diseÑo e implementaciÓn de un simulador …

61
1 DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR ELECTROMAGNÉTICO PARA CIRCUITOS PASIVOS EN TECNOLOGÍA MULTICAPA DORA CAROLINA ROSALES ARIZA ASESOR: NÉSTOR PEÑA COASESOR: JUAN CARLOS BOHÓRQUEZ UNIVERSIDAD DE LOS ANDES ABRIL DE 2009

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Page 1: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

1  

DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR

ELECTROMAGNÉTICO PARA CIRCUITOS PASIVOS EN TECNOLOGÍA MULTICAPA

DORA CAROLINA ROSALES ARIZA

ASESOR: NÉSTOR PEÑA

COASESOR:

JUAN CARLOS BOHÓRQUEZ

UNIVERSIDAD DE LOS ANDES ABRIL DE 2009

Page 2: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

2  

TABLA DE CONTENIDO

LISTADO DE FIGURAS ....................................................................................................................... 4 

RESUMEN........................................................................................................................................... 6 

1  INTRODUCCIÓN ........................................................................................................................ 7 

2  ESTUDIO DEL MÉTODO FDTD – DIFERENCIAS FINITAS EN EL TIEMPO ....................................... 8 

2.1  Ecuaciones de Maxwell ............................................................................................................. 8 

2.2  Discretización Ecuaciones de Maxwell- Algoritmo Yee ............................................................... 10 

2.3  Aproximación por diferencias finitas para hallar Hx ................................................................... 10 

2.4  Expresiones de Diferencias Finitas para Hy y Hz ........................................................................ 11 

2.5  Expresiones de Diferencias Finitas para Ex Ey y Ez .................................................................... 12 

2.6  Condiciones de Frontera Superficie Perfectamente Conductora (PEC) ......................................... 12 

2.7  Interfaz entre diferentes medios .............................................................................................. 12 

2.8  Criterio de Estabilidad .............................................................................................................. 13 

3  CONDICIONES DE FRONTERA ABSORBENTE – MEDIOS PLM ..................................................... 13 

3.1  Ecuaciones de Maxwell TE- en 2D (Ex, Ey, Hz) ....................................................................... 14 

3.2  Propagación de una onda plana TE en un medio PML ............................................................... 15 

3.3  Condición de adaptación de impedancias ................................................................................. 16 

3.4  Ecuaciones de Maxwell TE- en 3D .......................................................................................... 18 

3.5  Condición de Frontera Absorbente en medio PML (PML-ABC) .................................................... 19 

3.6  Conductividad en los PML ABC ................................................................................................. 21 

3.7  PML ABC para el método FDTD ............................................................................................... 23 

3.8  PML acoplado a medios no homogéneos .................................................................................. 25 

4  METODOLOGÍA DE CALCULO DE PARA LOS PARÁMETROS S ..................................................... 26 

5  EVOLUCIÓN DE PRUEBAS DURANTE EL DESARROLLO DEL SOFTWARE ...................................... 30 

5.1  Simulación de una Cavidad Resonante ...................................................................................... 30 

5.2  Simulación de una Cavidad Resonante ...................................................................................... 31 

5.3  Simulación de una Guía de Onda .............................................................................................. 32 

5.4  Simulación de una Microcinta ................................................................................................... 33 

5.5  Densidad de corriente superficial como excitación para estructuras tipo Microcinta ...................... 34 

6  MODELOS SIMULADOS ............................................................................................................ 36 

6.1  Diagrama de Flujo del Programa desarrollado ........................................................................... 36 

6.2  Antena Parche con Mallado Uniforme ....................................................................................... 37 

6.3  Antena Parche con Mallado No Uniforme .................................................................................. 38 

Page 3: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

3  

6.4  Filtro Pasa Bajos con Mallado No Uniforme ............................................................................... 41 

7  SIMULACIÓN ESTRUCTURA MULTICAPA ................................................................................... 44 

CONCLUSIONES ............................................................................................................................... 53 

ANEXO A – LA HERRAMIENTA DE SIMULACIÓN ................................................................................. 54 

ANEXO B - CÓDIGO IMPLEMENTADO................................................................................................ 55 

BIBLIOGRAFÍA ................................................................................................................................. 59 

Page 4: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

4  

LISTADO DE FIGURAS

Figura 1. Descripción de la tecnología multicapa 3D ..................................................................... 7

Figura 2. “Celda Yee”. Campos Eléctricos y Magnéticos .............................................................. 13

Figura 3. Frontera PML –ABC vista en 2D ................................................................................. 18

Figura 4. PML –ABC en un plano frontera .................................................................................. 20

Figura 5. Subcomponentes de campo en una celda en el medio PML .......................................... 24

Figura 6. Dominio Computacional para medio PLM en 3D. .......................................................... 25

Figura 7. Dominio computacional para dos medios diferentes con terminación PLM ..................... 26

Figura 8. Método de los 3 Puntos para cálculo de S11 ................................................................ 26

Figura 9. Método de los 3 Puntos para cálculo de S11 ................................................................ 29

Figura 10. Diagrama de flujo de algoritmo implementado ........................................................... 36

Figura 11. Simulación 1 - Cavidad Resonante ............................................................................ 31

