica, que es el comportamiento térmico que presentan las aleaciones obtenidas por el proceso convencional. Los materiales empleados fueron láminas, para el caso del Pb y Sn, y Zn en polvo. La compactación se llevó a cabo en un dado de matriz cerrada. Se aplicó una carga constante de 5MPa a temperatura ambiente. Para la medición de la resistividad eléctrica se usó un electrómetro de alta resistencia Keithley modelo 6517A, y como resultados se obtuvieron las resistencia para las muestras a diferentes ciclos, siendo el valor máximo de 23.12 µΩ.cm para la aleación 40Pb-60Sn y 23.64 µΩ.cm para la 34Pb-65Sn-1Zn.

1-221/0

Physicochemical Evaluation of Commercially Produced Instant Nixtamalized Corn Flour

Fernández Muñoz, José Luis1; Palacios Fonceca, Alin Jael2; Rodríguez García, Mario Enrique2

1CICATA-IPN-Legaria 2CFATA, UNAM

Industrial production of nixtamalized corn flour for making tortillas and other products takes place in Mexico and a few other places in the world, such as the United States, Canada, and Guatemala. Industrial production of this flour began in Mexico around 1949. As is well known, the consumption of tortillas has important nutritional implications for developing countries, due to their calcium and fiber content. Consumers are well aware of the fact that the quality of tortillas made from commercially produced flours is significantly lower than that of tortillas produced by the traditional nixtamalization process. Their inferior quality may be due to problems on the production line or to problems intrinsic to the nixtamalization process itself. In this paper we present the results of a systematic study of the nutritional and physicochemical properties of commercial corn flours over a six month period. We measured particle size distribution, calcium content, viscosity, pH level, and yield, as well as performing proximal chemical analysis. The results of this study indicate that there is no real quality control in the production process, as evidenced by large variations in calcium content, peak viscosity values, and particle size distribution. Proximal chemical analysis also revealed important variations in the total fiber content over the course of the six month evaluation period which is directly related to the stage of the industrial process in which the pericarp is removed to improve the color of the flour produced. Keywords; instant corn flour, evaluation, quality.



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1-222/0

Physicochemical and Nutritional Comparison of Instant Tortilla and Arepa Flours

Fernández Muñoz, José Luis1; González Dávila, Maria Laura2; Rojas Molina, Juan Isela2

1CICATA Querétaro 2CICATA-IPN-Legaria

The consumption of corn in the form of tortillas or arepas has been very important in the development of Latin America. In the case of tortillas, lime is added during the production process, so they are also an important and beneficial nutritional source of calcium. Arepas, which are consumed in South America, are only a source of carbohydrates. The purpose of this study was to compare the physicochemical and nutritional properties of instant corn flour made in Mexico with four instant corn flours produced in Colombia for use in making arepas. Three series of instant corn flour were prepared by the traditional nixtamalization method with different cooking temperatures (72, 82, and 92° C) and steeping times (0 to 24 hrs). Four commercial brands of arepa flour were also studied. Proximal chemical analysis included testing for water, ash, protein, fat, crude fiber, total dietetic fiber, and calcium content. Longer steeping times increased the calcium content of the nixtamalized corn flours. The nixtamalized flours had a greater dietetic fiber content than did the arepa flours, and the heat treatment also influenced the protein content of the corn. We concluded that nixtamalization has a beneficial nutritional effect, due to the incorporation of calcium, and that this process could also be used in the production of arepa flour. These results may be taken into account in the future in designing an innovative nixtamalization process which reduces the time required for producing corn flour, without adversely affecting the organoleptic, physicochemical, and nutritional properties, including enhanced calcium content. This process could be applied to the production of arepa flour as well. Keywords; Physicochemical and Nutritional properties, instant corn flour, evaluation, quality.

1-223/0

Recuperación de la topografía de celdas de carga mediante el método de topografía de Moiré por proyección de autoimágenes

Flores Moreno, Jorge Mauricio1; Rayas,Juan Antonio1; Aguayo, Daniel Donato1; Rodríguez-Vera, Ramón1; Martínez, Amalia1

1Centro de Investigaciones en Optica

En el presente trabajo, se recupera la topografía de una gasket mediante la proyección de una imagen de Talbot proveniente de una rejilla lineal e iluminada por un haz láser de He-Ne de 638nm; las franjas proyectadas sobre la superficie se capturan con la ayuda de un microscopio estereo y una CCD para, posteriormente, realizar un procesamiento digital de las franjas con la ayuda de los algoritmos conocidos como desplazamiento de fase y así obtener la información de la fase envuelta. A esta fase se le aplica un algoritmo de desenvolvimiento de fase conocido como seguidor de fase regularizado (Regularizaed phase tracking unwrapper) y, finalmente, se obtiene la información concerniente a la altura de la gasket promediando diferentes puntos sobre su superficie. Alternativamente, se muestran los resultados obtenidos acerca de la topografía de una letra troquelada en una tapa de plástico así como de un vidrio de perfil convexo.



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1-232/0

Sistema para estudio y modificación de materiales a bajas temperaturas mediante aceleradores de partículas

Cruz Manjarrez, Héctor1; Barragán Vidal, Alberto1 1Instituto de Física, UNAM

Se construyó una cámara de alto vacío para instalarse en una de las líneas del acelerador de 0.7 MeV del Departamento de Física Experimental del IFUNAM; la geometría y accesorios instalados en la cámara, permiten que una muestra se mantenga a temperatura criogénica durante el periodo de irradiación. La muestra se mantiene a -190ºC mediante un refrigerador construido en el Taller General de IFUNAM. La radiación incidente produce pequeñas zonas en donde la estructura de la muestra se modifica definitivamente como lo han demostrado estudios preliminares; los estudios actuales se realizan por difracción de Rayos X y microscopio de transmisión. En el trabajo se muestran los resultados más relevantes en muestras de Aluminio de alta pureza, cabe destacar que el diseño de la cámara, permite realizar estudios superficiales con láser, así como seleccionar de manera precisa la posición de los detectores.

1-246/0

Caracterización de Nanotubos de Carbón sintetizados por Aspersión Pirolítica

Aguilar-Elguézabal, A.1; Antúnez,Wilber1; de La Torre,Luis1; Lardizábal,Daniel1; Torres, Enrique1


Se sintetizaron nanotubos de carbón multipared (MWCNT) utilizando la técnica de aspersión pirolítica de una mezcla de ferroceno y tolueno en un tubo de cuarzo a una temperatura de 900 ºC. Estos nanotubos alcanzan una longitud de hasta 200 µm cuando la aspersión es de 10 minutos, mientras que el diámetro de los nanotubos está entre 25 y 110 nm, en función de las condiciones de síntesis. En este trabajo se reportan los resultados de la caracterización por análisis SEM, XRD, análisis por adsorción de nitrógeno y análisis termogravimétrico. Estas técnicas se integran para establecer un método de estimación de la pureza obtenida en la síntesis de los nanotubos y los cambios estructurales obtenidos por efecto de diversos tratamientos de purificación como inmersión en soluciones ácidas y tratamientos térmicos bajo atmósfera controlada.

1-260/0

Low-temperature and photoluminescence of Ga1-xInxAsySb1-y grown on Te –doped GaSb substrates by Liquid-phase Epitaxy LPE

Ramírez Cruz, María Alicia1; Gómez Herrera, María Lucero2; Herrera Pérez, José Luis1; Díaz Reyes, Joel2; Mendoza Álvarez, Gregorio Julio3; Peña Sierra, Ramón4

1CICATA-IPN-Legaria 2CICATA-IPN-Legaria

3Depto. de Física, CINVESTAV 4Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

Report on the liquid phase Epitaxy(LPE) growth of Ga1-xInxAsySb11-y alloys on undoped (100) GaSb substrates. Low temperature (15K) Photoluminescence (FLIR) spectra the excitonic transitions observed the phase diagram indicate an excellent quality of the grown layers. The



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results of variation in the PL spectral characteristics with composition and temperature dependence of the band edge related transitions are reported. The relative dominance of each of these transition depens of Te compensation and the incident excitation intensity corresponding to the much deep aceptores, of Te –Sb antisite complex of the type defect, corresponding to the band to band transitions with temperature was determined.For the undoped sample, p-type conductivity, the PL spectrum showed three narrow exciton-related peaks centered at around 648.6, 645 and 640 meV with full width at half maximum (FWHM) of about 7, 4 and 9 meV which is an evidence of the good crystalline quality of the epilayers and another little peak at 626 meV associated to band-to-acceptor. For a tiny Te-doping (25 mg of GaSb:Te), n-type conductivity, the PL spectra showed a red shift and is more notable for high laser power

1-263/0

Realistic Models of Molybdenum Oxide Catalysts Prepared in UHV Kaltchev, Matey G.1; Lara Romero, Javier2; Wang, Yilin3; Tysoe, Wilfred T.3

1Milwaukee School of Engineering 2 Fac. de Ing. Química, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo

3University of Wisconsin-Milwaukee

One of the challenges in modeling supported catalysts using surface science methods is to prepare models with properties that closely resemble the “real world” systems or, in other words, to overcome the existing so called “materials gap”. Active catalysts for metathesis of alkenes, hydrodesulfurization and hydrogenation can be prepared by exposing high-surface-area alumina supports to molybdenum hexacarbonyl at room temperature. This approach is applied to prepare model molybdenum and molybdenum -oxide systems supported on thin gamma-alumina films in ultra-high vacuum (UHV). Using reflection-absorption infrared spectroscopy, temperature-programmed desorption and photoelectron spectroscopy results regarding the formation of realistic supports and the mechanism of formation of active sites are presented.

1-315/0

Caracterización de los cambios microestructurales inducidos con el tratamiento térmico, de una película de Ni-B aplicada mediante un

proceso electroless sobre un acero A2 Moreno López, Myriam1; Torres Sanchéz, Roal1; Aguilar Elguezabal,Alfredo1


Los depósitos electroless, cada día están adquiriendo una importancia mayor en las aplicaciones industriales, sobre todo cuando se trata de aplicaciones funcionales tales como aumentar la resistencia al desgaste, resistencia a la corrosión, para aplicaciones magnéticas o como una barrera para evitar la difusión de otros metales. Las aleaciones depositadas sobre otros metales que mayor importancia están adquiriendo son por ejemplo Ni-P, Ni-B, Ni-Co-P, Ni-Co-Fe y Ni-Co-W o también aleaciones compuestas Ni-P-SiC, Ni-P-Al2O3, Ni-P-Diamante y Ni-P- PTFE. En este trabajo se muestran los resultados de la caracterización de una película de Ni-B electroless sobre un acero A2 después de tratamientos térmicos con el objeto de aumentar la dureza inicial. Los tratamientos térmicos se hicieron desde 200°C hasta 550°C con intervalos de 50°C La caracterización se hizo a través de microscopia óptica, microscopia electrónica de barrido, difracción de rayos-X y microdureza. Las muestras fueron pesadas



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antes de la aplicación de la película y después para obtener la ganancia en peso y la velocidad de depósito. Se hicieron cortes transversales de las muestras para obtener el espesor del recubrimiento y la microestructura antes y después de los tratamientos térmicos. Los resultados de rayos-X, demuestran que la película sin tratamiento térmico es una aleación de Ni-B amorfa, y después de los tratamientos térmicos se aprecia la formación de un compuesto intermetálico Ni3B, el cual puede ser el causante deL aumento de la dureza de la película Ni-B. La caracterización superficial del depósito de Ni-B con el tiempo de inmersión, a través del MEB, muestra que el depósito tiene una morfología celular y con mayor tiempo se convierte en una morfología nodular. La mayor dureza Vikcers se obtiene para el tratamiento térmico que implica 200°C y un tiempo de permanencia de 90 minutos.

1-351/0

Caracterización de las arenas de las dunas de samalayuca chihuahua Cruz Sánchez, Ezequiel1; Hernández, Arturo1; Corral, Verónica1; Díaz, Cesar2; Saenz,

Francisco3; Boone, Keith3 1Centro de Investigación en Materiales Avanzados

2 Fac. de Física, Universidad Autónoma de Baja California 3NAFTA CENTER, S.A. DE C.V.

Las arenas del desierto se encuentran localizadas al norte del Estado de Chihuahua, 40 Km. al sur de Cd. Juárez. Para realizar la caracterización químico-mineralógica se utilizaron las técnicas, como son: difracción de rayos X, petrografía, microscopia óptica y electrónica de barrido. Los resultados obtenidos indican que las arenas son de cuarzo feldespático, composición química de un 93.2 % de SiO2, con pequeñas cantidades de un 0.31 % de Fe2O3 y un 0.31 % de FeTiO3. Las especies minerales es un 58% de cuarzo (97% SiO2) con 2.5 % de Al2O3, pequeñas cantidades de feldespato, ilmenita, hematita, riolita, etc. Estas arenas tienen forma subredondeadas y subangulosas, un tamaño promedio de partícula de -100+140 mallas (-125+105 micras) de 68 % peso. Al tener una selección de partículas con menor cantidad de impurezas se puede utilizar estas arenas en la fabricación de vidrio plano, en la industria cerámica y en vitrocerámicos. Algunas de las impurezas como las especies que tienen titanio asociadas con Fe, Si, Al, se puede utilizar para las aleaciones de ferrotitanio. En estas arenas el desierto de Chihuahua tiene un gran potencial como insumo a la industria de la transformación.

1-328/0

Bolómetro de a-Si-B:H enfriado a 4.2K Para detección de λ de los mm Heredia Jiménez, Aurelio Horacio; De la Hidalga Wade, Francisco Javier; Torres

Jácome, Alfonso; Jaramillo Núñez, Alberto; Ambrosio, Roberto Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

Bolómetros con capacidades de detección a longitudes de ondas de los mm, son fabricados con materiales que requieren ser enfriados a muy bajas temperaturas del orden de los mK, para disminuir los niveles de ruido a valores muy bajos, ordenes de 10-17 W/Hz1/2, esto hace que sean sumamente costosos para su operación. El silicio amorfo (a-Si:H), y sus aleaciones se han revelado como los materiales para la fabricación de Bolómetros de IR basados en semiconductores, gracias a su alta energía de activación y la anchura de su gap, que proporciona control en su coeficiente de absorción y una insensibilidad intrínseca a la radiación visible, ya que pueden ser modificado estructuralmente por la incorporación de otros elementos. El trabajo que aquí se presenta, muestra los resultados experimentales obtenido en



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un bolómetro que utiliza a-Si-B:H como elemento absorbedor y termómetro al mismo tiempo, sobre una membrana de nitruro de silicio suspendida en aire, que cumple la función de aislante térmico y soporte mecánico. Las pruebas se realizaron en vació, en el rango de temperatura de 4.2K a 300K, el bolómetro fue diseñado para que opere a 4.2K, los resultados obtenidos a esta temperatura fueron conductancia térmica, Gth=23.58x10-12-12W/K, constante de tiempo, t=2.7ms, NEP=1.51x10-16 W/Hz1/2, responsividad, Â=1.11x1011V/W, detectividad, D*=1.78x1014 cm-Hz1/2/W. Con estos valores de Gth y NEP, obtenidos a 4.2K, es posible fabricar dispositivos capaz de detectar radiación electromagnética con longitudes de ondas cercana a los mm, adicionalmente el costo de operación se ve reducido, considerablemente.

1-333/0

Fission tracks effects in diamond Fragoso Soriano, R.1; Espinosa Garcia, Guillermo2; Golzarri Moreno, José Ignacio2;

Guerrero, Marcela J..1; Soto, Ana Bertha1; Vázquez López, Carlos1 1Depto. de Física, CINVESTAV


In this work, the results of a systematic Atomic Force Microscope (AFM) experimental investigation of the surface ‘track’ effects produced by the passage of fission fragments from a californium (252Cf) source into diamond are described. Fission fragments from the source were collimated using a 10µm thick aluminium foil, comprising fragments with the usual binary distribution of the predominant energies - light and heavy - 79.4 and 103.8 MeV, with a homogeneous activity of 98 ff min-1 cm-2. Irradiations and AFM measurements were carried out in air at normal room temperature and pressure. Remarkably cavities, and a reticular alignment of diamond hillock formations around these cavities, were found.

1-339/0

Caracterización eléctrica de dispositivos basados en el efecto Hall cuántico

Rivera Álvarez, Zacarías1; Guillén Cervantes, Angel1; Zamora Peredo, Luis2; Méndez García, Víctor Hugo2; Hernández Márquez, Felipe3; López López, Máximo1


3Centro Nacional de Metrología

Se desarrollaron una serie de dispositivos que manifiestan el efecto Hall cuántico con el fin de obtener el patrón de resistencia eléctrica mediante este efecto. El diseño, la fabricación de la pastilla semiconductora y el procesamiento para obtener el dispositivo fueron desarrollados totalmente en México. Se presentan estos resultados y se hace un análisis de los dispositivos donde se manifiesta la influencia de los contactos en la degradación de la cuantización de la resistencia. Se proponen modificaciones en la fabricación con el objetivo de obtener dispositivos para aplicaciones en Metrología.



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1-348/0

Obtención de prerreducidos de hierro a partir de minerales colombianos en horno rotatorio a nivel de laboratorio

Hoyos Cruz, Norma Constanza

Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia

El trabajo muestra la caracterización realizada a las materias primas, los ensayos de reducibilidad efectuados en un Horno tipo Linder, a dos yacimientos de minerales de hierro colombianos y el diseño y construcción de un Horno Rotatorio para producción de prerreducidos. Describe los equipos y analiza sus resultados, que dejan ver que efectivamente los minerales de hierro estudiados pueden ser prerreducidos, incrementando sus contenidos totales de hierro de 56 – 58% a 88 – 90%, y mostrando que en el reactor construido se puede producir prerreducidos de hierro en forma económica.

Sol-Gel (SGE)

9-359/1

Sol-gel Fe/TiO2 nanomaterials for denitrification of water Quintana, Patricia1; Lopez, Tessy2; Aguilar, Daniel1; Pacheco, Julia1; Cabrera,

Armando1 1CICATA, Mérida

2Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

To meet the increasingly stringent standard of the environmental regulations, some physicochemical techniques have been effectively applied in the fields of environmental remediation. Sol-gel photocatalysts nanomaterials have a great potential to eliminate nitrates and nitrites contaminants dissolved in water.The advantages over conventional reduction processes are that the photocatalyzed degradation of organic pollutants occurs at room temperature. Titania is one of the most promising materials in environmental catalysis; and can present three polymorphs: brookite, anatase and rutile. Their stability is related to temperature and time of heating; with temperature increase, the transformation from brookite or/and anatase into rutile irreversibly occurs, indicating that the crystalline structure of rutile is more stable at high temperature. Dopants such as iron and vanadium enhance the reductive properties of titania over NOx molecules, suggesting that these materials can be used in nitrate removal in water. Titania may react with iron ions to produce titanium-iron solid state solution or Fex TiOy (FeTiO3 or Fe2). TiO5). The crystalline structure with many cationic or anionic defects usually play an important role in the pollulant transformation toward molecular nitrogen. Sol-gel Fe/TiO2 nanomaterials were prepared by the well known alkoxide method. The powders were annealed at 400°C and then evaluated for nitrate removal in water.



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9-198/0

Efecto del La2O3 en Catalizadores Base Pd/Al2O3-Ce-ZrOx para la Reducción de NO

Flores, Eric1; Sandoval, Sharon1; Fuentes, Sergio1; Olivas,Amelia1 1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM

El principio fundamental de la difracción consiste en la reflexión de ondas electromagnéticas, que al interactuar entre sí, dan lugar a fenómenos de interferencia constructiva y destructiva. Éstos fenómenos de interfase, originan un haz resultante, cuya dirección está dada por la relación existente entre la longitud de onda de la onda incidente y la distancia interplanar de un sistema periódico sobre el cual incide (ley de Bragg). En base a estos principios, en este trabajo se propone una ruta para sintetizar un sistema en el cual se pueda efectuar la difracción de la luz visible, haciendo uso del proceso Sol Gel, en medios ácido y básico, partiendo del TEOS como precursor, en ambos casos. Así, se realizó la incorporación de esferas nanométricas de sílice –preparadas por medio de reacciones de hidrólisis y condensación con hidróxido de amonio como catalizador morfológico- en una matriz de gel con iones vanadio como modificadores de red –preparado por medio de reacciones de hidrólisis y condensación en medio ácido. El tamaño de las nanoesferas monodispersas preparadas, está en el rango de la luz visible de 250 a 850 nm. De acuerdo con lo anterior, los iones de vanadio inmersos en el gel como modificadores de red incrementarán la diferencia de índices de refracción entre las esferas y el gel matriz, aumentando la probabilidad de que ocurra la reflexión y no la refracción en la interfase esferas-gel favoreciendo el fenómeno de difracción. Además, debido al fenómeno de encogimiento de la red del gel, se propiciará la formación de planos de nanoesferas acomodadas periódicamente. Se presenta una comparación de los monolitos obtenidos a partir de nanoesferas comerciales OPTA acidificadas, con los monolitos obtenidos a partir de TEOS y con la incorporación de nanoesferas preparadas, secados a temperatura ambiente y con una rampa de temperatura.

9-200/0

Mejoramiento en la Resistencia a la Abrasión de Híbridos formado con poly(metil metacrilato), sílice obtenida por sol-gel y alumina

nanométrica Calderón Guillen, Joel A.1; Jiménez Vargas, Christian D.2; Avilés Arellano, Luz Maria

Reyna2; Pérez Robles, Juan Francisco2; González Hernández, Jesús2 1Centro de Química, BUAP


Mejoramiento en la resistencia a la abrasión de híbridos formado con polymetil metacrilato, sílice obtenida por sol-gel y alúmina nanométrica. Se obtuvo un material formado por PMMA (polymetilmetacrilato), sílice obtenida por el proceso sol-gel convencional y alumina nanométrica suspendiendo las partículas de sílice y alumina en la matriz polimérica por medio de agentes compatibilizantes. Se obtuvieron recubrimientos sobre sustratos de vidrio, cobre y acero galvanizado, logrando una muy buena adherencia y espesores uniformes del orden de 3 y 6 micras en una sola inmersión. La caracterización realizada po UV / Vis, IR, AFM, Impedancia, Reflexión y Transmisión, además de las pruebas de abrasión, muestran el potencial de estas películas no conductoras en dispositivos optoelectrónicos, con mayor resistencia al desgaste y una mayor flexibilidad que le confiere el polímero.



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9-354/0

Nano-encapsulation of anticonvulsant drugs into sol-gel materials López, Tessy


The epileptic patients experience recurrent seizures despite maximal therapy with anticonvulsant drugs. The failure of current anticonvulsant regimens to control recalcitrant seizures has led to other strategies for the treatment of refractory epilepsy, like development of new anticonvulsants, and improvement of new nanomaterials with controlled porosity for slow release. These reservoirs were collocated into the epileptogenic tissue in rats (basolateral amygdala). To obtain a Gauss distribution of pore (from nano to meso pore size), Titania sol-gel nanomaterial was prepared by the sol-gel process, controlling the synthesis parameters. The material was put into the rat and the behavior was recorded during the experiment. The tissue was observed by Optical Microscopy. The brain tissue was normal and the neuronal cells still without alterations. The temporal course of the intracerebral release of phenytoin and valproate occluded in sol-gel titania was determined by HPLC with UV detector. Conventional Transmission Electron Microscopy (TEM) was performed on a Zeiss EM 910 electron microscope. The TEM results show that the valproate and phenytoin was adequate occluded into the pore of the material.

9-355/0

Molecular vibration analysis and NMR of 1H of epilepsy drugs inside sol-gel TiO2 reservoirs

López, Tessy; Navarrete, Juan; Ascencio, Jorge A.


The drug delivery systems design is quite related to the possibility to develop a control release materials. The main three parameters in this type of materials development are the mean particle size, porous size distribution and the chemical interaction of the molecular farmaceutical structures with the reservoir material; so then the analysis of chemical stability of both materials becomes quite important. The use of Fourier transform infrared spectroscopy allows the identification of chemical groups. The vibrational spectroscopies are an important technique to know how the drug maintains after the encapsulation in the sol-gel material and To know if new species are produced due to chemical reaction. In the epilepsy treatment the sodic phenytoine and valproic acid are commonly used, beside in our group we are proposing the use of sol-gel TiO2 matrixes as reservoirs to deliver the different drugs. So in this work we report the analysis of pure matrix and samples where the different drugs are include for studying the materials and the possible extra compounds formed and no desired during the process of molecules inclusion. The weak bands that appear at 127, 248, 322, 366 and 456 cm−1 on the sides of the anatase bands indicates that there is also a small quantity of brookite phase. An other band was obserbed in high energy region (3700-3450 cm-1) due to OH stretching vibrations. As well as, when the sodic phenitoine and valproic acid are inside the reservoir, C-H vibration are clearly observed from 1600 to 1000 cm-1 region. The experimental data are corroborated by theoretical calculations to determine the minimum energy configuration of the molecular arrays and the corresponding molecular vibration characteristics.



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9-356/0

AA and GBM tumors treatment using nano-materials for controlled release

López, Tessy; Ascencio, Jorge A.; Campero, Antonio


Cancer is produced fundamentally from the uncontrolled reproduction of cells into the human. Tumors of the CNS (central nervous system) are the most frequently found in children (70-80%) arise from glial cells and tend to form metastasize outside the CNS unless there is a operative intervention. Chemioterapy is playing an important role tn the management of both recurrent and newly diagnosed patients. One of the mechanisms to control and to treat this types of CNS tumors is the use of temozolamide, that is part of recent second generation alkylating agent use as chemotherapeutic with high efficacy in a high grade brain gliomas which complete surgical removed is rarely accomplished because of their infiltrative nature. The active component is based in the cytotoxic alkylating medicine, which binds the cancer DNA cells preventing growth of this kind of cells, and causing their reduction and death. The way to administrate the medicine to the affected cells is one of the most advanced goals in this field. In the present work, reservoirs of sol-gel colloids and TiO2 nanotubes were generated with a well controlled particle and porous size. During the synthesis of these solids the temozolamide was trapped in it. In order to achieve different porosities, and therefore obtaining solids showing different speeds temizolomide release, the parameters of the synthesis have been changing. It was obtained samples with different proportions of the drug into the reservoir. As well as, with unusual texture, structure an physicochemical properties. In this way the appropriate doses of temozolamide, they were fixed directly near to cancerous tumors of rats. The evaluation of results using this reservoir with the drug is compared with the oral administration in the rats. The results were studied and understood with help of multiple medical and materials science characterization methods in order to be able to identify the fundaments that can be improved.

9-357/0

Photocatalytic degradation of 2,4- dichlorophenoxiacetic acid an 2,4,6-trichlorophenol with ZrO2 and Mn/ZrO2 sol-gel materials.

López, Tessy; Álvarez, Mayra; Tzompantzi, Francisco Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

Heterogeneous photocatalysis recently used for water decontamination. Heterogeneous photocatalysis is a process based on absorption of energy (visible or UV light) by a solid (a semiconductor). The degradation reactions take place in the interphase liquid excited solid. Because of its semiconductor properties, zirconia can be use as photocatalyst. When zirconia is doped with transition metals its electronic properties are modified. In a previous work, Cu/ZrO2 and ZrO2 were characterized by UV-Vis and we observed that the Eg value diminishes when the metal was added. In this work, Sol-Gel Mn/ZrO2 and ZrO2 materials were proved for photocatalytic degradation of 2,4-Dichlorophenoxiacetic Acid and 2,4,6-Trichlorophenol. The powders were characterized by XRD, UV-Vis and Raman Spectroscopies. The apparent rate constants were calculated considering pseudo-first order kinetics. The results reveal that ZrO2 is effective as photocatalyst, moreover its photocatalytic properties increase when is doped with Manganese.



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9-358/0

Phase evolution of sol-gel CaO-ZrO2 mixed oxides Quintana, Patricia1; López, Tessy2; García Palacios, Jaime2; Aguilar, Daniel3

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida 2Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

3Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN

The synthesis of inorganic materials with controlled particle size, structure, specific surface area, chemical purity, etc., is a very important factor in the development of new materials in many fields such as catalysis, medicine, electronics, ceramics, pigments, cosmetics, etc. Several compositions in the CaO-ZrO2 system, were obtained from zirconium n-butoxide and calcium methoxide. The hydrolysis and gellation occurred at pH3, using H2 SO4 as a catalyst. The fresh powders were annealed in air, from 100°C to 900°C, in 100°C steps during 20 hrs each step. The same samples were heated during all the thermal process, with a total annealing time of 140 h. By X-ray diffraction, calcium sulfate hydrated together with amorphous zirconia detected until 400°C. On the rich end ZrO2, metastable tetragonal and monoclinic zirconia were stabilized in the presence of Ca ions, in the middle range composition the high temperature form of ZrO2, the cubic phase, and CaZrO3 were observed above 700°C; finally on the CaO rich end, the coexistence of calcium carbonate polymorphs as vaterite and calcite were registered. Since sulfuric acid was used as a catalyst, anhydrite was stabilized in the entire range of the studied compositions, from 300°C up to 900°C.

9-360/0

Supported effect on sol-gel platinum catalysts over Ce-Al2O3, La-Al2O3, Ce-ZrO2 and La-ZrO2

López, Tessy; Pecchi, Gina


Supported platinum, alumina-ceria and zirconia-ceria sol-gel catalysts as well as, alumina-lanthana and zirconia-lanthana were prepared and characterized. X-ray diffraction studies showed that platinum appears to be well-dispersed on the support.surface since no diffraction peaks. associated with Pt or PtO2 were detected Therefore some Pt goes into the network of the nanomaterial and the remains is on the surface forming crystallites (3-7 nm), that can not be detected with this technique. The formation of cerianita and lanthana as mixed oxides were observed when the samples were prepared with 5 wt % concentration of the corresponding salt. On the alumina system the pseudo-boehmite was observed at 300°C and boehmite appear up to 500°C. The reducibility of the prepared cerium samples was determined by TPR (Thermal programmed reduction); an a broad peak appear at about 424 °C which can be assigned to the removal of oxygen from CeOx . The presence of Pt favours the Ce reduction, since the presence of the noble metals can increase the oxygen storage capacity of CeO2 . The decomposition of 2-propanol were made and the lanthanum and cerium presence effects are discussed. In the same way, these materials were tested in methane combustion reaction. In both cases Pt supported in M-ZrO2 showed the better activity and selectivity towards desirable products.



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9-335/0

Evolución de las especies y partículas de plata contenidas en polvos y recubrimientos preparadas por el método sol-gel a diferentes

tratamientos térmicos, utilizando resonancia paramagnética (EPR) Garnica-Romo, Ma. Guadalupe1; Zamorano Ulloa, Rafael2; González Hernández,

Jesús3; Tirado-Guerra, S.2; Yáñez Limón, José Martín3 1Universidad Michoacana de San Nicolas de Hidalgo

2Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 3Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Se prepararon muestras de SiO2 con plata utilizando Sol-gel. Estas fueron analizadas después de realizados los tratamientos térmicos en un rango de 100 a 800 grados centígrados. Las soluciones de partida fueron preparadas mezclando tetra-etil-ortosilicato (TEOS), agua y etanol. Se utilizaron cuatro diferentes razones molares agua-TEOS (3.3, 5.0, 7.5, y 11.7), respectivamente, con diferentes concentraciones de plata (1, 2 y 4 % vol. de Ag). Se encontró que durante los tratamientos térmicos se formaron diferentes especies de plata, tales como Ag2+, Ag+, Ag0, y agregados metálicos de plata. La identificación de estas especies fue llevada a cabo por difracción de rayos-X, resonancia paramagnética (EPR), emisión óptica y absorción óptica. También se encontró que el tipo específico de especies de plata encontradas depende de la estructura de la matriz SiO2 y del tratamiento térmico. En las muestras preparadas a partir de una baja razón agua-TEOS (3.0 y 5.0) se identificaron estructuras mas abiertas y. por lo tanto, la palta difundió más rápidamente y formó aglomerados a bajas temperaturas. Las muestras preparadas con razones agua-TEOS mayores (7.5 y 11.7) tuvieron una estructura más densa, la cual permitió la formación de plata atómica o especies moleculares de partículas de plata. Se realizó un estudio sistemático usando EPR en las muestras preparadas usando las distintas razones agua-TEOS, y sus diferentes concentraciones y tratamientos térmicos.

9-368/0

Evaluación preliminar del implante de reservorios para tratamiento de epilepsia por medio de la comparación de imágenes anatomo-

funcionales Castellanos, Pilar; Román, Germán; Iuga, Cristina; Ascencio, Jorge A.; López, Tessy


La apropiada identificación de regiones epileptógenas en la imagen cerebral es de gran ayuda para el tratamiento de epilepsia. La administración de anticonvulsivos puede suministrarse con reservorios nanoestructurados intracerebrales de liberación controlada. La localización del foco epileptógeno es esencial para la implantación exacta de estos materiales. La epilepsia no tiene una representación anatómica que pueda claramente identificarse en la imagen anatómica de Resonancia Magnética (RM), por lo que se emplea la imagen funcional de Tomografía por emisión positrón (PET) para identificar regiones hipometabólicas. Debido a que el cerebro contiene tejido blando, en este trabajo se emplea una técnica del procesamiento digital de imágenes que permite establecer la correspondencia espacial entre ambos tipos de imágenes, para una posterior comparación e identificación de la región del foco epileptógeno. El método de alineación empleado prueba su funcionalidad cuantitativamente con el mejoramiento del criterio de similitud, indicando que el método puede ser de utilidad para la identificación del foco epileptógeno y la exacta implantación del reservorio. Por otro lado, permite la evaluación del tratamiento con el anticonvulsivo mediante la imagen PET.



