evid nº44-mantenimiento preventivo y correctivo de memorias flash

8/6/2019 evid N44-mantenimiento preventivo y correctivo de memorias flash

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Regional Distrito CapitalCentro de gestin de mercados, Logstica y

Tecnologas de la informacin

MANTENIMIENTO DE EQUIPOS

DE CMPUTO

Teleinformtica

2011


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Regional Distrito Capital

Centro de gestin de Mercados, Logstica y

Tecnologas de la Informacin

MANTENIMIENTO DE EQUIPOS DE COMPUTO

Fecha

29/abr/2011

Control del documento

Nombre Cargo Dependencia Firma Fecha

Autor Fabio Alonso

Ojeda Lasso

Aprendiz

Centro de gestin

de Mercados,

Logstica y

tecnologas de la

informacin

29/abr/2011

Revisin Ing. Jos Mndez Instructor

Centro de gestin

de Mercados,

Logstica y

tecnologas de la

informacin

Fabio Alonso Ojeda Lasso

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Fecha

29/abr/2011

MANTENIMIENTO PREVENTIVO Y CORRECTIVO DE MEMORIAS FLASH

Gua para recuperar una memoria USB Flash

Esto es lo que me paso y por lo cual ped ayuda en el foro, pero buscando, encontr datos de

cmo hacer una gua para recuperar una memoria usb que es Inaccesible desde windows ya

sea por no utilizar la opcin de Quitar Hardware con Seguridad o por algn otro motivoA

m me paso con mi drive Usb Kingston data travelers de 1 GB que no pude volverlo a su estadooriginal usando las guas comunes.

Se necesita lo siguiente:

Windows Home Xp sp 2 (es el software que tengo y que utilice)

Descarga el HDD Low Level Format Tool en esta pagina

h**t://hddguru.com

La licencia de uso es gratuita.

El tiempo que utilice para darle formato a bajo nivel para mi Kingston de 1 GB., Fue de 15

minutos.

PELIGRO: Cuando apliques formateado

de bajo nivel con esta herramienta, toda la superficie del

drive / memoria sern completamente borrados.

Por lo que recuperar informacin ser imposible despus de usar este programa


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Si quieres intentar recuperar datos hazlo antes de usar este

programa.

1. Descarga e instala HDD Low Level Format Tool despus arranca el programa.

Tendrs una pantalla donde te mostrara todos los drives detectados por Windows, que se

parecer a esta:

2. Selecciona tu memoria USB/flash y dale clic a Continu

Asegrate de seleccionar la unidad correcta

Ahora tendrs mas opciones en la siguiente ventana con 3 pestaas:

Device Details, LOW-Level format and S.M.A.R.T.


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3. Selecciona la pestaa Low Level Format y dale clic a Format This Device

Una vez que termine de formatear, recibirs un mensaje como el siguiente:


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El dispositivo USB ahora podr utilizarse pero debers formatearlo, tal y como s hacia con

cualquier disco

4. Instrucciones para darle formato de Alto Nivel:

Abre Mi Pc Dale doble clic a la unidad que quiere abrir

Windows te dir que la unidad no tiene formato

Ya la puedes formatear.

*NO utilices Formato Rpido (Quick format) y asegrate de seleccionar el Sistema de

archivos correcto.

Clic a Formatear

Si todo sale bien, tu memoria USB volver a funcionar de nuevo.

++++++++++++ OJO

A mi no me funciono esta parte, as que hice lo siguiente:

:

Fui a Control Panel

Enseguida Administratools

Despues a Computer management

.Continuando Disk management

Ah vi mi disco duro y abajo mi Kingston Data Traveler

Lo seale con el mouse y me sombreo mi removible Kingston, fui arriba a

(Action) Enseguida a (all taks) despus a (Format) y donde dice (Defaul)

yo seleccione (16 k)

Entonces, ya solo le di (Okey) y me formateo mi Kingston, listo para trabajar con 1 GB.

Lo prob y funciona perfectamente, aqu la imagen final


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Espero que les guste y les sirva

. Palma2mx


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TIPOS DE DIAGNOSTICOS

DIFERENTES TIPOS DE MEMORIAS

Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la computacin.

Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores empleadas como memoria

principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de ellas para enmarcar las memorias flash

dentro de su contexto.

Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las clasificamos en

funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es decir, memorias de slo

lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de lectura escritura.

Memorias de slo lectura

ROM : Se usan principalmente en microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen

emplear cuando producen componentes de forma masiva.

Es una memoria solamente de lectura es totalmente inalterable sin esta memoria la maquinano arrancara. La memoria principal es la convencional que va de 0 a 640 kb. Cuando la

mquina arranca comienza a trabajar el disco y realiza un testeo, para lo cual necesita

memoria, esta memoria es la convencional (ROM) y est dentro del mother (en el bios).

Apenas arranca utiliza 300 kb, sigue testeando y llega a mas o menos 540 kb donde se planta.