Figura 12. Frecuencias de corte cavidad resonante. ................................................................... 31

Figura 13. Guía de Onda Simulada ............................................................................................ 32

Figura 14. Parámetro S11 Guía de Onda ................................................................................... 33

Figura 15. Dimensiones Microcinta ............................................................................................ 33

Figura 16. Parámetro S11 Microcinta ......................................................................................... 34

Figura 17. Coordenadas espaciales de excitación ....................................................................... 35

Figura 18. Toma de campo del modo fundamental para la microcinta ......................................... 35

Figura 19. Señal de excitación microcinta .................................................................................. 35

Figura 20. Antena Parche simulada con mallado uniforme .......................................................... 37

Figura 21. Parámetro S11 de Antena Parche con mallado uniforme ............................................. 38

Figura 22. Antema Parche simulada – mallado no uniforme ........................................................ 38

Figura 23. Vista xz mallado no uniforme Antena Parche ............................................................ 39

Figura 24. Vista xy mallado no uniforme Antena Parche ............................................................ 39

Figura 25. Parámetro S11 de Antena Parche con mallado no uniforme ........................................ 40

Figura 26. Corte campo eléctrico Ey (iteración 1000) de Antena Parche ...................................... 41

Figura 27. Filtro pasa bajos –mallado no uniforme ..................................................................... 41

Figura 28. Vista xz mallado no uniforme Filtro Pasa bajos ......................................................... 42

Figura 29. Vista xy mallado no uniforme Filtro Pasa bajos ......................................................... 42

Figura 30. Parámetro S11 Filtro Pasa bajos ............................................................................... 43

Figura 31. Parámetro S21 Filtro Pasa bajos ............................................................................... 43

Figura 32. Corte campo eléctrico Ey (iteración 1000) de filtro ..................................................... 44

Figura 33. Distribución de capas de la estructura. Vista Lateral ................................................... 45

Page 5: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

5  

Figura 34. Capa Inferior estructura multicapa. Unidades mm. ..................................................... 45

Figura 35. Capa Central estructura multicapa. Unidades mm. ..................................................... 46

Figura 36. Capa Superior estructura multicapa. Unidades mm. ................................................... 47

Figura 37. Geometría y mallado no uniforme estructura multicapa Vista xz. Todas las capas

superpuestas ........................................................................................................................... 48

Figura 38. Geometría y mallado no uniforme estructura multicapa Vista xy. ............................... 49

Figura 39. Parámetro S11 estructura multicapa para 200.000 iteraciones .................................... 50

Figura 40. Parámetro S21 estructura multicapa para 200.000 iteraciones .................................... 50

Figura 41. Parámetro S11 estructura multicapa para 600.000 iteraciones .................................... 51

Figura 42. Parámetro S21 estructura multicapa para 600.000 iteraciones .................................... 51

Figura 43. Corte campo eléctrico Ey (iteración 20.000) de estructura multicapa ........................... 52

Page 6: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

6  

RESUMEN En el presente trabajo se pretende mostrar el trabajo hecho durante un año, que consistió en la elaboración de un software para la simulación de circuitos pasivos de microondas en tecnología multicapa con alimentación tipo microcinta. Inicialmente se da una introducción con la motivación para este proyecto. A continuación se menciona la implementación del método FDTD y su manejo para condiciones de frontera PML. Luego se muestra la metodología de cálculo de parámetros S que se siguió para el análisis de datos. También se muestra un diagrama de flujo de la implementación del programa. Finalmente se presenta la evolución de pruebas realizadas durante el desarrollo del software y los resultados en diferentes estructuras hasta llegar a la simulación de una estructura Multicapa.

Page 7: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

7  

1 INTRODUCCIÓN

La investigación sobre tecnologías 3D tiene como finalidad estudiar la flexibilidad ofrecida por el aprovechamiento de la tercera dimensión (eje vertical). Utilizar este eje como un nuevo parámetro de libertad, es abrir nuevas perspectivas en término del diseño de dispositivos de microondas con el fin de cubrir exigencias impuestas por las nuevas necesidades de los usuarios (ej. frecuencia, dimensión, impedancia, etc.) en términos de funcionalidad, como flexibilidad en el diseño o miniaturización de los dispositivos o sistemas. La utilización de herramientas de simulación electromagnética es indispensable en el diseño de circuitos a hiper-frecuencias. La necesidad de herramientas eficaces, precisas, con resultados óptimos y tiempos de simulación cortos, es cada vez mayor. Estas condiciones aseguran el desarrollo, limitan el número de prototipos y economizan tiempo y dinero. La simulación electromagnética global no siempre es posible debido a la complejidad geométrica de las estructuras multicapa y a la relación en las dimensiones. Las herramientas comerciales de software para simulación electromagnética disponibles tienen la dificultad de simular la totalidad de este género de estructuras. El aporte de esta tesis es la implementación de una herramienta de simulación electromagnética que aborde este tipo de problemas para el caso específico de la tecnología multicapa 3D de circuitos pasivos de microondas.

A continuación se describe la estructura de un circuito en tecnología multicapa 3D, al cual se hace referencia como estructura a final a simular por el software implementado.