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Procesos en Semiconductores (PSE)

8-122/0

Diseño de un Acelerómetro Capacitivo utilizando Tecnología MEMS Camacho Huerta, César Saúl; Heredia Jiménez, Aurelio Horacio; Gómez González,

Casimiro; Blano García, Sergio; Espinoza Barbosa, Rosendo; Enriquez Guevara, Luis; Argudin Oscos,Alejandro


El trabajo consiste en el diseño y modelado de un acelerómetro capacitivo, construido como un microsistema. El funcionamiento del acelerómetro capacitivo se fundamenta en una masa suspendida mediante un soporte elástico a un marco fijo, y sometida a los efectos de la aceleración que se desea medir. Midiendo los desplazamientos de esta masa, es posible determinar la aceleración a que esta sometida. Para el diseño del acelerómetro se utilizaron los siguientes materiales, silicio cristalino con orientación (100) como sustrato, Nitruro de silicio depositado por la técnica de PECVD con espesor de 1µm como catodo y película de aluminio como el anodo, estos materiales tienen las propiedades mecánicas y eléctricas, necesarias para el acelerómetro, como dielectrico se utilza el aire que hay entre los dos materiales. Las dimensiones generales del acelerómetro son 245 µm X 120µm y una altura de 2.5 µm en esta área se micromáquina el nitruro de silicio y el cantilever de aluminio, que este se encuentra arriba del nitruro de silicio a una distancia de 0.5µm, los resultados obtenidos durante el diseño del acelerómetro fueron: Frecuencia de Resonancia 113612.8966Hz, Aceleración máxima 630.62 Km/s2, Deflexión máxima 0.488µm, Capacitancia Máxima 0.11pF, Mínima 4.6pF, Masa del aluminio 3.012885x10-11 Kg,

8-156/0

Modelo del ruido de acoplamiento en estructuras de circuito Metal-Óxido-Semiconductor, frente al escalamiento tecnológico

Linares Aranda, Mónico1; Mendoza Hernández, Fernando2 1Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

2Universidad de Sonora

Para obtener sistemas integrados más complejos, es necesario reducir (escalar) las dimensiones de los transistores y de sus interconexiones, así como las magnitudes de las fuentes que les proporcionan energía. Sin embargo, este escalamiento de la tecnología también contrae desventajas, tal como el aumento de las corrientes de fuga y la reducción de capacidad de manejo de corriente de los transistores, entre otras. Además, debido al mayor número de dispositivos contenidos en un circuito integrado la separación entre sus interconexiones es menor y sus relaciones de tamaño largo/ancho tienden a ser mayores. Esto, junto con las mayores frecuencias de operación utilizadas, aumentan el efecto de los acoplamientos capacitivo e inductivo en los circuitos, el cual puede producir mayor retardo de las señales y posibles fallas lógicas, degradando así la confiabilidad de los sistemas. Este efecto se agrava con el mayor uso de circuitos dinámicos, ampliamente utilizados en secciones de alta velocidad de microprocesadores, los cuales si bien superan en velocidad a su contraparte estática, sufren de menor inmunidad al ruido. En este trabajo se deriva una expresión analítica para la tolerancia a ruido de acoplamiento de circuitos dinámicos CMOS (Metal-Óxido-Semiconductor Complementario) utilizando un escenario real de escalamiento tecnológico. Resultados analíticos y de simulación Hpice utilizando parámetros eléctricos de una tecnología



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CMOS de 0.35 micrómetros, confirman que la inmunidad de ruido de acoplamiento capacitivo de los circuitos dinámicos se reduce con el escalamiento tecnológico.

8-289/0

Surface Micromachining for Uncooled IR sensors using SiNx as support layer

Ambrosio, Roberto; Landa, Mauro; Kosarev, Andrey; Torres Jácome, Alfonso


The surface micromachining technology makes thin micromechanical devices on the surface of a silicon wafer. Large numbers of devices can be inexpensively made, and this technology integrates well with read-out electronic circuits. LPCVD polysilicon has been the material of choice for integrated surface micromachined structures since the early 1980`s and has been used for everything from inertial sensors to pressure sensors to electrostatic actuators. Unfortunately, the high deposition and annealing temperatures (~580-630 ºC and >900 ºC, respectively) The PECVD technique is an alternative to deposited thin films a low temperature and the possibility to integrate the sensors after the fabrication of read-out circuit. We are developing sensors based on a-SiGe films for application in Infrared detection at room temperature. In order to obtain the desired thermal time constants, as well as to provide good thermal isolation, these sensors utilize micromachined thermal-isolation structures. One possible means to achieve thermal isolation of the sensor is surface micromachining. In this paper we describe the fabrication processes and present the results of the microbridge structure. Here, a microbridge is fabricated based in a-Si3N4 membrane that is held above the substrate by a support legs. We deposited Si3N4 films by PECVD as support layers obtaining good selective with wet etchants (30 minutes in HF solution at 40ºC, and also the etchant of piranha solution) similar to films obtained by LPCVD. Aluminum films were deposited as sacrificial layer. Finally we have fabricated the microbridges with dimensions 119x220 µ2 and 64x119 µ2. We shall discuss the problems arisen and ways for their solution.

8-179/0

Desarrollo de contactos óhmicos para semiconductores III-V con barrera de difusión de Pd

Galván-Arellano, Miguel1; Ramírez Cruz, María Alicia2; Díaz Reyes, Joel3; Muñoz Hernández, Rocío Alejandra3; Peña Sierra, Ramón1; Kudriatsev, Yuriy1

1Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV 2CICATA-IPN-Legaria 3CICATA-IPN-Legaria

En este trabajo se desarrolla la metodología para la formación de contactos óhmicos con barrera de difusión de Pd en semiconductores compuestos III-V. Enfocaremos nuestra atención en la formación de contactos óhmicos en GaSb y las aleaciones de GaInSbAs . La fabricación de dispositivos con semiconductores compuestos III-V requiere de contactos óhmicos de alta calidad, con baja resistencia de contacto y que actúen como barreras de difusión tanto como para los componentes de las aleaciones del contacto metálico como de los mismos componentes de los semiconductores. En especial en dispositivos semiconductores con estructuras modernas, con pozos cuánticos o superredes, es requisito tener contactos óhmicos poco profundos, para lo cuál es escencial incorporar barreras de difusión. La obtención de contactos óhmicos en semiconductores III-V presenta varios retos debido a que por la variedad



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en su composición, en la superficie se forman diversas fases con los metales de las aleaciones del contacto metálico. Así mismo, en las superficies de los semiconductores debido a los procesos tecnológicos se pueden formar diferentes clases de óxidos. En el primer caso, el efecto de la formación de aleaciones hace que el contacto óhmico pueda extenderse y modificar las características de diseño del dispositivo. En el segundo caso la presencia de los óxidos aumentaría la resistencia de contacto. Aunque estos problemas no se han discutido en la literatura son problemas que se reflejan en la variabilidad de los valores que se reportan para la resistencia de contacto en este tipo de materiales semiconductores. Estudiaron las características de las superficies del GaSb tanto tipo p como tipo n durante procesos de preparación de contactos óhmicos con barrera de difusión de Pd. Se examinaron las características de la superficies de GaSb después de la fase de limpieza, previo al depósito de las aleaciones metálicas (Au-Ge). Se examinó el estado de las superficies del GaSb después del depósito de las películas nanométricas de Pd y se revisó que adquieren las superficies del GaSb después del proceso de recocido de los contactos óhmicos.

8-181/0

Caracterización de Óxidos Crecidos en Silicio de Alto Índice Cristalino bajo el Régimen Lineal y Delgado

Rodríguez Mora, Ramiro Rogelio; Calleja Arriaga, Wilfrido; De la HIdalga Wade, Francisco Javier


Se caracterizaron capacitores MOS fabricados en superficies de silicio de alto índice cristalino, específicamente (1 1 4) y (5 5 12). Los óxidos crecidos sobre silicio con las orientaciones típicas (1 0 0), (1 1 0) y (1 1 1) se usaron como referencia. Las muestras fueron oxidadas usando oxígeno y tricloroetileno, en los regímenes delgado y lineal (15nm y 60nm de espesor), y se formaron compuertas de aluminio. Se extrajeron los parámetros de densidades de carga fija, grosores de oxido, dopado de sustrato y voltaje de encendido. Se obtuvieron también graficas de crecimiento en el régimen delgado para todas las orientaciones a 850 ºC. Los resultados cualitativamente están de acuerdo en las tendencias de oxidación con los resultados de otros autores.

8-196/0

Obtención de las Razones de Oxidación Lineal para Silicio con Distintas Orientaciones Cristalinas y su Simulación con SUPREM

Rodríguez Mora, Ramiro Rogelio; Calleja Arriaga, Wilfrido; De la Hidalga Wade, Francisco Javier


A partir de datos experimentales de oxidaciones realizadas en el régimen lineal de superficies de silicio (1 1 4) y (5 5 12), y usando datos experimentales reportados para la superficie (1 1 3), se obtuvo el factor de oxidación ORI.FAC requerido por el simulador de procesos SUPREM. Estos valores complementan aquéllos usados por para la simulación de oxidaciones en superficies convencionales de bajo índice. También se obtuvo el factor F.HCL, necesario para simular oxidaciones bajo los ambientes clorados usando oxígeno seco y TCE/TCA a una temperatura de 1000 ºC. Los factores obtenidos sirven para simular con SUPREM la oxidación de superficies de silicio con alto índice cristalino en ambientes clorados. Trabajo financiado por fondos del proyecto CONACyT-39886.



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8-295/0

Diseño de un micro-escáner bidimensional usando un espejo hiperbólico

Rojas Hernández, Armando Gregorio; Sagarzazu, Gabriel; Molar, G.; Renero,Francisco; Calleja Arriaga, Wilfrido


En el INAOE fabricamos micro-componentes ópticas en silicio cristalino, con diámetro menor a 1mm, que pueden ser usadas como micro-espejos o micro-lentes, dependiendo de la longitud de onda. Actualmente se trabaja en las técnicas de fabricación y búsqueda de aplicaciones usando micro-espejos. Entre las aplicaciones que hemos considerado, se encuentra el micro-escáner bidimensional, que está compuesto por dos espejos planos móviles y un espejo cóncavo cónico. Diseñamos un hiperboloide de conicidad K = -6.5 para corregir las aberraciones ópticas del micro-escáner bidimensional. Recientemente hemos incursionado en un nuevo diseño para la generación de superficies cónicas aproximadas mediante superficies esféricas por medio de la técnica de grabado húmedo utilizando KOH. Debido a que los parámetros de diseño, m (la razón de grabado) y Θ (el ángulo formado por el plano de grabado rápido y el plano de inicio en las caras cristalinas del silicio), varían con la temperatura, la orientación de la oblea, la concentración, la pureza y la edad del reactivo (KOH), hemos medido las sagitas de diferentes muestras mediante diversos métodos , logrando obtener una constante α (razón de sagita), derivada de la razón del valor de sagita y del diámetro para la abertura inicial de grabado.

8-238/0

Estudio de la formación de nanofacetas durante el crecimiento de GaAs por epitaxia de haces moleculares sobre sustratos con dirección (631)

Cruz Hernández, Esteban1; Orlando Pulzara, Álvaro1; Francisco,Ramírez Arenas2; Méndez García, Víctor Hugo2; Rojas Ramírez,Juan Salvador1; López López, Máximo1


El estudio del crecimiento del GaAs sobre el plano cristalográfico (631) es interesante pues esta superficie es altamente estable. Esta propiedad puede ser explotada para la síntesis de estructuras de baja dimensión tales como hilos y puntos cuánticos. En este trabajo reportamos la formación de nanofacetas durante el crecimiento de GaAs por epitaxia de haces moleculares (MBE) sobre sustratos de GaAs(631). El crecimiento por MBE se llevó a cabo a 590°C utilizando celdas tipo Knudsen para la evaporación de Ga y As4. El análisis de la superficie de las películas por microscopía de fuerza atómica después del crecimiento nos reveló la formación de estructuras piramidales con dimensiones nanométricas. Se estudió la estructura de estas nanofacetas en función del tiempo de crecimiento.

8-275/0

Diseño de un MicroSensor de Presión Interferométrico Heredia Jiménez, Aurelio Horacio; Meza Espíritu, F.S.; Gómez González, Casimiro


Los sensores basados en dispositivos de óptica integrada están adquiriendo una gran importancia hoy en día debido a su alta sensibilidad, estabilidad mecánica, posibilidad de



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miniaturización e integración en microsistemas y fabricación a gran escala. Igualmente ha emergido un extraordinario interés en cuanto a las aplicaciones de los MEMS en el área de sensado, la combinación de estas dos tecnologías nos puede conducir a obtener dispositivos con mayor sensivilidad, eficiencia y alta seguridad. Este trabajo tiene la finalidad de investigar, diseñar, fabricar y probar un micro sensor de presión tipo óptico aprovechando ambas tecnologías, la configuración de medida elegida para detectar la variación que se produce en las propiedades de la luz, debido a su alta sensibilidad, es una configuración Interferométrica Mach-Zehnder, (MZI), uno de los brazos se encuentra ubicado sobre una membrana flotante y deformable a pequeñas presiones. Cuando se tiene una reacción en la membrana que contiene uno de los brazos del interferómetro se produce un cambio de fase entre los dos brazos, que se detecta con un cambio en el patrón de interferencia. La intensidad de este patrón dependerá, de la deformación en la membrana, por lo que se obtiene un sensor directo y rápido para determinar la presión ejercida por un fluido. En aplicaciones como sensor, las guías ópticas que forman el dispositivo MZI deben cumplir dos condiciones: comportamiento monomodo y alta sensivilidad superficial, por lo que se emplearan guías de onda tipo ARROW (Antiresonant Reflecting Optical Waveguides) dadas sus ventajas tecnológicas frente a las convencionales (Guías de dimensiones de micras en vez de nanometros), el material con que se fabricará la guía de onda es de silicio amorfo aleado con germanio, con espesor de 2µm e índice de refracción de 3.5, la membrana es de nitruro de silicio con espesor de 0.5µm, ancho de 100µm, largo de 1000µm, e, índice de refracción de 2, ambas películas fueron obtenidas por la técnica de PECVD, el substrato es de Silicio cristalino con orientación (100), las dimensiones del dispositivo son de 5mmx5mm, la técnica de fabricación es por foto-litografía y gravado húmedo, las simulaciones se realizaron utilizando coventor.

8-305/0

Modeling of temperature distribution, conductivity distribution, and electric field for a 2D bolometer structure

García Cruz, María de la Luz; Torres Jácome, Alfonso; Kosarev, Andrey Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

A bolometer is a thermal detector of infrared radiation, which is formed by a temperature-dependent resistor and an IR absorbing layer. High performance characteristics of bolometer are determined mainly by two factors: a good thermal isolation and a high thermal coefficient of resistance (TCR). Different configurations for the bolometer structure have been proposed in order to obtain an optimal thermal insulation and therefore a higher responsivity, in compromise with other factors such as the filling factor and the thermal capacity. Only few works have been published on modeling of uncooled bolometers. In this work, calculation of temperature on the structure, electrical conductivity, scalar potential, electric field, current density and current in steady state condition is presented. A bridge-configuration bolometer, has been used for calculations and its dimensions are those of the structure reported in. By considering border conditions and specific definitions for the analyzed structure, and using the 2-D heat conduction equation the temperature distribution T(x,y) was determined. Since, electrical conductivity depends on the active-layer temperature by σ=σminexp(γ/K)exp(-Ea/KT) the conductivity γ(x,y)distribution on the active layer was calculated as well. The scalar potential V(x, y) and the electric field E(x,y) were determined from the solution of the Poisson equation in its simplified form ,charge density ρ=0,E(x,y)= -gradient(V(x,y)) with σ(x,y), then -gradient*(σgradient(V))=0 . By using the Ohm´s Law, the distribution of the current density J(x,y) was calculated, and finally the total current I. The I due to temperature increase was calculated for different dimensions of the active layer and for different intensities of the heating



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source. Similar calculations were done for a sandwich configuration of the bolometer structure, which is a bridge-configuration structure with the active layer between two metal layers. The final results from the calculations gave us an insight of the optimization of the dimensions of the active layer for the bolometer best performance as an image detector. The resistivity and TCR models used in these simple simulations, resulted enough to supply valuable information about the dependence of the current on the active-layer length. Thus it was found that behavior of current for different intensities of the heating source presents differences at low and high heat intensities. There is an optimal value for the rate of active-layer width and the bridge width to get the best signal-noise rate. And, in the case of the sandwich structure, total current flowing through the active layer is higher than in the case of the bridge structure because of reduction of the total resistance by about four orders of magnitude for the analyzed structures. This information can be used for the size optimization of uncooled bolometers when they are used in IR image detectors for obtaining the best filling factor and the best performance. Acknowledgements: This work has been partially supported through CONACYT Grant no. 128942 and CONACYT-CIAM project no. 42367.

8-312/0

Diseño de un micro sensor de presión óptico Gómez González, Casimiro; Ramírez Pichón,Alonso; Heredia Jiménez, Aurelio Horacio

1Depto. de Mecatrónica, Universidad Popular Autónoma del Estado de Puebla

Un micro-sensor de presión consiste en una membrana que se deforma en respuesta a los cambios de presión existente en una de sus cámaras generando un tensión en el material esta tensión altera las propiedades eléctricas del material empleado, como puede ser su resistencia, entre otras, con lo que es necesario tener un circuito de polarización eléctrica, provocando que limite su área de aplicación, sobre todo donde existan ondas electromagnéticas que pudieran interferir con la señal generada por el sensor y alterar la información. El micro sensor aquí propuesto no necesita polarización eléctrica interna, ya que basa su principio de funcionamiento al de una guía de onda óptica, por lo que lo hace inmune a cualquier perturbación electromagnética. Su funcionamiento se basa en la reflexión de luz, por una película de aluminio que se encuentra posicionada sobre una membrana flotante de nitruro de silicio, esta es iluminada a través de una fibra óptica, alineada de tal forma que la máxima intensidad del haz de luz, entre a otra fibra cuando es reflejada por la superficie de la membrana sin deformación, en estado estático. Cuando se aplica presión en la membrana, se deformara, generando que el ángulo del haz de luz incidente y reflejado cambie, este cambio de ángulo provocará que solamente una parte de la luz entre en la fibra óptica, está luz es guiada a un foto detector para ser procesada y determinar el valor de la presión. Las características del sensor son las siguientes, como substrato se utiliza silicio cristalino con orientación (100), la membrana de nitruro de silicio tiene dimensiones de 1000x1000µ con espesor de 1µ, la película de aluminio es de 950x950 µ y 0.3µ de espesor, la técnica de fabricación es por fotolitografía y micromaquinado húmedo.



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8-340/0

Crecimiento de aleaciones de GaAsN por epitaxia de haces moleculares Pulzara, A. Orlando1; Cruz Hernández, Esteban1; Rojas Ramirez, Juan Salvador1;

Jiménez Sandoval,Sergio2; Meléndez Lira, Miguel1; López López, Máximo1 1Depto. de Física, CINVESTAV


Recientemente hay un gran interés en la comunidad científica y tecnológica por la síntesis de aleaciones de compuestos III-V con nitrógeno. La incorporación de pequeñas cantidades de nitrógeno en la matriz de un material III-V causa fuertes cambios en la estructura de bandas del semiconductor. En particular, el ancho de banda prohibida del GaAs1-xNx disminuye fuertemente al introducir átomos de nitrógeno en la aleación en concentraciones x

Semiconductores (SEM)

3-125/0

Estructural and optical properties of GaNxP1-x thin films Pulzara Mora, Álvaro; López López, Máximo; Meléndez Lira, Miguel

Dpto. de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Thin films of GaNxP1-x were deposited on glass and silicon (100) substrates by r-f sputtering employing a nitrogen–argon atmosphere with a partial pressure of 2x10-2 bar. We varied the growth temperature in the range of 400-520 °C. Measurements of transmittance and absorbance were done in the spectral range of 400 – 750 nm. Scanning electron microscopy in cross sectional view, atomic force microscopy, and x-ray diffraction analysis were performed to determinate the film thickness, surface morphology and crystal structure. The band gap energy was between 1.2 and 1.8 eV, depending on the nitrogen content and growth conditions. The films are polycrystalline but presented a preferential orientation along the direction (111).

3-127/0

Influence of the CdCl2 thermal annealing on the luminescent properties of CdS-CSVT thin films

Mendoza Pérez, Rogelio; Cárdenas García, Modesto; Sastre Hernandez, Jorge; Aguilar Hernández, Jorge; Contreras Puente, Gerardo


CdS is a semiconductor material widely used as a window layer in CdTe/CdS solar cells. Its optical properties greatelly influence the photovoltaic device performance. CdCl2 thermal annealing has been used as a standard material to improve the general properties of many semiconductors. In particular CdS is treated with it to get a better quality of the layer in a solar cell. In this work we have grown CdS films by the Close Space Vapour Transport (CSVT) technique under specific parameters: temperature of the substrate ( Ts ) : 450°C, temperature of the source ( Tsou ) : 725°C, argon pressure in the chamber ( PAr ) : 100mT, deposition time ( td ): 100 s . The films were studied by measuring the luminescence properties in the range 10–300 K. The CdS showed a low intensity very broad band centered at 2.3 eV at room temperature ( 300 K ). After the CdCl2 thermal annealing the spectrum showed, also at 300 K, better PL characteristics: one strong band in the low energy side at 1.6 eV and a band in the



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high energy side at 2.4 eV. At room temperature the band at 1.6 eV is associated to sulfur vacancies, whereas the high energy band could be related to band-to-band transition. The analysis at lower tempertaures allows to observe the evolution of these bands. The high energy band becomes the most intense and shifts to higher energies reaching a energy of 2.54 eV, very close to the energy band-gap at 10 K. The low energy band becomes a broader band centered around 1.9 eV. The analysis of the PL intensity as a function of temperature, in an Arrehnius plot allows to apply a theoretical model for the quenching of the PL-intensity. With this model it is possible to calculate the activation energy for the respective recombination centers.

3-128/0

Energía de banda prohibida en películas delgadas de Zn1-xCdxTe con exceso de Zn crecidas por erosión catódica de radio frecuencia

Becerril Silva, Marcelino; Zelaya Angel, Orlando

Dpto. de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Películas semiconductoras de Zn1-xCdxTe fueron crecidas por la técnica de co-erosión catódica de radio frecuencia sobre substratos de vidrio Corning 7059 a temperatura ambiente a partir de un blanco de ZnTe-Cd. Pequeñas laminillas de Cd fueron colocadas sobre la superficie del blanco cubriendo un área del 0% - 4%. Las propiedades ópticas y estructurales de las películas fueron analizadas en función de la concentración de Cd (x). El patrón de difracción de rayos-x nos indica preferentemente la fase cúbica del ZnTe. Cuando el cadmio es incorporado dentro de la red del ZnTe, la brecha de energía (Eg) decrece desde 2.2748 eV (x = 0) hasta 2.2226 eV (x = 0.081). A partir de los datos obtenidos se encuentra una relación lineal Eg vs (x) en el intervalo de x estudiado, el cual predice un parámetro de curvatura b en la relación Eg (x) = Ego + ax + bx2 , que coincide con el valor de b calculado para el mismo estudio en las películas de Zn1-xCdxTe. Este resultado es interesante dado el gran número de valores reportados para b y a de Eg (x) para este material ternario.

3-131/0

Caracterización de películas epitaxiales de GaAs crecidas por MOCVD Peña Sierra, Ramón; Galván Arellano, Miguel; Romero, Gabriel; Manrique Moreno,

Silvestre


Para la fabricación de dispositivos empleando películas epitaxiales de GaAs y AlGaAs se requiere de sus mejores características eléctricas y ópticas. En trabajos recientes se ha mostrado que la presencia de hidrógeno en películas epitaxiales crecidas por Epitaxia en fase vapor con organometálicos (MOCVD) esta estrechamente ligada al carbono, complejos C-H. También se ha mostrado que la presencia de estas impurezas tienen efectos diversos en las películas, además de determinar el comportamiento de las heteroestructuras. Estos complejos que se forman a partir de impurezas residuales son incorporados en las películas epitaxiales en el proceso de crecimiento siendo estos inherentes al proceso mismo. En este trabajo se presentan los resultados del análisis de los resultados de FTIR, efecto Hall en las películas de GaAs y AlGaAs crecidas en un reactor MOCVD. Las películas presentan un alto grado de compensación en el cual se puede señalara una influencia notable por la presencia de complejos carbono-hidrógeno, además de otras impurezas residuales como el silicio. Las muestras de GaAs y AlGaAs son crecidas en un reactor MOCVD a presión atmosférica. Para dicho proceso se emplean dos fuentes como precursor de galio, el trimetilgalio (TMGa), y el



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trietilgalio (TEGa), y una fuente alternativa de arsénico metálico como precursor de arsénico. El hidrógeno en las películas de GaAs puede pasivar y la vez alterar el grado de compensación en las películas. En el trabajo se hace énfasis en la identificación del complejo hidrógeno-carbono. En la literatura se reporta la presencia de complejos con mas de un carbono, estos complejos producen efectos nocivos en la respuestas de los dispositivos fabricados con GaAs y AlGaAs. Palabras clave: Películas epitaxiales, semiconductores III-V, FTIR y Efecto Hall.

3-277/0

Características de estructuras metal-semiconductor-metal para aplicaciones en microbolómetros

Delgadillo, N.; Kosarev, Andrey; Zuniga, Carlos


Actualmente la tecnología esta sujeta a muchas investigaciones en los dispositivos metal-semiconductor, una de ellas y de gran interés existe en aplicaciones de detección infrarroja (IR). Estos dispositivos dependen seriamente del metal que se utiliza y la película semiconductora para lograr excelentes resultados en su responsividad. El objetivo de este trabajo es estudiar las características corriente-voltaje de diferentes estructuras Metal-Semiconductor-Metal sobre sustrato y sobre micro-puente. Los metales que se utilizan son Titanio, Aluminio y Níquel y la película semiconductora es Silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) preparada por PECVD a baja frecuencia. Las películas fueron obtenidas partir de silano (SiH4) 25 Sccm., diluido con hidrogeno (H2) 250 Sccm., las condiciones del deposito fueron; temperatura del sustrato 350 ºC, presión de la cámara: 1.41 Torr., frecuencia de 110 KHz, potencia de RF de 300 W, con un tiempo de 140 minutos para obtener un grosor de .5 µm. Estas películas fueron depositada posteriormente de haber evaporado el metal sobre vidrio corning 1737 (sustrato). El micro-puente fue fabricado al depositar una capa de sacrificio de 2 µm de grosor sobre el sustrato (oblea de silicio), posteriormente se deposita una capa de nitruro de silicio con un grosor de 1 µm por el sistema PECVD, y finalmente se elimina la capa de sacrificio. Las estructuras micro-puente tienen una dimensión de 225 µm X 120 µm. y 120 µm X 120 µm. Sobre esta estructura se fabrica la estructura metal-semiconductor-metal. La caracterización eléctrica (Resistividad, conductividad y calculo de la altura de la barrera en la unión) fueron realizadas mediante mediciones de I-V. Además se realizaron mediciones de I-V a diferentes temperaturas para determinar el comportamiento de las uniones metal-semiconductor-metal como detector térmico obteniendo cambios importantes de corriente al incrementar la temperatura en las uniones especialmente en las muestras de Titanio-silicio amorfo hidrogenado-Titanio. Agradacimiento. Este trabajo fué parcialmentem financiado por CONACyT, con el proyecto # 42367.

3-293/0

Obtención de la densidad de portadores y su movilidad en las aleaciones InGaAsSb y AlGaSb obtenidas por LPE.

Rosendo, Enrique1; Romano, Román1; Díaz, Tomás1; Juárez, Héctor1; Martínez, Javier1; Navarro, Hugo2

1Centro de Ingeniería y Desarrollo Industrial 2IICO-UASLP

Se obtiene la densidad de portadores y su movilidad en aleaciones AlGaSb y GaInAsSb, mediante el método propuesto por Berreman; el cual, permite simular los espectros de



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reflectividad en el lejano infrarrojo. Las aleaciones ternarias de GaAlSb, fueron crecidas en el rango de temperaturas de 250 a 450 °C. Los espectros presentan tanto los modos vibracionales TO y LO del GaSb como el TO del AlSb que confirman la presencia de un material ternario. En el caso de la aleación cuaternaria, los modos vibracionales se manifiestan en la región de 180 a 250 cm-1 y corresponden a las combinaciones binarias de los cuatro elementos presentes.

3-294/0

Estudio de los Mecanismos de Transporte en Películas de SIO2 Obtenidos por APCVD

Juárez, Héctor; Díaz, Tomás; Rosendo, Enrique; Martínez, Javier; Cuamatzi, Marcelo; Pacio, Mauricio; García, Alejandro; Morales, Crisoforo; Pacheco, Carlos; Serrano,

Laura


Se presenta el estudio de los mecanismos de transporte en películas de SiO2 obtenidas por APCVD, usando como precursor TEOS y O3 como agente oxidante. Se obtuvieron las curvas capacitancia-voltaje (C-V) de alta frecuencia y las curvas corriente-voltaje (I-V), usando estructuras MOS. Se muestra que dependiendo de las condiciones de depósito de las películas de SiO2, estas pueden presentar corriente a través de ellas. Para temperaturas de depósito menores de 150°C y razones de concentración de TEOS/O3 dentro del reactor menores de 0.1 mol/s, las curvas C-V de alta frecuencia no retornan al equilibrio, lo cual significa que puede existir corriente a través de las películas de SiO2. Un análisis sobre las curvas I-V muestra que los mecanismos de corriente son: emisión Schottky y emisión Poole-Frenkel, por lo que es posible obtener el potencial superficial y la constante dieléctrica. Finalmente, se presenta una aplicación de este fenómeno.

3-180/0

Estudio morfológico de películas delgadas de CdSe depositadas sobre películas de CdCO3 mediante la técnica de Depósito por Baño Químico Lima Lima, Hilda1; Portillo Moreno, Oscar1; Contreras Rascón, J.I.2; Lozada Morales,

Rosendo2; Palomino Merino, Rodolfo2; Zelaya Angel, Orlando3 1Facultad de Ingeniería Química, BUAP 2Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP


Utilizando la técnica de Depósito por Baño Químico se obtienen cuatro películas delgadas de CdSe crecidas sobre películas de CdCO3 depositadas sobre sustratos de vidrio portaobjetos con espesor aproximado de 1200Å. Para obtener el CdCO3 se prepararon las soluciones siguientes: CdCl2 0.02 M, KOH 0.5 M, NH4 NO3 1.5. La reacción para la obtención de este material aislante se mantuvo durante 120 horas con agitación constante y a pH de 8.2. Para el CdSe depositado en la película de CdCO3 se prepararon soluciones de CdCl2 0.01M, KOH 0.1M, NH4NO3 0.5 M, y SeC(NH2 )2 0.02M. Todas las soluciones tanto para CdCO3 como para el CdSe se prepararon con reactivos grado analítico y agua desionizada, además; la última se preparó en condiciones especiales de atmósfera con el objeto de evitar la descomposición de la selenourea. Reportamos en trabajos previos las condiciones de síntesis para el CdSe crecido en entre 0°C y 65°C. Además reportamos mediante difracción de Rayos X que el CdCO3 obtenido en nuestras condiciones de trabajo presenta estructura rombohédrica y mediante Microscopía Electrónica



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de Barrido que son cristales de forma cúbica con arista de 10µ. Para este trabajo se sintetiza el CdSe depositado sobre películas de CdCO3 . Se crecieron cuatro películas de CdSe a 0°C, en función de los tiempos de depósito (1, 3, 5 y 8 horas) manteniendo constantes los parámetros que reportamos. El análisis morfológico, muestra que los cristales en forma cúbica del CdCO3 son degradados conforme se incrementa el tiempo de depósito hasta que el CdSe cubre la película del CdCO3 . Por Difracción de Rayos X observamos que el CdSe presenta estructura hexagonal y el tamaño promedio del cristal es de 50 Å.

3-194/0

Caracterización Óptica De Películas De Pbs. Rivera Ruedas, María G.; García García,Alejandra; Borrego Navejas, Laura; Ruiz

Serrano, Diana; Ramírez Bon, Rafael


Las películas delgadas de PbS fueron depositadas en sustratos de vidrio atacados utilizando la técnica de deposición en baño químico con diferentes tiempos de crecimiento. Las películas se obtuvieron a temperatura ambiente (21° C), se utilizó un método de activación de superficies (SnCl2) para favorecer el proceso de nucleación, los sustratos fueron atacados con HNO3 en diferentes concentraciones para modificar la rugosidad en éstos, una vez depositada la película se hicieron comparaciones en el tamaño de grano, espesor y rugosidad de la película. En el presente reporte se estudian las propiedades ópticas de la película depositada a través de las técnicas de espectroscopia elipsométrica, transmitancia y reflectancia así como morfología superficial por Microscopía de Fuerza Atómica (espesor, tamaño de grano y rugosidad de la película).

3-202/0

Preparación del CdSe impurificiado con Er3+ crecido mediante la Técnica de Depósito por Baño Químico

Portillo Moreno, Oscar1; Lima Lima, Hilda1; Hernández Hernández,M.2; Zelaya Angel, Orlando2; Lozada Morales,Rosendo1; Palomino Merino, Rodolfo1


Ocho películas de CdSe impurificadas con diferentes volúmenes de la solución que contiene Erbio (Er3+), utilizando la técnica de Depósito por Baño Químico (DBQ) crecidas a 65°C sobre sustratos de vidrio portaobjetos son investigadas. Las soluciones utilizadas en este trabajo fueron: CdCl2 0.01M, KOH 0.1M, NH4NO3 0.5 M, SeC(NH2)2 0.03 M, Er(NO3). 5H2O 0.022 M. Los espectros de Rayos X muestran la estructura cristalina modificada de fase Zincblenda a mezcla de fases Zincblenda/Wurtzita, se observa la fase Zincblenda en mayor proporción, como resultados de la impurificación. Los espectros de absorción óptica muestran comportamiento oscilatorio en los valores de ancho de banda prohibida (Eg) con tendencia hacia baja energía. La muestra no impurificada presenta estructura Zincblenda, etiquetada como CdSe (AG), es utilizada como referencia. Para la película impurificada con 2 ml de Er3+, el ancho de banda prohibida (Eg) es 1.80 eV, hasta el valor mínimo de 1.73 eV para la película impurificada con 30 ml; el corrimiento energético es de 0.07 eV. El impurificante Er3+, es agregado en la etapa de nucleación, los iones así implantados en la red cristalina ocupan las vacancias de Se2- del CdSe para volúmenes bajos de impurificante y los intersticios son ocupados para volúmenes mayores de 2 ml hasta alcanzar la saturación.



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3-361/0

Crack-free GaN thick films on silicon (111) Contreras, Oscar1; Ponce, Fernando2; Dadgar, Armin3; Krost, Alois3

1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM 2Department of Physics and Astronomy, Arizona State University

3Institut für Experimentelle Physik, Otto-von Guericke Universität Magdeburg, Germanyde

Due to the lack of substrates for homoepitaxia, metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) of GaN is currently performed on sapphire and SiC. These substrates have some severe disadvantages as insulating behavior (sapphire) requiring more elaborate device processing for light emitters or a very high price (SiC). Also, both substrates have a high lattice and thermal mismatch to GaN. An alternative substrate is silicon which offers high electrical and thermal conductivity as well as large diameters at low price (~1/10 of sapphire, <1/100 of SiC). Additionally, it is enabling integration on Si electronics on the same chip. However, it also has the same disadvantages as sapphire and SiC and shows a high lattice and thermal mismatch to GaN, the later leading to cracks for layer thicknesses exceeding ~1 µm [1]. This article presents solutions for crack elimination and improving layer quality in thick GaN layers in order to elaborate high-quality GaN-based devices with light output intensities already suited for low power signaling applications. This work was partially supported by CONACYT 40612-F, DGAPA IN112003.

