historia, aplicaciones y polarizacion(mosfet)

7/23/2019 Historia, Aplicaciones y Polarizacion(Mosfet)

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Historia del MOSFET

Fue ideado teóricamente por el alemán Julius Von Edgar Lilienfeld en 1930,

aunque debido a problemas de carácter tecnológico el desconocimiento acerca

de cómo se comportan los electrones sobre la super!cie del semiconductor no se

pudieron fabricar "asta d#cadas más tarde$ En concreto, para que este tipo de

dispositi%os pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado

el aislante debe ser perfectamente lisa lo más libre de defectos posible$ Esto

es algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo de la tecnolog&a

del silicio$



Aplicaciones

• ' (ransistores )*+FE( como interruptores de pote

+on utiliados masi%amente como conmutadores ga sus caracter&sticas de tama-o, facilidad de uso consumo de energ&a, lo cual los con%ierte en el constructor de los circuitos integrados digitales de d&a, estando presentes en prácticamente tod

dispositi%os electrónicos$ /ic"as caracter&sticas talos "acen idóneos para aplicaciones de potencia, se requiere gran capacidad de corriente conmuta%eloces$

http://smartdreams.cl/transistores-mosfet-como-interruptores-de-potencia/





• ' (ransistores )*+FE( como in%ersor• El funcionamiento como in%ersor del transistor )*+FE( se bas

caracter&sticas en conmutación pasando de la región de corte a ó"mica$

• El transistor )*+FE( en conmutación, basado en un interruptor cresistencia de /renador, es fundamental en circuitos digitales, pque la conmutación de corte a saturación %ice%ersa, implica untiempos de retardo de gran importancia en estos sistemas$

• 2uando V in4 está en ni%el ba.o, el )*+FE( está en corte V ouigual a la tensión de alimentación$ 2uando V in4 está en ni%el al

)*+FE( está en conducción V out4 cae a un ni%el ba.o$ 5ara qucircuito funcione la corriente de saturación 6/ sat4 tiene que serque 6/ on4$ +e denomina in%ersor, porque la

salida, es de ni%el opuesto a la teentrada$ Lo 7nico que se requierecircuitos de conmutación, es quede entrada de salida se puedanfácilmente, a sea en ni%el alto o



• '(ransistores )*+FE( doble puerta4 como mecde frecuencias

5ara transistores de efecto campo la caracter&stica

lineal se apro8ima bien por una le cuadrática, poproduce ni%eles de intermodulación de armónicoba.os$ El margen de frecuencias %a de algunos )10:, pero con la constante me.ora de estostransistores este margen se e8tiende rápidamente

5resentan ganancia de con%ersión menor que losbipolares4, me.ores prestaciones de ruido eintermodulación necesitan menos potencia del *



• '(ransistores )*+FE( como resistencia %ariable

El )*+FE( equi%ale a

una resistencia %ariableconectada entre el/renador +urtidor$ El

%alor de estaresistencia %ar&a

dependiendo del %alor

que tenga la tensiónentre la 5uerta el

+urtidor V:+4$



• '(ransistores )*+FE( en circuitos para led;s de p

• Los reguladores de corriente se pueden "acer de diferentemaneras con transistores, con mosfet de potencia o conreguladores lineales de tensión conectados en modo parti

(odos usan el mismo principio de funcionamiento una resde ba.o %alor en serie con el led generalmente llamada s<mide= la corriente que pasa por ella controla el circuitoregula la corriente$

• La potencia disipada en el mosfet depende de la tensión qsobre este de la corriente que "acemos pasar para alim

led$ 5or lo tanto, podemos me.orar la e!ciencia del circuitdisminuendo la tensión de alimentación$



POLARIZACION DE UN MOSF+e polarian de manera diferente$ Este tipo detransistor se polaria de manera diferente al transistorbipolar$ El terminal de drena.e se polariapositi%amente con respecto al terminal de fuente Vdd4 la compuerta o gate se polaria negati%amente conrespecto a la fuente >Vgg4$ ? maor %olta.e >Vgg, másangosto es el canal más dif&cil para la corriente pasardel terminal drenador drain4 al terminal fuente o

source$ La tensión >Vgg para la que el canal quedacerrado se llama @punc">oA@ es diferente para cadaFE(

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