Figura 1. Descripción de la tecnología multicapa 3D [35]

Las capas a manejar están dadas por un substrato sobre el cual se sobrepone una capa dieléctrica seguida de una capa metalizada o plano de masa con aberturas en las zonas grises, sobre esta capa metalizada se sobrepone otra capa dieléctrica y finalmente sobre esta se sobrepone una capa metalizada que corresponde a la cinta conductora. El grosor de las capas está en el orden de los micrómetros. La excitación que se maneja es tipo red de dos puertos (entrada y salida) con entrada en línea microcinta.

Page 8: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

8  

2 ESTUDIO DEL MÉTODO FDTD – DIFERENCIAS FINITAS EN EL TIEMPO

A continuación se explica que consiste éste método y las condiciones a tener en cuenta como las condiciones de frontera, el manejo de la permitividad y permeabilidad en la interfaz de medios diferentes y el criterio de estabilidad.

2.1 Ecuaciones de Maxwell [8]

A continuación se presentan tanto en forma diferencial, como en forma integral:

Ley de Faraday:

x (1)

. . . (2)

Ley de Ampere:

x (3)

. . . (4)

Ley de Gauss para el campo eléctrico:

. 0 (5)

. 0 (6)

Ley de Gauss para el campo magnético:

. 0 (7)

. 0 (8)

Donde,

: Campo Eléctrico (voltios/metro) : Densidad de flujo eléctrico (coulombs/metro2) : Campo Magnético (amperios/metro) : Densidad de flujo magnético (webers/ metro2) : Superficie tridimensional arbitraria.

dA: Vector normal diferencial que caracteriza la superficie A (metro2) l: Contorno cerrado que limita la superficie A

dl: Vector de longitud diferencial que caracteriza el contorno l J: Densidad de corriente eléctrica (amperios/metro2) M: Densidad de corriente magnética equivalente (voltios/metro2)

Para materiales lineales isotrópicos no dispersivos:

(9)

(10)

Page 9: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

9  

y involucran fuentes independientes de energía de los campos E y H respectivamente: y .

(11)

(12)

: Permitividad eléctrica (faradios/metro) : Permitividad relativa (escalar a-dimensional) : Permitividad del espacio libre (8.854 x 10-12) : Permeabilidad magnética (henrios/metro) : Permeabilidad relativa (escalar a-dimensional) Permeabilidad del espacio libre (4π x 10-7 henrios/metro)

: Conductividad eléctrica (siemens/metro) : Conductividad magnética (ohms/metro)

Sustituyendo ecuaciones (9) y (10) en (1) y (3) se obtienen las siguientes ecuaciones de maxwell para medios con pérdidas, isotópicos, lineales y no dispersivos.

1x

1 (13)

1x

1 (14)

El rotacional en coordenadas cartesianas se expresa de la siguiente manera:

x ̂ (15)

Así se tienen 6 ecuaciones de maxwell escalares:

1 (16)

1 (17)

1 (18)

1 (19)

1 (20)

1 (21)

Page 10: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

10  

2.2 Discretización Ecuaciones de Maxwell- Algoritmo Yee [7] : Discretización espacial:

, , ∆ , ∆ , ∆ (22)

Discretización temporal:

∆ (23)

Función Espacio-Tiempo:

∆ , ∆ , ∆ , ∆ , , (24)

Aproximación de diferencias finitas para las derivadas espaciales y temporales:

, , 1 2⁄ , , 1 2⁄ , ,∆x

(25)

, , ⁄ , , ⁄ , ,∆ (26)

Las derivadas espaciales y temporales de una función se implementan utilizando una aproximación en diferencias finitas centradas evaluadas en celdas solapadas. Muestreo Campos: El campo eléctrico se muestrea en tiempos enteros y el campo magnético en tiempos semi-enteros.

∆ (27)

1 2⁄ ∆ ⁄ (28)

El método se basa en utilizar las ecuaciones anteriores para calcular las derivadas de los campos electromagnéticos en las ecuaciones de Maxwell.

2.3 Aproximación por diferencias finitas para hallar Hx [8]

( )σµ

⎡ ⎤∂∂ ∂= − − +⎢ ⎥

∂ ∂ ∂⎢ ⎥⎣ ⎦

*1 yx zsource x x

EH E M Ht z y

(29)

µσ

+ + + + + ++ −+ + + +

+ ++ + + + + +

⎡⎢ − −⎢ −⎢− ∆ ∆

=∆

− −

, 1/2, 1 , 1/2, , 1, 1/2 , , 1/21/2 1/2

, 1/2 1/2 , 1/2, 1/2

*, 1/2, 1/2, 1/2, 1/2 , 1/2, 1/2 , 1/2, 1/2

1

n n n ny i j k y i j k z i j k z i j k

n nx i j k x i j k

n ni j ksource i j k i j k x i j k

E E E EH H z y

tM H

⎤⎥⎥⎥

⎢ ⎥⎢ ⎥⎢ ⎥⎢ ⎥⎢ ⎥⎦ (30)

Usando la aproximación semi-implícita: + −+ + + +

+ +

+=

1/2 1/2, 1/2, 1/2 , 1/2, 1/2

, 1/2, 1/2 2

n nx i j k x i j kn

x i j k

H HH (31)