3-207/0

Influencia del buffer en las propiedades de películas de CdS elaboradas por baño químico

Ochoa Landín, Ramón; Ramírez Bon, Rafael; Ortuño López, Mónica Balvanera Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Una celda solar (CS) es un dispositivo que representa una alternativa de gran potencial en la generación de energía limpia y de fuente inagotable ya que es capaz de convertir la radiación luminosa del sol en energía eléctrica. Las CS de películas delgadas del tipo CdTe/CdS se componen de las siguientes partes: Un contacto transparente (ITO), una capa ventana (CdS), una capa absorbente (CdTe) y un electrodo metálico (Cu/grafito). La capa ventana de CdS puede sintetizarse por diversos métodos, como la evaporación o Depósito en Baño Químico (DBQ). Esta capa es el semiconductor tipo n de la unión p-n de la CS, y su espesor varía entre 50 y 100nm. En este trabajo se hicieron películas de Sulfuro de Cadmio (CdS) por el método de DBQ. En este trabajo, se describe el método usado para la obtención de películas delgadas de CdS. Además se muestran los espectros de transmisión de las películas de CdS, y, se observa que la transmisión se encuentra entre 70 y 90% dependiendo del grosor de la película, también se muestran las graficas que nos muestran como varía el grosor de la película con el tiempo de deposición. Estos datos se comparan con los resultados obtenidos de las películas de CdS que se prepararon sin buffer y no hay cambios significativos. El valor del Ancho de Banda de Energías Prohibidas (Eg) de las muestras, fue determinado a través de sus espectros de transmisión para el cual se aplico el modelo de las Transiciones Directas entre Bandas de Energía. Las propiedades estructurales de las muestras se estudiaron mediante la Técnica de Difracción de Rayos X, los cuales nos dice que las películas son policristalinas. Usando la fórmula de Debye-Scherrer se encuentran los valores de tamaño de grano y constante de red C de las películas.



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3-216/0

Estudio del crecimiento de InN sobre sustratosde Si por epitaxia de haces moleculares

Viveros Méndez, Perla X.; Orlando Pulzara, Álvaro; López López, Máximo


En este trabajo se crecieron películas de InN sobre sustratos de Si(001) usando la técnica de epitaxia por haces moleculares (MBE). El crecimiento por MBE se llevó a cabo a 500°C utilizando una celda tipo Knudsen para la evaporación de In. Átomos de nitrógeno se obtuvieron mediante un plasma producido en una celda por radio frecuencia. El flujo de nitrógeno se mantuvo a 2 sccm con una potencia de plasma de 300 W. Se estudiaron las propiedades estructurales de las películas en función de: tipo de preparación los sustratos de Si previo al crecimiento, tiempo de nitridación y temperatura de la celda de In. Encontramos que las películas de InN crecen con estructura hexagonal en la dirección (0001). Las películas con las mejores características estructurales las obtuvimos con: un tratamiento en una solución de HF previo al crecimiento, un tiempo de nitridación de 5 min a 900 °C y una temperatura de la celda de In de 900°C.

3-261/0

Photoreflectance study of surface Fermi Level in GaAs and GaAlAs layers grown by MOCVD

Ramírez Cruz, María Alicia; Díaz Reyes, Joel; Peña Sierra, Ramón; Galván Arellano, Miguel; Leal Zandejas, Blanca; Vázquez López, Carlos

CICATA-IPN-Legaria

Photoreflectance(PR) measurements were done on GaAs and GaAlAs epitaxial layers grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD).The gallium and aluminium precursors were trymethyl gallium(TMGa) and trymethyl gallium(TEGa) respectively. The arsenic was supplied from a solid arsenic source. The growth temperature for the AlGaAs epilayers was higher than 750°C in order to reduce the high resistivity detected at low temperatures. GaAs and GaAlAs In order to interpret from experimental observed results Franz- Keldysh oscillations around of gap-band of the GaAs provide directy measured at the surface of electric fields, determination model Aspnes theory. In GaAs the material compensated. Other results show the Fermi level GaAlAs in this paper help develop a characterization to semiconductors the Franz- Keldysh oscillations in GaAlAs.

3-264/0

Oxidación de Películas de Nitruro de Silicio en Ambiente de Óxido Nitroso

Carrillo L., Jesús Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, BUAP

En la actualidad las películas de nitruro de silicio son ampliamente utilizadas en la industria microelectrónica y dispositivos optoelectrónicos debido a sus excelentes propiedades como aislante, así como a sus propiedades ópticas. Estas películas dieléctricas, amorfas en estructura, encuentran diversas aplicaciones como capas protectoras en la difusión de contaminantes, lo cual reduce efectos de inestabilidad. Además, siendo compuestos de silicio, permiten la integración de dispositivos ópticos y microelectrónicos, resultando en estructuras



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optoelectrónicas más plausibles. Particularmente, el uso de películas de nitruro de silicio en dispositivos basados en estructuras metal/aislante/semiconductor (MIS), es de considerable interés debido a su uso potencial en circuitos integrados con muy alta escala de integración. Es conocido que el uso del nitruro del silicio, en combinación con películas térmicas de dióxido de silicio, incrementa notablemente el rendimiento de la compuerta en transistores para circuitos integrados. Además, la estructura dieléctrica óxido/nitruro de silicio/óxido se puede considerar de alto valor potencial en capacitores de almacenamiento, en sustratos de silicio con estructuras verticales, en la tecnología de memorias dinámicas de acceso aleatorio. En estas estructuras, la capa de óxido superior se puede formar por la oxidación de la película de nitruro de silicio. Desde hace algunos pocos años, el óxido nitroso (N2O) ha sido empleado como un excelente agente oxidante para la fabricación del óxido de silicio y también en películas de nitruro de silicio. Tomando en cuenta el interés tecnológico que guardan los procesos que emplean N2O y, particularmente el potencial uso del N2O en la oxidación del nitruro de silicio, en este trabajo se investiga el efecto sobre las propiedades de películas de nitruro de silicio obtenidas por depósito en fase vapor acrecentado por plasma (PECVD), al ser éstas oxidadas en un ambiente de óxido nitroso. Se presentan resultados sobre la incorporación del oxígeno en las películas oxidadas, así como la variación de la densidad de carga en el volumen y la densidad de estados superficiales de interfaz, en función de los parámetros de depósito de las películas de nitruro de silicio. Estos resultados se comparan con aquellos obtenidos en muestras sin oxidar.

3-296/0

Estudio de los enlaces químicos de películas de SiO2 obtenidas por depósito químico en fase de vapor

Díaz, T.1; Juárez, Héctor2; Rosendo, Enrique2; Martínez, Javier2; Cuamatzi, Marcelo2; Pacio, Mauricio2; García, Alejandro2; Morales, Crisoforo2; Pacheco, Carlos2; Serrano,

Laura2 1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla 2Centro de Ingeniería y Desarrollo Industrial

En este trabajo se presenta el estudio de los enlaces químicos en películas de SiO2 obtenidas por CVD. Las películas se obtuvieron a temperaturas entre 125 y 275°C y tiempos de depósito entre 3 y 15 min., para obtener espesores de 6 a 150 nm. Los valores de las concentraciones de tetraetoxisilano (TEOS) y ozono (O3) dentro de la cámara de reacción fueron de 3.89x10-5 a 6.79x10-5 y 5.1x10-4 a 9.56x10-4 respectivamente. La presión dentro de la cámara de reacción fue de 700Torr. Se encontró que la razón de depósito se incrementa con el incremento de la temperatura de depósito hasta un valor máximo, para posteriormente decrecer. Este máximo de la razón de crecimiento, además de depender de la temperatura de depósito, también de pende de la concentración de TEOS y O3 dentro del reactor. Se obtuvieron los espectros de absorbancia de las películas depositadas de SiO2 usando espectroscopía infrarroja. Estos espectros muestran la existencia de grupos orgánicos e inorgánicos dentro de la película de SiO2. Se muestra que con el incremento de la temperatura de depósito, es posible reducir los grupos residuales. Finalmente se presentan las condiciones con las cuales las películas de SiO2 depositadas por CVD tienen características similares a las que se obtienen por oxidación térmica.



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3-298/0

Development of a fabrication process of thin film uncooled Infrared Imaging Arrays

Moreno, M.; Torres Jácome, Alfonso; Kosarev, Andrey; García Cruz, María de la Luz; Ambrosio, Roberto


The Microelectronics Laboratory at INAOE is developing thin film un-cooled micro-bolometers based on a-SiGe films deposited by LF-PECVD. These devices are fabricated using surface micro-machining techniques. The discrete fabricated devices have shown improved performance when compared with similar devices fabricated using only a-Si:H as the active layer. In this work we are presenting the application of the surface micromachining technique developed at INAOE in order to obtain 2-D arrays of bolometers for the fabrication of IR image detectors. We have designed two different arrays. The first is a 32 elements linear array with 98 x 90 µ2 unit cell area. Two types of bridge supported detectors (cells) are available in the design, a) planar structure, with two stripe metal contacts deposited on the sensing layer, and b) sandwich structure, in which the sensing layer is placed between two metal layers that at the same time are electrical contacts. The second is a 72 elements (9 x 8) 2D array, with 78 x 115 µ2 unit cell area. This design includes two level metal interconnections in order to increase the fill factor and hence, increase the resolution. In the same mask design, Van der Pauw and cross-bridge structures are included. With the fabrication of the structures included in the designed test chip, we will be able observe the change in the sample’s resistivity as a consequence of the post-annealing treatments that our surface micromachining process uses. A unique structure is also included, in order to compare the difference in performance characteristics between both, thin a-SiGe layers deposited in a dielectric over a flat surface and those deposited on the bridge thermal isolating structure. A preliminary design of the read-out circuit to be integrated later to the 2D array of bolometers is also presented. Finally, some insights on the development of the fabrication process of a 2 level focal plane arrays based on our devices is presented.

3-304/0

Transparent conducting oxides based on ZnO by reactive sputtering Becerril Silva, Marcelino1; Meléndez Lira, Miguel Angel1; Santana Aranda, Miguel

Angel1; Jiménez Sandoval, Sergio2 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN


Transparent conducting oxides have a broad variety of applications in the electric and optoelectronic industries. Applications like conducting window material for solar cells as well as active layers of LEDs and laser diodes emitting in the UV. We have employed reactive sputtering to deposit Al:ZnO thin films on glass substrates. The target was formed with zinc and aluminum circular plates; we controlled the aluminum content changing the ratio of Al/Zn areas. Surface morphology was observed by atomic force microscopy and aluminum content was determined by EDS x-ray microanalysis. X ray diffraction and Raman spectroscopy measurements were performed to monitor the crystalline structure of the films. The energy of the absorption edge was measured by optical transmission measurements. The changes observed in the absorption edge are related with the changes in the aluminum content of the films. Resistivity of the films was determined by electrical measurements, these results are also well correlated with the aluminum content.



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3-307/0

Films deposited by plasma for micro- and nano-electronics Kosarev, Andrey; Torres Jácome, Alfonso; Calleja Arriaga, Wilfrido


Plasma processing which includes plasma deposition, plasma etching, pretreatment of substrate or previous film, and post-treatment of deposited films occupies significant part of processes used in modern electronics e.g. more than 60% of operations are related to plasma in integral circuit fabrication. Such important sectors of electronics as displays, solar cells, and sensors are based on plasma deposited materials. In this presentation we shall try to answer the question: what physics is under so widely employment of plasma?, and give an overview of the investigations at the microelectronics laboratory in INAOE. As the first example we shall consider deposition and properties of Si1-x-Gex films in entire range of Ge concentration. We shall discuss an effect of deposition conditions on structure and electronic properties of the films and general problems of formation “perfect” alloys, e.g. Si-Ge, Si-C etc. Application of these films and other plasma deposited films in un-cooled micro-bolometers fabricated by micromachining technique will be also discussed. As the second example we shall discuss deposition and properties of carbon films. These films are of much promise for low dielectric permittivity (K) inter-connect isolator for sub-micron electronics. The main requirements for such films are low K, high resistivity ρ, and high breakdown field Ea. Plasma deposited low K carbon films meet these requirement providing: K=2.1-2.3, ρ=10 10-10 10 Ohm.cm, and Eb->106 V/cm. Finally prospects of development of plasma deposition and employment this technology in nano-electronics will be considered. Acknowledgement: This work is supported by CONACyT project # 42367.

3-311/0

Caracterización por espectroscoppía Raman de la aleación cuaternaria InxGa1-xAsySb1-y altamente impurificado con Te crecido sobre (100)

GaSb y obtenida por epitaxia en fase líquida. Corona Organiche, Edgar1; Díaz Reyes, Joel1; Herrera Pérez, J. L.1; Apam Martínez,

J.C.2,3; López Cruz, Elías4; Mendoza Álvarez, Gregorio Julio5 1CICATA-Legaria-IPN

2División de Ing. Sistemas Computacionales, TESE 3ESIA-IPN

4Instituto de Física, BUAP 5Depto. de Física, CINVESTAV

La aleación cuaternario InxGa1-xAsySb1-y altamente impurificada con Te fue crecido sobre sustratos de GaSb en la dirección (100) por epitaxia en fase líquida (LPE). La impurificación se lleva acabo mediante la incorporación de Te al adicionar en la solución de crecimiento Sb2Te3 en el rango de 6.48x10-6 a 4.31x10-4 de fracción molar Las muestras obtenidas fueron estudiadas usando dispersión Raman en la región de 100 a 1150 cm-1. Los espectros Raman muestran dos picos principales situados alrededor de 150 y 300 cm-1, los cuales fueron deconvolucionados por cuatro gaussianas con la finalidad de verificar a que corresponden los picos resultantes se emplea el modelo REI (por sus siglas en inglés, random-element isodisplacement model), para y . La comparación de los resultados experimentales con los obtenidos por el modelo REI permiten confirmar que las bandas corresponden a los modos LO y TO de los compuestos binarios GaAs y GaSb + InAs.



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3-336/0

Structural, electrical and optical characterization of heavily carbon-doped GaAs with a hole concentration 1020 cm-3grown by MOCVD

Díaz Reyes, Joel1; Peña Sierra, Ramón2; Manrique Moreno, Silvestre2; Galván Arellano, Miguel2

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN 2Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

The metalorganic vapor phase epitaxial growth of GaAs has been investigated using trimethylgallium (TMGa) and triethylgallium (TEGa) and elemental arsenic (As) in hydrogen under atmospheric and reduced pressures. The growth temperature is obtained by a system of 4 halogen lights of 500 Watts and a temperature controller type PID. As transporting gas utilized hydrogen purified in situ by diffusion through of a Palladium-Silver (Ag-Pd). The substrates were (100)GaAs semi-insulating doped with Chromium, or of conductivity n-type doped with silicon. The precursors of gallium and aluminum were trimetilgallium (TMGa), respectively, for the arsenic used metallic arsenic of 7N. The important process parameters include the substrate temperature, the composition and flow rate of the reaction mixture. Device quality GaAs films have been grown at substrate temperature at broad range from 450ºC and higher. The GaAs films deposited below to 500ºC are n-type and those deposited about 500ºC are semi-insulating, becoming p-type by 540ºC. We reported the successful growth of GaAs layers with good morphology background doping in the 1015cm-3 range mobility 10000 cm2/Vs at 77 K, by diffusion arsenic from a heated reservoir to the substrate. The 10 K photoluminescence response of the samples is strongly dependent on the growth temperature and showed two radiative transitions, band-to-band and band to carbon acceptor. Photoreflectance spectra present transitions main associated to GaAs. In addition, short period oscillations near the GaAs band-gap energy are observed, interpreted as Franz-Keldysh oscillations associated to the hole-ionized acceptor (h-A-) pair modulations. For investigating the chemical bonds of impurity-related species in the GaAs layers, optical absorption was measured using a FT-IR from 350 to 4000 cm-1 at room temperature on several GaAs layers.

3-337/0

Low-temperature photoluminescence of undoped and lightly tellurium doped In0.14Ga0.86As0.13Sb0.87 layers grown by liquid phase

epitaxy Díaz Reyes, Joel1; Gómez Herrera, María Lucero1; Herrera Pérez, José Luis1; Mendoza

Álvarez, Gregorio Julio2 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN


The results of a low temperature photoluminescence study of undoped and lightly GaSb-based alloys are being developed as the suitable material for the fabrication of optoelectronic devices in the medium infrared range on the optical spectrum. In particular, lattice-matched quaternary alloys of the compound InGaAsSb grown on GaSb single crystal substrates can reach band-gap energies in the range between 2 and 4 µm, which is of great interest since extremely low-loss fluoride glass fibers with minimum losses in this wavelength range have been developed. Using the liquid phase epitaxy (LPE) technique we have grown undoped and lightly Te-doped InGaAsSb epilayers on (100) GaSb substrates adjusting the As-composition in the growth melt to obtain lattice-matched conditions, fundamental for their application in optoelectronic devices. Electron dispersive spectroscopy measurements were made in a



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scanning electron microscope to obtain the layer chemical stoichiometry, having obtained layers of the type: In0.14 Ga0.86As0.13Sb0.87. The crystalline quality of these InGaAsSb layers has been characterized by low temperature photoluminescence (PL). PL measurements were carried out by exciting the sample with the 488-nm line of an Ar-ion laser and varying the exciting power in the range between 40 and 200 mW. PL. In order to lightly Te- dope these quaternary layers, n-type; it added little quantities of GaSb wafer highly doped with tellurium to the growth melt, from 0 to 100 mg. For the undoped sample, p-type conductivity, the PL spectrum showed three narrow exciton-related peaks centered at around 648.6, 645.07 and 640 meV labeled as BE1, BE2 and BE3, with full width at half maximum (FWHM) of about 7, 4 and 9 meV which is an evidence of the good crystalline quality of the epilayers and another little peaks at 626, 608.4 and 595.1 meV labeled UI, A and B associated to band-to-acceptor. For a tiny Te-doping (25 mg of GaSb:Te), n-type conductivity, the PL spectra showed a red shift and is more notable for high laser power. These present three main excitonic transitions centered at 650.5, 642.7 and 638.5 meV, named by BE1, BE3 and BE4, and whose FWHM are 20.5, 11.9 and 7.1 meV, and also a little peak at 634.8 meV associated to UI. As is increased the Te-doping in the quaternary alloys their PL spectra start to have as dominant the radiative transition donor-to-acceptor associate an A-acceptor, although also is present the band-to-band transition.

3-338/0

Growth and characterization of AlxGa1-xAs layers obtained by MOCVD using metallic arsenic as precursor

Díaz Reyes, Joel1; Manrique Moreno, Silvestre2; Peña Sierra, Ramón2; Vázquez López, Carlos2; Galván Arellano, Miguel1; Ramírez Cruz, María Alicia1

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

The most serious difficulty on the growing of AlxGa1-xAs epilayers by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) is the incorporation of the carbon and oxygen as residual impurities. These elements in minute concentrations produce strong deleterious effects on the optical and electrical characteristics of the AlxGa1-xAs epilayers. Therefore, it is very important to identify the possible sources of the impurities and to control their incorporation in the epilayers during the growth process. In this work we report results on the growth and characterization of AlxGa1-xAs epitaxial layers. The layers were grown in a metallic-arsenic-based-MOCVD system. The gallium and aluminum precursors were trimethyl gallium (TMGa) and trimethylaluminum (TMAl), respectively. The arsenic was introduced by diffusion on the growth zone using a metallic arsenic source. The layers were characterized using Hall Effect, photoluminescence (PL) to 10 K, photoreflectance (PR) to 300 K, secondary ions mass spectroscopy (SIMS) and by infrared spectroscopy at room temperature. The AlxGa1-xAs epilayers resulted n-type with an electron concentration of 1x107 cm-3 and a corresponding carrier mobility of about 2200 cm2/V*s. The studies of the chemical composition by SIMS exhibit the presence of silicon, carbon and oxygen as the main impurities. The silicon concentration of around 1x1017 cm-3, is very close to the carrier concentration determined by the van der Pauw measurements. The 10 K photoluminescence response of the samples is strongly dependent on the growth temperature. Growth temperatures higher than 750 °C were necessary for detecting a reasonable photoluminescence signal. The residual oxygen detected on the samples could be responsible of the weak photoluminescence signal. Photoreflectance spectra present two transitions main associated to GaAs and AlxGa1-xAs. In addition, short period oscillations near the GaAs band-gap energy are observed, interpreted as Franz-Keldysh



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oscillations associated to the hole-ionized acceptor (h-A-) pair modulations. Using the band-gap obtained by PR we calculated the molar fraction of aluminum, giving x = 0.221 of molar fraction.

3-341/0

Simulación de transistores de bajo y alto voltaje en tecnología CMOS de ±2.5V

Del Valle Padilla, José Luis; Zamir Abud; García León, Juan Manuel; Sandoval Ibarra, Federico


Desde hace varias décadas, ha existido el interés en usar tecnologías MOSFET de potencia para su uso en aplicaciones de alto voltaje, tales como controladores para transductores ultrasónicos, controladores de pantallas, circuitos de telecomunicaciones, microsistemas (MEMS), electrónica automotriz, control de motores de corriente directa (DC), instrumentación médica, entre otras. Tecnológicamente existen dos propuestas para desarrollar circuitos integrados de alto voltaje, una consiste en usar tecnología CMOS con dispositivos HVDMOS, el inconveniente es costo adicional de emplear una o dos etapas extra de enmascaramiento e implantación de iones, con esta propuesta se optimiza la eficiencia de área en el chip pero con un significante incremento en costo del circuito. La segunda propuesta llamada SVX (Smart Voltage eXtension), consiste en crear dispositivos de alto voltaje en tecnología CMOS estándar de bajo voltaje sin cambios o adiciones en el proceso, esta propuesta es la que se detallara en este trabajo. Para las simulaciones de este trabajo se utilizó la herramienta ISE T-CAD que es muy poderosa y permite la simulación de procesos para el desarrollo de dispositivos incluso la simulación de un sistema completo para su empaquetado. La descripción de este trabajo se dividirá en cuatro partes: en la primera se hablará de ISE; la siguiente parte trata sobre el transistor NMOS de bajo voltaje, el cuál se simuló con DIOS; la tercera sección sobre el transistor de alto voltaje simulado con MDRAW y, en la cuarta sección se hace una breve comparación de los resultados obtenidos con el simulador. Para las diferentes gráficas se utilizaron DESIS y TECPLOT. Durante la presentación se presentarán las curvas de desempeño finales donde se describen las características corriente– voltaje tanto para drenador como para compuerta. Lo anterior aplicado a transistores de bajo y alto voltaje. De los resultados se puede observar cómo la pendiente de la gráfica de la corriente de drenador vs. voltaje de compuerta es menor para el HVNMOS y por esta razón el voltaje de umbral resulta mayor. En la comparación de las características del drenador se observa también que las pendientes de las gráficas para el HVNMOS son menores, pero sus corrientes de saturación son mayores, por esta razón las resistencias de encendido son mayores para el HVNMOS y las transconductancias, en consecuencias, son menores.

3-342/0

Estructuras de proteccion contra ESD Del Valle Padilla, José Luis; Benitez Sosa, Jorge; Dávalos Santana, Miguel Angel;

Sandoval Ibarra, Federico


Se describen estructuras de protección contra ESD (del inglés Electro Static Discharge), así como su análisis funcional usando los parámetros tecnológicos de un proceso de fabricación de CI 1.2µm, pozo N, dos niveles de polisilicio y dos metales. Se usa Ledit para desarrollar las estructuras de protección y, después, usando ISE se obtienen parámetros de interés. Entre



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éstos se determina la corriente de saturación (Is), el voltaje de ruptura (VBR) y la resistencia en serie (Rs) de los diodos propios de la estructura. Finalmente, usando un simulador de circuitos de propósitos generales, como T-spice, se simula a través de un circuito eléctrico equivalente el desempeño de las estructuras contra ESD. Teniendo nuestro diseño en ISE, se extrajeron los parámetros para hacer la simulación en SPICE. Se obtuvieron las graficas corriente contra voltaje, en ISE y SPICE, se compararon y el resultado es muy similar. Con esto podemos concluir que el dispositivo contra descargas electrostáticas está funcionando correctamente, ya que no importa que existan transitorios positivos o negativos, éste disminuye drásticamente la corriente y el voltaje en la carga, evitando de esta manera que se rompa el dieléctrico propio de la misma. Aunque es claro que también se puede controlar los transitorios de voltaje en el capacitor de carga aumentando la resistencia R1, pero esto trae consigo que la duración del transitorio de voltaje sea mayor. Por lo tanto, es decisión del diseñador incrementar o no esta resistencia, dependiendo de la aplicación para la cual va a ser utilizado.

Técnicas Fototérmicas (TFT)

12-135/0

Síntesis y caracterización mediante Espectroscopía de Lente Térmico, de monolitos de SiO2 con incorporación de Vanadio y Molibdeno, con

propiedades de memoria óptica. Martínez Flores, Jesús Omar; Yáñez Limón, José Martín


Los materiales de sílice pueden ser preparados a partir de la polimerización sol-gel de alcóxidos de silicio, por ejemplo tetraetilortosilicato (TEOS, Si(OC2H5)4). Un proceso de hidrólisis se presenta cuando el TEOS y el agua son mezclados en un solvente mutuo, generalmente etanol y utilizando un medio ácido. Un proceso posterior de policondensación, en el cual reaccionan productos intermedios del proceso (silanoles) dan inicio a la formación de la red tridimensional de sílice. En este trabajo se presenta el proceso de obtención de monolitos (xerogeles) de SiO2, por medio de la técnica Sol-Gel, con incorporación de metales de transición (V y Mo) introducidos a la solución TEOS-EtOH-H2O vía cloruros, caso del vanadio, y óxidos, para el caso del molibdeno. Los monolitos obtenidos presentan un interesante efecto de memoria óptica con la introducción de estos metales, el cual es estudiado por medio de Espectroscopía de Lente Térmico (TLS). Los monolitos finales son resultado de un tratamiento térmico prolongado, para asegurar la adecuada salida de los volátiles del sistema y evitar con esto fracturas en las piezas. El tratamiento térmico se realiza a temperaturas relativamente bajas (50 a 120ºC). La reducción en volumen es aproximadamente 75% y las muestras son transparentes, amorfas, estables a temperatura ambiente y presentan el efecto de memoria óptica. Este efecto es producido por medio de un láser de excitación de iones de Argón de alta potencia trabajando a 480 nm y monitoreado con un láser de Helio-Neón de baja potencia trabajando a 640 nm (región del rojo). Estos láseres son parte de la configuración de la Espectroscopía de Lente Térmico, cuyo principio fundamental es generar un cambio en el índice de refracción en la muestra por medio de la incidencia del láser de excitación. Este láser produce un calentamiento local, generando un gradiente de temperatura, lo cual a su vez produce cambios en el índice de refracción, por lo que el haz láser de prueba al pasar por la muestra sufre difracción. De esta manera, la muestra se comporta como una lente



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convergente o divergente, dependiendo de la naturaleza de la misma. La memoria óptica consiste en un cambio permanente en el índice de refracción en la muestra, lo cual da un contraste pronunciado en la transimisión. La caracterización de los monolitos incluye técnicas como Espectroscopías UV-Vis e Infrarrojo, Composición Química (EDS) y Espectroscopía de Lente Térmico, esta última para estudios de difusividad térmica e intensidad de memoria óptica.

12-153/0

Thermal Characterization of InGaAsSb/GaSb quaternary systems with Photoacoustic Technique

Rodríguez, P.; González de la Cruz, Gerardo; Mendoza Álvarez, Gregorio Julio; Sánchez Sinencio, Feliciano Depto. de Física, CINVESTAV

The measurement of thermophysical properties of thin films on substrates systems is of great importance because of the wide applications of thin films in the microelectronic and optical industry. The thermal diffusion in films on substrate system is mainly determined by three thermal parameters: thermal diffusivity (conductivity) of the thin film, thermal diffusivity (conductivity) of the substrate and thermal boundary resistance at the film/substrate interface. Among them the film diffusivity and the thermal boundary resistance depend largely on the sample preparation procedure and cannot be accurately known in advance. In some cases, even the substrate conductivity is an unknown parameter. To determine the thermal properties of the film on substrate sample, the three thermal parameters have to be determined separately or simultaneously. In this work, by fitting the phase behavior of the photoacoustic signal measured at different modulation frequencies with an appropriate thermal diffusion model, the film diffusivity and thermal conductivity and the resistance of a single film on substrate are simultaneously extracted.

12-286/0

Photothermal detection of water vapour permeability in protein and gum-based edible films

Tomás, S.A.1; Pedroza Islas, Ruth2; Cruz Orea, Alfredo1; Saavedra, Renato3; San Martín, Eduardo4

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Universidad Iberoamericana 3Universidad de Concepción

4Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN

The study of biopolymer-based films has become an important subject of research mainly due to their large variety of applications. Particularly, the capability of these films to regulate moisture, lipid migration, and gas transport, can be used to improve food quality and extend the shelf life of foodstuff. In addition, they play an important role in the covering of thermolabile compounds like vitamins, aroma, and flavors, providing an efficient method to preserve their characteristics during food processing. In the present work, the water vapour permeability in protein and gum-based edible films was studied by means of a photothermal method. The films were prepared with two basic ingredients, whey protein concentrate and mesquite gum, according to the proportions 75:25, 50:50, 25:75, and 0:100 (weight:weight). The water vapour diffusion coefficient of the analyzed films was found within the interval



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0.37x10-6 to 2.04x 10-6 cm2/s, increasing linearly by increasing the mesquite gum composition in the films. The incorporation of mesquite gum in films produces less effective moisture barriers due to its highly hydrophilic property.

12-279/0

Characterization of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films by Photoacoustic Spectroscopy

Tomás, S.A.1; Stolik Isakina, Suren1; Palomino Merino, Rodolfo2; Lozada Morales, Rosendo2; Persson,C3; Ahuja, Rajeev4; Pepe, Iuri5; Ferreira da Silva, Antonio5

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP

3Royal Institute of Technology 4Uppsala University

5Universidade Federal da Bahia

Rhodamine 6G-doped titania (TiO2) thin films were prepared by the sol-gel process and their optical characterization was performed by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the absorption spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film. A shift of these bands occurred as a function of Rhodamine 6G-doping concentration. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.

12-276/0

Photoacoustic Technique and Atomic Force Microscopy Applied to the Study of Recombination Parameters In CdTe Films

Cruz Orea, Alfredo1; González Trujillo, Miguel Ángel2; Albor Aguilera,Maria de Lourdes3; Castillo Alvarado, Fray de Landa3; Sánchez Sinencio, Feliciano1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Ciencias Básicas, IPN.

3Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

Abstract. In the present work we used photoacoustic (PA) technique and atomic force microscopy (AMF) to study the surface recombination velocity of CdTe/glass samples. CdTe polycrystalline films were deposited by gradient recrystallization and growth (GREG) technique. By varying the deposition times three different CdTe films thicknesses were obtained. Experimental PA signal as a function of modulation frequency, was used to obtain the sample thermal diffusivity and the surface recombination velocity by fitting this signal to the theoretical PA signal, which takes into account the heat sources resulting from the absorption light in semiconductors. A small increment in the thermal diffusivity is observed as the thickness of the CdTe layer increase. AFM studies, on similar samples, show that the mean values of the surface roughness increase as the film thickness increases. This result indicates that surface recombination velocity increases as the surface roughness increases.



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12-292/0

Thermal Diffusivity on Zn1-xMnxInSe4 Solid Compounds Morales, Juan Eduardo1; Saavedra, Renato1; Cruz Orea, Alfredo2; Sagredo,Vicente2

1Universidad de Concepció, Colombia 2Depto. de Física, CINVESTAV

The photoacoustic methods have probed to be a valuable tool to extract physical properties of semiconductors. By using de open photoacoustic cell (OPC) experimental technique we report the thermal diffusivity (α) for the Zn1-xMnxIn2Se4 quaternary diluted magnetic semiconductors (DMS) at five nominal selected x values; all measurements were performed at room temperature. The DMS compounds used in our experiments have tetragonal crystallographic structure at the lower x level and a rhombohedral lattice structure at the higher Mn concentration. This non unique crystallographic characteristic together with the natural different ion distribution in the crystal lattice seems to be responsible for the also non regular thermal diffusivity behavior. Actually the thermal diffusivity values goes from 0.012 cm2/s at x = 0.05 to α =0.003 cm2/s at x= 1.0 having a non linear behavior between these experimental x limits but showing a close pattern to the crystal parameters variations.

12-191/0

Determinación de Temperaturas de Transición de Fase en Cristales Líquidos Termotrópicos por Transmisión Óptica Modulada y

Espectroscopia de Lente Térmico Mayén Mondragón, Rodrigo; Yáñez Limón, José Martín


Los cristales líquidos y sus mezclas son sistemas extremadamente importantes debido a su creciente empleo en tecnologías modernas. Los cristales líquidos colestéricos son frecuentemente utilizados en sistemas electro-ópticos y en aplicaciones termográficas. La determinación precisa de los rangos de estabilidad de las fases es un factor muy importante que delimita la aplicabilidad de estos compuestos, sin embargo, muchos de los métodos que existen hoy en día para ello requieren del empleo de aparatos complicados y caros. Los métodos ópticos han demostrado ser muy útiles para detectar los cambios de fases. Por otro lado, se han observado cambios abruptos en algunos propiedades térmicas durante transiciones de primer orden, esto permite la aplicación de métodos termoópticos como Espectroscopia de Lente Térmico para determinar las temperaturas de transición. La técnica permite una mejor definición de las temperaturas de transición comparada con los métodos calorimétricos usuales y como no requiere el uso de una referencia, se evita la ocurrencia de un retraso térmico entre muestra y referencia. En el presente trabajo se llevó a cabo la determinación de las temperaturas de transición de las principales fases del nonanoato de colesterilo, del carbonato de colesterilo y oelilo, y sus mezclas, utilizando Calorimetría Diferencial de Barrido. La identificación de las fases se efectuó mediante Microscopia Óptica de Polarización. Los resultados fueron comparados con aquéllos obtenidos mediante Transmisión Óptica Modulada y Espectroscopia de Lente Térmico. Esta última técnica permitió, además, obtener la difusividad térmica en función de la temperatura. Las pruebas efectuadas permiten concluir que tanto Transmisión Óptica Modulada como Espectroscopía de Lente Térmico pueden aplicarse con éxito en la determinación de temperaturas de transición de las principales mesofases del nonanoato de colesterilo, del carbonato de colesterilo y oleilo y de sus mezclas, y probablemente de muchos otros cristales líquidos termotrópicos. Por otro lado, estas técnicas arrojan información complementaria que es de gran utilidad para la caracterización tanto



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térmica como óptica del sistema, ambas son no-destructivas y, además, se aplican utilizando básicamente el mismo arreglo experimental, cuyo costo es relativamente menor al de un equipo de DSC.

12-290/0

Imagen fototérmica de tejidos biológicos utilizando microscopia fotopiroeléctrica.

