8/2/2019 Resolucion Parte Teorica Examen Final

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RESOLUCION PARTE TEORICA EXAMEN FINAL

PREGUNTA 4:

(a) Dibuje las caractersticas de Id vs Vds de los JFETs Canal N y Canal P con sus

respecticos smbolos y ecuaciones de Shockley

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(b) Dibuje las caractersticas de Id vs Vds de los MosFETs Canal N y Canal P con sus

respecticos smbolos y ecuaciones de Shockley

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(c) Cuales son los modelos en pequea seal de los BJT diga los 2 mtodos para BC y

EC.

(d) Dibuje tres Mosfet`s en surtidor comn, emisor comn y en gate comn

Amplificador en configuracin de surtidor comn.

En esta configuracin que tambin se polarizar mediante divisor en puerta y

resistencia de surtidor, la resistencia de drenador es imprescindible para

poder obtener ganancia de tensin en esta configuracin. La figura 5.16muestra el circuito del amplificador y su equivalente basado en el circuito

hbrido en pi

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. Amplificador en configuracin de drenador comn.

En esta configuracin se repite el mtodo de polarizacin en continua que seus en la de surtidor comn, slo desaparece la resistencia de drenador ya que

ahora la salida de seal ser por el surtidor, y por tanto la resistencia de

drenador no es imprescindible. En la figura 5.19 se puede ver el circuito del

amplificador y su equivalente basado en el circuito hbrido en pi.

Esta configuracin con MOSFETes de caractersticas similares a la de emisor

comn con BJT: ganancia prxima a la unidad e impedancia de salida muy baja.