σµ

+ −+ + + +

+ + + + + +

++ +

+ + + ++ +

− =

− −−

∆ ∆∆ +− −

1/2 1/2, 1/2, 1/2 , 1/2, 1/2

, 1/2, 1 , 1/2, , 1, 1/2 , , 1/2

1/2, 1/2, 1/2*

, 1/2, 1/2 , 1/2, 1/2, 1/2, 1/2

n nx i j k x i j k

n n n ny i j k y i j k z i j k z i j k

nx i j kn

source i j k i j ki j k

H HE E E E

z yt HM

−+ +

⎡ ⎤⎢ ⎥⎢ ⎥⎛ ⎞⎢ ⎥⎜ ⎟⎢ ⎥⎜ ⎟⎢ ⎥⎝ ⎠⎢ ⎥⎣ ⎦

1/2, 1/2, 1/2

2

nx i j kH (32)

Page 11: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

11  

Se tiene:

σ σ

µ µ

µ

+ + + ++ −+ + + +

+ + + +

+ + +

+ +

⎛ ⎞ ⎛ ⎞∆ ∆⎜ ⎟ ⎜ ⎟+ = − +⎜ ⎟ ⎜ ⎟⎝ ⎠ ⎝ ⎠

−−

∆ ∆

* *, 1/2, 1/2 , 1/2, 1/21/2 1/2

, 1/2, 1/2 , 1/2, 1/2, 1/2, 1/2 , 1/2, 1/2

, 1/2, 1 , 1/2, ,

, 1/2, 1/2

1 12 2

i j k i j kn nx i j k x i j k

i j k i j k

n ny i j k y i j k z i j

i j k

t tH H

E E Et z

+ + +

+ +

⎡ ⎤−⎢ ⎥

∆⎢ ⎥−⎢ ⎥⎢ ⎥⎢ ⎥⎣ ⎦

1, 1/2 , , 1/2

, 1/2, 1/2

n nk z i j k

nsource i j k

Ey

M

(33)

Dividiendo en ambos lados por: σ

µ+ +

+ +

∆+

*, 1/2, 1/2

, 1/2, 1/2

12

i j k

i j k

t

(34) Se obtiene la expresión final:

σµ

σµ

µ

σµ

+ +

+ ++ −+ + + +

+ +

+ +

+ +

+ +

+ +

⎛ ⎞∆⎜ ⎟−⎜ ⎟

= +⎜ ⎟∆⎜ ⎟+⎜ ⎟

⎝ ⎠

⎛ ∆⎜⎜

∆+

*, 1/2, 1/2

, 1/2, 1/21/2 1/2, 1/2, 1/2 , 1/2, 1/2*

, 1/2, 1/2

, 1/2, 1/2

, 1/2, 1/2*

, 1/2, 1/2

, 1/2, 1/2

12

12

12

i j k

i j kn nx i j k x i j k

i j k

i j k

i j k

i j k

i j k

t

H Ht

t

t

+ + + + + +

+ +

⎞ ⎡ ⎤− −⎟⎢ ⎥−⎟ ∆ ∆⎢ ⎥−⎜ ⎟ ⎢ ⎥

⎜ ⎟ ⎢ ⎥⎜ ⎟ ⎢ ⎥⎣ ⎦⎠

, 1/2, 1 , 1/2, , 1, 1/2 , , 1/2

, 1/2, 1/2

n n n ny i j k y i j k z i j k z i j k

nsource i j k

E E E Ez y

M

(35)

2.4 Expresiones de Diferencias Finitas para Hy y Hz σ

µσ

µ

µσ

µ

+ +

+ ++ −+ + + +

+ +

+ +

+ +

+ +

+ +

⎛ ⎞∆−⎜ ⎟

⎜ ⎟= +⎜ ⎟∆⎜ ⎟+⎜ ⎟⎝ ⎠

⎛ ∆⎜⎜

∆+

1/2, , 1/2

1/2, , 1/21/2 1/21/2, , 1/2 1/2, , 1/2

1/2, , 1/2

1/2, , 1/2

1/2, , 1/2

1/2, , 1/2

1/2, , 1/2

12

12

12

m i j k

i j kn ny i j k y i j k

m i j k

i j k

i j k

m i j k

i j k

t

H Ht

t

t+ + + + + +

+ +

⎞⎟⎡ ⎤− −⎟⎢ ⎥− −⎜ ⎟ ∆ ∆⎢ ⎥⎜ ⎟ ⎣ ⎦

⎜ ⎟⎠

1, , 1/2 , , 1/2 1/2, , 1 1/2, ,1/2, , 1/2

n n n nz i j k z i j k x i j k x i j k n

source y i j k

E E E EM

x z

(36)