Cruz Orea, Alfredo1; González Ballesteros, Rubén2; Suaste Gómez, Ernesto2 1Depto. de Física, CINVESTAV


En este trabajo presentamos la imagen térmica de tejido biológico, en este caso de origen vegetal, utilizando microscopia fotopiroeléctrica. La técnica está basada en un método fototérmico, como ha sido mencionado el método fotopiroeléctrico. La imagen de la onda térmica es obtenida utilizando un sensor flexible de Difluoruro de Polivinilo (PVDF) en contacto con la muestra. El sensor piroeléctrico está en la configuración "back-detection" es decir, el rayo láser modulado incide sobre la película de PVDF y no directamente sobre la muestra, lo cual hace que el tejido no sea dañado por el haz enfocado del laser. La señal obtenida por el sensor fue introducida a un amplificador Lock-In del cual obtenemos la magnitud y fase de la señal fotopiroeléctrica las cuales fueron graficadas, en función de su posición en el plano x-y, por medio de una computadora. La imagen bidimensional de la fase de la señal piroeléctrica nos dio la imagen térmica de la hoja a la que se le hizo un orificio con el fin de resaltar la diferencia en las propiedades térmicas de la hoja con respecto a las del aire. En la imagen obtenida se pudo observar con claridad el orificio y una vena de la hoja. En trabajos anteriores se habían reportado resultados satisfactorios en la obtención de imágenes térmicas utilizando microscopia fotopiroeléctrica, pero hasta donde sabemos no se había realizado sobre tejido biológico. En nuestro trabajo se obtuvo una imagen satisfactoria, cuando comparada con la imagen óptica de la misma, de tejido biológico sin que éste fuera dañado.

12-228/0

Monitoreo de la taza fotosintetica en lirio acuático mediante la técnica fotoacústica

Cardona Ricalde, A.; Mejia Barradas, Cesar; Tinoco, Abel; Díaz Gongora, José Antonio Iran; Calderón Arenas, José Antonio

1CICATA-IPN-Legaria

Reportamos la aplicación de la técnica fotoacústica en el monitoreo de la evolución de oxigeno fotosintético en lirio acuático, con la perspectiva de utilizar este sistema en el estudio del efecto del ultrasonido y radiaciones de alta energía en la evolución y propagación del lirio acuático. La fotosíntesis es un fenómeno muy complejo, cuyo estudio se ha favorecido con los últimos avances de la biología molecular y la física de láseres, la microscopía, la física molecular, la instrumentación óptica, etc. En particular, la aplicación de la espectroscopia fototérmica en el estudio de la fotosíntesis, ha demostrado gran utilidad en la investigación del efecto de factores externos e internos a la planta en su proceso fotosintético. El uso de la técnica fotoacústica, en su modalidad de celda fotoacústica abierta (CFA), permite la realización de estos estudios con plantas in vivo e in situ, lo cual representa un avance notable en este tipo de estudios.



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12-230/0

Determinaciòn de la efusividad tèrmica en silicio poroso mediante la técnica fotoacùstica

Florido, Alex E.1; Zapata, Alvaro2; Mendoza Álvarez, Gregorio Julio3; Muñoz Hernández, Rocío Alejandra1; Peña Rodriguez, Gabriel Peña4; Calderón Arenas, José

Antonio1 1CICATA-IPN-Legaria

2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada Unidad Altamira 3Depto. de Física, CINVESTAV

4Universidad Francisco de Paula Santander, Depto. de Física

Realizamos la elaboración de las muestras de silicio poroso, tipos n y p, mediante el proceso de ataque electroquímico (EQ) con diferentes tiempos de ataque. Mediante la aplicación de la técnica fotoacústica, en una configuración de difusión, determinamos la efusividad térmica (e) de la capa porosa en estas muestras. Nuestros resultados muestran que e aumenta con el tiempo de ataque EQ en las muestras de silicio tipo n, mientras que e decrece con el tiempo de ataque EQ en las muestras de silicio tipo p. Mostramos como la microestructura que adquiere la capa porosa de estas muestras con el tiempo de ataque EQ explica este comportamiento de la efusividad térmica. Además, realizamos análisis complementarios de microscopía óptica y de fuerza atómica, así como de textura por perfilometría.

12-245/0

Photoacoustic detection of ethylene evolved from guava fruits coated with composite edible films

Tomás, S. A.1; Bosquez Molina, Elsa2; Stolik Isakina, Suren3 1Depto. de Física, CINVESTAV

2Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa 3CEADEN

The quality of guava fruit (Psidium guajava L.) coated with edible films and maintained at 20ºC for a period of 13 days was studied. Composite edible coatings were formulated with candelilla wax blended with white mineral oil as the lipid phase, and mesquite gum as the structural material. CO2 -laser-based Photoacoustic Spectroscopy was used to detect the ethylene production at ppbV levels. Other quality parameters such as the physiological weight loss, fruit firmness, titratable acidity, sucrose production, and CO2 emission were also determined. The use of edible coatings prolonged the shelf life of treated fruits by retarding ethylene emission and enhancing texture as compared to control samples. At the sixth day, the ethylene produced by the control samples was fivefold higher than the ethylene produced by the control samples. In addition, the physiological weight loss of coated fruits was nearly 30% lower than the control samples.



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12-265/0

Study of photo-induced charge transfer in molecular materials based on Prussian blue analogs

Stolik Isakina, Suren1; Tomás, S.A.2; Reguera, Edilso3; Sánchez Sinencio, Feliciano2 1CEADEN

2Depto. de Física, CINVESTAV 3IMRE, La Habana

Molecular materials based on the assembling of the [Fe(CN)6] molecular block were studied by Photoacoustic, Mossbauer and IR Spectroscopy. Those compositions where the valence of the involved metals allows a charge transfer (an inner photo-induced redox reaction) through the CN ligand showed an intense photo-acoustic signal around 600 nm; when this transition is not favorable only the signal corresponding to d-d transitions within the metal, which falls below 450 nm was observed. This suggests that photoacoustic spectroscopy provides a fast and reliable method to explore the existence of tunable photo-induced charge transfer in molecular materials.

12-274/0

Study of the Influence of Laser Irradiation on Corn Seeds by using Photoacoustic Spectroscopy

Cruz Orea, Alfredo1; Hernández Aguilar, Claudia2; Carballo C., A.3; Ivanov Tsonchev, Rumen3; San Martín, Eduardo4; Michtchenko, A.2

1Depto. de Física, CINVESTAV 2ESIME IPN

3Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas 4Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN

Seed germination, seedlings establishment, the proper development of photosynthetic machinery in plants are all potentially controlled by the reception of environmental light signals through the phytochromes. By other hand some years ago laser radiation was expanded in the field of seed science using different lasers sources. Some differences have been observed in the formation of chlorophyll a and chlorophyll b and also in the content in these pigments when soybean seeds were exposed to He-Ne Laser irradiation at different times. In the present study we were interested in the effects of low intensity laser irradiation, on hybrid corn seeds CL1 x CL4 when these seeds were exposed to different laser intensities and radiation times. The optical absorption spectra of their seedling leaves was obtained using photoacoustic spectroscopy in order to discover qualitative differences in chlorophyll a and chlorophyll b absorption peaks. A randomized complete block experimental design with three replications was utilized. The experimental unit included 10 seeds, from which we randomly chose three seedlings. Data were subjected to variance analysis (ANOVA) using the SAS GLM procedures (SAS, 1998 version). The least significant difference test (LSD) at the 5% probability level was conducted for comparing treatments. The ANOVA for both chlorophylls revealed highly significant (P



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12-299/0

Detección de algunas sustancias biológicas mediante deflexión fototérmica

Larrea Cox, Pedro J.; Cobas Aranda, Margarita; Escobar Uña, Aurora C.

Centro de Aplicaciones Tecnológicas y Desarrollo Nuclear

Analizada la factibilidad práctica de utilizar el efecto de deflexión fototérmica, originado por la propagación de dos haces láser a través de una muestra líquida, uno de los cuales es absorbido generando una lente térmica, mientras que el otro se desvía de su trayectoria al interactuar con la región calentada por el primero, se presenta su variante colineal como posible método no destructivo para la detección de bajas concentraciones en sustancias biológicas. La instalación experimental empleada fue previamente ajustada usando patrones de yodo en tetracloruro de carbono. Fueron obtenidas, además, curvas de calibración para muestras purificadas de citocromo C en etanol y hemoglobina en agua, así como colesterol en una solución 1:1 de agua y alcohol. Esto brinda nuevas perspectivas para la detección de otras sustancias de interés.

12-306/0

Imágenes de onda térmica para la visualización rasgos subsuperficiales

Saavedra, Renato1; Cruz Orea, Alfredo2 1Universidad de Concepción

2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

A través de la detección indirecta de ondas térmicas es posible observar aspectos de los materiales, que no pueden ser captados por los métodos ópticos convencionales. Esta propiedad la ofrece la técnica de imágenes conocida como Microscopia Fotoacústica (PAM), o Imágenes de ondas térmicas. En sus diferentes versiones la PAM se ha convertido en una poderosa herramienta de ensayos no destructivos (NDE) en sólidos. En esta contribución presentamos experimentos preliminares de un sistema para obtener imágenes de ondas térmicas a través de un detector gas-micrófono que permite realizar el diagnostico en profundidad de muestras gruesas y ópticamente opacas.

12-317/0

Estudio teórico experimental de un sistema de dos capas (metal-polímero) por medio de la celda fotoacústica abierta

García Rodríguez, Francisco Javier1; Ivanov Tsonchev, Rumen2; Gutiérrez Juárez, Gerardo3; Castillo Susunaga, Ramón1; Pichardo Molina, Juan Luis4

1Instituto Tecnológico de Celaya 2Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas

3Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 4Centro de Investigaciones en Optica

Se presenta un estudio teórico-experimental de la señal fotoacústica (amplitud y fase), de la celda fotoacústica abierta, para un sistema de dos capas. Dicho sistema esta compuesto de una lamina delgada de cobre mas una capa de polímero. Se demuestra que el modelo de difusión es insuficiente para explicar el comportamiento de la señal fotoacústica, sin embargo,



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el modelo compuesto de difusión y expansión termoelástica explica satisfactoriamente el comportamiento de la señal.

12-319/0

Simulación numérica de la difusión de calor en las configuraciones fotoacústica y fotopiroeléctrico.

González Arreguín, Alfredo1; García Rodríguez, Francisco Javier1; Yáñez Limón, José Martín2

1Instituto Tecnológico de Celaya 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

En este trabajo se reporta un análisis numérico realizado en cada una de las configuraciones geométricas completas asociadas a los sistemas Fotoacústico y Fotopiroeléctrico, para simular el comportamiento de la distribución de temperatura y de la generación de señal. Se resuelve numéricamente, en cada caso, la correspondiente ecuación de difusión de calor para cada una de las configuraciones típicas utilizadas en las técnicas antes mencionadas. Se utilizó el Método de Elemento Finito para realizar la simulación de la difusión de calor en ambos sistemas, con el paquete computacional FlexPDE. Con ello, se determina el comportamiento del perfil de temperaturas y la variación de la señal en todo el sistema. A partir de ello, es posible obtener, en cada caso, el valor numérico de la temperatura y la evolución de la señal en la interfase muestra-gas. Además, se presenta un estudio comparativo de la señal obtenida en puntos representativos del sistema en función de la frecuencia de modulación. Los materiales utilizados para realizar el estudio fueron: Acero, Vidrio y Caucho. Adicionalmente, un análisis experimental fue realizado para verificar los resultados numéricos. Se observa que estos últimos presentan un comportamiento similar a los resultados experimentales.

12-321/0

Aplicación del modelo compuesto de difusión térmica y flexión termoelástica para el estudio de un sistema de dos capas por medio de

la celda fotoacústica convencional Pichardo Molina, Juan Luis1; Gutiérrez Juárez, Gerardo2; Vela-Lira,Héctor Archivaldo3;

García Rodríguez, Francisco Javier3; Ivanov Tsonchev, Rumen4 1Centro de Investigaciones en Optica

2Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 3Instituto Tecnológico de Celaya

4Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas

En este trabajo se discuten las limitaciones del modelo de difusión de la señal (amplitud y fase) obtenida de la celda fotoacústica convencional para un sistema de dos capas compuesto de una lamina de cobre mas una capa de polímero. Se demuestra que el modelo de difusión es insuficiente para explicar el comportamiento de la señal fotoacústica, sin embargo, el modelo acoplado de difusión y termoelástico explica satisfactoriamente el comportamiento de la señal.



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12-369/0

Caracterización termoelectrónica de semiconductores Rodríguez García, Mario Enrique


En este curso, se presentan los aspectos experimentales teniendo en cuenta la dimensionalidad y calibración del sistema radiométrico y los aspectos teóricos de la Radiometría Fotérmica infrarroja, seguido de un tratamiento matemático para la obtención de soluciones únicas mediante ajustes multípara métricos de las ecuaciones diferencias en el dominio de la frecuencia. Este es un tema bastante controversial en la literatura, en especial cuando se analizan resultados de propiedades térmicas utilizando espectroscopia foto acústica, en el que se presentan regularmente soluciones en la señal de amplitud sin presentar resultados de ajustes simultáneos en la seña de fase. Se establece el concepto de onda térmica a partir de la solución general y se presentan aplicaciones como: Obtención de espectros radiometritos en fase y amplitud; determinación de variación de parámetros en función del rango de frecuencia, imágenes térmicas y termoelectrónicas, imágenes de defectos en semiconductores. Se enfocaran los resultados a imágenes térmicas y termoelectrónicas en obleas de silicio y GaSb dopada con telurio. Finalmente se presentan resultados de aplicaciones de esta técnica en el estudio de la interfase de Si-SiO2 para el estudio de transientes de la interfase que es un problema de aplicación industrial que frecuentemente se presenta en obleas de silicio pasivadas térmicamente y que pudiera estar relacionada con cambios en la velocidad de precombinación superficial de la oblea.

Magnetismo (MAG)

14-185/0

Influencia del método de síntesis en la respuesta de resonancia paramagnética electrónica en manganitas

Gutiérrez Amador, María del Pilar1; Montiel Sánchez, Herlinda2; Álvarez Lucio, Guillermo3; Zamorano Ulloa, Rafael4

1Facultad de Química, UNAM 2CFATA, UNAM

3Depto. de Ciencias de Materiales, IPN 4Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

El reciente descubrimiento de magnetorresistencia gigante en óxidos cerámicos del tipo Lass1-

xAxMnO3 (A=Ca, Sr, Ba y Pb), alrededor de la temperatura de transición ferro-paramagnética (TC), ha despertado gran interés en la investigación de las complejas estructuras magnéticas y electrónicas de estos compuestos y que dan lugar a dicha propiedad. En particular, el La0sub .85Sr0sub .15MnO3 presenta diversas transiciones de fase estructurales y electrónicas, entre las que se encuentra el llamado ordenamiento de carga; que provoca un incremento abrupto de la resistividad a una cierta temperatura, denominada temperatura de orden de carga (TCO), típicamente por debajo de la TC. Se conoce también que la TCO se ve modificada por factores relacionados con su preparación, como la presión hidrostática, la temperatura y la aplicación de un campo magnético externo. En este trabajo realizamos la síntesis de la perovskita



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policristalina La0.85Sr0.15MnO3 preparada por dos métodos diferentes: reacción directa en estado sólido y sol-gel, seguido de una sinterización. Observamos que el comportamiento de la resistividad en función de la temperatura de estas perovskitas, en el intervalo de 350 a 77 K presenta importantes diferencias por debajo de la TC. Con el propósito de comprender mejor estas diferencias realizamos un estudio de la respuesta de absorción de microondas empleando resonancia paramagnética electrónica (EPR-Electron Paramagnetic Resonance) en el mismo intervalo de temperatura. Encontramos que a temperaturas mayores a la TC ambos compuestos se comportan de manera muy similar; los espectros EPR de ambas muestras exhiben solamente una señal asociada a la fase paramagnética. Conforme se disminuye la temperatura el campo de resonancia se desplaza a valores menores y sufre un cambio brusco en la TC, esto es acompañado de una disminución de la intensidad y un aumento en el ancho de la señal. A partir de la TC aparece otra señal característica del estado ferromagnético. A temperaturas por debajo de la TC los espectros de ambas muestras presentan importantes diferencias. Estas diferencias se analizan en términos de las magnitudes de los cambios del ancho de línea y del campo de resonancia.

14-346/0

Conversión de NOx por Cu-mordenitas y su caracterización por EPR: influencia de la razón molar SiO2/Al2O3m

Petranovskyi, V.1; Zamora Ulloa, R.2; Chávez Rivas, F.2; Simakov, A.1; Pestryakov, A.3 1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, Universidad Autónoma de México

2Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 3Tomsk State University of Civil Engineering

Presentamos mediciones de Cu-Mordenitas que demuestran que la razón molar sílice-alumina SiO2/Al2O3, (RM), afecta fuertemente la eficacia de la conversión de NOx. Usando la técnica de resonancia paramagnética electrónica, (EPR), en muestras de Cu-Mordenita hidratadas y deshidratadas hemos caracterizado los sitios Cu2+ en función de la RM. Encontramos que la eficiencia de estos catalizadores esta entre las más activas para el de-NOx . Los resultados EPR a 77 K de Cu-Mordenitas hidratadas muestran que iones Cu2+ se encuentran en sitios extra-estructurales rodeados por agua, mientras que en las Cu-Mordenitas deshidratadas los iones Cu2+ están adheridos a la red.

14-187/0

Resonant and Non-resonant phenomena measurements of Ferromagnetic Resonance in Co-Rich amorphous ribbons

Montiel Sánchez, Ma. Herlinda1; Álvarez Lucio, Guillermo2; Betancourt Reyes, Israel1; Gutierréz Amador, María del Pilar3; Zamorano Ulloa, Rafael4; Valenzuela Monjarás,

Raúl1 1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

2Depto. de Ciencias de Materiales, IPN 3Facultad de Química, UNAM

4Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

Ferromagnetic resonance measurements were carried out on amorphous ribbons of composition Co66Fe4B12Si13Nb4Cu prepared by melt spinning. The field modulated power absorption (dP/dH) was measured as a function of DC magnetic field (H) on strips 2.8 mm long, in an Electron Paramagnetic Resonance (EPR) spectrometer at X band (9.4 GHz). All



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spectra were taken at room temperature, under DC magnetic fields up to 10KG for band X. The angle θ between the ribbon plane normal and the DC field direction was varied between 0 and 90°. The DC field for ferromagnetic resonance (Ho) was observed to increase with the angle which can be easily explained in terms of the shape anisotropy. A series of maxima were also observed at low DC magnetic fields for all angles, with varying amplitude. These peaks showed no resonance character, and no dependence on the DC magnetic field. All these data for the low field signal clearly indicate that it is not a resonant dP/dH absorption. It can be shown that these peaks are associated with the magnetoimpedance phenomenon, i.e., the AC signal can be transformed into an impedance exhibiting the typical variations with DC magnetic field as a result of the variations in impedance (as magnetic permeability is damped by the DC field) and its influence on the skin depth.

14-349/0

Ferromagnetic properties of one-dimensional molecule-based magnets and crystal structure of the novel crystalline phase of [Bis(u-benzoate-

O,O’)(dimethylsulphoxide)]copper(II) Reyes Ortega, Yasmi1; Hernández Galindo, María del Carmen1; Alcántara Flores, José

Luis1; Ramírez Rosales, Daniel2; Bernes, Silvain1; Escudero, Roberto3; Zamorano Ulloa, Rafael2

1Instituto de Ciencias, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla 2Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

3IIM-UNAM

New crystalline phase of [Bis(u-benzoate-O,O’)(dimethylsulphoxide)]copper(II) 1 was obtained by direct synthesis. 1 crystallizes as monoclinic, P21/n, a=12.0407(9) Å, b=17.0916(13) Å, c=17.2680(15) Å, β=103.062(6)°. The copper coordination sphere is slightly distorted square pyramidal. The copper ions of each binuclear units are bridging by the two oxygen atoms of one benzoate in each side. The Cu-Cu intramolecular distance is 2.6494 Å, the Cu-O ten distances in each binuclear unit all are different. An important characteristic of the crystal structure is that the S-Cu(II)-Cu(II)-S units form well separated stacking column in the c-axis direction, with units uniformly spaced producing one-dimensional (1-D) zigzag chain through Cu(II)-S---S-Cu(II) interdimer (S---S distance 3.975 Å). The magnetic behavior of 1 has been studied in the temperature range of 2-299 K and its magnetization studies in the 2-15 K show the existence of a strong ferromagnetic coupling within dimers along the 1-D Cu-Cu---Cu-Cu zigzag- chain. The ferromagnetic behavior of a polycrystalline sample is in accord with the ESR studies. At 300 K in X-band the ESR spectrum shows the characteristic signal of zero field with D value of 0.044 cm-1, one second small signal at 1450.04 Gauss, the third axial signal with g1.5762=׀׀ and g=1.8682; the fourth axial signal with g1.443=׀׀ and g=1.1398. The material reported show bulk properties as long-range magnetic ordering or bistability with hysteresis.



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Plasmas (PLA)

16-126/0

Mapas de densidad y temperatura del plasma de aluminio producido por ablación láser

Machorro Mejia, Roberto1; Pérez Tijerina, Eduardo2; Bohigas, J.3 1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, Universidad Autónoma de México

2Fac. Ciencias Físico Matemáticas, Universidad Autónoma de Nuevo León 3Instituto de Astronomía, UNAM

En este trabajo de aplica la técnica de espectroscopia de campo amplio (Perez-Tijerina et-al 2003) para obtener mapas de la densidad y temperatura del plasma de aluminio producido por ablación láser utilizando solo un pulso. La densidad electrónica se determina utilizando ensanchamiento Stark de líneas provenientes de átomos de aluminio una y dos veces ionizado. La temperatura se determina utilizando las intensidades relativas de líneas provenientes de estados de ionización sucesivos. Este tipo de diagnósticos bidimensionales utilizando un solo pulso del láser, puede contribuir a un mejor entendimiento del proceso de síntesis de capas delgadas por ablación láser. Se presenta además una visión a futuro sobre las aplicaciones del espectrógrafo de campo amplio en el estudio de choques hidrodinámicos y tomografía de plasmas.

Carteles II Poster Session II

Nanoestructuras (NAN)

10-105/0

TEM and EXELFS characterization of Au Nanoparticles Produced by Salt Reduction

Duarte Moller, Jorge Alberto

CIMAV

The growth of colloidal gold nanoparticles by salts reduction of HAuCl4 (1.0 mM) by using PVP or PEG and TDPC as fixer can be easy prepared. We investigate the ability of core ionization electron energy loss spectroscopy in order to obtain the local structure of the gold nanoparticles produced by it salt reduction deposited on Si substrates by the spray pyrolisis technique. The near edge structure of Au M45 edge and is discussed. The structural parameters were found analyzing the extended fine structure associated to the ionization edge in the core loss window. In order to improve the results the an ab-initio fit was done and applied on each interatomic value. The interatomic distance for Au - Au bond was 0.29 nm which is very close to the expected value of 0.289 nm. A second interatomic distance was found and corresponds to the Au – Au bond with a numerical value of 0.42 nm which is also



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close to the respective expected value of 0.43 nm. These values were obtained by analyzing the fine structure associated to the gold M45-edge. The interatomic distances are in good agreement to the expected values for gold (0) when the fit was applied.

10-173/0

Propiedades Decorativas de Aleaciones Nanoestructuradas de Aluminio-Molibdeno

Mesa Laguna, Víctor Hugo1; Hernández Pérez, Carlos David1; Martínez Sánchez, Enrique1; Guzmán Mendoza, José1; García Hipólito, Manuel1; Juárez Islas, Julio

Alberto1; González, Carlos2 1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

2Facultad de Química, UNAM

La investigación de nuevos materiales con base en aleaciones bimetálicas usando metales de transición para su aplicación en la industria aeroespacial y metal-mecánica es debida a sus propiedades anticorrosivas, alta dureza y resistencia a la degradación a altas temperaturas de operación. Un aspecto que no se ha considerado en la literatura, consiste en las propiedades decorativas que las aleaciones de Al-Mo nanoestructuradas presentan, debido a los diferentes colores y texturas superficiales que se pueden inducir en función de la composición y tratamientos térmicos. Estas propiedades decorativas pueden tener aplicaciones industriales en las ramas de laminados. Tentativamente, sugerimos su aplicación en : anaqueles, refrigeradores, alacenas, mesas para jardín, portones de entrada de coches, puertas y marcos de ventanas, entre otras. Por estas posibles aplicaciones a nivel nacional, es que presentamos este trabajo de investigación enfocado esencialmente a las propiedades decorativas de las aleaciones bimetálicas de aluminio-molibdeno, elaboradas por la técnica de erosión catódica a magnetrón. Estos aspectos decorativos se analizan en función del contenido y grosor de la capa de molibdeno en la aleación, así como, en función de los tratamientos térmicos aplicados.

10-152/0

The Influence of Surface Segregation on the Optical Properties of Quantum Wells

González de la Cruz, Gerardo


Segregation of column III atoms during molecular beam epitaxy of III-V semiconductor compounds causes nonabrupt interfaces and surface compositions different from the bulk. This effect modifies the electronic states in the quantum well and the emission energy in the photoluminescence spectrum. In this work, we have solved analytically the Schrödinger equation taking into account the shape changes in the quantum well due to the segregation of atoms during the growth process of the semiconductor heterostructures. We apply this model to the case of indium segregation in the InGaAs/GaAs system. The transition energy calculations between the confined electron and hole states as function of the well width for different In composition and growth temperature are in agreement with the measured photoluminescence energy peaks



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10-288/0

Morphology a-Si1-xGex thin films Studied by AFM Sanchez, L.1; Kosarev, Andrey1; Torres Jácome, Alfonso1; Ilinski, Alexander2; Zuniga,

Carlos1 1Instituto Nacional de Astrofísica Óptica y Electrónica

2Benemérita Universidad Autónoma de Puebla

Interest in the synthesis, characterization, and understanding materials with atomic dimensions has grown rapidly over the last decade owing to that these materials often exhibit properties that are quite distinct from those of the bulk material. Si1-x Ge-x alloys attract broad attention due to their unique physical properties. The variable band gap and lattice constant according to the x composition offer many possibilities for recent semiconductor technology. The wide range of possible applications includes these films as materials for further crystallization, solar cells, photo detectors and new generation of high speed devices. In our previous work we studied the effect of Argon, Hydrogen dilution on the morphology of a-Si1-x Ge-x films x varied over the entire x- range. For all these experiments we found that a-Si1-x Ge-

x film deposited with Argon, or Hydrogen dilution, and a-Si1-x Ge-x film without dilution showed a grain-like morphology for x=0.1,x=0.5 and, x=0.2, respectively. In this work, we investigate the effect of the annealing on the morphology of these films by means of Atomic Force Microscope (AFM). The a-Si1-x Ge-x films were deposited on Corning-1737 glass and crystalline silicon wafer in LF PECVD (Low Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) system. The films were deposited with different dilution: Argon for a-Si1-x Ge-x x =0.1, Hydrogen for a-Si1-x Ge-x x =0.5, and without dilution for a-Si1-x Ge-x x =0.2. All the films were subsequently annealed at 400 √C in an Argon environment for 60 minutes. AFM was employed as an inspection and metrology tool for the a-Si1-x Ge-x films. The information obtained by the measurements on films without annealing reveals that all the films have a grain like morphology and the size of the grains is different for each film. The range of these grains is around 200 nm. For the a-Si1-x Ge-x films with Argon dilution and without dilution the morphology of the surface shows ordered elements with triangle shape after the annealing and the size of these elements are in the range of 1-2 µ. On the other hand, for the a-Si1-x Ge-x films with Hydrogen dilution the shape of the grains are spherical and the size of this microstructure is around 1µ. Quantitative analyses of the AFM images have been performed and the results are presented and discussed.

10-280/0

Self-assembled InAs nano islands on GaAs (100) substrates covered with Si fractional monolayers

Saucedo-Zeni, N; Zamora Peredo, Luis; Lastras Martínez, Alfonso; Méndez García, Víctor Hugo

IICO-UASLP

Over the last few years, the technological needs for nanosized islands with confinement effects have stimulated extensive investigations on the self-assembly approach, which is believed to give a cost-effective and a technological simple way of obtaining uniform arrays of nano-structures. Here we report the molecuar beam epitaxial growth of InAs islands on GaAs (100) surfaces precovered with Si fractional monolayers (MLs) (0.3, 0.6 and 1.0 MLs). Reflection high-energy electron diffraction studies showed that unlike the observed Stranski-Krastanov growth of InAs on bare GaAs (100), three-dimensional InAs islands start to nucleate at the early stages of growth. The Volmer-Weber growth mode is forced by the surface strain pattern



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related to Si incorporation into the InAs layer and the passivation of the surface by As-Si bonds. Atomic force microscopy (AFM) images showed evidences of the InAs modified nucleation. In addition, room temperature photoreflectance (PR) spectra close to the GaAs band edges showed additional transitions as the Si thickness was increased, probably related to different strain status at the InAs/GaAs interface modified by the insertion of Si fractional MLs.

10-278/0

AlGaAs/GaAs heterojunctions studied by photoreflectance spectroscopy with several modulation sources

Méndez García, Víctor Hugo1; Zamora Peredo, Luis1; Rivera Álvarez, Zacarías2; Guillén Cervantes,Angel2; López López, Máximo2


We report an exhaustive investigation of modulation doped AlGaAs/GaAs heterostructures by photoreflectance spectroscopy (PR). The PR spectra presented Franz-Keldysh oscillations (FKO) around 1.41eV and 1.86 eV, attributed to the energy band edges of GaAs and AlGaAs, respectively. An Additional broad signal (BS) was observed above the GaAs band edge. In order to obtain information about the origin of these transitions we employed three different excitation sources modifying in this way the penetration length. The penetration lengths of the wavelengths 632.8nm, 543.5nm and 325nm are estimated to be ~450nm, ~200nm and ~6nm, respectively. Using the 325nm wavelength as modulation source we observed that the signal associated to the GaAs band gap disappears and BS is present, this is because the AlGaAs layer thickness is bigger than the penetration length. Then, it is thought that BS is originated in the topmost junctions of the heterostructures (cap layer). By analyzing with the 632.5 line the energetic region close to the GaAs bang gap, we found that the PR signal invert its phase when the spacer layer thickness (Σ) is 120Å and return for 150Å and 180Å. Note that the band bending in the 2DEG region depends on the changes of the carrier injection, and then on the thickness of Σ. As a conclusion, the former results suggest that the signal close to the GaAs band edge is originated in the GaAs/AlGaAs heterojunction where the 2DEG is localized.

10-175/0

Crecimiento de grano y morfología superficial de películas nanoestructuradas de GaAs1-xNx por microscopía de fuerza atómica Hernández Pérez, Carlos David; Martínez Sánchez, Enrique; Guzmán, J. M.; García Hipólito, Manuel; Juárez Islas, Julio Alberto; Álvarez Pérez, M. A.; Álvarez Fregoso,

Octavio Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

Por medio de la microscopía de fuerza atómica, se caracterizaron las propiedades morfológicas y el crecimiento de grano en función de la temperatura de substrato en películas nanoestructuradas de GaAs1-xNx , elaboradas por la técnica de erosión catódica a radiofrecuencia. El crecimiento de grano nanoestructurado tiene un comportamiento lineal y no exponencial- como era de esperarse- en función de la temperatura de substrato, debido a que la distribución de granos es inhomogénea y la razón entre la temperatura de substrato Ts respecto a la temperatura de fusión del GaAs (Tm), es menor que la unidad. Se presenta un



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modelo teórico del crecimiento de grano tentativo para este tipo de películas, considerando el efecto de las condiciones experimentales en su preparación.

10-176/0

Elaboración y Caracterización de Películas Nanoestructuradas de GaAs1-xNx depositadas sobre láminas de Molibdeno

Rentería Servín,Olivia1; Santoyo Salazar,J.2; Martínez Sánchez, Enrique2; Guzmán, J. M.2; García Hipólito, Manuel2; Juárez Islas, Julio Alberto A.1; Álvarez Pérez, M. A.2;

Álvarez Fregoso, O.2 1CFATA, UNAM

2Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

Películas nanoestructuradas de arseniuro de galio nitruradas han sido elaboradas por la técnica de erosión catódica a magnetrón, utilizando láminas de molibdeno como substrato. La atmósfera de trabajo consistió en una mezcla de 50% nitrógeno y 50% de argón, con una potencia rf de 100Watts y variando la temperatura de substrato de temperatura ambiente hasta 300°C. Las películas muestran un crecimiento de grano nanoestructurado con fronteras intercristalinas del tipo mojado (wet-boundaries). A temperatura ambiente, los granos son de forma de islas con lagunas entre ellas, a temperaturas intermedias, los granos son del tipo lenticular con fronteras mojadas; a mayores temperaturas de substrato, los granos son semiesféricos con un aspecto en sus fronteras del tipo de escurrimiento de lava y por último, a 300°C de temperatura de substrato, los granos presentan un aspecto de roseta de maíz, con una superficie tersa y totalmente homogénea. Estos tipos de crecimiento en función de la temperatura de substrato, se pueden explicar por medio del modelo teórico de crecimiento denominado: vapor-líquido-sólido (VLS) modificado por la presencia de un coeficiente de difusión superficial grande, así como, debido a la formación de un casquete sólido sobre la superficie de las gotitas líquidas de galio que se colapsan lo que induce la nucleación y crecimiento de grano por VLS.

10-190/0

Segregation of Indium in piezoelectric InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (11n) substrates

López López, Máximo1; González de la Cruz, Gerardo1; Meléndez Lira, Miguel1 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN

Samples with three InGaAs/GaAs quantum wells (QWs) of 100, 50, and 25 Å of nominal thickness were grown by MBE. The structures were grown on (11n)A GaAs substrates (n=1,2,3, and 4), as a reference a (001)-oriented sample was prepared. The optical and structural properties of the heterostructures were studied by photoluminescence (PL), photoreflectance (PR) spectroscopy, transmission electron microscopy, and atomic force microscopy. The energy transitions in the QWs have two contributions, a blue shift due to the compressive strain (εkj), and a red shift due to the quantum confined Stark effect produced by the piezoelectric field (Pi = e14 εkj, with e14 the piezoelectric constant) present in the QWs. We employed a variational method to calculate the QWs first energy transition using an ideal potential well with sharp interfaces. The PL peaks energy were explained by this model but required lower piezoelectric field magnitudes than those predicted (Pi) from the strain in the QWs. The differences are greater for the samples that presented a rougher surface, suggesting a strong influence of interfacial effects. In order to overcome these discrepancies, we propose



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to include segregation effects of In at the two InGaAs-GaAs interfaces of each QW. We employed In-concentration exponential profiles with different segregation lengths Λ1 and Λ2 for the first and second QW interface, respectively. Within this model, In segregation produces changes in the QW effective potential, the QW potential shape will no longer have sharp interfaces, but it will be graded as a function of the distance from the interface, according to the variation of the In concentration. Due to the complex shape of the potential well, the matrix transfer method was implemented to numerically solve the Schrödinger equation. With In segregation effects included, and with the theoretically expected piezoelectric fields intensity (Pi), we reproduced very well all excited transitions observed in PR spectra.

