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RECONOCIMIENTO PROTOCOLO JOSÉ RICARDO INFANTE PRIETO CC. 1075652418 Física de semiconductores UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA - UNAD. INGENIERIA ELECTRONICA

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RECONOCIMIENTO PROTOCOLO

JOS RICARDO INFANTE PRIETOCC. 1075652418Fsica de semiconductores

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA - UNAD.INGENIERIA ELECTRONICA

Cha, 03 de Marzo de 2014INTRODUCCIN

En el siguiente trabajo se explicara la estructura del curso FISICA DE SEMICONDUCTORES, teniendo en cuenta el prlogo del curso descrito por el tutor, de igual forma se representara de forma grfica el curso y explicaran diferentes conceptos importantes para tener en cuenta durante el desarrollo del curso, como lo son: las herramientas matemticas indispensables para el apoyo del estudiante, diferentes dispositivos semiconductores utilizados en la actualidad, los materiales indispensables para la elaboracin de semiconductores y materiales ms usados para dispositivos electrnicos.

OBJETIVOS

GENERAL. Reconocer de manera puntual los trminos, metodologa y el sistema evaluativo del curso.

ESPECFICOS. Tener claridad sobre el trmino semiconductor. Tener claridad sobre la fsica de un semiconductor y su fabricacin. Aprender a utilizar las herramientas expuestas en el aula. Aumentar nuestra capacidad de reconocer los diferentes dispositivos electrnicos utilizados actualmente. Reconocer los lugares donde podemos aplicar nuestros conocimientos electrnicos en la vida cotidiana.

MAPA CONCEPTUAL PROTOCOLO FISICA DE SEMICONDUCTORES

Listado de las herramientas matemticas y conceptos fsicos relevantes que se vern en el curso, sealando de cules de ellos previamente se tiene al menos una idea general.Las Herramientas matemticas que ms utilizaremos en este curso son: La ley de OHM. ( Se tiene idea, V = I * R) Las leyes de Kirchhoff (Se tiene idea, Ley de corrientes de Kirchhoff o ley de nodos y Ley de tenciones de Kirchhoff o ley de nodos). Ecuacin de Schrdinger. Muy posiblemente ecuaciones diferenciales. Integraciones. ( Se tiene idea) Derivaciones. ( Se tiene idea) Ecuaciones para hallar frecuencia. Los conceptos fsicos relevantes en cuanto a FSICA son: Vibracin. (Se tiene idea, oscilacin de un material) Onda. (Se tiene idea, Energa que se propaga a travs de la vibracin) Energa. Carga elctrica. Potencia. (Se tiene idea, cantidad de trabajo por unidad de tiempo) Campo Elctrico. Campo Magntico. Potencial. Semiconductores. (Se tiene idea, Materiales con 4 electrones en su ultima orbita)Los conceptos relevantes en cuanto a INGENIERA son: Electrnica. (Se tiene idea, Rama de la Fsica que estudia el comportamiento de los electrones) Dopado. (Se tiene idea, Proceso de crear un semiconductor) Materiales conductores y no conductores. (dependen de la cantidad de electrones en su ltima orbita) Transistores. ( Se tiene idea, Dispositivo electrnico muy utilizado en la electrnica, cumpliendo funciones como amplificador, oscilador, conmutador o rectificador) Diseo. Componentes elctricos. (Se tiene idea, Son todos aquellos que pueden modificar una corriente elctrica en un circuito) Leyes de OHM. (I=V*R) Leyes de Krischhoff.(Ley de mallas y Nodos) Conductividad. (Se tiene idea, Propiedad de un material para que circule libremente los electrones) Uniones.Dispositivos semiconductores que se usan en la Electrnica: Diodo: Utilizado comnmente para rectificar algn tipo de seal. Transistor: Utilizado comnmente como amplificador de seales. Fotocelda: Utilizada comnmente para el paso de una seal variando con la intensidad luminosa. Integrados: Como su nombre lo indica en un elemento que integra diferentes semiconductores para permitir el ingreso o salida de seales.

Los materiales ms usados para la construccin de Dispositivos electrnicos son:

ELEMENTOGRUPOELECTRONES EN LA ULTIMA CAPA

Cadmio (Cd)122

Aluminio (Al)133

Galio (Ga)

Boro (B)

Indio (In)

Silicio (Si)144

Carbono ( C )

Germanio (Ge)

Fsforo (P)155

Arsnico (As)

Antimonio (Sb)

Selenio (Se)166

Teluro (Te)

Azufre (s)

El elemento ms utilizado es el silicio y el segundo es el Germanio, por ser los materiales que poseen 4 electrones en su ltima orbita de valencia, por ello concluimos que en general cuantos ms electrones de valencia hayan en la rbita exterior de un tomo mayor ser su resistencia al flujo de electrones