INFORME FINAL N 1

TRANSISTOR BIPOLAR EN CONMUTACIN

I. OBJETIVOS:

Disear una puerta inversora con transistor bipolar. Observar los efectos de los parmetros de conmutacin del transistor bipolar en formas de onda rectangulares. Medir los tiempos de conmutacin de una puerta inversora transistorizada.

II. MATERIALES:

Transistor de silicio BC549 Resistores Condensador Equipo electrnico de laboratorio

III. TAREAS A EXPERIMENTAR

1. Disear una puerta inversora empleando el transistor de silicio

Del datasheet del transistor a usar, sacamos los siguientes datos:

min = 20,IC(Sat) = 10mA,IB(Sat) = 0.5mA,VCE(Sat) = 0.2V

Y usaremos VCC = 8V, C = 0.1FA una frecuencia de 500 Hz

Nuestro circuito es el siguiente:

Ahora hallemos las resistencias del anlisis en c.c.

RC?

RB?

Si Vi 0

VO = VCCEl transistor estar en la zona de corte

Si Vi = 8

VO = 0.2VEl transistor estar en la zona de saturacin

2. Llenar la siguiente tabla con los datos obtenidos experimentalmente

fitsubidatbajadatalmacenamientotretardoVO bajoVO alto

500 Hz150 s12 s7 s8 s0.2 V8V

IV. CONCLUSIONES