10-229/0

Diffracted optical near field from nanoapertures Sumaya-Martinez, Juan; Olmos-Lopez, Omar

Depto. de Ingeniería, Universidad Autonoma del Estado de Mexico

The propagation and the distribution of the optical near field in subwavelength conducting thick slits are obtained by means of a rigorous modal theory. The normal incidence of plane waves and Gaussian beams upon one and two slits is assumed. It is found that the optical near-field for the p-polarized wave is confined within the grooves and close to the edges of the apertures. A simulation using the plane wave spectrum technique verifies also that the near-field distribution for the s-polarized wave is strong influenced by the propagation of the surface plasmon wave at the air-metal interface.

10-291/0

Efectos de recocido en las propiedades ópticas y estructurales de pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs crecidos por MBE

Cruz Silva, O.H.1; Pulzara Mora, Álvaro1; Cervantes Contreras, Mario2; Zelaya Angel, Orlando1; Meléndez Lira, Miguel1; López López, Máximo1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional

Se crecieron pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs de diversos espesores por la técnica de epitaxia de haces moleculares (MBE). Fuera del sistema de MBE a las muestras se les dio un tratamiento térmico en un horno con un flujo continuo de Argón. La temperatura del recocido se mantuvo constante a 700 °C y se varió el tiempo de recocido de 10 minutos a 1 hora. Los cambios en la morfología superficial de las muestras se estudiaron por microscopía electrónica de barrido y microscopía de fuerza atómica. Para investigar los cambios en las propiedades ópticas de las muestras se realizaron mediciones de fotoluminiscencia (FL) a 14 K y fotorreflectancia (FR) a temperatura ambiente. La intensidad de la luminiscencia de los pozos disminuye con el tiempo de recocido. Encontramos que a partir de un tiempo de recocido de 20 min aparece un pico adicional en los espectros de FL. Asociamos la presencia de este pico adicional a la formación de una textura en las muestras inducida por el recocido.



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10-226/0

Determinación de eigenestados en pozos cuánticos tipo Poschl-teller bajo la influencia de un campo eléctrico externo

Herrera Suárez, H. J.1; González de la Cruz, Gerardo2; Calderón Arenas, José Antonio3 1CICATA-IPN-Legaria

2Depto. de Física, CINVESTAV 3CICATA-IPN-Legaria

Presentamos una solución analítica de la ecuación de schrödinger con un potencial tipo Pöschl-Teller, el cual es suave y exponencialmente decreciente al infinito. Determinamos el espectro de energías de los estados ligados y las funciones de onda correspondientes en función de los parámetros que caracterizan dicho potencial. Las funciones de onda son de la forma hipergeométrica, moduladas por un factor que depende de potencias del inverso del cosh(αz). Al estado fundamental corresponde una función par sin nodos, y al siguiente una función impar con un nodo y que decrece exponencialmente al infinito. Finalmente, mediante la aplicación del método variacional y los resultados anteriores, calculamos los eigenestados en pozos cuánticos sujetos a un campo eléctrico externo, con el objeto de compararlos con resultados experimentales de fotoluminiscencia en este tipo de estructuras semiconductoras.

10-234/0

Photoluminescence Analysis of Porous Silicon According to a Modified Quantum Confinement Model

Contreras Puente, Gerardo; Aguilar Hernández, Jorge; García Ruíz, Daniel; Cárdenas García, Modesto


We present in this work the analysis of photoluminescence (PL) measurements on porous silicon samples obtained by electrochemical anodization under different conditions: current density and anodization time. We apply a modified quantum confinement model ( Kapoor-Singh-Johri ) in order to describe the behavior of the PL-intensity as well as the position of the maximum of the main band at 1.70 eV, both as a function of temperature. We observed an anomalous blue shift of the maximum of the 1.70 eV band as temperature increases. Well agreement between theory and experiment is obtained.

10-239/0

Fuerza de casimir en una superred excitónica Hernández Cocoletzi, Gregorio1; Esquivel Sirvent, Raúl2; Hernández de la Luz, A.D.3

1Benemérita Universidad Autónoma de Puebla 2Instituto de Física, UNAM

3Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores

Se reporta el cálculo de la fuerza de Casimir F entre placas paralelas inhomogéneas considerando efectos no locales e incidencia normal de la radiación electromagnética. Cada placa es construida de celdas unitarias básicas formadas por dos materiales, semiconductor-aislante. Para el cálculo de F se considera la capa semiconductora de CdS con una función dieléctrica dependiente de la frecuencia y del vector de onda, además, la influencia de las transiciones excitónicas An=1 y Bn=1. La fuerza se deduce del formalismo basado en las funciones de Green resultando F dependiente de la distancia de separación entre las placas y



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de sus amplitudes de reflexión. Se encuentra que la fuerza incrementa su intensidad al aumentar el periodo de superred y decae monótonamente hasta alcanzar una dependencia funcional en la distancia de separación como en el caso de dos conductores perfectos. Asimismo, la fuerza muestra una dependencia con el tipo de transición excitónica, siendo F menor para el caso de aquéllas con mayor absorción de energía.

10-256/0

Estudio de defectos en cristales fotónicos unidimensionales Cerdán Ramírez, Verónica1; Palomino Ovando, Martha Alicia1; Ramos Mendieta,

Felipe2 1Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP

2Centro de Investigaciones en Física, Universidad de Sonora

Se realiza un análisis de los efectos que produce intercalar un defecto en una estructura unidimensional con índice de refracción periódico en la transmisión de radiación electromagnética de un paquete de ondas tipo gaussiano, en el presente trabajo se calculan las estructuras de bandas correspondientes, la amplitud de transmisión, y los tiempos de tránsito de los paquetes cuando se centran en diferentes regiones de frecuencias, estos tiempos son muy sensibles ante diferentes tipo de defectos.

10-266/0

Optical absorption study of bimetallic Au-Pt clusters prepared by simultaneous and successive reduction methods

Sánchez Ramírez, José Francisco1; Herrera Pérez, José Luis1; Bautista Hernández, Alejandro2; Pal, Umapada2

1CICATA-IPN-Legaria 2Instituto de Física, BUAP

Bimetallic colloidal clusters of Au-Pt with different molar ratios were prepared by successive and simultaneous reduction of their metal precursors at room temperature by sodium borohydride in the presence of the protective polymer poly (N-vinyl-2-pirroline). Detailed investigation with optical absorption spectroscopy suggested the formation of bimetallic clusters in both the methods. In the successive reduction method, gold clusters are formed first by reduction of Au ions, and then the Pt ions of are reduced to deposit on the Au clusters. As a result, AucorePdshell structured particles are formed as usually expected. In the simultaneous reduction process, both gold and platinum ions of the reaction mixture reduce almost simultaneously and depending on the reduction potentials and molar ratio of the components in the mixture the core-shell or alloy like structures are formed. The successive reduction method is more effective than the simultaneous one in the formation of the core-shell structure. The mechanisms of the formation of the bimetallic clusters in both of the reduction processes have been studied. Using Mie theory, the optical absorption spectra for the Au-Pt clusters are calculated and compared with the experimentally obtained results. Our theoretically obtained optical spectra resemble well with the experimental spectra.



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10-350/0

Efectos de la introducción de una monocapa de Si en la interfaz de pozos cuánticos de AlGaAs/GaAs

Petrilli Barceló, Alberto Elías1; Pulzara Mora, Álvaro Orlando1; Caballero Rosas, Adriana2; Mejía García, Concepción2; Contreras Puente, Gerardo2; Pérez Centeno,

Armando1; Meléndez Lira, Miguel1; Méndez García, Víctor Hugo3; Lopéz Lopéz, Máximo1

1Depto. de Física, CINVESTAV 2Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

3IICO-UASLP

En esta trabajo se caracterizaron óptica y estructuralmente pozos cuánticos de AlxGa1-

xAs/GaAs/AlxGa1-xAs crecidos por la técnica de epitaxia de haces moleculares (MBE). La estructura general de todas las muestras estudiadas consiste de dos pozos cuánticos con espesores nominales de 70 Ǻ (QW1) y 20 Ǻ (QW2) embebidos en barreras de AlxGa1-xAs con una concentración de aluminio del 30%. Una muestra de referencia (No. 294) se fabricó en condiciones normales sin interrupciones durante el crecimiento. Otra muestra se creció (No. 293) introduciendo una monocapa de Si en la interfaz inferior del pozo cuántico QW2. Finalmente otra muestra (No. 295) fue sometida a una interrupción de crecimiento in-situ en la interfaz inferior del pozo QW2. La caracterización óptica se llevó a cabo por medio de las técnicas de fotoluminiscencia (FL) y fotorreflectancia (FR), mientras que la caracterización estructural se hizo por microscopía de fuerza atómica. Los espesores obtenidos experimentalmente para los pozos de cada una de las muestras fueron muy similares a los espesores nominales. Los espectros de FR muestran la presencia de oscilaciones de Franz-Keldysh asociadas a campos eléctricos internos en las muestras. En FL se observó la aparición de un pico extra en las muestras No 293 y 295, el cual fue asociado a la presencia de Si y C respectivamente.

Biomateriales (BIO)

4-109/0

Predicción De La Concentración De Glucosa En Tejido Utilizando Espectroscopía De Absorción En El Cercano Infrarrojo (Nir).

Araujo-Andrade, C.1; Ruíz, Facundo2; Martinez Mendoza, Jose Refugio2; Terrones, Humberto1; González Cruz, Monica3

1Instituto Potósino de Investigación Científica Tecnológica 2Fac. de Ciencias, UASLP

3Facultad de Ciencias Químicas, UASLP

Utilizando la técnica espectroscópica de absorción en el cercano infrarrojo (NIR) en el rango de los 750 a 1750 nm y métodos de análisis multivariante, se han generado modelos de predicción de la concentración de glucosa en tejido humano en un rango de los 70 a los 150 mg/dL, en diferentes personas, obteniéndose coeficientes de correlación (r2) del orden de 0.8 a 0.9 con un error cuadrático medio de la predicción (RMSEP) entre 4 y 7 mg/dL. Así mismo observándose que los modelos de predicción funcionan aún en personas para las cuales no fue creado el modelo. Asimismo se pudo identificar que región del cuerpo humano es la óptima para realizar este tipo de mediciones.



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4-115/0

Permeabilidad al vapor de agua de películas biodegradables utilizando un método fototérmico

Aguilar Méndez, A.1; San Martín Martínez, Eduardo1; Cruz Orea, Alfredo2 1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada del IPN, Legaria


La permeabilidad al vapor de agua de películas biodegradables, formadas a base de gelatina-almidón-glicerol, fue evaluada a través del coeficiente de difusión, empleando una técnica fototérmica recientemente propuesta. El estudio de esta propiedad es de suma importancia en este tipo de películas, sobretodo si están enfocadas para la conservación de alimentos. Los datos experimentales fueron analizados a través del sistema estadístico SAS. Se utilizó la metodología de superficie de respuesta para obtener los modelos matemáticos que describen las interacciones entre las variables independientes y las variables respuesta. Los mayores coeficientes de difusión fueron obtenidos a medida que la concentración de glicerol aumentó. Por su parte el pH también influyó de manera significativa, propiciando mayor permeabilidad en pH´s mayores.

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The Effect of Toasting and Boiling on the Fate of B-aflatoxins During Pinole Preparation

Méndez Albores, A.1; Castañeda Roldan, E.1; Arámbula Villa, Gerónimo2; Moreno-Martínez, Ernesto3

1Facultad de Ingeniería Química, BUAP 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

3Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán, UNAM

The fate of B-aflatoxins was studied during the toasting and boiling of contaminated maize. One lot of aflatoxin-free grain served as the control Lot 1 (L1). Lot 2 (L2) and Lot 3 (L3) presented an aflatoxin concentration of 120.7 and 575.0 µg-kg-1. In the case of contaminated pinole-powder, the aflatoxin content was 22.9 for L2 and 171.0 µg-kg-1 for L3 and, after atole elaboration; the aflatoxin content was 9.7 and 68.2 µg-kg-1 for L2 and L3, respectively. According to these results, higher reductions in mycotoxin levels were achieved during the toasting process and only a moderate extra-reduction occurred during the boiling process.

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Caracterización de tostadas elaboradas por nixtamalización tradicional de maíz azul

Vélez M., J. J.1; Gaytán M.,M.1; Figueroa J., D. C.1; Martínez H., E. F.2 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

2CICATA Querétaro

El maíz es el más importante de los granos básicos producidos en México; ocupa el primer lugar de la producción agrícola del país pero también, su importancia radica en la gran diversidad de usos en la cocina mexicana considerando que para la mayoría de los platillos es un ingrediente indispensable. Los colorantes artificiales presenten en gran cantidad de alimentos industrializados trae efectos dañinos a la salud de la población es por eso que las antocianinas presentes en los maíces de color azul y rojo son una posibilidad de sustituir los



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colorantes artificiales en los productos nixtamalizados de maíz, estos compuestos poseen importantes propiedades antioxidantes y antiinflamatorias. Los procesos de producción de botanas han evolucionado mucho a través del tiempo, debido a los grandes avances que ha experimentado la tecnología en los últimos tiempos. Por eso en la presente investigación el objetivo es la evaluación fisicoquímica de harinas y tostadas, elaboradas por nixtamalización tradicional de maíz azul. Los resultados obtenidos son la evolución de la perdida de antocianinas en cada proceso de cocimiento desde harina de maíz hasta producto horneado, se probaron con tres temperaturas y tres tiempos de freído para obtener los óptimos de freído en cuanto al color, textura y capacidad de absorción de grasa. El efecto del térmico alcalino, el cocimiento de la tortilla y el horneado afectan las concentración de la antocianinas presentes en maíz azul y rojo, esto se debe a que el calor degrada las antocianinas y conforme son sometidas a calentamientos más severos sufre mayor degradación de antocianinas.

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Estudio de los Cambios Químicos y Nutrimentales en el Grano de Maíz durante el Proceso de Nixtamalización Tradicional

Fernández Muñoz, José Luis1; Miranda Centeno, Carla Natalia2; Rojas Molina, Juana Isela2; Rodríguez García, Mario Enrique3; Leal, Myriam3

1CICATA-IPN-Legaria 2Universidad Autónoma de Querétaro UAQ

3CFATA, UNAM

En este trabajo de investigación, se orienta al estudio de cambios químicos y nutrimentales durante la conversión de maíz a harina de maíz nixtamalizado. Se cuantifica el contenido de calcio, contenido de proteína y lisina. La nixtamalización de los granos de maíz se realizo utilizando un sistema computarizado para conocer en todo momento la temperatura de cocción y de reposo en todas las muestras. Las variables de nixtamalización utilizadas son las siguientes: variedad de maíz tipo Toluca, relación agua maíz 2 a 1, la relación de Ca(OH)2 de 10g por Kg. de maíz, tiempo de reposo de 0, 1, 3, 5, 8, 11 y temperaturas de cocción de 72°C, 82°C y 92°C. En cuanto a la cantidad de calcio incorporado al grano de maíz durante el proceso de nixtamalización tiene una dependencia para este caso de la temperatura, reflejándose en las harinas totales de una forma no lineal a medida que se incrementa el tiempo de reposo. En relación a los cambios nutrimentales del grano de maíz al convertido en harina se observo que la temperatura de 92°C la proteína se degrada en mayor proporción en relación a las temperaturas de 72°C y 82°C. Por otra parte la lisina en cual esta directamente relacionada con la calidad de la proteína, disminuyo en las harinas



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4-151/0

Síntesis y caracterización de materiales híbridos quitosan-metacrilato de glicidilo-xantana, para aplicaciones biomédicas

Elizalde Peña, Eduardo Arturo1; Luna Bárcenas, J. Gabriel1; Martínez Ruvalcaba, Agustín2; Nuño Donlucas, Sergio M.2; Flores Ramírez, Nelly1; Vásquez

García,Salomón3; González Hernández, Jesús1 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

2Univesidad de Guadalajara 3 Fac. de Ing. Química, Universidad Michoacana de San Nicolás de Hidalgo

En este trabajo se presenta la síntesis, caracterización y aplicación de hidrogeles basados en la reacción química de un híbrido de Quitosano–Metacrilato de glicidilo (Q-GMA) con Xantana. Teniendo diferentes relaciones estequiométricas para el híbrido, desde 1:1 hasta 1:4. Los hidrogeles se caracterizaron por técnicas analíticas, tales como espectroscopia de infrarrojo, difracción de rayos X y análisis térmico (DSC y TGA), y se comparan los resultados obtenidos contra sus precursores. Los resultados muestran un aumento en las temperaturas de fusión, conforme se incrementa la cantidad de GMA adicionado al biopolímero precursor. El grado de hinchamiento de los hidrogeles es alto en comparación a otros sistemas. Los resultados de la difracción de rayos X muestran que los materiales son practicamente amorfos en comparación con el quitosano. La caracterización por espectroscopía de infrarrojo de los materiales confirma la unión química de los precursores. Lo anterior se basa en la presencia en los espectros de las bandas a menores longitudes de onda pertenecientes a la Xantana, además de se logra observar una diferencia significativa en la intensidad de las bandas, así como en su desplazamiento mientras varía la cantidad de GMA presente. Se realizaron películas de los materiales para el Centro Nacional de Rehabilitación donde se realizó la siembra de células, dando como resultado la inhibición del crecimiento de las mismas debido al pH ácido de los hidrogeles.

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Estudio de las propiedades térmicas y físicas de harinas y tortillas elaboradas por un proceso de nixtamalización por extrusión.

Yañez Ortega, Yadira1; San Martín Martínez, E.2; Fonseca Jaime, Moníca Rosalía2; Huerta González, Luis2

CICATA-IPN-Legaria

El objetivo de esta investigación fue el estudio de las propiedades físicas y térmicas de las harinas y tortillas nixtamalizadas por el proceso de extrusión. Los parámetros evaluados fueron los Índices de Solubilidad y de Absorción en Agua y determinación de la temperatura de fusión en harinas (Tm) y en tortillas la fuerza de compresión y extensión. El estudio de las variables en el proceso fueron Temperatura (93 – 126 °C), % de humedad (26.5 – 43.4) y el % PGP (Punta, Germen y Pericarpio) de (0 – 15). Se empleo un método de superficie de respuesta, el procesamiento de los datos de las variables respuesta se analizaron mediante un procesador estadístico SAS, obteniendo los modelos matemáticos de los efectos de las interacciones de las variables. Concluyendo que las variables temperatura, % de humedad y % PGP afectan las propiedades tanto de las harinas como de las tortillas elaboradas por este proceso.



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4-188/0

Mejoramiento en la Calidad del Acero a través de Aglutinantes Orgánicos ( Almidón de Maiz Nativo y Modificado).

García García, A.1; Ruíz Serrano, Diana1; Borrego Navejas, Laura1; Rivera Ruedas, Ma. Guadalupe1; Martínez Bustos, Fernando1


La industria del hierro y del acero siempre ha estado en la búsqueda de productos que no generen contaminantes, sin embargo, el uso de algunas materias primas como la bentonita (usada para la formación del pellet en verde), introducen contaminantes al mineral de hierro que deterioran la calidad del acero. Por esta razón, se ha estudiado la posibilidad de usar materiales orgánicos para aglutinar el mineral de hierro y reemplazar a la bentonita, con la finalidad de reducir los costos de producción y mejorar la calidad del acero. Uno de los aglutinantes orgánicos que puede ser empleado es el almidón, ya que este polímero biodegradable es completamente eliminado durante la sinterización en forma de CO2 y H2O. Específicamente el almidón de maíz es una materia prima abundante y tiene costos muy bajos, sin olvidar sus buenas propiedades aglutinantes. En el presente trabajo se utilizaron como agentes aglutinantes en la elaboración de pellets: almidón nativo y almidón modificado con urea, lo cual provoca una expansión en éste al ser procesado por extrusión termoplástica, y al ser utilizado como aglomerante en la elaboración del pellet, modificó sus propiedades haciendo que este sea menos frágil. La urea fue adicionada para romper los enlaces de hidrógeno y el bicarbonato de sodio fue usado como un agente de expansión. El almidón modificado presentó mayor expansión y alta porosidad con relación al almidón nativo. El producto extrudido se molió y se tamizo para obtener tamaños finos y de esta manera, adicionarlo a la mezcla de mineral de hierro y dar lugar a la formación de pellets en un tambor rotatorio. El almidón modificado presentó un comportamiento óptimo en la aglomeración de pellets: pérdida de peso en la etapa de deshidratación: 0.8564 gr promedio, prueba de compresión: 1.870666667Kg promedio (para pellets aglomerados con almidón nativo: 1.59475 Kg), prueba de golpe: 2.75 golpes promedio (para pellets aglomerados con almidón nativo: 2.25 golpes), las microfotografías mostraron que la estructura del pellet aglomerado con almidón modificado fue más compacta que la del pellet aglomerado con almidón nativo evitando de esta manera que sea demasiado frágil y que se fragmente en el proceso siderúrgico.

4-203/0

Desarrollo de Aglomerantes a base de Almidón de Papa y Aditivos vía Extrusión Termoplastica

Aguilar Palazuelos, E.1; Amaya Llano, Silvia Lorena1; Cervantes Sánchez, Nancy1; Morales Sánchez, I. E.1; Murúa Pagola, Beneranda1; Ramos Fernández, Sonia Lorena1;

Martínez Bustos, Fernando1 1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

La bentonita es un tipo de arcilla muy plástica, de origen volcánico, que se añade a otros materiales, en pequeñas cantidades, para mejorar su plasticidad. Por esta razón ésta es utilizada como aglomerante en la elaboración de pellets de mineral de hierro para la fabricación de acero. Debido a la alta productividad de acero que se realiza a nivel mundial, es importante obtener un aglomerante de un costo más bajo y con un mayor nivel de pureza, ya que, la bentonita puede contener algunas sustancias que contaminan el acero modificando sus propiedades; el uso de materiales orgánicos como aglomerantes, es un tema de interés para los investigadores como una posibilidad para reemplazar la bentonita en este proceso. Los



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aglomerantes orgánicos de almidón pueden ser completamente removidos como dióxido de carbono y agua durante la sinterización obteniéndose de esta forma un acero puro. La extrusión es un proceso que puede afectar las propiedades químicas y físicas del almidón. Las principales variables que afectan el desarrollo del producto extrudido son la temperatura, velocidad de tornillo, contenido de humedad y la adición de otros materiales. La urea y el bicarbonato de sodio son comúnmente usados en extrusión de almidón para hidrolizar enlaces y como un agente de expansión respectivamente. En el presente trabajo se evaluaron las características de pellets producidos con aglomerante de almidón de papa (control) y almidón de papa con bicarbonato de sodio y urea preparados por extrusión termoplástica. A las muestras extrudidas se les midió el índice de absorción de agua (IIA) e índice de solubilidad en agua (ISA), expansión radial y densidad aparente, análisis de textura, viscosidad de la pasta en un Rapid Visco Analyzer (RVA 3D). Además se midieron la propiedades caloríficas de las muestras con la técnica de Calorimetría Diferencial de Barrido. Para observar los cambios microestructurales en el almidón sin procesar y en los productos extrudidos molidos y sin moler se utilizó un microscopio electrónico de barrido. Las resinas aglomerantes elaboradas por extrusión fueron probadas en la producción de pellets de mineral de hierro. Se midieran las propiedades mecánicas (índice de fractura, resistencia a la compresión y desgaste), propiedades microestructurales (microscopía óptica) y propiedades térmicas (cinética de deshidratación de pellets húmedos). El proceso de extrusión provocó marcados cambios estructurales en el almidón. Se observó un mayor IAA e ISA para el tratamiento con aditivos. Los valores obtenidos en las pruebas mecánicas fueron similares para ambos tratamientos, excepto para el índice de desgaste que fue menor al 5% en el tratamiento con aditivos; las pruebas microestructurales refuerzan estos resultados observándose mayor homogeneidad en la superficie de los pellets obtenidos a base del aglomerante con aditivos. Fue factible elaborar a partir de estos aglomerantes orgánicos pellets de mineral de hierro con buenos resultados. Palabras clave: Extrusión, Aglomerantes orgánicos, Pelletizado.

4-248/0

Uso de la Espectroscopía por Impedancia bioeléctrica para la detección de anomalías en tejido subcutáneo

Vargas Luna, Francisco Miguel1; Comas García, Mauricio2; Huerta Franco, Raquel3; Gutiérrez Juárez, Gerardo1

1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 2Facultad de Ciencias Químicas, UASLP

3Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo, Universidad de Guanajuato

La espectroscopía por impedancia bioeléctrica es usada para la detección de anomalías en capas internas de materiales, phantoms de piel humana. Se utilizan electrodos coaxiales de diferentes diámetros y se estudia la sensibilidad para localizar las anomalías en profundidad. Los parámetros considerados son los valores de resistencias y capacitores de un modelo electrico RC en paralelo con una resistencia en serie. Asimismo se consideran algunas características de las curvas de amplitud, fase, y valores real e imaginario de Z en función de la frecuencia. La aplicación de sensores coaxiales de distintos tamaños en contraposición del uso de frecuencias de GHz en detección profunda es discutida.



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4-267/0

Photoacoustic characterization of cationic starch Jaime Fonseca, Mónica Rosalía1; San Martín Martínez, Eduardo1; Balderas López, José

Abraham2 1CICATA-IPN-Legaria

2Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional

Cationic starches are applied in a wide range of paper grades because they improve the strength, retention and drainage on these kind of materials. In order to study the effect on thermal properties on different cationic starches a photoacustic technique, in the sample’s thickness domain, was used. Native potato starch was reacted with sodium sulfate, alkaline catalyst (1 mL, 1% NaOH), and glycidyl-trimethylammonium cloride (1%, w/w) by stirring in an aqueous medium for 1 and 24 h at 50 °C. Samples were evaluated through their degree of substitution, their homogeneity, photothermal properties and rheological behavior.

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Thermal properties of tortilla dough using a normalized photoacoustic technique

Jaime Fonseca, Mónica Rosalía1; Balderas López, José Abraham2; San Martín Martínez, Eduardo1 1CICATA-IPN-Legaria

2Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional

Properties such as thermal conductivity, specific heat and thermal diffusivity of Mexican corn-based tortilla dough play and important role in the understanding, prediction and design on heat transfer rates during processing. In order to improve the thermal processes required for tortilla production a deeply study of the thermal properties of nixtamalized corn dough is required in a variety of conditions. The purpose of this study was to determine thermal diffusivity of tortilla dough, as a function of lime concentration (0.2 - 0.6%, w/w) and cooking time (5 - 20 min) using a normalized photoacoustic technique.

4-297/0

Propiedades Mecánicas de los Biomateriales Utilizados en Ortopedia Mendez Gonzalez, Ma. Magdalena


Los materiales metálicos presentan buenas propiedades mecánicas (resistencia, tenacidad, etc.) respecto a otros materiales como son los polímeros y cerámicos. Esto hace que sean los materiales más adecuados para aplicaciones estructurales, como pueden ser las prótesis articulares, placas de osteosintesis, tornillos de fijación, implantes dentales entre otras aplicaciones. En este trabajo se reporta el módulo de elasticidad y algunas propiedades mecánicas de los materiales metálicos utilizados en la sustitución de tejido duro, así como las de hueso esponjoso y hueso cortical, esmalte y dentina. Se muestra la microestructura de la aleación de titanio, Ti-6Al-4V, más utilizada en prótesis de cadera, después del tratamiento térmico realizado a 880ºC. Se realiza la comparación del módulo elástico de los aceros inoxidables, de las aleaciones Cromo-Cobalto, del titanio y su aleación más utilizada que corresponde a la aleación Ti-6Al-4V, obteniéndose que las aleaciones de titanio son las más compatibles elásticamente con el tejido natural en comparación con las aleaciones de acero



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inoxidable y las aleaciones base cobalto. También. Se reporta la influencia de las propiedades mecánicas en el proceso de conformado de cada material.

4-318/0

Acerca del uso de la radiometría fototérmica en el dominio de frecuencias y de los métodos multi-variables para estudiar un

fantasma de piel humana Gutiérrez Juárez,Gerardo1; Pichardo Molina, Juan Luis2; Landa Hernández, Adán1;

Huerta Franco, María Raquel3 1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato

2Centro de Investigaciones en Optica 3Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo, Universidad de Guanajuato

En este trabajo, reportamos resultados preliminares de la aplicación de dos métodos multi-variables en el estudio de fantasmas de piel humana por medio de la radiometría fototérmica en el dominio de frecuencias (RFTF). El estudio fue enfocado en el análisis de la amplitud y fase de la señal de la RFTF por medio de los métodos de análisis de componentes principales (ACP) y el de análisis de discriminante lineal (ADL). Encontramos que la amplitud no puede ser analizada debido a la saturación óptica, sin embargo, la fase es más sensible a pequeños cambios ópticos dando información cualitativa por medio del análisis de PCA y LDA.

4-320/0

Estudio de la penetración de substancias de aplicación tópica en piel humana in vivo por medio de la configuración fotopiroeléctrica inversa

Gutiérrez Juárez, Gerardo1; Rocha-Osornio, Laura Nohemi1; Huerta-Franco, María Raquel2; Ivanov, Rumen3; Huerta Franco, Bertha4

1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 2Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo, Universidad de Guanajuato

3Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas 4Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo de la Universidad de Guanajuato

Reportamos un novedoso método para mediciones de penetración de sustancias de aplicación tópica en piel humana in vivo. El método esta basado en la configuración fotopiroeléctrica inversa. Utilizando el modelo de difusión de calor unidimensional se obtuvo la difusividad térmica de la piel con y sin medicamento. Del comportamiento de la efusividad térmica en función del tiempo, se obtuvo que los tiempos característicos de la penetración de las sustancias de aplicación tópica analizadas (lonol, protector solar, Vick Vaporub, voltaren, vitacilina) están en un rango de 336 s hasta 1150 s dependiendo de la función de la sustancia activa.



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4-322/0

Medición y análisis estadístico de la evolución de plantas de tomate con y sin micorriza usando la técnica fotoacústica de celda abierta Gutiérrez- Juárez,Gerardo1; Olalde Portugal, Víctor1; Sánchez Rocha, Salvador1; Vargas Luna, Francisco Miguel1; Madueño Rendón, Amado Larri1; Huerta Franco,

María Raquel2 1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato

2Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo de la Universidad de Guanajuato

La micorriza es una asociación muy frecuente entre la raíz de las plantas y el hongo micorrízico. Esta asociación da algunos beneficios a la planta, como por ejemplo incremento en la captación de nutrientes, mayor resistencia a agentes externos, y una mayor tasa fotosintética. En esta presentación, se presentan resultados de la aplicación de la técnica fotoacústica de celda abierta en el estudio de plantas tomate en condiciones normales de luz, con y sin el hongo micorrizico Glomus Fasciculatum. Haciendo la discriminación de ambas contribuciones de la señal fotoacústica, encontramos que la diferencia de la señal fotobárica entre las plantas con y sin el hongo micorrizico son estadísticamente significativas (p < 0.05), siendo mayor la señal correspondiente a las plantas asociadas a la micorriza. Se discuten las consecuencias que tiene este resultado en el ahorro de fosforo cuando es utilizado como fertilizante.

4-324/0

Obtención de la difusividad térmica y del coeficiente de difusión de oxígeno por medio de la técnica fotoacústica de celda abierta en hojas

de tomate con y sin micorriza Vargas Luna, Francisco Miguel1; Sánchez Rocha, Salvador1; Olade Portugal, Víctor1; Huerta Franco, María Raquel2; Gutiérrez Juárez, Gerardo1; Sosa, Modeto1; Córdova

Fraga, Teodoro1; Bernal Alvarado, Jesús1 1Instituto de Física, Universidad de Guanajuato

2Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo de la Universidad de Guanajuato

Con la técnica fotoacústica de celda abierta se determinó el comportamiento de la difusividad térmica y del coeficiente de difusión de oxígeno de las hojas de plantas de tomate con y sin el hongo micorricico Glomus Fasciculatum. Estudiando la dependencia de la actividad fotosintética en función de la raíz cuadrada de la frecuencia de modulación se encontró un comportamiento exponencial típico de los procesos de difusión. El mejor ajuste a los datos experimentales arrojo una dependencia de la forma . Se demuestra que en el caso de las plantas micorrizadas el valor de C, es mayor en relación a las planta sin micorriza. Este cambio puede ser asociado con un incremento en el espesor de las hojas o bien a un decremento del coeficiente de difusión de oxígeno, o a una combinación de ambos. Estas diferencias son estadísticamente significativas y están en concordancia con la interpretación fisiológica de los beneficios del hongo.



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4-325/0

Velocidad de sedimentación globular medida por medio del método fotopiroeléctrico inverso

Huerta Franco,María Raquel1; Gutiérrez Juárez, Gerardo2; Pichardo Molina, Juan Luis3; Vargas Luna, Francisco Miguel2; Ivanov, Rumen4; Bernal Alvarado, Jesús2; Sosa

Aquino, Modesto2 1Instituto de Investigaciones sobre el Trabajo de la Universidad de Guanajuato

2Instituto de Física, Universidad de Guanajuato 3Centro de Investigaciones en Optica

4Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas

La velocidad de sedimentación globular, en la parte inferior de una columna de sangre, en los primeros 7 minutos de dicho proceso, fue medida usando del método fotopiroeléctrico inverso. El valor de la velocidad medido fue de 0.25 mm/s, el cual es dieciséis veces menor que el obtenido por medio del método de Westergren, el cual mide este proceso en la parte superior de la columna de sangre. En este trabajo se explica el método de medición utilizado y se discute las diferencias en los valores de la velocidad medidos respecto a los obtenidos con el método tradicional.

Peliculas Delgadas, Dieléctricos y Recubrimientos (RPD)

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Full EELS characterization of TiC thin film Moller Duarte, José Alberto

Fac. de Física, Universidad Autónoma de Baja California

Thin film of TiC was characterized by transmission electron energy loss spectrometry (EELS) technique in both, low and high energy windows. EELS experiments were carried out in a CM 200 transmission electron microscope with a GATAN 766 PEELS attachment. A primary energy of 200 keV and a spot size of 500 nm with an average acquisition time of 15 minutes were used. The atomic distribution was calculated performing the fast Fourier transform, FFT, on the core loss window, which is located at few eV beyond the core excitation. Structural parameters were corrected with their respective experimental phase shifts. Also the coordination number and the Debye-Waller factor were obtained by using the ab-initio formalism. Finally the results were compared with those obtained by EXAFS, and the known crystallographic values. The extended fine structure energy range was taken at 300 eV beyond the Ti L23 ionization edge which is located at an energy loss of 435 eV.