σµ

σµ

µσ

µ

+ +

+ ++ −+ + + +

+ +

+ +

+ +

+ +

+ +

⎛ ⎞∆−⎜ ⎟

⎜ ⎟= +⎜ ⎟∆⎜ ⎟+⎜ ⎟⎝ ⎠

⎛ ∆⎜⎜

∆+

1/2, 1/2,

1/2, 1/2,1/2 1/21/2, 1/2, 1/2, 1/2,

1/2, 1/2,

1/2, 1/2,

1/2, 1/2,

1/2, 1/2,

1/2, 1/2,

12

12

12

m i j k

i j kn nz i j k x i j k

m i j k

i j k

i j k

m i j k

i j k

t

H Ht

t

t+ + + + + +

+ +

⎞⎟⎡ ⎤− −⎟⎢ ⎥− −⎜ ⎟ ∆ ∆⎢ ⎥⎜ ⎟ ⎣ ⎦

⎜ ⎟⎠

1/2, 1, 1/2, , 1, 1/2, , 1/2,1/2, 1/2,

n n n nx i j k x i j k y i j k y i j k n

source z i j k

E E E EM

y x

(37)

Page 12: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

12  

2.5 Expresiones de Diferencias Finitas para Ex Ey y Ez σε

σε

εσε

+

+++ +

+

+

++ + + + −

+

+

⎛ ⎞∆−⎜ ⎟

⎜ ⎟= +⎜ ⎟∆⎜ ⎟+⎜ ⎟⎝ ⎠

⎛ ⎞∆⎜ ⎟

−⎜ ⎟⎜ ⎟∆⎜ ⎟+⎜ ⎟⎝ ⎠

1/2, ,

1/2, ,11/2, , 1/2, ,

1/2, ,

1/2, ,

1/21/2, , 1/2, 1/2, 1/2, 1

1/2, ,

1/2, ,

12

12

12

i j k

i j kn nx i j k x i j k

i j k

i j k

ni j k z i j k z i j

i j k

i j k

t

E Et

tH H

t

+ + ++ + + − +

+

⎡ ⎤−⎢ ⎥− −

∆ ∆⎢ ⎥⎣ ⎦

1/2 1/2 1/2/2, 1/2, , 1/2 1/2, , 1/2 1/2

1/2, ,

n n nk y i j k y i j k n

source x i j k

H HJ

y z

(38)

σε

σε

εσε

+

+++ +

+

+

++ + + +

+

+

⎛ ⎞∆−⎜ ⎟

⎜ ⎟= +⎜ ⎟∆⎜ ⎟+⎜ ⎟⎝ ⎠

⎛ ⎞∆⎜ ⎟

−⎜ ⎟⎜ ⎟∆⎜ ⎟+⎜ ⎟⎝ ⎠

, 1/2,

, 1/2,1, 1/2, , 1/2,

, 1/2,

, 1/2,

1/2, 1/2, , 1/2, 1/2 , 1/2,

, 1/2,

, 1/2,

12

12

12

i j k

i j kn ny i j k y i j k

i j k

i j k

ni j k x i j k x i j k

i j k

i j k

t

E Et

tH H

t

+ + +− + + − + +

+

⎡ ⎤−⎢ ⎥− −

∆ ∆⎢ ⎥⎣ ⎦

1/2 1/2 1/21/2 1/2, 1/2, 1/2, 1/2, 1/2

, 1/2,

n n nz i j k z i j k n

source y i j k

H HJ

z x

(39)

σε

σε

εσε

+

+++ +

+

+

++ + + −

+

+

⎛ ⎞∆−⎜ ⎟

⎜ ⎟= +⎜ ⎟∆⎜ ⎟+⎜ ⎟⎝ ⎠

⎛ ⎞∆⎜ ⎟

−⎜ ⎟⎜ ⎟∆⎜ ⎟+⎜ ⎟⎝ ⎠

1/2, ,

, , 1/21, , 1/2 , , 1/2

, , 1/2

, , 1/2

1/2, , 1/2 1/2, , 1/2 1/2, ,

, , 1/2

, , 1/2

12

12

12

i j k

i j kn nz i j k z i j k

i j k

i j k

ni j k z i j k z i j k

i j k

i j k

t

E Et

tH H

t

+ + ++ + + − + +

+

⎡ ⎤−⎢ ⎥− −

∆ ∆⎢ ⎥⎣ ⎦

1/2 1/2 1/21/2 , 1/2, 1/2 , 1/2, 1/2 1/2

, , 1/2

n n ny i j k y i j k n

source z i j k

H HJ

x y

(40)

2.6 Condiciones de Frontera Superficie Perfectamente Conductora (PEC) Las componentes tangenciales del campo eléctrico se anulan en la superficie.

La componente perpendicular al campo magnético también se anula en la superficie.

En la discretización espacial, los bordes de la región perfectamente conductora coincide con los bordes de alguna de las celda Yee.

2.7 Interfaz entre diferentes medios Para el cálculo del campo eléctrico rodeado por cuatro celdas con diferentes permitividades

, , , , la permitividad efectiva se halla a partir del promedio ponderado de las permitividades de cada celda según sea su área:

Page 13: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

13  

_ (41)

Figura 2. “Celda Yee”. Campos Eléctricos y Magnéticos

2.8 Criterio de Estabilidad El tamaño de la celda debe ser tal que los campos electromagnéticos no cambien sustancialmente de un nodo a otro de la celda. Por tanto la dimensión de la celda deberá ser una fracción de la longitud de onda. Se recomienda un valor menor a λ/10.

