I. J. BLEWETT, J. STOKES, A. TOOKEY, A. K. KAR, B. S. WHERRETT

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La técnica de barrido en Z se ha usado durante muchos años para determinar los coeficientes ópticos no lineales para semiconductores.

La muestra es colocada de frente al láser en modo de traslación linear, la muestra es movida a lo largo del eje del rayo láser (dirección Z)

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La ejecución del experimento se realiza tradicionalmente mediante la grabación de la transmisión (posiblemente mediante técnicas promedio por pulsos láser) con la muestra a un determinado lugar z, antes de pasar a la siguiente posición y tomar una nueva medida. De esta manera, los datos son lentamente construido en una traza de barrido en Z para todo el recorrido de la muestra. Llamamos a esto una técnica lenta de barrido en Z.

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En la técnica de rápido barrido, la muestra es rápidamente oscilada a través de su completo recorrido la cual es grabada en una memoria digital de un osciloscopio o equipo. Debido a la rápida oscilación, muchos ciclos del recorrido de la muestra se puede hacer en un segundo, el osciloscopio sirve también para eliminar el ruido de los barridos. Para una alta velocidad de repetición de pulsos ultracortos, se usan las fuentes del láser, donde la muestra se considera en estado estacionario para cualquier pulso del láser.

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El propósito principal del experimento descrito aquí es determinar la absorción de dos fotones (TPA) el coeficiente de absorción de ZnSe como una función de longitud de onda.

ZnSe tiene una GAP banda prohibida, correspondiente a longitudes de onda azules a temperatura ambiente. así que B es medible en el en el infrarrojo cercano, la mitad de la distancia de nuestras muestras de ZnSe a granel corresponde a 920 nm.

Un láser de Ti ': zafiro se utiliza para proporcionar un tren de impulsos de 100 pulsos con una tasa de repetición de 82 MHz, y se puede ajustar de 840 ~ 1000 nm.

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La muestra de ZnSe exhibe dos fotones de absorción y refracción positiva no lineal como se esperaba para la excitación en longitudes de onda por encima de la media de diferencia, pero muy por debajo del banda prohibida. Esto se muestra por la disminución de la transmisión para la irradiación cada vez mayor en la "absorción" de seguimiento y el valle anterior al pico de la "refracción" de seguimiento.

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Utilizando una configuración simple, hemos mejorado la productividad y la aplicabilidad del barrido en Z.

Hemos demostrado esto a través de larápida obtención de datos necesarios para demostrar el comportamiento del coeficiente de absorción de un semiconductor (ZnSe) de dos fotones.

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