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2-104/1

EXAFS and EELFS characterization of TiN thin film grown by PLD: The effect of plural scattering process in the determination of the

coordination number Duarte Moller,José Alberto

Centro de Investigación en Materiales Avanzados

This work presents the study of a series of TiNx thin films, grown by PLD over Si (1 1 1) substrate at different partial pressures of N2. Ti target was ablated in presence of a N2 atmosphere and a series were made in order to observe the influence for different partial pressures of the N2 during the growing up of TiNx thin films. To determine the elemental ratio and the chemical states of the samples, these series were analyzed in-situ by AES, XPS, EELS. Ex-situ were examined by TEM and EXAFS. Micro-hardness tests were performed also to determine the influence of the N quantity in this hardness at the final thin film obtained, getting accurated results. Structural parameters were obtained by EXAFS and EELFS experiments and their respective corrections were obtained by applying an ab-initio approximation and compared with the model compound. Is appreciable the strong effect of the plural scattering process in the electron induced fine structure. We report a discussion of the effect in the coordination number and the atomic distance obtained with both techniques.

2-114/0

Green and red emissions from cathodoluminescent Al2O3 : CeCl3, MnCl2 coatings deposited by spray pyrolysis process.

Caldiño García, Ulises1; García Hipólito, Manuel2; Martínez Sánchez, Enrique 2; Ramos Brito, Francisco2; Álvarez Fregoso, Octavio2; Huerta Arcos, Lázaro2; Guzmán

Mendoza, José2; Falcony Guajardo, Ciro3; Martínez Martínez, Rafael2 1Depto. de Física, UAM-I


Al2O3:CeCl3, MnCl2 films were deposited by Pyrosol (ultrasonic spray pyrolysis) technique on the Corning glass substrates. The films were deposited at 300ºC and changing some deposition parameters such as doping concentration (Ce and Mn). The cathodoluminescent measurements were carried out as a function of the accelerating voltage of the incident electrons. In this case, a change in the emitted radiation is observed. A red emission is characteristic for low energies and a green emission for higher potential. These emissions are typical from divalent manganese ion. In addition, some characteristics of the chemical composition ( by XPS) and the surface morphology ( by SEM) are presented.

2-123/0

Caracterización óptica y mecánica de vidrios laminados con películas delgadas de ZnS y ZnS-CuS

Aguilar, J.O.1; Gómez-Daza, O.1; Brito, A.2; Nair, M.T.S.1; Nair, P.K.1 1Centro de Investigación en Energía, UNAM

2Instituto de Investigaciones Eléctricas

Debido a su resistencia estructural, el vidrio laminado se utiliza en diferentes aplicaciones tales como vidrio de seguridad, protección de valores y en la industria automotriz. En su forma más



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simple, el vidrio laminado consiste en dos hojas de vidrio unidas con una hoja de poly vinyl butyral (PVB), mediante calor y presión. En éste trabajo se reporta la presencia de películas delgadas de sulfuro de zinc, (ZnS, 40 – 80 nm espesor) depositadas por baño químico sobre hojas de vidrio claro de 2 mm de espesor, las cuales mejoran la resistencia adhesiva del vidrio laminado en aproximadamente un 20%, de 11.1 MPa ± 0.8 MPa a 13.3 MPa ± 1.8 MPa. La transmitancia óptica de los vidrios laminados con películas delgadas de ZnS en la región del visible es del 80% aproximadamente, prácticamente la misma que un vidrio laminado simple. Al depositar películas delgadas de sulfuro de cobre (CuS) con espesores de 100 nm a 150 nm sobre las películas delgadas de ZnS depositadas previamente sobre el vidrio, se obtienen mejores características ópticas como recubrimientos de control de la radiación solar: transmitancia en la región del visible del 22% al 40% y una transmitancia muy baja en la región del cercano infrarrojo, < al 10%, manteniendo en todos los casos los valores de resistencia adhesiva en el orden de 12 – 14 MPa. Los resultados aquí reportados pueden ser de interés para el desarrollo de envidriados arquitectónicos utilizados en regiones geográficas de clima cálido y propensas a fenómenos climatológicos como tormentas y huracanes.

2-124/0

Morfología y Propiedades de Recubrimientos de Ti sobre acero AISI304 preparados por erosión catódica García Lara, Adrían; Montero, Cecilia

Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Saltillo

Las películas delgadas, presentan un gran interés debido a su amplio campo de aplicaciones en tribología, química, microelectrónica y óptica entre otras. Para obtener películas delgadas eficientes, es necesario conocer y entender las relaciones entre sus propiedades estructurales (cristalogrfía, defectos, topografiía etc.). En tribología las películas delgadas de Ti son de fundamental importancia como base en la fabricación de recubrimientos de nitruros tanto de Ti como de Ti-Al y multicapas de estos materiales. En este trabajo se presentan los resultados del estudio de la influencia de los parámetros de deposición en el espesor y topografía de las películas de Ti fabricadas sobre substratos de acero inoxidable AISI 304 a partir de un blanco de titanio empleando la técnica de erosión catódica por descarga de magnetrón DC. Las películas se depositaron a potencias de 100 y 200 W durante periodos de tiempo de 15, 30 y 60 min, a presiones de descarga de 10 y 20 mTorr, observándose variación en el espesor y rugosidad. Los resultados obtenidos por microscopía electrónica de barrido, revelaron una proporcionalidad directa entre la densidad de potencia y el espesor. La velocidad de erosión se favoreció a bajas presiones de descarga. A título de ejemplo, se logró un incremento en el espesor de las películas de 35% al disminuir la presión en las condiciones estudiadas cuando las deposiciones se realizaron a 100 W. Los resultados de las mediciones de rayos X permitieron detectar estructuras cristalinas y amorfas, se identificó la fase cristalina hcp α-Ti. La intensidad de los picos de difracción α-Ti(100) disminuyó, mientras que la de los picos α-Ti(002) y α-Ti(101) incrementó conforme aumentó el espesor de las películas, este cambio en la intensidad de los picos, se asoció a la orientación preferencial de los cristales. Las imágenes de AFM revelaron una morfología piramidal en las películas. La rugosidad de los recubrimientos obtenidos aumentó con la presión de descarga. Este aumento de rugosidad se explicó por la reducida movilidad de los adátomos en la superficie de la película a altas presiones en la etapa de crecimiento de la película. Utilizando un micro-indentador Vicker se obtuvo la dureza de los recubrimientos.



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Effect of the nitrogen content in the electrical resistivity of ReNx films produced by reactive pulsed laser deposition

Diaz, Jesus Antonio1; de la Cruz, Wencel2; Farías, Mario2; Rosas, Axel3; Soto, G.2 1IICO-UASLP

2Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM 3 Fac. de Física, Universidad Autónoma de Baja California

Rhenium nitride (ReNx) films were grown on (100)-Si substrates by the reactive pulsed laser deposition (PLD) method using a high purity Re rod in an environment of molecular nitrogen. The resulting films are characterized by several techniques, which include in-situ Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopies and ex-situ X-ray Diffraction, Scanning-electron and Atomic-force microscopies. Additionally, the four probes method is used to determine the sheet resistance of deposited layers. The result show that films with N:Re ratios (x) lower than 1.3 are very good conductors. In fact, the resistivity of ReN films is in the order of 5 % of that of Re films. For x > 1.3 there is an abrupt increment in resistivity, resulting in dielectric films. These results deny the preconceived belief that the resistivity should increase with the nitrogen incorporation in transition metals.

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Caracterización estructural y electroquimica de electrodos de Ni:Zn:S obtenidos por electrodepósito y baño quimico para su empleo en

electrolizadores alcalinos. Martinez Millán, Wenceslao1; Cano, Ulises2; Fernandez Madrigal, Arturo1

1Centro de Investigación en Energía, UNAM 2Instituto de Investigaciones Eléctricas

La síntesis de los materiales de Ni:Zn:S preparados sobre un substrato de acero inoxidable, tiene como propósito explorar su potencial como electrodos en un electrolizador alcalino. La preparación de los electrodos se realizó haciendo un electrodepósito de níquel sobre un substrato de acero inoxidable y posteriormente utilizando la técnica de baño químico se depositó una película de ZnS. Estas películas se hornearon a 3 diferentes temperaturas (200, 250, 300 ºC) en una atmósfera inerte, manteniendo muestras de Ni sin hornear como blancos. Los estudios de difracción de rayos X muestran que los electrodos obtenidos son policristalinos, obteniéndose en el caso de los electrodos de níquel, tamaños de grano de aproximadamente 1 µ (vistos en microscopía de barrido electrónico). En los electrodos a los cuales se les aplico el baño químico, se hallaron trazas de sulfuro de zinc (fase würtzita), pero no se ha hallado evidencia de algún compuesto ternario. Aunque este ultimo pudiera estar presente en la interfase níquel-ZnS. Los estudios de voltamperometría cíclica no muestran reacciones secundarias apreciables en la zona catódica, pero sí de evolución de hidrógeno gas en todos los electrodos.



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6-132/1

Microwave ECR plasma nitriding of AISI 4140 steel Chirino,Serafín1; Escobar Alarcón, Luis2; Mejía Hernández, José Antonio3; Camps

Carvajal, Edgar Enrique2 1Depto. de Ingeniería, Universidad Autonoma del Estado de Mexico

2Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares 3IMM-UNAM

A microwave electron cyclotron resonance plasma source (ECR) was employed to modify the mechanical surface characteristics of pieces of AISI 4140 steel. Experiments were carried out in a pressure range between 4 x 10@super -4@ and 7 x 10@super -4@ Torr, using a 60/40 hydrogen/nitrogen gas mixture and an incident microwave power of 400 W. Prior to the samples treatment the plasma was studied using a Langmuir probe to determine the electron temperature and the plasma density, the excited plasma species were determined by means of optical emission spectroscopy. All samples were treated for 45 min. in a low temperature regime (@td@ 250°C) and the surface hardness increased up to 100% of the initial value, with a nitrogen depth penetration of 4 microns. The highest hardness and depth penetrations were obtained when the highest plasma densities were used to carry out the treatments.

2-141/0

Transición de fase en películas delgadas de CdSe por variación en el volumen de Se

Rubín Falfán, M.1; Lozada Morales, Rosendo1; Zelaya Angel, Orlando2; Portillo Moreno, Oscar3


3Facultad de Ingeniería Química, BUAP

Los materiales semiconductores en película delgada como el CdSe han sido continuamente estudiados como un material fotoconductor y por su importancia en la conversión de energía fotovoltaica. Este material en forma de película delgada se puede obtener en fase cúbica, hexagonal o una mezcla de ambas, dependiendo de las condiciones de crecimiento. En este trabajo se obtuvieron películas policristalinas de CdSe por Baño Químico (CBD) variando el volumen de Se desde las condiciones de crecimiento. Se observaron cambios en las propiedades óptica eléctricas y estructurales de las películas dependiendo de la cantidad de Se suministrado durante el crecimiento. Las películas sufrieron una transición de fase de cúbico a hexagonal debido al incremento en el volumen de Se agregado desde su crecimiento. Estos cambios de fase fueron determinados por los difractogramas de rayos X, en los que se muestra una buena calidad cristalina.



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2-159/0

Síntesis y caracterización de películas delgadas de SiO2 - Te y SiO2 - Sb Urbina Álvarez, José E.1; Menchaca Rivera, Alejandro2; Mendoza Galván, Arturo1;

Morales Sánchez, Eduardo3; Pérez Robles, Juan Francisco1; Avilés Arellano, Luz Maria Reyna1

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Universidad Autónoma de Coahuila

3Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo

El objetivo de este trabajo fue la síntesis y la caracterización óptica y estructural de películas delgadas SiO 2 - Te y SiO 2 - Sb. Las películas se obtuvieron mediante la técnica de dip coating por el proceso sol gel utilizando TEOS y utilizando SbCl 3 y TeCl4 como fuente de Sb y Te, respectivamente. Se depositaron en substratos de vidrio y silicio. La caracterización se realizo con las técnicas de: DRX, AFM, SEM, IR, UV-VIS (Film Tek TM 3000 (SCI, Inc)). Ajustando las curvas de reflexión obtenidas por UV-VIS con un modelo por osciladores se calculó el espesor, la constante dieléctrica y las constantes ópticas de las películas delgadas. Los valores de n y k calculados sugieren una posible aplicación como fibra óptica.

2-282/0

Surface atomic structure, theorical and experimental reflection high-energy electron difraction patterns and homoepitaxy of GaAs(631)

Méndez García, Víctor Hugo1; Ramírez Arena, F. J.1; Orlando Pulzara, Álvaro2; López López, M.2


Semiconductor quantum wires (QWRs) have been widely studied because of their particular electronic structure that turns out to be interesting for both fundamental physics and devices applications. In order to overcome the technological bottleneck associated with the control of the nanostructure geometry several growth techniques have been developed. The most successfull technique for the synthesis of QWRs take advantage from the preferential adatom adsoption direction in high stepped surfaces provided by high-indexed substrates (HISU). In this work, we study the GaAs(631) surface. By modeling the surface structure we observed a highly anisotropic distribution of atoms. Over the unit mesh were identified the in-plane direction: [5-9-3], [2-3-3], [1-1-3], [01-3], [-13-3], [-25-3] and [-120]. A transversal view of the (631) plane along the [-120] direction showed an stepped surface typical from HISU and it is close to the cleaveage line. From the unit mesh model we were able to simulate the reflection high-energy electron difraction (RHEED) patterns, which were later compared to the experimental results. On the other hand, (631) samples with A- and B faces were chemically etched with a highly diluited sulfuric acid solution, and we found that such solution results on smoother surfaces in the face B than in A. Finally, preliminary results of the GaAs homoepitaxy are presented.



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2-281/0

Preliminary studies on Y2O3:Mn films deposited by spray pyrolysis Calixto-Rodríguez, M.1; Esparza García+), Aneida1; Méndez García, Víctor Hugo1; Ramírez Elías, Miguel Ghebre1; Falcony Guajardo, Ciro2; García Hipólito,Manuel2


The technological needs of luminescent materials applicable to high efficiency and low cost flat panel displays, have stimulated extensive investigations on different alternatives for the synthesis of luminescent films. In this work, we report the growth of Y2O3:µm films employing the spray pyrolysis technique. One µm-thick films were deposited on pyrex glass substrates at temperatures ranging from 300°C to 400°C, with a Mn-concentration of 0, 2, 5 and 10 atomic percent. Atomic force microscopy and scanning electron microscopy images showed that the smoothest surfaces could be reached at temperatures of 360°C. By photoluminescence spectroscopy (PL) we observed a broad peak located approximately at 650-700 nm, which is related to 4T1(4G) -> 6A1(6S) radiative transitions of the manganese ions. Finally, Raman spectra of the Y2O3:Mn films showed an amorphous phase whose origin could be attributed most to low substrate temperature and probably to the influence of the amorphous nature of the pyrex glass substrate. Further experiments concerning to the optimization of growth parameters and PL-CL emissions are currently on progress.

+) In memorial.

2-177/0

Red and green simultaneous emissions from ZnAl2O4:(Tb+Eu) Reyes Ortíz, Raúl1; García Hipólito, Manuel1; Álvarez Fregoso, Octavio1; Martínez

Sánchez, Enrique1; Guzmán Mendoza, José1; Falcony Guajardo, Ciro2 1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM


Red and green simultaneous emissions from terbium and europium doped ZnAl2O4 luminescent films obtained by Pyrosol deposition process are studied. The Photoluminescence emission and excitation spectra were obtained; also, studies about the cathodoluminescent characteristics of this phosphor are showed. A concentration quenching of the luminescence occurs. Depending of the excitation energy different emissions (red and green) are obtained. Some substrate temperatures and doping concentrations in the start spraying solution were studied. XRD measurements on these films showed that the crystalline structure depends on the substrate temperature. At substrate temperatures of 550°C the crystalline structure of the ZnAl2O4 films presents the close-packed face centered cubic phase. In addition, the surface morphology characteristics and the relative composition of the films, as a function of the deposition temperature, are shown.



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19-270/0

Caracterización eléctrica de estructuras mim basándose en películas de carbón amorfo de baja constante dieléctrica

Zuñiga, C.; Torres, A.; Kosarev, Andrey


EL carbón amorfo hidrogenado, a-C:H, ha atraído mucho la atención en los últimos años debido a la explosión tecnológica de las películas orgánicas que contienen carbón. Películas de a-C:H, han sido estudiadas y caracterizadas óptica y eléctricamente en trabajos. En esos se reportaron películas de constante dieléctrica baja (K˜2.2) y alta resistividad (ρ=1014 Ω-cm). Películas que pueden ser aplicadas en circuitos integrados (CI), de muy alta densidad. El dispositivo usado en análisis previos, fue una estructura sándwich metal aislante semiconductor (MIS), mediante la cual se determinaron tanto las propiedades eléctricas como los mecanismos de conducción en el mencionado sistema. El mecanismo de transporte encontrado fue de tipo Schottky en la región de campo eléctrico alto y un comportamiento ohmico y/ó corriente limitada por la región de carga espacial para la región de bajo campo eléctrico. En este trabajo se presenta la caracterización de las propiedades de este material en una estructura metal aislante metal (MIM); porque una de las aplicaciones más importantes que se esperan de la película de a-C:H es su uso como aislante de baja K entre niveles de líneas de conducción en el “back end of line” de un CI. Se encuentra que en las estructuras MIM, las características corriente – voltaje a temperatura ambiente y en función de la temperatura muestran un comportamiento similar al de la estructura MIS. Se mide también el valor de K tanto a temperatura ambiente como en función de la temperatura. Los mecanismos de transporte son similares a los encontrados en la estructura MIS y aquí, se mide la reducción de la altura de la barrera por dos diferentes técnicas: a) a partir de la constante dieléctrica obtenida de la capacitancia; y b) a partir del valor de la pendiente obtenido del ajuste de la curva de J-V en la región de campo eléctrico alto. Se muestra también la estabilidad térmica del material en esta estructura, mediante la medida de características eléctricas en función de tratamientos isotérmico a 400 ºC durante períodos de 10 minutos.

2-192/0

Structural properties of titanium nitride thin films prepared by laser ablation

Escobar Alarcón, Luis1; Castro Colin, Marco Antonio1; Camps Carvajal, Edgar Enrique1; Mejía Hernández, José Antonio1; Romero Hernández, Saúl1; Muhl Saunders, Stephen2

1Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares 2Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

Titanium nitride thin films were deposited using the laser ablation technique. The effect of the laser energy density used to ablate the target and the gas working pressure on the structural and mechanical properties of the deposited thin films was investigated. Depending on the gas working pressure films with preferred orientation along the (200) and (111) directions were obtained. At a pressure value of 1 x 10-2Torr only was observed the (200) direction. On the other hand, at 5 x 10-3 Torr the deposited material is formed of co-existing (200) and (111) orientations, the (111) direction is the predominant one in these samples. No effect of the energy density on the texture of the films was observed. Aditionally, the increase of the energy density in general results in a decrease of the crystal size. TiN films with hardness as high as 24.0 Gpa for the (111) direction, which may be suitable as hard coatings for mechanical applications were obtained. Hardness was affected strongly by the energy density, the



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observed tendency showed that the hardness value increases almost linearly as the energy density is increased.

2-199/0

About the saturation of the N/C atomic ratio in a-CNx films Romero L., S.; Escobar Alarcón, Luis; Arrieta Castañeda, Alma; Camps Carvajal, Edgar

Enrique Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares

The interesting properties shown by CNx films, have estimulated the investigation and growth of them by different deposition techniques under a great diversity of experimental conditions. When increasing the experimental variable, whether the N/C flux ratio in Ion Beam Assisted Deposition; N2 pressure in DC Magnetron Sputtering, Cathodic Arc Evaporation or Pulsed Laser Ablation; N2/C2H2 flow ratio in Electron Cyclotron Wave Resonance or fluence in Pulsed Laser Ablation, a common characteristic that have been reported is saturation in N atomic content or in N/C atomic ratio. Additionally and concerning thickness or deposition rate, in some cases the films present an increasing behavior as a function of the experimental variable, however, in other the behavior is the opposite. Some authors attribute this saturation or limitation on the N atomic content or N/C atomic ratio to the effect of chemical sputtering and the formation and loss of N2. In this work, we present results of thickness as well as composition and N/C atomic ratios, obtained by profilometry and EDS, respectively, of CNx films growth by Pulsed Laser Ablation (Nd:YAG, 1064 nm, 28 ns, 10 Hz) using a fixed target-substrate distance and N2 pressure of 5 cm and 7.5x10-2 Torr, respectively and a variable fluence from 5 up to 39.6 J/cm2. Finally, from the analysis of these data as well as other found in the literature, it is suggested, that an alternative explanation to the saturation in the N atomic content or N/C atomic ratio, could be the fact that the films have attained a stable composition compatible with the experimental conditions under which the films have been elaborated.

2-208/0

Estudio óptico de películas delgadas de NiO depositadas sobre vidrios recubiertos con ITO

López Beltrán, Ana María1; García Jiménez, Pedro2; Mendoza Galván, Arturo2; Ramírez Bon, Rafael2

1Universidad Autónoma de Sinaloa 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Películas de níquel fueron depositadas sobre vidrios recubiertos con ITO por medio de erosión catódica (magnetron dc sputtering). Realizando tratamientos térmicos en aire bajo diferentes condiciones de temperatura y tiempo, las películas de Ni inicialmente depositadas fueron transformadas a NiO. Las películas de ITO empleadas son de un grosor de 130 nm y una resistencia de cuadro de 10 Ω. Debido a que el borde de absorción del NiO se encuentra en la región de absorción del substrato de vidrio, muestras similares fueron depositadas sobre cuarzo fundido. De esta forma, la función dieléctrica compleja del NiO fue determinada utilizando mediciones espectrales de elipsometría, así como de reflexión y transmisión a incidencia normal en el intervalo espectral de 240 a 840 nm. Tales mediciones fueron analizadas considerando un sistema aire/NiO/ITO/substrato, donde la función dieléctrica del NiO se representa mediante una forma generalizada de la expresión de oscilador armónico de Lorentz.



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2-217/0

Propiedades Ópticas y Estructurales de Películas de TiO2:Tb y TiO2:Eu Crecidas por MOCVD-AA

Conde-Gallardo, Agustín; Castillo, Nancy; García-Rocha, Miguel; Hernández-Calderón, Isaac


Partiendo de una solución líquida ternaria compuesta por diiospropoxido de titanio, etanol y nitratos de tierra rara, se utilizó el método de "Depósito por Vapores Químicos Asistido por Aerosol" para crecer películas delgadas de TiO2 impurificadas con Terbio y Europio. Se presentan los resultados de las propiedades ópticas y estructurales de pelícuals crecidas bajo diferentes condiciones de depósito. Se observa que ambas propiedades dependen del tipo de tierra rara. Las películas de TiO2:Tb son primordialmente amorfas independientemente de las condiciones de depósito, y su señal fotoluminiscente desaparece tan pronto el contenido de Tb es mayor a un 5% en atómico respecto al contenido de Ti; mientras que las películas de TiO2:Eu son cristalinas y su Señal fotoluminiscente crece como funcion del contenido de Eu.

19-231/0

Termoluminiscencia de soluciones sólidas dieléctricas impurificadas con Europio

Rodríguez-Mijangos, R.; Pérez Salas, Raúl Universidad de Sonora

En este trabajo se presenta el estudio de mezclas cristalinas por la Técnica Fototérmica de la Termoluminiscencia. Estas mezclas cristalinas presentan estructura cristalina de una sola fase o sea forman solución sólida. Los materiales dieléctricos para los cuales se presentan resultados son el KCl(1-X):KBr(X):Eu, para un conjunto de concentraciones en fracción molar X Los materiales se irradian con “betas”. Se encuentra que estos siguen una relación lineal del tipo T= T1(1-X) + T2(X), dónde las T’s correspondientes a las concentraciones 1-X y X son los picos de temperatura en el espectro termoluminiscente de los materiales simples KCl:Eu y KBr:Eu, que son 200 y 100 grados Celsius respectivamente, la T que resulta de este promedio es el que aparece para la solución sólida. este tipo de comportamiento es similar a la regla de Vegard para la constante de red y se especula que el pico termoluminiscente esté relacionado con esta constante. Siguiente esta linea de razonamiento se utiliza la regla generalizada de Vegard para ubicar el pico termoluminiscente del RbBr:Eu a traves de la solución sólida ternaria KCl(X):KBr(Y):RbBr(Z):Eu Irradiados con “betas”) con la concentración 0.5:0.25:0.25 en fracción molar de cada compenente del ternario, con pico termoluminiscente ubicado en 140 grados Celsius. La razón para hacer esto es que el material simple RbBr:Eu cristalino no se tiene, para hacer la medidión directa.. El resultado es 60 grados Celsius. Para aclarar un poco más sobre le certeza de esta extrapolación se dan los resultados experimentales de otras dos mezclas cristalinas: la del KBr(0.75):RbCl(0.25).Eu y el KBr(0.25):RbCl(0.75):Eu. La concentración de Eu utilizada en los cristales crecidos por el metodo de Czochkralski es 0.1%. Estos materiales también se irradian con radiación “beta”. Los resultados obtenidos no siguen la relación . Entónces se especula que en la relación. lo que prevalece es el efecto de los halógenos y no está relacionada directamente con la constante de red, lo cual se detalla en el trabajo. Trabajo pacialmente apoyado por Proyecto CONACYT-2002—C02-40497.



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2-233/0

Películas uniformes en bandas de pvc de 30 cm x 200 cm Palacios, P.; Cruz Manjarrez, Héctor; Alba Andrade, Fernando; Flores Morales, Luis


Como parte del proyecto de preparación de multicapas para aplicaciones fotovoltaicas por el método de sputtering, se diseñó y construyó un porta sustrato del tipo rollo a rollo que se coloca dentro de una cámara de vacío de 50 cm de diámetro y 40 cm de altura. El porta sustratos esta formado por dos cilindros, uno de carga y otro de arrastre que aloja la cinta de pvc recubierta; la longitud de la cinta es variable y el tiempo de exposición al vapor se controla con la velocidad de rotación del cilindro de arrastre, los parámetros eléctrico y de presión de trabajo (argón) para generar y mantener una descarga estable. La fuente de sputtering es de tipo magnetrón lineal de alta eficiencia, la banda de pvc de 30 cm se recubre con Aluminio, Acero Inoxidable 304 y otros materiales. La evaluación de uniformidad se realiza mediante un espectrofotómetro tomando como referencia la densidad óptica, la medida se obtiene longitudinal como transversalmente, para áreas de 559 cm2 se encuentra uniformidad de 90%; para áreas menores la uniformidad aumenta hasta el 99.5% en áreas 4 cm2.

2-235/0

Estudio de la Fusión en películas delgadas Sánchez Chávez, H.D.1; Castillo Alvarado, Fray de Landa1; Ruthowshi, J.2; Wojtczate,

L.2 1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

2University of Lody Pomorska

Calculamos la temperatura de fusión en función de la anchura de la película delgada d usando potenciales en el bulto del tipo de pluis para el caso no homogéneo, usamos el método de elemento finito y resolvemos las ecuaciones tipo Euler. Obtenemos una tabla de Tfusión en función de la anchura d para el caso del plomo.

2-236/0

Spatial filtering with optical thin films Moreno, Iván; Araiza Ibarra, José de Jesús

Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas

Thin-film optical filters selectively absorb, transmit and reflect certain parts of the electromagnetic spectrum. We propose and analyze a new concept of thin-film filter that directly and selectively transmits and reflects certain parts of the spectrum of spatial frequencies. The transmittance and reflectance are short-pass functions or long-pass functions of the angle of incidence. We discuss optical filters designed with dielectric thin films between two right angle prisms to selectively cancel a reflected or transmitted plane wave front for different angles of incidence. A detailed analysis of these optical filters with respect to the index of refraction of the films and prisms, width of films, and polarization of light is presented. Applications on extrasolar planet detection are briefly discussed.



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2-242/0

Electrochromic tungsten oxide thin films deposited on glass and fluorine tin oxide films by the spray pyrolysis method: the influence of

the substrate nanostructure Ortega, Jesús; Acosta, Dwight; Martínez, Arturo I.; Magaña, Carlos1; Aguilar Franco,

M.; Morales, Juan G. Instituto de Física, UNAM

Electrochomic thin films of Tungsten Oxide (WO3) were deposited by the spray pyrolysis technique spraying 20 mℓ of 0.2 M solutions of WCl6 in dimethylformamide at a substrate temperature of 500 √C on FTO and glass substrates. In this work we have studied the substrate effects on the structural properties of the WO3 layers, e.g. the hexagonal structure was obtained on amorphous glass substrates and on polycrystalline FTO substrates the triclinic structure was detected. Additionally, in WO3 layers on FTO with different electrical resistivity, the electrochromic properties have been studied with the cyclic voltammetry technique using as electrolyte, 0.001 M of sulfuric acid. The effects of substrate on structural, surface morphological and optical properties of the films are presented and discussed in this work.

2-249/0

Síntesis y caracterización de películas delgadas de carbono nitrurado utilizando un cañón de electrones

Rebollo-Plata, Bernabé1; Lozada Morales, Rosendo1; Palomino Merino, Rodolfo1; Zelaya Angel, Orlando2; Sandoval García, Pablo1; Portillo Moreno, Oscar1; Dávila

Pintle, Antonio1 1Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP


La motivación para estudiar compuestos de carbono nitrurado (CN) es alcanzar la súper dureza β4-C3N4, lo cual ha resultado una fase hipotética, ya que no se ha demostrado experimentalmente su existencia. Sin embargo, los compuestos amorfos CN son de gran importancia, desde un punto de vista científico y tecnológico. Tecnológicamente porque emergen muchas aplicaciones de interés, tales como sensores de gas, detectores IR, entre otras. En este trabajo, se presentan resultados de: películas de carbono amorfo (a-C) sintetizadas a una presión base de 5x10-6Torr; películas de carbono amorfo nitrurado (a-C:N) sintetizadas bajo una atmósfera de nitrógeno a una presión de 5x10-4Torr y del tratamiento térmico a 8000C realizado en las películas a-C:N. Las películas antes mencionadas son sintetizadas utilizando un cañón de electrones. El parámetro que se ha variado es la distancia blanco/substrato. Durante la síntesis se han utilizado para el cañón de electrones, un voltaje de 6kV y una corriente de 200mA. Las películas delgadas obtenidas se han caracterizado mediante distintas técnicas tales como: espectroscopía IR y Raman mediante las cuales se determinan características estructurales de las capas depositadas; elipsometría, con la que se obtuvo el índice de refracción; mediante perfilometría se determino el espesor, con ayuda de espectrofotometría UV-Vis se calculo la brecha de energía. Finalmente, por conductividad en el obscuro y efecto Hall se hallaron los mecanismos de conducción y densidades de portadores respectivamente.



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2-250/0

Crecimiento y caracterización de películas delgadas de germanio amorfo utilizando un cañón de electronesnitrurado utilizando un cañón

de electrones Sandoval García, Pablo1; Lozada Morales, Rosendo2; Palomino Merino, Rodolfo1; Zelaya Angel, Orlando3; Rebollo-Plata, Bernabe1; Portillo Moreno, Oscar1; Dávila

Pintle, Antonio1 1Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP

2Instituto Tecnológico de Querétaro 3Depto. de Física, CINVESTAV

Muchas de las investigaciones dedicadas a semiconductores amorfos están dirigidas hacia el entendimiento de cómo, o de que forma, la presencia de desorden determina varias de sus propiedades. Durante mucho tiempo se pensó que los semiconductores amorfos forman meras extensiones de sus “similares” cristalinos, excepto por la existencia de una disposición atómica irregular, esta a su vez sería la responsable directa de varias de sus características, tales como las propiedades optoelectrónicas. En este trabajo películas de germanio son sintetizadas utilizando un cañón de electrones para evaporar, siendo la presión base de 5x10-6 Torr, los parámetros que se han variado son el tiempo de depósito y la distancia blanco/substrato. Durante la síntesis se han utilizado para el cañón de electrones un voltaje de 5kV y una corriente de 80mA. Las películas delgadas obtenidas se han caracterizado mediante distintas técnicas tales como: elipsometría mediante la cual se ha obtenido el índice de refracción, perfilometría para determinar el espesor, espectrofotometría UV-Vis que nos permitio obtener la brecha de energía, espectroscopía IR y Raman mediante las cuales se determinan características estructurales de las capas depositadas.

2-251/0

Estudios sobre películas delgadas de Si1-xGe1-xdepositadas mediante un cañón de electrones

Guarneros, C.1; Rebollo-Plata, Bernabe1; Lozada Morales, Rosendo1; Palomino Merino, Rodolfo1; Zelaya Angel, Orlando2; Sandoval García, Arturo1; Portillo Moreno, Oscar1;

Dávila Pintle, Antonio1 1Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP


La mezcla de Si y Ge permite la formación de aleaciones en todas las proporciones y, por lo tanto, las aleaciones de SixGe1-x ofrecen un importante material semiconductor para la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. Las películas delgadas amorfas son de considerable interés para aplicaciones fotovoltaicas ya que su brecha de energía óptica puede variarse al cambiar la composición. En este trabajo, las películas de SixGe1-x son sintetizadas utilizando un cañón de electrones para evaporar, siendo la presión base de ˜5x10-6 Torr, el parámetro que se ha variado es la distancia blanco/substrato, esta varía de 10.5 a 23.5cm., en la que se obtiene que 55%< x ˜100mA. Las películas delgadas obtenidas se han caracterizado mediante distintas técnicas tales como: espectrofotometría UV-Vis para botener la brecha de energía, espectroscopía IR y Raman con las cuales se determinan características estructurales de las capas depositadas. EDS que nos sirvio para conocer la composición química. Microscopía de Fuerza Atómica para visualizar propiedades superficiales y finalmente con conductividad en el obscuro se determinaron los mecanismos y grado de conductividad respectivamente.



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2-252/0

Propiedades ópticas y eléctricas de películas delgadas de TiO2 amorfo dopadas con azul de metileno y rodamina 6g

Torres-Kauffman, Julián; Palomino Merino, Rodolfo; Xoxocotzi-Aguilar, Reyna; Díaz-Furlong, Alfonso; Lozada Morales, Rosendo; Dávila Pintle, Antonio

Facultad de Ciencias de Fis/Mat, BUAP

Utilizando el proceso Sol-Gel se depositan películas delgadas sobre sustratos de vidrio usando la técnica de inmersión dopadas con moléculas orgánicas de azul de metileno y rodamina 6G respectivamente. Se analizan propiedades ópticas mediante espectroscopia UV-VIS y fotoluminiscencia, teniéndose resultados novedosos para el caso de TiO2 amorfo. Respecto a propiedades eléctricas se tienen resultados de efecto Hall y conductividad.

2-253/0

Improving the Electrical Conductivity of ZnO Thin-Films by Means of Thermal Annealing in a Molecular Hydrogen Atmosphere

Martínez Pérez, Lilia1; Aguilar Frutis, Miguel Angel2; Zelaya Angel, Orlando3; Muñoz Aguirre, Narcizo4

1Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnologia Avanzada del IPN, Legaria 2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN

3Depto. de Física, CINVESTAV 4Instituto Mexicano del Petróleo

Researching on electrical and optical properties of ZnO thin-films is of widely importance for their applications as photoconductive and sensing materials. The electrical conductivity of ZnO thin-films prepared by means of Spray Pyrolisis method was measured. A decrease in electrical resistance of several orders of magnitude was obtained for thin-films which were annealed in a constant flux of H2. A possible mechanism for explaining the improvement of the electrical conductivity is discussed.