Criterio de Courant: Impone un límite superior al paso de tiempo ∆t

∆1

1∆

1∆

1∆

(42)

En el caso ∆x= ∆y= ∆z= ∆:

∆∆

c√3 (43)

3 CONDICIONES DE FRONTERA ABSORBENTE – MEDIOS PLM En una simulación electromagnética es muy importante tener un límite espacial con el fin de economizar memoria computacional ya que se evita guardar datos indefinidamente, esto se logra mediante una condición de frontera adecuada para simular una extensión infinita la cual reduce las

Page 14: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

14  

reflexiones ficticias a un nivel tal que la solución sea válida todo el tiempo. Dentro de estas condiciones de frontera absorbentes (ABC) una de las más utilizadas es la desarrollada por Jean Berenger [10].

Berenger fue el promotor de un absorbente de ondas no físico independiente de la frecuencia y ángulo de incidencia de la onda. Esto se hace aprovechando los grados de libertad adicionales que se obtienen mediante una estrategia de división del campo en sus componentes. Con lo cual se tiene una capa perfectamente adaptada PLM adyacente a la frontera del espacio FDTD para absorber todas las ondas incidentes en esta. Esto es posible igualando la impedancia del espacio libre con la de la capa PLM, pero para evitar que la onda siga propagándose al final de la capa PLM se coloca al final de ésta un medio PEC (conductor eléctrico perfecto), cuyas condiciones atenúan por completo la onda electromagnética.

Por simplicidad se explica la implementación del procedimiento de condición de frontera absorbente a dos dimensiones para así poderlo aplicar a tres dimensiones.

3.1 Ecuaciones de Maxwell TE- en 2D (Ex, Ey, Hz) [13]

(44)

(45)

(46)

Donde: ε Permitividad Vacío µ Permeabilidad Vacío σ Conductividad eléctrica σ Pérdidas magnéticas PML introduce un nuevo grado de libertad en la especificación de pérdidas y adaptación de impedancia, dividiendo HZ en dos subcomponentes Hzx y Hzy:

(47)

Así las ecuaciones de Maxwell con modificación PML se expresan por:

(48)

(49)

(50)

µ∂H

∂t σ H∂E∂y (51)

La formulación PLM representa una generalización de un medio físico modelado normalmente.

Page 15: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

15  

3.2 Propagación de una onda plana TE en un medio PML [13] Las cuatro componentes del campo para soluciones de onda plana se expresan como:

(52)

(53)

(54)

(55)

Donde, Amplitud del campo eléctrico.

Amplitud componente Hzx del campo magnético Amplitud componente Hzy del campo magnético

Frecuencia Angular Tiempo

, Componentes del vector de onda Sustituyendo estas expresiones de propagación de campo eléctrico en las ecuaciones de Maxwell con modificación PLM se tiene:

Para la ecuación (5):

1 (56)

De igual forma para ecuaciones (6) a (8) se tiene:

1 (57)

1 (58)

1 (59)

Haciendo:

1 1

1 1

Se pueden expresar las ecuaciones de Maxwell con modificación PLM en el dominio de la frecuencia de la forma:

(60)

Page 16: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

16  

(61)

(62)

Despejando de (17) y (18) y reemplazándolos en (19) se tiene la ecuación de dispersión:

(63)

Los números de onda que satisfacen la anterior ecuación son:

(64)

(65)

Donde: θ Es un Parámetro libre c Velocidad de la luz Reemplazando y en las cuatro ecuaciones de las componentes del campo para soluciones de onda plana - ecuaciones (9) a (12) - representadas por se tiene:

(66)

3.3 Condición de adaptación de impedancias [13]  

Cuando se satisface:

(67)

La impedancia de la onda plana en el medio es igual a la impedancia de la onda en el vacío. No ocurren reflexiones cuando una onda plana se propaga normalmente a través de una interface entre el vacío y un medio PML.

Si las conductividades longitudinales , y transversales , satisfacen la anterior condición se tiene que y entonces:

(68)

Las dos primeras exponenciales son iguales a las de la forma de onda en el vacío, con fase y velocidad . Las dos siguientes exponenciales son los términos absorbentes. La magnitud de la onda decrece en dirección x, ó y, de acuerdo a las conductividades , y respectivamente.

Page 17: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

17  

Conocidos los números de onda , , éstos se pueden reemplazar en las ecuaciones de Maxwell con modificación PLM (ecuaciones 17-20) y despejar los valores de las amplitudes del campo

eléctrico , sabiendo que y la magnitud del campo magnético :

1 (69)

1 (70)

1 (71)

Donde

Y a partir de las ecuaciones 15 y 16 se tiene:

(72)

(73)

Cuando se satisface la condición de adaptación de impedancias para , y , se tiene que 1 y de la ecuación 28 se obtiene que

(74)

Esta ecuación corresponde a la impedancia de onda en el vacío y es igual a la del medio acoplado. Así en una interface normal a x entre dos medios, en donde se satisfaga la condición de adaptación y las conductividades transversales sean iguales ( , una onda transmitida se puede acoplar de manera perfecta a cualquier onda incidente, es decir, el coeficiente de reflexión es cero en cualquier ángulo de incidencia y a cualquier frecuencia.

