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El MOSFET convencional, escalado yestado actual de la tecnologa

Los transistores de efecto campo sondispositivos unipolares que involucran

principalmente el transporte de los portadoremayoritarios, ya sean electrones o huecos, e

una capa paralela a la supercie. El msutilizado hoy en da es el MOSE!, que secaracteriza por aislar la capa de transporte dmetal "o polisilicio# de puerta mediante lautilizaci$n de un %o&ido.

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Alternativas a los MOSFETestndar

'na de las principales limitaciones de la tecnoloconvencional se encuentra en que el Si es un made )a*a movilidad. La mayora de los semiconducompuestos "+as, -n, etc.# tienen movilidadesmayores que la del silicio, pero en la actualidad,comercial, no son utilizados en la fa)ricaci$n de

MOSE!s principalmente a causa de la dicultado)tener aislantes validos /0123456, pese al prorealizado en los 7ltimos a8os /9at4:, S2234:,

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MOSFETs multipuerta

La disminuci$n de la lon(itud de canal de los transistores queescalado lleva a la aparici$n de los efectos de canal corto, qu)sicamente consisten en la p

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Nuevos materiales

unque en las 7ltimas d

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Tcnicas de simulacin

En la actualidad existe una jerarqua bienestablecida de tcnicas que pueden ser utilila simulacin de dispositivos semiconductormodernos [Rav98]. presentamos una escale

jerarqua que los clasica en base a dos par

la complejidad computacional # el tiempo desimulacin.

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Monte arlo

'n m

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Transporte cuntico

En la cima de la *erarqua de los m