2-257/0

Distribución de la Magnetización de capas no-equivalentes acoplados por la interacción de intercambio

Castillo Alvarado, Fray de Landa1; Urbaniate-Kucharczyto,A.2 1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

2University of Lodz

Se aplica el método de las funciones de Green para calcular la distribución de magnetización a través del sistema de dos capas ferromagneticas descritas por integrales de intercambio diferentes y acopladas indirectamente por un espaciador no magnético. Se demuestra que la dependencia en la temperatura de la magnetización es afectada por el acoplamiento entre las capas constituyentes.



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2-262/0

Determination of the optical band gap in carbon nitride thin films Arrieta Castañeda, Alma1; Escobar Alarcón, Luis2; Camps Carvajal, Edgar Enrique

Edgar2; Camacho López, Marco Antonio3; Sosa Fonseca, Rebeca1 1Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

2Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares 3Depto. de Ingeniería, Universidad Autonoma del Estado de Mexico

The interest to synthesize carbon nitride thin films has grown in the last few years owing to the peculiar properties of this material which make it attractive in a wide variety of applications, for instance, as hard coatings, as antireflection coatings in solar cells, as gas or radiation sensors, among others. One of the most important properties of carbon nitride is the value of the optical band gap. Usually, the optical band gap is calculated, as the called “E04 gap” or as the “Tauc gap”, however these determinations requires the knowledge of the absorption coefficient as well as to know the thickness of the thin film and its refractive index. In this work an alternative method to obtain the optical band gap of carbon nitride thin films is presented. The method is based on a fitting to the absorption spectrum of the film using the Tauc equation as the model. The optical band gap is then obtained as one of the fitting parameters. With the purpose to establish the validity of the proposed method, the obtained results were compared with the E04 and Tauc band gap values, observing a maximum deviation of approximately 10%. These results seem to indicate that the proposed method could be suitable to determine the optical band gap of materials with low reflexion, and particularly of carbon nitride thin films in a straighforward way.

2-371/0

Análisis del comportamiento mecánico de recubrimientos híbridos de SiO2-PMMA por nanoindentación

López Gómez, Magaly; Almaral Sánchez, Jorge Luis; Ramírez Bon, Rafael; Muñoz Saldaña, Juan


Recubrimientos híbridos de sílice - polimetilmetacrilato en diferentes relaciones molares de los reactivos, 1:0, 1: 0.25, 1: 0.5, 1: 0.75, 1: 1, 1: 2 para TEOS:MMA, respectivamente fueron preparados por el método de sol-gel con modificaciones en cuanto a la ruta de preparación y con adiciones de un compuesto bifuncional como agente acoplante tipo MPS (3-metacriloxipropiltrimetoxisilano), con contenidos constantes de 0.5 M con relación al TEOS para todas las composiciones. Los recubrimientos fueron aplicados a sustratos de vidrio Corning por el método de inmersión. Los resultados de espectroscopia de infrarrojo indican la adecuada formación del material híbrido. En general con esta ruta de preparación se obtienen recubrimientos delgados (~2 µm), superficie de mínima rugosidad (del orden de armstrongs), gran transparencia (90% transmitancia), menor índice de refracción que el vidrio, etc. Las propiedades mecánicas de los recubrimientos fueron analizadas en condiciones dinámicas en cuanto a su resistencia al rayado y en condiciones estáticas con dos sistemas de nanoindentación que permiten el análisis en diferentes escalas de carga y profundidad de penetración: Hysitron Triboscope (0-10mN) y Nanoscope IV Digital Instruments (0-120 mN). El análisis de la dureza de las películas se complementó aplicando el modelo del trabajo efectivo de indentación, por medio del cual se separa la respuesta mecánica del sustrato de vidrio Corning. Los resultados indican claramente propiedades mecánicas mejoradas de los híbridos preparados comparadas con recubrimientos acrílicos convencionales (~200 MPa), que van



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desde el triple hasta en más de un orden de magnitud a diferentes relaciones molares de los reactivos. Es importante resaltar que el mecanismo de reforzamiento es mucho mayor en la superficie de los recubrimientos disminuyendo paulatinamente con mayores profundidades de penetración. Finalmente, se reporta el comportamiento de la dureza comparando todas las películas ensayadas, la cual disminuye no linealmente con el incremento en contenidos de PMMA.

2-300/0

High resolution photoluminescent spectroscopy measurements for praseodymium doped circonia powders

Ramos Brito, Francisco1; García Hipólito, Manuel2; Martínez Martínez, Rafael2; Camarillo, Enrique3; Hernández, José Manuel3; Falcony Guajardo, Ciro4

1Universidad Autónoma de Coahuila 2Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

3Instituto de Física, UNAM 4Depto. de Física, CINVESTAV

Praseodymium doped circonia powders were prepared by co-precipitation technique followed by a thermal treatment at 950ºC in an atmosphere which was rich in oxigen. X-ray diffraction patterns showed a nanocrystalline structure composed by monoclinic and cubic-tetragonal phases. The high resolution photoluminescent spectroscopy (HRPS) results showed a multiple peak emission in the visible-infrared region of the electromagnetic spectrum; doubt to 4f interlevel electronic transitions in praseodymium ion incorporated in the circonia. HRPS results made evident the charge transfer from the host (circonia) to the dopant (Pr3+ ion). Non evidence of energy transfer from the host to the dopant was observed.

2-303/0

Estudio de la Interfaz silicio-silicio poroso por medio de una estructura FET, en presencia de hidrógeno, oxígeno y aire húmedo.

Romero-Paredes Rubio, Gabriel; Ramírez del Valle, José Angel; Peña Sierra,Ramón

Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

En este trabajo se presenta la obtención y caracterización de estructuras del tipo transistor de efecto de campo con compuerta de silicio poroso (PSFET) en presencia de diferentes gases, para el estudio de la interfaz silicio-silicio poroso y su aplicación a sensores de gases. Las características Corriente Voltaje dependen de las condiciones de formación del silicio poroso (SP), porosidad y espesor de la película, del voltaje aplicado al substrato y del gas presente durante la medición. La estructura tipo FET se fabricó en obleas de Silicio cristalino, orientación (100), con una película epitaxial tipo N de 4mm y resistividad de 4.24 Ohm-cm, en substrato tipo P altamente impurificado (N/P+). Como aislamiento de las estructuras FET se utilizó SP con un espesor superior al de la película epitaxial. El SP fue formado por ataque químico selectivo con el uso de una película delgada de metal con un espesor del orden de 10nm, la cual actúa como catalizador de la reacción. El SP de aislamiento se formó por inmersión mientras que el de compuerta por vapores de la solución. La dependencia de las características I-V con el gas presente en la medición sugiere algún tipo de adsorción física de las especies del gas por la película porosa, modificándose el estado de carga de la interfaz silicio-SP, la cual altera la región de carga espacial en el silicio N.



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2-310/0

Interdependencia de los parámetros de crecimiento y su relación con los procesos de deposición en PLD

Barrales Guadarrama, V. R.1; Meléndez Lira, Miguel Ángel2; Vázquez Cerón, Ernesto Rodrigo1;

1Departamento de Electrónica, UAM Azcapotzalco 2Depto. Física, CINVESTAV

Departamento de Electrónica, Universidad Autónoma Metropolitana-AzcapotzalcoEste trabajo sugiere un modelo teórico, basado en consideraciones termodinámicas, que exhibe que es posible establecer una interdependencia de las condiciones experimentales (intensidad del laser, distancia fuente-substrato, etc.) y los mecanismos de nucleación y crecimiento que intervienen durante el proceso de deposición por ablación laser (PLD). Empleando un conjunto de factores generales aceptados en PLD, como son: (i) los innecesarios requerimientos de compensación para producir películas multicomponentes, en contraste con las técnicas de deposición en estado estacionario típicas, (ii) la existencia de una diversidad de “recetas” para la producción de películas similares, (iii) la evidencia experimental de crecimientos en 2D (planar) y 3D (tipo espiral) significa que los resultados netos de la retención de las especies incidentes sobre el substrato no es aleatoria, (iv) las características de la superficie crecida tienen una correlación respecto de las del substrato. El modelo muestra evidencia experimental cualitativa de los procesos de deposición que confirman las conclusiones generales obtenidas del modelo teórico.

2-313/0

Respuesta elástica de superficie en espumas Carrillo Estrada, José Luis; Paleta Daniel, G. A.


Estudiamos las propiedades elásticas de espumas. Mediante un desarrollo espectral [1] y haciendo uso de un procedimiento de acoplamiento de impedancias propuesto en el estudio de propiedades dieléctricas [2], calculamos la respuesta elástica de superficie de una espuma. Analizamos los cambios en la respuesta elástica mediante aproximaciones de medios efectivos[3], este procedimiento permite describir los cambios en la respuesta elástica de superficie en una espuma, inducidos por diferentes perfiles de concentración de la fase gas.

2-331/0

Al2O3films doped with Ce, Mn and analysis RBS. Martínez Martínez, Rafael1; Rickards, Jorge2; García Hipólito, Manuel1; Álvarez

Fregoso,Octavio1; Caldiño García, Ulises3; Falcony Guajardo, Ciro4 1Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

2Instituto de Física, UNAM 3Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa


The source solutions were AlCl3, CeCl3 and MnCl2 dissolved in deionized water. Different molar concentrations (Ce 10%, Mn 1, 3, 5, 7 and 10%) were investigated under the same deposition conditions at the substrate temperature of 250°. RBS with 4 He energies from 2 to 6 MeV has been used to study the properties of thin amorphous photoluminescent Al2O3:Ce, Mn films grown by spray pyrolysis on Corning glass substrates. The RBS spectra show a homegeneous



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deph profile of both Ce and Mn within the films, and the measured quantities are consistent with the original solution concentrations. An important amount of Cl, which plays a significant role in luminescent properties, was detected, in both the doped and undoped samples. In addition, some characteristics of the surface morphology by SEM and study the TGA are presented.

2-343/0

Optical and structural characterization of Si rich SiO2 nanostructured thin films prepared by reactive RF-sputtering

Sánchez-Meza, E.1; Meléndez Lira, Miguel2 1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN


We present a study of the structural and optical properties of thin films composed of Si nanocristals immersed in a SiO2 matrix. Samples were prepared by the reactive RF-sputtering technique employing different partial pressures of Ar and O2 gases and a fixed substrate temperature. As silicon source we employed a pure silicon target. Samples were deposited on glass slides and n-type silicon substrates. Transmission spectroscopy shows a clear dependence of the absorption edge as function of the growth conditions. Infrared spectroscopy present the signatures associated with SiO2. Atomic force microscopy shows a dependence of surface morphology with growth conditions. The above mentioned results will be correlated with results from photoluminescence and Raman spectroscopies. We will present a discussion of our experimental results taken in account a theoretical model in which the silicon particles are spheres surrounded by a SiO2 matrix. *: This work is partially financed by CONACyT-Mexico.

2-388/0

Recubrimientos duros base TiN fabricados por la técnica de erosión catódica reactiva DC

Espinoza Beltrán, Francisco1; Morales Hernández, J.2; García González, Leandro1

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro 2Universidad Autónoma de Querétaro UAQ

Se presentan resultados de estudios en recubrimientos duros del tipo (Ti,X)N y Ti(Y,N) con (X = Al, Si; Y = B, C) fabricados por la técnica de erosión catódica reactiva de corriente directa sobre sustratos de vidrio Corning, silicio cristalino y acero grado herramienta. Para la fabricación de estos recubrimientos se utilizaron tanto blancos fabricados a partir de polvos prealeados, como utilizando coerosión por medio de áreas efectivas de dos compuestos en el área del blanco. Se presenta un amplio estudio de estructura, composición química y propiedades mecánicas de los recubrimientos obtenidos. Se realiza una correlación entre la microestructura de los recubrimientos y sus propiedades mecánicas.Recubrimientos duros base Tin fabricados por la técnica de erosión catódica reactiva DC

2-272/1

Properties of pulsed laser ablated fullerene-like CNx thin films Zambrano, G.1; Riascos, H.1; Prieto, P.1; Devia, Alfonso2; Arroyave, M.2; Galindo, H.3

1 Departamento de Física, Universidad del Valle, Cali, Colombia. 2 Departamento de Física, Universidad Tecnológica de Pereira, Pereira, Colombia y Centro de



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Semiconductores, Universidad de los Andes, Mérida, Venezuela 3 Laboratorio de Física del Plasma, Universidad Nacional, Seccional Manizales, Colombia

Fullerene-like CNx thin films were synthesized by Pulsed Laser Ablation (PLA) of pyrolytic graphite (99.99%) target in nitrogen using a (500 mJ, 7 ns, 1064 nm) Nd: YAG pulsed laser. The films were deposited onto silicon substrates at 300 0C in nitrogen atmosphere within the 5–100 mTorr pressures. Fullerene-like CNx films thicknesses at different pressures varied between 150 and 200 nm for deposition times of 15 minutes. The composition and structure of these films were analysed by means of Reflection Absorption Infrared Spectroscopy (RAIRS), XPS, and Raman spectroscopy and the morphology of the films surfaces by AFM. The RAIRS analysis of films deposited at different pressures show the presence of the 2229 y 2273 cm-1 stretching peaks associated to CN triple bonds (C=N) of nitriles and isocyanides. On the other hand, the XPS study of the N 1s bonding energy region provided typical spectra of the CNx materials. The spectra present the energy peaks at 400.8 (P2) and 398.4 eV (P3), that usually are assigned to nitrogen that is bonded to sp2 and sp3–coordinated C atoms respectively. For a fullerene-like structure with developed basal planes, nitrogen is mostly bonded in an sp2–reach environment. In our conditions films deposited at 5 mTorr the P2/P3 ratio is 1.2 indicating a fullerene-like structure. Finally, the Raman analysis of films produced at different pressures shows the characteristic D and G peaks at 1360- 1370 cm-1 and 1580-1590 cm-1 relate to the bond length in sp3 or sp2 coordinated carbon respectively. Elastic modulus measured from the unloading portion of an indentation curve was about (120 ± 5) GPa and the elastic recovery was about 90% by using the pyramidal shape of AFM tip at 14 µN load and indentation depth of 6 nm. CNx films hardness was between 10 and 20 GPa. The present study demonstrated that the laser ablation technique of graphite target at low nitrogen pressures, by using a Nd: YAG-pulsed laser, is a viable technique for the growth of fullerene-like CNx films.

6-212/1

La Cinética de Crecimiento en los Sistemas de Rocío Pirolítico y Depósito por Vapores Químicos Asistidos por Aerosol en el caso de los

Óxidos Metálicos Conde-Gallardo, Agustín; Castillo, Nancy; Guerrero, Marcela J.; Soto, Ana Bertha


La técnica de crecimiento de pelícuals delgadas sólidas conocida como "Rocío Pirolítico" (Spray pyrolysis), es una de los métodos mas antiguos de recubrimientos. A pesar de que el método es una alternativa para el crecimiento de varios sistemas cristalinos, generalmente, los productos sólidos finales tienen poca calidad intergranular y superficial; dando lugar a una límitada aplicación de dichos productos y por tanto a una limitada utilidad de la técnica de depósito misma. No obstante, bajo condiciones termodinámicas adecuadas de la solución líquida inicial y de la condiciones de depósito, el crecimiento por rociado de gotas líquidas puede dar lugar a un depósito por vapores químicos (Aerososl Assisted-CVD). En el presente trabajo se discuten las condiciones bajo las cuales se tiene uno u otro regimen de crecimiento, y se discute la diferencia entre ambas cinéticas de crecimiento para el caso especial de algunos óxidos metálicos crecidos a partir de diversos tipos de soluciones líquidas.



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6-137/1

GaN films grown on (001)- and (111) Si substrates by molecular beam epitaxy

Cervantes Contreras, Mario1; Meléndez Lira, Miguel A.2; López López, Máximo2 1Unidad Profesional Interdisciplinaria de Biotecnología, Instituto Politécnico Nacional


GaN films were prepared on (001)- and (111) oriented Si substrates by molecular beam epitaxy. We investigated the effect on the GaN crystal quality of the Si substrate irradiation with N (nitridation) for a time tN (0 < tN < 60 min.) previous to growth. High resolution transmission electron microscopy (HRTEM) observations reveled that even when there is no intentional nitridation (tN = 0), a non-uniform amorphous SiN layer with a thickness of about 2.5 nm was formed at the GaN/Si interface. The uniformity and thickness of the SiN layer increased by increasing tN. The characterization results of the samples, showed that, in spite of the presence of the amorphous SiN layer, the GaN films grew epitaxially with the hexagonal phase and there is an optimal nitridation time for which the GaN crystal quality can be improved. We carried out a study changing the Ga cell temperature TGa (960 ºC < TGa < 1040 ºC) at the optimum nitridation time. We concluded that by using TGa around the stoichiometric temperature films of higher quality are obtained, but invariably with the hexagonal phase. In order to avoid the formation of the amorphous SiN layer we employed a SiC buffer layer at the interface. We prepared GaN films over SiC/Si(111) and SiC/Si(001) using different growth conditions. In GaN films on SiC/Si(111) the results obtained by different characterization techniques showed that the SiN layer formation was avoided, but the obtained films presented the hexagonal phase. On the other hand GaN films on SiC/Si(001) showed in general a mixture of the hexagonal and the cubic phase. By varying the growth conditions we succeeded to find the optimum parameters to obtain GaN films with only the cubic phase.

2-273/1

New transparent conducting In-doped CdTeO3 thin films grown by pulsed-laser deposition.

Castro Rodríguez, R.; Peña Chapa, Juan Luis

Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida

Indium-doped cadmium telluride oxide (CdTeO3:In) thin films (100–480 nm thick) have been deposited by pulsed-laser deposition on glass substrates without a postdeposition anneal. The structural, electrical, and optical properties of these films have been investigated as a function of doping amount during deposition. Films were deposited at substrate temperature of 420 °C in O2 partial pressures of 55 mTorr. The films (˜300 nm thick) show electrical resistivities as low as 1.54x10-2 Ω-cm, an average visible transmittance of ˜90%, and an optical band gap of 3.14 eV. This work was supported under Project CONACYT-México 40540-F.



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2-329/1

TiO2 thin films encapsulating commercial anatase particles deposited on glass microrods for photodegradation of phenol



Degussa P-25 TiO2 encapsulated in a TiO2 thin film was prepared by a sol-gel method. TiO2–anatase thin films were deposited on a fiberglass substrate and then ground to obtain glass microrods containing the composite TiO2 films. As confirmed by Raman spectroscopy and AF microscopy, the TiO2 films incorporating P-25 TiO2 particles were prepared. It appeared that calcining the samples at 450ºC actived this photocatalytic material. The photoactivity of the films, calcined at 450°C, and Degussa P-25 TiO2 was assessed using gas chromatography to study the photodegradation of phenol, an industrial pollutant, in water under 365 nm irradiation. By using the glass microrods containing 15 wt.% P-25 thin films, there was a higher degradation of phenol within 6 h of irradiation. Degradation product formation was evident within this time. It also appeared that following phenol degradation, the degradation products themselves undergo photolysis. After 2.0 h of irradiation, the level of degradation of the F-P25/15 thin film was higher compared with the level of degradation with the 2.9 mg TiO2 dispersion. Concluding, The film with 15.0 wt. % of P-25 TiO2 was found to be more photoactive (54 ppm of degraded phenol at 6 h of illumination) as an equivalent dispersion of Degussa P-25 TiO2.

2-302/1

Efecto del depósito con iones de baja energía sobre el desgaste y la corrosión de multicapas de TiN/Ti.


1Univesidad de Guadalajara 2IIM-UNAM


Las multicapas metal-cerámico son materiales muy adecuados para sustituir a los recubrimientos monolíticos debido a su mejor resistencia al desgaste y la corrosión. Esta mejoría se logra al combinar las propiedades de los materiales que las constituyen como los efectos que se producen al controlar sus espesores individuales. En este trabajo se reportan los resultados del depósito de multicapas de TiN/Ti por medio de espurreo magnetrón asistido con campos magnéticos variables. El campo magnético del magnetrón se modificó por medio de una bobina colocada a su alrededor. Se hizo un mapeo de la modificación del campo magnético en el espacio entre el blanco y el sustrato, de las características del plasma en la región cercana al sustrato, de las energías y número de iones arribando al sustrato y de la tasa de depósito. Se reporta la influencia en la microestructura de las multicapas por el bombardeo del sustrato en términos de la relación iones-átomos y de la energía aportada por lo iones por átomo depositado para el caso del titanio. Se encontró que al incrementar la corriente en la bobina de 0 a 12A la energía de los iones que bombardean, el sustrato aumentó de 12 a 21 eV y la energía por átomo depositado de 27 a 37 eV por átomo. El bombardeo afectó de forma diferencial la microestructura de las capas metálicas y las cerámicas, en el caso del titanio al aumentar la energía por átomo depositado aumenta el tamaño de grano para la orientación



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(101) y en el caso del nitruro de titanio el tamaño de grano se reduce para las principales orientaciones. La resistencia a la corrosión y el desgaste aumentaron al incrementar el campo magnético aplicado. Se hicieron análisis de MFA, AES y XPS para analizar las superficies y perfiles de profundidad y RBS para estudiar interfases, densidad y espesor de las multicapas.

Cálculos Ab-initio (CAB)

5-139/0

Cálculo del esfuerzo triaxial de TiCxN 1-x mediante primeros principios Rivas Silva, Juan Francisco1; Sánchez Ramírez, José Francisco2; García González,

Leandro3; Rivas Silva, Juan Francisco1 1Instituto de Física, BUAP

2Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN 3Centro de Investigación y de Estudios Avanzados, Unidad Querétaro

Los nitruros y carburos de metales de transición son materiales con excelentes propiedades mecánicas, altos puntos de fusión y ampliamente usados como herramientas de corte y recubrimientos anticorrosivos. Por estas propiedades, actualmente son objeto de estudios teóricos y experimentales. En este trabajo se estudia el efecto de la impurificación de C en la aleación TiN en el esfuerzo triaxial. Para ello calculamos el diagrama esfuerzo-deformación de la aleación TiCxN1-x en la estructura NaCl, libre de defectos. Los cálculos están basados en la Teoría del Funcional de la densidad en la aproximación local de densidad (LDA). La interacción ión-electrón es tomada en cuenta por medio de los pseudopotenciales generados en el esquema de HGH y Troullier-Martins. El modelado de las impurificaciones es realizado mediante la Aproximación de Cristal Virtual. El esfuerzo es calculado mediante el teorema de Hellman-Feynman con una precisión de 0.5 GPa.

5-157/0

Estudio All-Electron De La Estructura Electrónica De Sulfuros De Actinidos Xs (X=Th, Pu)

Chigo Anota, E.1; Rivas Silva, J.F.2 1Centro de Química, BUAP 2Instituto de Física, BUAP

Se investiga la estructura electrónica de sulfuros de actínidos XS (X=Th, Pu) usando el método TB-LMTO-ASA dentro de la aproximaciones LSDA y GGS bajo la teoría de las funcionales de la densidad. Se obtienen su geometrías optimas, su estructura de bandas, densidad de estados total y parcial, así como sus módulos de bulto. Siendo el PuS el que muestra características de fermión pesado. Trabajo apoyado por la VIEP-BUAP, Proyecto No. II169-04/EXC/I.



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5-271/0

Stable structures of small carbon clusters Sosa Hernández, E.M.1; Alvarado Leyva, P.G.2

1Fac. de Contaduría y Administración, UASLP 2Fac. de Ciencias, UASLP

Accurate ab-initio calculations are performed to study the stability of small carbon clusters (CN N = 2 – 10). It is well known that the more sophisticated techniques including the effects of electron correlation are extremely important. In this work, electron correlation effects are included by means B3LYP method with the 6-31G* basis set. Significant odd-even alternation is found in the nature of the cluster geometries with the odd-numbered clusters having linear structures and many of the even-numbered clusters prefering closed structured.

5-220/0

DFT cluster embedding study of CO absorption on doped MgO (100) surface

Caballero Cruz, Reyna E.; Quintanar, Carlos; Castaño, V. M.

CFATA, UNAM

Early measurements of the adsorption energy of CO/MgO(100) gave low values, 3.5 -3.9 kcal/mol, for the regular site, while later experiments have given a much higher value 7.1 – 10.6 kcal/mol. Theory has shown the opposite trend: early calculations gave a value of 8.8 kcal/mol while the latest 0.8 – 2.5 kcal/mol. More recent experiments, where great care with the purity and quality of the surfaces was taken, gave an adsorption energy value for the regular surface of 3.0 kcal/mol. This result point out that defects and impurities could be the cause of those high adsorption energies reported in the literature. In this work, we have performed careful calculations, using a density functional cluster embedding approach, where accurate embedding techniques with full account of the crystal potential were applied. Within this methodology, the impurity centered cluster is described quantum mechanically and it is embedded in an array of point charges that models the surface Madelung potential. The influence of the Cr and Ni substitutional impurities in the CO/MgO (100) adsorption energy was studied. The surface local distortions induced by the impurities were studied as well. Our calculations predict a CO-surface adsorption energy increase of ca. 80% and 280% for Cr and Ni respectively and an inward relaxation (bulk wards) of 0.02 Å for Ni, and an outward relaxation of 0.025 Å for Cr.

5-254/0

First principles total energy studies of the phase transitions in AgBr Palomino Rojas, Luis Alberto1; Hernández Cocoletzi, Gregorio1; Takeuchi Tan,

Noboru2 1Instituto de Física, BUAP

2Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM

Recent experimental studies of the structural behavior of AgBr using angle-dispersive x-ray diffraction have demonstrated phase transitions from the rocksalt to KOH-type structure. In this work we perform first principles total energy calculations to investigate the structural and electronic properties of AgBr in the sodium chloride, cesium chloride, zincblende and wurtzite structures. The calculations are done within the density functional theory. We employ the full potential linearized augmented plane wave method as implemented in the wien2kp code. The



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exchange and correlation potential energies are treated in the generalized gradient approximation (GGA). We report calculations of the energy as function of the volume of the unit for all four structures. Sodium chloride is the calculated ground state structure, in agreement with experiment. Calculated lattice parameter 5.82 Å agrees well with the experimental value 5.77 Å. We also obtain an additional local minimum in the wurtzite structure, which is 0.185 eV higher than the energy minimum of sodium chloride. At high pressures the calculations demonstrate the possibility a phase transition from sodium chloride to cesium chloride structure. The band structure is also explored at different lattice parameters and different structures. Acknowledgments. This work was partially supported by PROADU project # 2003-01-21-001-051 and by VIEP-BUAP project # II 10-04/EXC/G.

Celdas Solares (CES)

11-398/0

Procesamiento y caracterización óptica de silicio poroso obtenido por disolución anódica

Contreras Puente, Gerardo; García Ruíz, Daniel; Aguilar Hernández, Jorge Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN

Se presenta la caracterización de fotoluminiscencia (FL) empleando el modelo de confinamiento cuántico modificado (modelo de Kapoor-Sing-Johri), de muestras de silicio poroso (Si-P) obtenido por disolución anódica de silicio tipo p con resistividad de 1 Ω-cm. De pendiendo de los parámetros de procesamiento: corriente (IA) y tiempo (tA) de anodización, las muestras de Si-P obtenidas presentan emisión característica alrededor de los 1.70 eV. Se presenta además el comportamiento anómalo (corrimiento hacia el azul a altas temperaturas) de la posición del máximo de la banda de fotoluminiscencia en función de la temperatura. Se estudia la posibilidad de usar estas muestras de silicio poroso como substrato para la deposición de películas superconductoras.

11-219/0

Sistema de crecimiento de películas uniformes multicapa para aplicaciones fotovoltaicas

Cruz Manjarrez, Héctor1; Alba Andrade, Fernando1; Flores Morales, Luis1 1Instituto de Física, UNAM

Se diseñó y construyó una cámara de crecimiento de acero inoxidable 304 no magnético, el depósito de las diferentes capas se lleva a cabo por el método de sputtering usando fuentes lineales externas que se diseñaron y construyeron en el Taller General del Instituto de Física. La cámara de crecimiento tiene las siguientes dimensiones 50 cm de diámetro y 90 cm de altura, el porta sustratos rotativo es cilíndrico con dimensiones de 30 cm de diámetro y 80 cm de longitud; el sistema cuenta con cuatro magnetrones lineales, cada uno con dos blancos alineados de 12.5 cm × 30 cm, es decir, que el blanco real es de 12.5 cm × 60 cm, en este sistema existen varias innovaciones la más relevante es que el blanco es interno y el sector magnético es externo, esto permite mantener los imanes permanentes a temperatura ambiente y libres de corrosión por un refrigerante; la tasa de erosión se controla de manera



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eficiente con la intensidad de campo magnético. Las dimensiones de los sustratos es de 60 cm × 60 cm.

11-285/0

Estudio por espectroscopia µ-Raman en celdas solares de CdS/CdTe Godínez Hernández, José Antonio1; Kudriatsev, Yuriy1; Villegas, Antonio1; Asomoza Palacio, René1; Contreras Puente, Gerardo2; Aguilar, J.2; Mendoza Pérez, Rogelio2; Ximello Quiebras, José Nestor2; Jiménez Sandoval, Sergio3; Rodríguez Melgarejo,

Francisco3 1Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV


En este trabajo se presentan los resultados de espectroscopia µ-Raman, realizados en celdas solares de película delgada del tipo “vidrio/SnO2:F/CdS/CdTe/Au:Cu”. Las diferentes capas semiconductoras fueron elaboradas por las técnicas CBD y CSVT, descritas en trabajos anteriores. Con el objeto de mejorar el desempeño de la celda, las películas semiconductoras fueron sometidas a tratamientos térmicos. Con el objeto de estudiar por micro espectroscopia Raman las diferentes capas de las celdas, se realizaron erosiones con iones de Cesio en un sistema SIMS, obteniéndose información sobre su composición. Dichos perfiles se realizaron con las características adecuadas para los diferentes materiales que involucran la estructura. La forma del perfil característica obtenida (paralelepípedo), permite el estudio micro Raman de capas individuales, donde el enfoque mínimo, dentro del limite de difracción de la emisión a 488.0 nm de un láser de argón, fue de 2 µ. Se detectaron distintas bandas Raman asociadas a los diversos modos ópticos de los materiales involucrados. Se presentan los resultados y se discute la correlación de la interdifusión atómica y los perfiles SIMS obtenidos de cada celda.

11-353/0

Fabrication issues of a substrate configuration CdTe/CdS photovoltaic device

Mathew, Xavier


CdTe/CdS photovoltaic devices is one of the front runners along with CIGS in the race to obtain high efficiency all thin film solar cells. Cdte has the advantage of an optim banduml gap for the efficient photo conversion and the variety of fabrication methods available for the development of good quality thin films. The superstrate CdTe/CdS devices has efficiency exceeding 16% and the commercial CdTe/CdS photovoltaic panels are competing in the photovoltaic market with an efficiency of 9% and expected life span of 20% years. The conventional polycrystalline thin film solar cells are usually manufactured on transparent conducting oxide (TCO) coated glass substrates and offer no weight advantage or shape adaptability for curved surfaces. Producing thin film solar cells on flexible metal foil or polymer substrates however offers several advantages for space as well as terrestrial applications. Even though the CdTe solar cells on glass substrates have efficiencies exceeding 16%, not much effort was reported on the development of these devices on flexible substrates. One of the hurdles in the development of CdTe devices on metallic substrates is that most of the metal foils do not form an efficient ohmic contact with CdTe and it is difficult to incorporate an additional buffer layer as ohmic contact to increase the cell efficiency. The criteria of matching thermal expansion coefficients and work function, limit the choice of available substrate materials. Another reason is that



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during CdCl2 annealing treatment, diffusion of impurities changes the ohmic contact properties. In this report the fabrication issues of the CdTe/CdS hetrojunction on flexible substrates as well as the dependence of the post deposition annealing on the optoelectronic parameters of the CdTe/CdS junction are discussed.

11-240/0

Improving the Filling Factor of Silicon Solar Cells by Reducing the Ni/Si Contact Resistance

Morales Acevedo, Arturo; Pérez Sánchez, Francisco

Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

In the past, we have developed an inexpensive technology for making Silicon Solar Cells using "electroless" Ni in order to make the grid and back contacts. This technology is inexpensive but causes a high specific contact resistivity on silicon (more than 10-2ohm-cm2). Therefore, by making a systematic study of the contact resistivity of Ni/Si grid contacts when varying the annealing temperature (300 to 350 C) and time (20 to 60 minutes) we have determined the best conditions to have good ohmic contacts with this technology. This development has caused an increase of the filling factor of our cells from less than 0.7 to around 0.78, i.e. an increase of around 10% in efficiency. We are in the process of redesigning a new grid taking into account the real values of the specific contact resistivity, expecting a filling factor above 0.8.

11-241/0

Properties of Cds Thin Films Growth by CBD Ximello Quiebras, José Nestor1; Contreras Puente, Gerardo Silverio1; Rueda Morales, Gabriela1; Santana Rodriguez, Guillermo2; Mathew, Xavier3; Morales Acevedo, Arturo4

1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 2Instituto de Investigaciones en Materiales, UNAM

3Centro de Investigación en Energía, UNAM 4Depto. de Ingeniería Eléctrica, CINVESTAV

We present in this work a study of the growth kinetics and the optical properties of CdS thin films as processed by the Chemical Bath Deposition (CBD) technique. For the deposition we used cadmium chloride, ammonium chloride, ammonium hydroxide and thiourea in suitable proportions, the deposition was carried out on SnO2: F conducting glass. The growth kinetics is relatively fast when the quantity of thiourea is increased in the solution of deposition. Such films show an average transmittance of 90 % and a mean band gap energy of 2.36 eV. With this characteristics, the films can in principle be used like the window material in the CdS/CdTe solar cells.

11-255/0

Estudio µ-Raman en Celdas Solares de CdTe/CdS Godinez-Hernandez, José Antonio1; Kudriatsev, Yuriy2; Villegas, Antonio2; Asomoza

Palacio, René2; Contreras Puente, Gerardo3; Mendoza Pérez, Rogelio3; Ximello Quiebras, José Nestor3; Jiménez Sandoval, Sergio4; Rodríguez, Fernando4

1Centro de Investigación en Materiales Avanzados 2Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN



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En este trabajo se presentan los resultados de espectroscopias µ-Raman, realizados en celdas solares de película delgada del tipo “glass/SnO2:F/CdS/CdTe/Au:cu” . Los dispositivos fueron procesados por la técnica CBD y CSVT, descritos en trabajos anteriores (1,2) . Las películas semiconductoras fueron sometidas a tratamiento térmico. Para la realización de los estudios Raman se realizo erosión SIMS, con las características adecuadas para los diferentes materiales que involucran la estructura. La forma del perfil característica obtenida (paralelepípedo), permite el estudio Raman. Donde el enfoque mínimo, dentro del limite de difracción de la luz ultravioleta, quedo en 2µ. Se detectaron distintas bandas Raman asociadas a los diversos modos ópticos de los materiales involucrados. Se presentan los resultados y se discute la correlación de la Inter.-difusión atómica y perfiles SIMS obtenidos de la celda.