Page 18: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

3.4  

Las e

Ecuacione

ecuaciones de

Fig

es de Maxw

e Maxwell co

gura 3. Front

well TE- en

on modificaci

tera PML –AB

3D [13]

ón PML se e

BC vista en 2

xpresan por:

2D [15]

:

18

(75)

(76)

(77)

(78)

(79)

(80)

(81)

(82)

Page 19: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

19  

(83)

(84)

(85)

(86)

La solución de onda plana es de la forma:

(87)

Luego de un tratamiento similar al mostrado para el caso TE 2D se obtiene la ecuación de dispersión:

(88)

Donde los números de onda están dados por:

cos (89)

(90)

(91)

Donde son parámetros libres y

1 1 , ,

Reemplazando estos valores en La solución de onda plana se tiene:

(92)

También para el caso 3D se cumple que no se produce reflexión desde una interface entre dos medios PML cuyas conductividades longitudinales satisfagan la condición de adaptación de impedancia y las conductividades transversales sean iguales.

Para generalizar el medio PML acoplado a un medio dieléctrico se utiliza en vez de en todas las ecuaciones anteriores. No se producen reflexiones desde la interface entre un dieléctrico de permitividad y un medio PML. Esta condición también se cumple en el caso en que sea reemplazado por en todas las ecuaciones.

3.5 Condición de Frontera Absorbente en medio PML (PML-ABC) [13]

Page 20: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Sea edondeinterfcondi

Dondreducmétoen el

El espen lacoefic

En lapeque

Si se PLM.

Dond

el caso de ue las conduface. Una oición PEC. El

de es el espcir incrementdos numéricespacio disc

pesor de la Pa conductiviciente de ref

as implementeño en la int

denota coEl coeficient

de es la

Fig

na capa de uctividades tnda plana icoeficiente d

pesor de la Ptando el anccos actuales ecreto aparece

PLM debe serdad deben

flexión debe

taciones actterface hasta

omo la coordte de reflexió

reflexión co

gura 4. PML –

un medio PMtransversalesincidente qude reflexión

PLM y el ánho de la capesto no se pen reflexione

r el menor poser pequeñ

ser el menor

tuales de PMa un valor ma

enada en la ón es:

n ángulo de

–ABC en un

ML ubicado es (ue penetra ede la onda e

ngulo de propa o incremeuede hacer d

es ficticias.

osible para rñas para rer posible.

ML-ABC la coayor en el lad

dirección no

incidencia no

plano fronte

entre el vací, es d

en la PML, en el vacío es

opagación. Elentando el vadebido a que

reducir el coseducir las re

onductividad do exterior.

ormal a la int

ormal:

era [13]

ío y un conddecir no haes absorbid

stá dado por

l coeficiente alor de la coe cuando se

sto computaceflexiones es

varía en la

terface y

ductor perfecay reflexión da y reflejad:

de reflexión nductividad varía la cond

cional. Las vaspurias. El

PLM desde

la conductivi

20

cto (PEC), desde la

da por la

(93)

se puede . En los

ductividad

ariaciones valor del

e un valor

idad en el

(94)

(95)

Page 21: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

21  

3.6 Conductividad en los PML ABC La Teoría de las PML describe una variación continua de las propiedades del material sobre la región PML. En el enmallado FDTD es necesario discretizar esta variación promediando las propiedades del material sobre el ancho de una celda centrada en cada componente de campo. Como se ha mencionado anteriormente en los métodos numéricos aparecen reflexiones espurias en las interfaces vacío- PML. Para reducir la reflexión la conductividad en la PML debe crecer desde un valor pequeño en la interface vacío –PML hasta un valor mayor en el lado del PEC que finaliza la PML. La conductividad magnética se obtiene a partir de la condición de adaptación.

La conductividad eléctrica ya sea , ó se puede expresar de forma polinomial o de forma geométrica. El perfil polinomial es de la siguiente forma:

(96)

Donde es el grado del polinomio, es el espesor de la PLM, es la distancia desde la interface y es la conductividad en el lado exterior de la PML (para ). Reemplazando en la

ecuación de reflexión con incidencia normal (ecuación 52) se obtiene:

0 (97)

de donde al despejar se tiene:

12

0 (98)

La conductividad implementada en el nodo L (L=0 en la interface) del enrejado FDTD se calcula como:

1∆

∆ /

∆ / (99)

Donde ∆ es el paso espacial, 0, , 1, … , que corresponden a puntos de la malla. N es el

número de celdas en el espesor PML. Así:

01 2

(100)

0 0 2 1 2 1 Como ejemplo de la implementación se toma la integral de la conductividad en x sigma(x) en la región PML.