A medida de que comenzaron a haber soft con ms necesidad de memoria apareci la llamada

memoria expandida que iba de 640 kb a 1024 kb. Una vez que se utilizaba toda la memoria

convencional se utilizaba la expandida que utiliza la memoria RAM. A medida que pasa el

tiempo los 1024 kb eran escasos y se creo la memoria extendida que va de 1024kb a infinito

que es la memoria RAM pura.

PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es elctrico. Se puedegrabar posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de las anteriores que se graba

durante la fabricacin. Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM.


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Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o

antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada

(pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un dispositivo especial, un

programador PROM. Estas memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en

cantidades menores a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los

casos.

Pequeas PROM han venido utilizndose como generadores de funciones, normalmente en

conjuncin con un multiplexor. A veces se preferan a las ROM porque son bipolares,habitulamente Schottky, consiguiendo mayores velocidades. Una PROM comn se encuentra

con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de fbrica; el quemado decada fusible,

cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de

altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El trmino

Read-only (slo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden

ser cambiados (al menos por el usuario final).

Memorias de sobre todo lectura

EPROM (EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM borrable

programable). Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohmanque retiene los datos cuando la fuente de energa se apaga. En otras palabras, es no voltil.

Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide

Semiconductor) o transistores de puerta flotante. Cada uno de ellos viene de fbrica sin carga,

por lo que es ledo como un 1 (por eso una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus

celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes

superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben

carga se leen entonces como un 0. Una vez programada, una EPROM se puede borrar

solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones

de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se

reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travsde la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.


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EEPRO Mson las siglas de electrically-erasable programmable read-only memory (ROM

programable y borrable elctricamente), en espaol o castellano se suele referir al hablar

como E PROM y en ingls E-Squared-PROM. Es un tipo de memoria ROM que puede ser

programado, borrado y reprogramado elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de

borrarse mediante rayos ultravioletas.

Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y

reprogramada entre 100.000 y 1.000.000 de veces. Estos dispositivos suelen comunicarse

mediante protocolos como I C, SPI y Microwire. En otras ocasiones se integra dentro de chipscomo microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez. La memoria flash es una

forma avanzada de EEPROM creadas por Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba in

1984 y fueron presentadas en la Reunion de Aparatos Electrnicos de la IEEE de 1984. Intel vio

el potencial de la invencin y en 1988 lanzo el primer chip comercial del tipo NOR.

MEMORIA FLASH: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque a

bloque y es ms barata y densa.

La memoria flash es una forma evolucionada de la memoria EEPROM que permite que

mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacinde

programacin mediante impulsos elctricos, frente a las anteriores que slo permite escribir oborrar una nica celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores

cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al

mismo tiempo. Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene un array de celdas con un

transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo

almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos

de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de

electrones que almacenan.

Estas memorias estn basada en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal

Oxide Semiconductor) que es, esencialmente un transistor NMOS con un conductor (basado en

un xido metlico) adicional entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminalesfuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o bien que rodea a FG y es

quien contiene los electrones que almacenan la informacin.


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o Memoria flash de tipo NOR: Cuando los electrones se encuentran en FG, modifican

(prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo.

De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o

no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente

elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de

corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En

los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el

nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.

Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la

corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje

alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso

se llama hot-electron injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el

contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim

tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso

bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola

de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el

mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor

tan delgado un voltaje tan alto.

Cabe destacar que las memorias flash estn subdividas en bloques (en ocasiones llamados

sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya

que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms

rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para

reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para reescribir su contenido despus.

o Memorias flash de tipo NAND: Basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma

ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel

de soltado.

Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas,

un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo

permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente

a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio.Fabio Alonso Ojeda Lasso

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Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria,

ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que

ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de

memoria.

Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND Para comparar estos tipos de

memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados.

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias

NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado abloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los

bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR podemos llegara

modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben

modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50

100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de

escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de

borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en

NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es

relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la

escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la

posibilidad de que queden bloques marcados como errneose inservibles. En resumen, lossistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los

haga eficiente, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos.

Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo.

Memorias de Lectura/Escritura (RAM)

MEMORIA RAM o Memoria e acceso Aleatorio ( Random Acces Memory ).Esta memoria es

como un escritorio al igual que los escritorios tienen cajones donde ordenan la informacin,

cuanto mas grande sea el escritorio (plano de apoyo) mas cajones voy a tener de tal suerte que

el micro va a perder menos tiempo en buscar y ordenar la informacin


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La importancia de esta memoria es tan grande que si esta ausente la PC NO ARRANCA, Acta

como si estuviera muerta no hay sonido ni cursor en la pantalla ni luces que se enciendan o

apaguen. Para que sirve: Almacena las instrucciones que debe ejecutar el micro en cada

momento Este es el lugar fsico donde debe trabajar el procesador cuando abrimos un

programa sus instrucciones se copian automticamente en la memoria, y cuando cerremos el

programa todo se borrara ( volatizara ) Tambin copia los trabajos que estamos haciendo en

ese programa En la Ram se copian programas que coordinan el funcionamiento de la Pc: La

primera parte de la Ram esta reservada para guardar las instrucciones de los dispositivos

electrnicos. En este lugar no se puede guardar nada ya que lo utiliza el sistema para saber

como manejar los dispositivos.

DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga de un

condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de refresco

peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM.

Este tipo de memoria se utilizan des los aos 80 hasta ahora en toda las computadoras Esta

memoria tiene una desventaja hay que estimularla (Refresco) permanentemente porque se

olvida de todo. Como se estimula: requiere un procesador que ordene el envi de cargas

elctricas, a este tipo de memorias se lo conoce como memoria estticas Otras de las

desventajas de esta memoria es que es lenta y la ventaja es que es barata. Obviamente altener estas desventajas se le incorporaron distintas tecnologas para mejorarlas.

FPM DRAM. La ventaja de este memoria consiste en pedir permiso una sola vez u llevarse

varios datos consecutivos esto comenz a usarse principios de os aos noventa y dio buenos

resultados a estos mdulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y pueden tener 30 o 72

pines y se la utiliza en las Pentium I lo que logro con esta tecnologa es agilizar el proceso de

lectura, estas memorias ya no se utilizan mas.

EDO DRAM Estas memorias aparecieron en el 95, y se hicieron muy populares ya que

estaban presentes en todas las Pentium I MMX y tenia la posibilidad de localizar un dato

mientras transfera otro de diferencia de las anteriores que mientras transfera un dato sebloqueaba. Estas EDO SIMM eran de 72 pines


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RDRAM. Es una memoria muy costosa y de compleja fabricacin y la utilizan procesador

Pentim IV para arriba corre a velocidades de 800 Mhz sus mdulos se denominan Rimm de 141

pines y con un anho de 16 bits, para llenar un banco de memoria de 64 bits hay que instalar 4

memorias, es posible que estas memoria sean retiradas del mercado por ser tan costosas

SDRAM: Esta Memoria entro en el mercado en los aos 97, y mejoro la velocidad siendo su

ritmo de trabajo igual a la velocidad de Bus (FSB) es decir que tienen la capacidad de trabajar a

la misma velocidad de mother al que se conectan.

Es tos mdulos de 168 Pines son conocidos como DIMM SDRAM PC 66 y 100, 133, obviamente

si instalo una de 133, en un mother de 100 va a funcionar a 100Mhz.

DDR SDRAM: En este caso se consigui que pudiera realizar dos transferencia en una

pulsacin o tic-tac de reloj, esta memoria pude alcanzar velocidades de 200 a 266Mhz, Tiene

una ventaja mas trabaja en sincrona con el bus del mother si este acelera la memoria tambin

pero tiene una desventaja son muy caras. Se conoce como DIMM DDR SDRAM PC 1600 Y PC

2100.

SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables, por lo

que no require refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las DRAM y ms caras.

MEMORIA CACH o SRAM: La memoria cach trabaja igual que la memoria virtual, tenemos

cach en el procesador, en los discos y en el mother y nos guarda direcciones de memoria.

Si ejecutamos un programa en principio, lo cerramos y luego los volvemos a ejecutar, la

memoria cach nos guarda la ubicacin (direccin) en el disco, cuando lo ejecut, y lo que

hicimos con el programa. Es mucho ms rpida cuando ya usamos un programa

Existen 3 tipos de memoria cach:

o Cache L1: Esta dividido en dos bloques uno contiene las instrucciones y otro los datos y

cuando se habla de su capacidad de almacenamiento se dice que es de 216 Kb .

El cache L1 se encuentra dentro del interior del procesador y funciona a la misma velocidad

que el micro con capacidades que van desde 28 hasta 264KbFabio Alonso Ojeda Lasso

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o Cache L2 interno y externo: La primeras memoria cach estaban ubicadas en el mother luego

se construyeron en el procesador, pero no dentro del dado del procesador por lo que es mas

lento que el cach L1, mientras que el externo lo encontramos el mother. La computadoras

que tienen las tres tecnologas de cach van a ser mas rpidas.

o Cache L3: Algunos micro soportan un nivel de cach mas el L3 que esta localizado en el

mother. EL AMD 6k-3 soporta este cach.

CONCLUSION

Con esto pude comprobar que una memoria flash bueno a parte de existen varios tipos con

sus diferentes labores y capacidades se puede deducir a ciencia cierta que una usb casi no se

arregla por la parte de el hardware solamente ya mas que todo es por la parte de el

software. Por tal pudimos comprobar con un tutorial que se encuentra al principio que dice

que con el programa HDD pero instalado en un sistema operativo XPsp2 se puede hacer un

mantenimiento a la memoria teniendo en cuenta que solamete esta bloqueada o mejor

dicho que el dao es de solo software.


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