11-258/0

Cálculos numericos C-V de celdas solares de peliculas delgadas CdTe/CdS

Inoue-Chávez, J. A.; Ximello Quiebras, José Nestor; Castillo Alvarado, Fray de Landa; Contreras Puente, Gerardo


La celda solar con la terounión CdTe/CdS es muy atractiva desde muchos puntos de vista. CdTe tiene una banda gap de 1.47 eV muy cercano a la optima para una eficiente conversión fotovoltaica, además tiene un coeficiente de absorción óptico grande que implica que fotones con energía arriba de 1.47 eV son absorbidos dentro de unos cuantos micrometros de la superficie, minimizando la anchura y por lo tanto del costo de la capa absorbente de CdTe; por otro lado el propósito de usar CdS ( Eg = 2.44 eV ) es que debido a este ancho de la banda gap se desplaza la región de máxima generación de portadores de fotones afuera de la superficie donde los portadores de carga se pierden debido a la alta velocidad de recombinación superficial a la región de máxima colección de fotoportadores. Usando estas celdas solares hechas en la Escuela por nosotros encontramos experimentalmente el comportamiento C-V y lo ajustamos con nuestros cálculos teóricos C-V usando la técnica de Kromer para obtener la carga superficial en la interfase.

11-334/0

Effects of CdCl2 treatment on the properties of CdS films Peña Chapa, Juan Luis1; Castro Rodríguez, R.1; Oliva,I.1; Riech I.,Martel A.2

1Centro de Investigación y de Estudios Avanzados,Unidad Mérida 2Universidad Autónoma de Yucatán

The influence of the CdCl2 treatment on the properties of CdS films has been investigated. The CdS films with different thickness have been prepared by CSS and deposited on ITO/glass substrate. The annealing and CdCl2 treatment cause grain growth in CdS samples comparing with as-deposited films as was observed by AFM measurements. The samples were analyzed by optical transmittance X-ray diffraction (XRD) and XPS. These results were discussed taking into account the effect of thickness and the CdCl2 annealing.



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11-366/0

Fotorreflectancia en pozos cuánticos de Alx Ga1-x As/GaAs/AlxGa1-xAs crecidos por epitaxia de haces moleculares.

Caballero Rosas, Adriana1; Mejía García, Concepción1; López López, Máximo2; Contreras Puente, Gerardo1; Cano Aguilar, Oscar3

1Escuela Superior de Física y Matemáticas, IPN 2Depto. de Física, CINVESTAV

3ESIA del IPN

Los pozos cuánticos (PC) de Alx Ga1-x As/GaAs/AlxGa1-xAs han sido caracterizados usando la técnica no destructiva de fotorreflectancia como función de la temperatura (10-300 K). Estas estructuras se crecieron sobre una capa de GaAs de 500 nm de espesor, mediante la técnica de Epitaxia de Haces Moleculares (MBE). La serie consta de cuatro muestras, la muestra de referencia (crecida sin interrupción), y tres muestras con interrupción de crecimiento: ex-situ y dos in-situ (estas últimas atacadas con Cl2 cuya temperatura de la cámara de ataque fue de 70 y 200 ° C ). Se analizó el comportamiento de las transiciones excitónicas de los substratos de GaAs así como los PC mediante fotorreflectancia como función de la temperatura empleando los modelos de Varshni y Bose-Einstein. *Becario COFAA, EDI, SNI.

Vacío (VAC)

17-144/0

Control de las presiones parciales de mezclas de gases para el Depósito de Películas por Ablación Láser reactiva.

García Gradilla, Víctor Julián1; Soto Herrera, Gerardo1; Miltrani, Enrique2 1Centro de Ciencias de la Materia Condensada, UNAM

2Centro de Investigación Científica y de Educación Superior de Ensenada, Division de Fisica Aplicada

La ablación láser, comúnmente conocida como PLD por sus siglas en inglés “pulsed láser deposition”es una técnica muy empleada en el crecimiento de películas delgadas dada su gran versatilidad. Una variación común a esta técnica consiste en añadir un gas de fondo con la intención de hacerlo reaccionar las especies abladas, pudiéndose de esta manera producir nuevos compuestos con una gran diversidad de aplicaciones potenciales. La gran ventaja del método es que la estequiometría del material resultante es controlada, básicamente, por la presión del gas reactivo. Con la intención de aumentar la potencialidad de la ablación láser reactiva se concibió una variación a ella. Esta consiste en introducir mezclas de gases reactivos durante el proceso de depósito. Presentamos aquí los principales aspectos técnicos de esta mejora, incluidos el estudio, adaptación y modelado de la cámara de depósito empleada, así como el desarrollo del sistema de control de las presiones presiones parciales para los gases de reactivos. Por último se presentan algunos resultados conseguidos con la finalidad de revelar la versatilidad y repetibilidad del sistema.



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Superconductores (SUP)

15-362/0

Efecto isotopico en los sistemas BPBO y BKBO. García Torija, José Óscar; Espinoza Rosales, José Eduardo


En este trabajo discutimos el cálculo de las derivadas funcionales y los coeficientes isotópicos en compuestos del tipo BaPb1-xBixO3 y BaxK1-xBiO3 de acuerdo con la aproximación de Rainer y Culetto. Presentamos los cálculos numéricos con los cuales encontramos las derivadas funcionales y los coeficientes isotópicos y aplicamos los resultados obtenidos en los compuestos BaPb0.7Bi00.303 y Ba0.3K0.3BiO3. Las derivadas funcionales de los compuestos analizados nos muestran que los fonones con energía cercana a los 7kBTc son los que más contribuyen a elevar la temperatura crítica. Los coeficientes isotópicos, a=0.28 para el BaPb0.7Bi0.303 y a=1.19 para el Ba0.3K0.7BiO3, nos muestran que las interacciones electrón-fonón son importantes.

15-330/0

Las consecuencias del desplazamiento del oxigeno apical en la resonancia de 41meV

Puch Ceballos, Felipe1; Rubio Ponce, Alberto2 1Unidad Académica de Física, Universidad Autónoma de Zacatecas

2Universidad Autónoma Metropolitana Unidad Iztapalapa

Existe una gran polemica sobre la resonancia de 41 meV que se observa en experimentos de resonancia magnetica y conductividad optica en superconductores de alta temperatura critica. Algunos autores consideran que se trata de una consecuencia de la formacion de la brecha superconductora, otros la ven como una huella del boson mediador. Para analizar la importancia de la estructura electronica en la formacion de la resonancia hemos calculado la conductividad optica y la conductancia del YBCO7 considerando las tres posibles configuraciones que se obtienen cuando se desplazan los Oxigenos Apical de su posicion teorica de equilibrio. Asi, nos involucramos en la polemica que existe sobre la posible existencia de un doble pozo de potencial que haria posible que el Oxigeno Apical se encontrase en una doble posición.



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Cursos Cortos Short Courses

18-401/0

Properties & Applications of Nanodiamond Particulate Shenderova, Olga


The term ‘nanodiamond’ is broadly used for a variety of diamond-based materials at the nanoscale (the length scale of approximately 1 - 100 nanometer) including pure-phase diamond films, diamond particles and their structural assemblies such as loosely bound particle agglomerates or particles incorporated into other material matrices. At the beginning of the tutorial the state of the art on existing forms of nanodiamond and methods of their synthesis will be briefly reviewed. Different types of nanodiamond are at varying stages of commercialization. Particularly, nanodiamond particles of detonation origin have recently attracted very keen interest worldwide. Feasibility of sharp improvement in materials properties for composites based on detonation nanodiamond (DND) has been demonstrated for such diverse applications as, for example, galvanic coatings, engineering polymers and lubricants. While several nanodiamond vendors provide both nanodiamond powders and solutions to end users, this unique material still did not penetrate an appreciable market, especially in the USA. A major roadblock in applications of DND is their high agglomeration, so that instead of nano-entities very often end-users work with microscopic particles. Unique properties and wide variety of potential applications of DND will be a major topic of the tutorial, as well as potential problems facing beginners in the field. The outline of the tutorial is as following: • Introduction: why nanosized particles? • Types of Nanodiamond and methods of their synthesis • Stability of Nanodiamond (phase diagram at the nanoscale, heats of formation of carbon

nanostructures) • Ultrananocrystalline diamond particulates produced by explosive detonation

o Synthesis and properties o purification o dispersivity and agglomeration in suspensions

• Applications of detonation nanodiamond • Traditional areas

o galvanic coatings o polymer composites, etc

• Novel Applications • Medical and Biological applications of Nanodiamond



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18-402/0

Photothermal Techniques: Theory Of Thermal Waves And Methods For Determination Of Specific Heat Capacity, Thermal Conductivity,

Thermal Diffusivity And Thermal Conductivity Glorieux, Christ


In this course, the dynamic temperature field resulting from optically induced heating will be calculated for different configurations in 1D and 3D. It will be shown how the choice of the configuration determines which thermal properties can be extracted from a detected temperature variation signal, and how the modulation frequency or time scale determine the probed sample region. Specific configurations will be highlighted to determine the specific heat capacity, thermal conductivity, thermal effusivity and thermal effusivity of samples in plate, layered, and semi-infinite geometry. A detailed overview will be given on the different ways to detect temperature variations and map or image dynamic temperature fields. The following detection techniques will be discussed: • Thermocouple (Seebeck or Thomson-Joule effect) • 3 omega technique (electrical resistance) • Pyroelectric technique (polarisation) • Photoacoustic cell (pressure) • IR infrared (Planck black body radiation) • MOR – modulated optical reflection (refractive index) • Interferometry (refractive index – displacement) • Mirage and beam deflection (refractive index - displacement) • Thermal lensing (refractive index) • Optical diffraction (refractive index)Every method will be illustrated by experimental

applications for thermal characterization of gases, liquids, powders and solids.

18-405/0

Materials for High-K Integration

Robert Wallace

Electrical Engineering and Physics University of Texas at Dallas

• Part 1: Materials Properties Considerations Beyond SiO2 • Part 2: Interfacial Reactions & Stability of High K Dielectrics & Metals

o Gate Stack Strategies o Materials Considerations for Gate Dielectrics o (Selected) Physical Characterization Techniques o Integration Issues

18-403/0

Caracterización Óptica de Semiconductores Meléndez Lira, Miguel


En este curso corto se discuten los fundamentos teóricos básicos necesarios para la interpretación de los resultados de diversas espectroscopias ópticas aplicadas a



133

semiconductores. Se discuten los fundamentos teóricos y los detalles experimentales de algunas espectroscopias ópticas , poniendo énfasis en la implementación experimental a partir de componentes fáciles de adquirir y de costo relativamente bajo . Se discuten resultados específicos para sistemas II-VI, II-V y aleaciones SiGeC. Las espectroscopias que se discuten son transmisión, reflexión, transmisión modulada, fotorreflectancia, fotorreflectancia diferencial, luminiscencia, infrarrojo y Raman. Además se discute en forma general la aplicación de las espectroscopias ópticas a sistemas distintos a los semiconductores.



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Índice por autor Author Index Acosta, Dwight, 43, 113 Aguilar Elguezabal,Alfredo, 45, 113 Aguilar Frutis, Miguel Angel, 41, 115 Aguilar Hernández, Jorge, 60, 91, 125 Aguilar, Daniel, 48, 52 Aguilar, J., 126 Aguilar-Elguézabal, A., 44 Ahuja, Rajeev, 75 Alba Andrade, Fernando, 112, 125 Albor Aguilera,Maria de Lourdes, 75 Alcántara Flores, José Luis, 84 Alcántara Iniesta, Salvador, 13 Almaral Sánchez, Jorge Luis, 116 Alvarado Leyva, P.G., 124 Álvarez Fregoso, Octavio, 88, 103, 108 Álvarez Lucio, Guillermo, 36, 82, 83 Álvarez Pérez, M. A., 88, 89 Álvarez, Mayra, 51 Ambrosio, Roberto, 46, 55, 68 Andrade Ibarra, Eduardo, 18, 122 Angeles Fragoso, Oscar, 16 Antúnez,Wilber, 44 Apam Martínez, J.C., 69 Araiza Ibarra, José de Jesús, 41, 112 Argudin Oscos,Alejandro, 54 Arrieta Castañeda,Alma, 110 Arroyave, M., 17, 119 Ascencio, Jorge A., 9, 11, 50, 51, 53 Asomoza Palacio, René, 40, 126, 127 Avila Orta, Carlos A., 30 Avilés Arellano, Luz Maria Reyna, 49, 107 Balderas López, José Abraham, 24, 30, 99 Barajas Fernández,J., 13 Barragán Vidal, Alberto, 44 Barrales Guadarrama, V. R., 118 Barrera, Ruben Gerardo, 26 Bartolo-Pérez, Pascual, 12 Bautista Hernández, Alejandro, 92 Becerril Silva, Marcelino, 40, 61, 68 Beltran Sanchez,Marcela Regina, 33 Benitez Sosa, Jorge, 72 Bernes, Silvain, 84 Betancourt Reyes, Israel, 83 Blano García,Sergio, 54

Blaschke, M.M., 29 Bohigas, J., 85 Boone, Keith, 46 Boreman, Glenn D., 25 Borensztein, Ives, 26 Borrego Navejas,Laura, 64 Bosquez Molina, Elsa, 78 Brito, A., 103 Caballero Cruz, Reyna E., 124 Caballero Rosas, Adriana, 93, 129 Cabrera, Armando, 48 Calaminici, Patrizia, 34 Calderón Arenas, José Antonio, 77, 78, 91 Calderón Guillen, Joel A., 49 Calderón Piñar,F., 36 Caldiño García, Ulises, 103, 118 Calixto, Sergio, 18, 122 Calixto-Rodríguez, M., 108 Calleja Arriaga, Wilfrido, 4, 13, 56, 57, 69 Camacho Huerta,César Saúl, 54 Camacho López, Marco Antonio, 116 Camarillo, Enrique, 117 Campero, Antonio, 51 Camps Carvajal, Edgar Enrique, 32, 106,

109, 110, 116 Cano Aguilar, Oscar, 129 Cano González, Mario Eduardo, 29 Cano, Ulises, 105 Canónico Franco, Marcia, 31 Carballo C., A., 79 Cárdenas García, Modesto, 60, 91 Cardona Ricalde, A., 77 Carrillo Estrada, José Luis, 118 Carrillo L., Jesús, 66 Castaño, V. M., 124 Castellanos, Pilar, 53 Castillo Alvarado, Fray de Landa, 75, 112,

115, 128 Castillo Susunaga, Ramón, 80 Castillo, Nancy, 32, 111, 120 Castro Colin, Marco Antonio, 109 Castro Rodríguez, R., 17, 121, 128 Ceballos Sebastián, Ricardo, 4 Cerdán Ramírez, Verónica, 92



135

Cervantes Contreras, Mario, 33, 90, 121 Chambers, J.J., 19 Chávez Rivas, F., 83 Chigo Anota, E., 123 Chirino,Serafín, 32, 106 Cobas Aranda, Margarita, 23, 80 Colombo, L., 19 Cómbita, L. F., 29 Compaan, Alvin D., 5 Conde-Gallardo, Agustín, 32, 111, 120 Conradson, S., 21 Contreras Puente, Gerardo, 38, 60, 91, 93,

125, 126, 127, 128, 129 Contreras Rascón, J.I., 63 Contreras, Oscar, 65 Coreño Alonso, Oscar, 31 Corona Organiche, Edgar, 69 Coronado, Francisco, 5 Corral, Verónica, 46 Cortés Escobedo,C.A., 12 Coyotl Mixcoatl, Felipe, 15 Cruz Hernández, Esteban, 57, 60 Cruz Manjarrez, Héctor, 44, 112, 125 Cruz Orea, Alfredo, 22, 74, 75, 76, 77, 79,

80 Cruz Sánchez, Ezequiel, 46 Cruz Silva, O.H., 90 Cuamatzi, Marcelo, 63, 67 Dadgar, Armin, 65 Dávalos Santana, Miguel Angel, 72 Dávila Pintle, Antonio, 113, 114, 115 de la Cruz, Wencel, 105 De la Hidalga Wade, Francisco Javier, 46,

56 de La Torre,Luis, 44 Del Valle Padilla, José Luis, 72 Delgadillo, N., 62 Devia, Alfonso, 17, 119 Díaz Gongora, José Antonio Iran, 77 Díaz Reyes, Joel, 44, 55, 66, 69, 70, 71 Díaz, Cesar, 46 Díaz, Gabriela, 12 Díaz, Tomás, 62, 63 Díaz-Flores, L.L., 13 Díaz-Furlong, Alfonso, 115 Duarte Moller, Jorge Alberto, 85 Duarte Moller,José Alberto, 16, 103 Enriquez Guevara,Luis, 54 Escobar Alarcón, Luis, 32, 106, 109, 110,

116

Escobar Uña, Aurora C., 23, 80 Escudero, Roberto, 84 Esparza Garcia +), Aneida, 108 Espejo Lopez, Gabino, 16 Espinosa Garcia, Guillermo, 47 Espinosa, Francisco Javier, 21 Espinoza Barbosa,Rosendo, 54 Espinoza Beltrán, Francisco, 5, 8, 119 Espinoza Rosales, José Eduardo, 130 Esquivel Sirvent, Raúl, 91 Falcony Guajardo, Ciro, 41, 103, 108, 117,

118 Farías, Mario, 105 Felter, Thomas E., 5, 26 Fernandez Madrigal, Arturo, 105 Fernández Muñoz, José Luis, 42, 43 Ferreira da Silva, Antonio, 75 Figueroa, Juan de Dios, 30 Flores Acosta, Mario, 20 Flores Farias,Riveliino, 39 Flores Martínez, Martín, 18, 122 Flores Morales, Luis, 112, 125 Flores Moreno, Jorge Mauricio, 43 Flores, Eric, 11, 49 Florido, Alex E., 78 Fragoso Soriano,R., 47 Francisco,Ramírez Arenas, 57 Frausto Reyes,Claudio, 18, 122 Fuentes, Sergio, 11, 49 Galindo, H., 17, 119 Galindo-Sifuentes,Agustín, 39 Galván Arellano, Miguel, 61, 66, 70, 71 Galván Mendoza, Arturo, 30 Galván, Donald, 12 Galván-Arellano,Miguel, 55 García Cruz, María de la Luz, 58, 68 García García,Alejandra, 64 García González, Leandro, 119, 123 García Gradilla, Víctor Julián, 129 García Hipólito, Manuel, 86, 88, 89, 103,

108, 117, 118 García Jiménez, Pedro, 110 García Lara, Adrían, 104 García León, Juan Manuel, 72 García Palacios, Jaime, 52 García Rodríguez, Francisco Javier, 80, 81 García Ruíz, Daniel, 91, 125 Garcia Serrano,Luz Arcelia, 35 García Servín, Josafat, 18, 122 García Torija, José Óscar, 130



136

García Zaldivar, O., 36 García, Alberto, 16 García, Alejandro, 63, 67 García-Rocha, Miguel, 111 Garibay Febles, Vicente, 40 Garnica-Romo,Ma. Guadalupe, 53 Gaytán Martínez, Marcela, 30 Glorieux, Christ, 2, 132 Gnade, Bruce, 1, 19 Godínez Hernández, José Antonio, 40, 126 Golzarri Moreno, José Ignacio, 47 Gómez Aldapa, Carlos Alberto, 30 Gómez González, Casimiro, 54, 57, 59 Gómez Herrera, María Lucero, 44, 70 Gómez-Cortés, Antonio, 12 Gómez-Daza, O., 103 González Arreguín, Alfredo, 81 González Ballesteros, Rubén, 77 González Dávila, Maria Laura, 43 González de la Cruz, Gerardo, 74, 86, 89,

91 González Hernández, Jesús, 49, 53 González Trujillo, Miguel Ángel, 75 González, Carlos, 86 González, F. Javier, 25 Greene, Joe, 3 Guarneros, C., 114 Guerrero, Marcela J., 32, 47, 120 Guillén Cervantes,Angel, 88 Gurevich, Yuri, 15, 16 Gutierréz Amador, María del Pilar, 83 Gutiérrez Amador, María del Pilar, 82 Gutiérrez Juárez, Gerardo, 22, 80, 81 Guzmán Gómez, Oscar, 24 Guzmán Mendoza, José, 86, 103, 108 Guzmán, J. M., 88, 89 Heiras Aguirre, Jesus L., 36 Heredia Jimenez, Aurelio Horacio, 46, 59 Hernandez A,Pablo Rogelio, 13 Hernández Aguilar, Claudia, 79 Hernández Cocoletzi, Gregorio, 91, 124 Hernández de la Luz, A.D., 91 Hernández Galindo, María del Carmen, 84 Hernández Hernández, Ernesto, 30 Hernández Hernández,M., 64 Hernández Márquez, Felipe, 47 Hernández Pérez, Carlos David, 86, 88 Hernández, Arturo, 46 Hernández, José Manuel, 117 Hernández-Calderón, Isaac, 111

Herrera Gómez, Alberto, 5, 31 Herrera Pérez, J. L., 69 Herrera Pérez, José Luis, 44, 70, 92 Herrera Suárez,H. J., 91 Hoyos Cruz, Norma Constanza, 48 Hsiao, Benjamín S., 30 Huerta Arcos, Lázaro, 18, 103, 122 Ilicb, B., 25 Ilinski, Alexander, 87 Inoue-Chávez, J. A., 128 Iuga, Cristina, 53 Ivanov Tsonchev, Rumen, 22, 79, 80, 81 Janetzko, Florian, 34 Jaramillo Núñez, Alberto, 46 Jaramillo Vigueras, D., 41 Jiménez Sandoval, Sergio, 68, 126, 127 Jiménez Vargas, Christian D., 49 Juárez Islas, Julio Alberto, 86, 88, 89 Juárez, Héctor, 62, 63, 67 Kaltchev, Matey, 45 Kodambaka, Suneel, 3 Kosarev, Andrey, 4, 26, 55, 58, 62, 68, 69,

87, 109 Koster, Andreas M., 34 Krost, Alois, 65 Kudriatsev, Yuriy, 40, 55, 126, 127 Landa,Mauro, 55 Lara Romero, Javier, 9, 45 Lardizábal,Daniel, 44 Larrea Cox, Pedro J., 23, 80 Lastras Martínez, Alfonso, 87 Leal Zandejas, Blanca, 66 Lezama Pacheco, J., 21 Lima Lima, Hilda, 21, 63, 64 Linares Aranda, Mónico, 54 Logvinov, Georgiy, 15, 16 López Beltrán,Ana María, 110 López Cruz, Elías, 69 López Gómez, Magaly, 8, 116 López H., G. A., 30 Lopéz Lopéz, Máximo, 93 López López, Máximo, 27, 33, 47, 57, 60,

66, 88, 89, 90, 121, 129 López Noda, R., 36 López Parroquín, H., 13 López Urías, Florentino, 28 López Urías,Florentino, 2 López, Tessy, 50, 51, 52, 53 Lozada Morales, Rosendo, 75 Lozada Morales,Rosendo, 21, 64



137

Lozada y Cassou, Marcelo, 40 Machorro Mejia, Roberto, 85 Magaña, Carlos, 113 Maldonado Villalba, Lorena, 30 Manrique Moreno, Silvestre, 61, 70, 71 Martínez F.H., 30 Martínez Flores, Jesús Omar, 12, 24, 73 Martínez Martínez, Rafael, 103, 117, 118 Martinez Millán, Wenceslao, 105 Martínez Pérez, Lilia, 40, 115 Martínez Sánchez, Enrique, 86, 88, 89, 103,

108 Martínez, Amalia, 43 Martínez, Arturo I., 113 Martínez, Javier, 62, 63, 67 Martínez-Guerrero, Esteban, 8 Mathew, Xavier, 37, 126, 127 Mayén Mondragón, Rodrigo, 24, 76 Medina Valtierra, Jorge, 18, 122 Mejia Barradas, Cesar, 77 Mejía García, Concepción, 93, 129 Mejía Hernández, José Antonio, 32, 106,

109 Meléndez Lira, Miguel, 27, 33, 60, 68, 89,

90, 93, 118, 119, 121, 132 Menchaca Rivera, Alejandro, 107 Méndez Bognanni, Luis, 13 Méndez García, Víctor Hugo, 27, 47, 57, 87,

88, 93, 107, 108 Mendizabal-Ruiz, Gerardo, 8 Mendoza Álvarez, Gregorio Julio, 44, 69,

70, 74, 78 Mendoza Galván, Arturo, 107, 110 Mendoza Hernández, Fernando, 54 Mendoza Pérez, Rogelio, 60, 126, 127 Mesa Laguna, Víctor Hugo, 86 Meza Espíritu,F.S., 57 Michtchenko, A., 79 Miltrani, Enrique, 129 Mitani, Yoshito, 7 Mochan, Luis Wolf, 26 Molar, G., 57 Moller Duarte, José Alberto, 102 Montero, Cecilia, 104 Montiel Sánchez, Herlinda, 82 Montiel Sánchez, Ma. Herlinda, 83 Morales Acevedo, Arturo, 37, 127 Morales Hernández, J., 119 Morales Sánchez, Eduardo, 107 Morales, Crisoforo, 63, 67

Morales, Juan Eduardo, 76 Morales, Juan G., 113 Morán López,José Luis, 2 Moreno López, Myriam, 45 Moreno, Ivan, 22 Moreno, Iván, 112 Moreno, M., 68 Muhl Saunders, Stephen, 18, 109, 122 Muñoz Aguirre, Severino, 13 Muñoz Aguirre,N., 40 Muñoz Hernández, Rocío Alejandra, 55, 78 Muñoz Saldaña, Juan, 5, 8, 10, 12, 116 Muñoz Sandoval,Emilio, 2 Mustre de León, José, 21 Nair, M.T.S., 103 Navarrete, Juan, 50 Navarro, Hugo, 62 Noguez, Cecilia, 34 Ochoa Landín, Ramón, 65 Ohmori, Kenji, 3 Oliva,I., 128 Olivas,Amelia, 11, 49 Olmos-Lopez, Omar, 90 Orlando Pulzara, Álvaro, 57, 66, 107 Ortega Jiménez, Luis Antonio, 13 Ortega, Jesús, 113 Ortíz Saavedra, Juan, 41 Ortiz, Guillermo Pablo, 26 Ortuño López, Mónica Balvanera, 65 Pacheco, Carlos, 63, 67 Pacio, Mauricio, 63, 67 Palacios Fonceca, Alin Jael, 42 Palacios, P., 112 Paleta Daniel, G. A., 118 Palomino Merino, Rodolfo, 21, 63, 64, 75,

113, 114, 115 Palomino Ovando, Martha Alicia, 92 Palomino Rojas, Luis Alberto, 124 Pecchi, Gina, 52 Pedroza Islas, Ruth, 74 Peláiz Barranco, Aime, 36 Peña Chapa, Juan Luis, 17, 121, 128 Peña Rodriguez, Gabriel Peña, 78 Peña Sierra, Ramón, 44, 55, 61, 66, 70, 71 Pepe, Iuri, 75 Pérez Centeno, Armando, 27, 93 Pérez Robles, Juan Francisco, 39, 49, 107 Pérez Ruiz,Santiago Jesús, 13 Pérez Salas, Raúl, 111 Pérez Sánchez, Francisco, 127



138

Pérez Tijerina, Eduardo, 85 Pérez Velázquez, Kristel, 31 Persson,C, 75 Pestryakov, A., 83 Petranovskyi, V., 83 Petrilli Barceló, Alberto Elías, 93 Petrov, Ivan, 3 Pichardo Molina, Juan Luis, 80, 81 Ponce, Fernando, 65 Portelles Rodriguez, Jorge José, 36 Portillo Moreno, Oscar, 21, 63, 64, 106,

113, 114 Prieto, P., 17, 119 Puch Ceballos, Felipe, 130 Pulzara Mora, Álvaro, 60, 90, 93 Pulzara, A. Orlando, 60 Quevedo, Manuel A., 19 Quevedo-Lopez, Manuel A., 3 Quintana, Patricia, 48, 52 Quintanar, Carlos, 124 Rábago Bernal, Felipe de Jesús, 21 Ramírez Arena, F. J., 107 Ramírez Bon, Rafael, 5, 20, 64, 65, 110,

116 Ramírez Cardona, Marius, 30 Ramírez Cruz, María Alicia, 44, 55, 66, 71 Ramírez del Valle,José Angel, 117 Ramírez Elías, Miguel Ghebre, 108 Ramírez Pichón,Alonso, 59 Ramírez Rosales, Daniel, 35, 84 Ramos Brito, Francisco, 103, 117 Ramos Mendieta, Felipe, 92 Rangel, R., 12 Rayas,Juan Antonio, 43 Rebollo-Plata, Bernabé, 113 Reguera, Edilso, 79 Renero,Francisco, 57 Rentería Servín,Olivia, 89 Restrepo,P. A, 29 Reyes Betanzo, Claudia, 14 Reyes Ortega, Yasmi, 84 Reyes Ortíz, Raúl, 108 Reyes Reyes, Marisol, 2 Riascos, H., 17, 119 Rickards, Jorge, 118 Rico Cerda, José Luis, 9 Riech I.,Martel A., 128 Rivas Silva, J.F., 123 Rivas Silva, Juan Francisco, 123 Rivera Álvarez, Zacarías, 47, 88

Rivera Rojas, José Luis, 9 Rivera Ruedas, María G., 64 Rodríguez García, Mario Enrique, 24, 42, 82 Rodríguez Juárez, Mauricio, 40 Rodríguez Manzo, Julio A., 28 Rodríguez Melgarejo, Francisco, 126 Rodríguez Mora, Ramiro Rogelio, 56 Rodríguez Paredes, S., 13 Rodríguez, Fernando, 127 Rodríguez, P., 74 Rodríguez-Mijangos,R., 111 Rodríguez-Vera, Ramón, 43 Rojas Chávez, Hugo, 41 Rojas Hernández,Armando Gregorio, 57 Rojas Molina, Juan Isela, 43 Rojas Ramírez,Juan Salvador, 57 Rojas, F. A, 29 Román, Germán, 53 Romano, Román, 62 Romero Hernández, Saúl, 109 Romero L., S., 110 Romero, Aldo, 2 Romero, Gabriel, 61 Romero-Paredes Rubio, Gabriel, 13, 117 Rosales Quintero, Pedro, 15 Rosendo, Enrique, 62, 63, 67 Rubín Falfán, M., 106 Rubio Ponce, Alberto, 130 Rueda Morales, Gabriela, 127 Ruiz Serrano, Diana, 64 Ruíz, Facundo, 93 Ruthowshi, J., 112 Rychwalski, R., 8 Saavedra, Renato, 74, 76, 80 Saenz, Francisco, 46 Sagarzazu, Gabriel, 57 Sagredo,Vicente, 76 Salas, José Antonio, 7 San Martín, Eduardo, 74, 79 Sanabria, A.M., 29 Sánchez Chávez,H.D., 112 Sánchez Ramírez, José Francisco, 92, 123 Sánchez Rocha, Salvador, 29, 101 Sánchez Ruíz, P.A., 13 Sánchez Sinencio, Feliciano, 74, 75, 79 Sánchez-Meza, E., 119 Sandoval García, Pablo, 113, 114 Sandoval Ibarra, Federico, 72 Sandoval, Sharon, 11, 49 Santamaria Ortiz,Rubén, 35



139

Santana Aranda, Miguel Angel, 68 Santana Rodriguez, Guillermo, 127 Santillano-Cardoza,J., 39 Santoyo Salazar,J., 89 Sastre Hernandez, Jorge, 60 Saucedo-Zeni, N, 87 Schneider, G.A., 10 Scholz, T., 10 Serrano, Laura, 63, 67 Shenderova, Olga, 6, 131 Shin, Chan-Soo, 3 Simakov, A., 83 Sosa Aquino, Modesto, 22, 29, 102 Sosa Fonseca, Rebeca, 116 Sosa Hernández, E.M., 124 Sosa Sánchez, José Luis, 13 Soto Cruz, Blanca Susana, 13 Soto Herrera, Gerardo, 129 Soto, Ana Bertha, 32, 47, 120 Stolik Isakina, Suren, 75, 78, 79 Suaste Gómez, Ernesto, 77 Sumaya-Martinez, Juan, 90 Swain, M.V., 10 Takeuchi Tan, Noboru, 124 Terrones Maldonado, Mauricio, 2, 28 Terrones, Humberto, 28, 93 Thelpalo Carballo, Blanca S., 31 Tinoco, Abel, 77 Tirado-Guerra, S., 53 Tomás, S.A., 23, 74, 75, 79 Torchynska, T. V., 28 Torres Jácome, Alfonso, 15, 26, 46, 55, 58,

68, 69, 87 Torres Sanchéz, Roal, 45 Torres, A., 4, 109 Torres, Enrique, 44 Torres-Kauffman, Julián, 115 Trápaga Martínez, Luis Gerardo, 5 Trápaga-Martínez,G., 39 Trickey, S.B., 1

Tysoe, Wilfred T., 45 Tzompantzi, Francisco, 51 Urbaniate-Kucharczyto,A., 115 Urbina A., José E., 31 Urbina Álvarez, José E., 107 Valenzuela Monjarás, Raúl, 37, 83 Vargas Luna, Francisco Miguel, 29, 98, 101,

102 Vargas Luna, Miguel, 22 Vázquez Cerón, Ernesto Rodrigo, 118 Vázquez García, Salomón Ramíro, 9 Vázquez López, Carlos, 47, 66, 71 Vela-Lira,Héctor Archivaldo, 81 Vélez, M., 30 Villalpando Treto, Claudia Patricia, 41 Villegas, Antonio, 40, 126, 127 Visokay, M.R., 19 Viveros Méndez, Perla X., 66 W.Tu, Charles, 1 Wallace, Robert M., 20 Wang, Yilin, 45 Wojtczate, L., 112 Ximello Quiebras, José Nestor, 126, 127,

128 Xoxocotzi-Aguilar, Reyna, 115 Yañéz Limón, José Martín, 39 Yáñez Limón, José Martín, 5, 12, 24, 53,

73, 76, 81 Zambrano, G., 17, 119 Zamir Abud,, 72 Zamora Peredo, Luis, 47, 87, 88 Zamora Ulloa, R., 83 Zamorano Ulloa, Rafael, 4, 36, 53, 82, 83,

84 Zapata, Alvaro, 78 Zaragoza Rivera, Pedro, 35 Zelaya Angel, Orlando, 14, 21, 40, 61, 63,

64, 90, 106, 113, 114, 115 Zuniga, Carlos, 62, 87

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