∆ (101)

∆ /2 (102) ∆ /2 (103)

0, , 1, … , que corresponden a puntos de la malla. N es el número de celdas en el espesor

PML. Donde la integral es sobre el ancho de una celda en x, limitado por y . Aplicando esta ecuación a la ecuación del perfil polinomial de la conductividad en x, expresada por:

Page 22: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

22  

∆ (104)

Donde es el grado del polinomio, ∆ es el espesor de la PLM, es la distancia desde la interface y es la conductividad en el

lado exterior de la PML (para ∆ ). Se tiene:

1∆

1∆

u

∆ ∆ u

∆ ∆

un 1

∆ (105)

Donde:

µ

∆ 0 (106)

Las definiciones de x y x depende de la posición de la componente de campo en la celda. Para el campo eléctrico:

i ∆ (107)

i ∆ (108)

Donde i varía desde 0 hasta N-1

Para el campo eléctrico en las interfaces de la estructura con el medio PML :

0 (109)

∆ (110)

Por la condición de adaptación de impedancias:

(111)

Se tiene que la conductividad magnética se puede expresar como:

µ∆

(112)

Para el campo magnético:

i ∆ (113)

Page 23: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

23  

i 1 ∆ (114)

Donde i varía desde 0 hasta N-1

El perfil geométrico de la conductividad se expresa por:

/∆ (115)

La conductividad se multiplica por un factor de una celda FDTD a la siguiente.

La reflexión con incidencia normal correspondiente es:

0∆

(116)

De donde:

2∆ln

1ln 0 (117)

Así la conductividad numérica en los índices, 0, , 1, … , es de la forma:

01

ln (118)

01

ln

El perfil polinomial de la conductividad es el más utilizado en la literatura, aunque el perfil geométrico satisface mejor la reducción de las reflexiones ficticias, especialmente en el caso de ondas evanescentes, en donde este perfil geométrico permite un menor espesor de la PML que el perfil polinomial.

En el espacio discretizado del método FDTD se produce reflexión en las interfaces vacío- PML, a pesar de que la teoría predice que no hay reflexión. Esta reflexión depende de parámetros como el espesor de la PML, el perfil de conductividad en la PML, o la separación entre la PML y el objeto de interés.

3.7 PML ABC para el método FDTD [14] En el caso 3D las 12 ecuaciones de Maxwell con modificación PML mostradas anteriormente avanzan en el tiempo en cada celda FDTD. La grilla FDTD no cambia, solo que se calcula dos subcomponentes por cada componente. Por ejemplo y se calculan en los nodos de una grilla FDTD tradicional. Por ejemplo se tiene en notación FDTD:

⁄ , , ⁄ , ,

⁄ , ⁄ ,

⁄⁄ , ⁄ ,

(119)

Donde A y B evaluados en el nodo E i , j, k son de la forma:

Page 24: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Tamb:

Las o

En lase pre

          1 La prrápida

bién se pued

otras 11 ecua

Figu

s paredes PMesentan las t

                      ropagación de la. Para los medio

den represen

aciones se ob

ura 5. Subcom

ML se tiene tres conduct

                      as ondas electroos PLM Taflove

ntar con una

btienen de m

mponentes d

que dos conividades en c

       omagnéticas ensugiere utilizar

discretizació

manera simila

de campo en

nductividadescada celda.

n medios con altesta discretizac

ón exponenc

ar.

n una celda e

s son iguales

ta disipación ención exponencial

cial1 válida pa

en el medio P

s a cero. En

nergía presenta l. Ver referencia

ara cualquier

PML [14]

las esquina

una caída expoa[14].

24

(120)

(121)

r valor de

(122)

(123)

s del PLM

onencial muy

Page 25: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Para espacPML. dondereemtérmilos noderivacomp

3.8 CuanPML. la contienen

Para del mcoefic

la interfacecial en la dir Las ecuacie las subcomplazadas porno odos en el vada espacia

ponente se re

PML acopdo se tienenSe deben im

nductividad yn dos dieléct

seleccionar lmedio PML ciente de ref

Figura 6. D

e vacío-PML ección perpeiones en estemponentes sr su compon

se reemplvacío localizal de la ecuaeemplazada

plado a medn dos o másmplementar y la permitivtricos como l

os parámetr1 corresponflexión del m

Dominio Com

las ecuacioendicular a lae punto se oson fusionadnente corresplaza por edos en la mación FDTD por la suma

dios no hom dieléctricos medios PML

vidad se mano muestra la

ros de condudiente al medio PML 2 d

mputacional p

ones del cama interface in

obtienen consdas. En el nopondiente. Pen una interfitad de la ceregular estde las dos su

mogéneos [1 al interior

de diferententenga consta figura sigui

ctividad se dmedio dieléctde la siguient

para medio P

mpo deben nvolucra un siderando al odo en el vaPor ejemplo eface perpend

elda desde laá en la inteubcomponen

16] de la estruces conductivante para toente, se deb

debe conocerrico 1 (R1te manera:

PLM en 3D [3

modificarse,nodo en el vvacío como

acío las dos en la ecuaciódicular a . a interface, uerface, es dntes correspo

ctura con intvidades tales odos los medbe cumplir:

r el coeficien) y a partir

3].

, ya que la vacío y un nun caso espsubcompone

ón de aDe manera s

una componeecir en la P

ondientes.

erface haciaque la relac

dios. Por ejem

te de reflexiór de esto se

25

derivada nodo en la pecial PML entes son nterior, el similar en ente de la PML. Esta

el medio ción entre mplo si se

(124)

ón teórico e halla el

(125)

Page 26: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

4

4.1

1

2

Figura 7. D

METODOLO

Coeficient

1. Se lee el Campo enCampo en

Campo en

2. Se aplica Campo enCampo enCampo en

Dominio comp

OGÍA DE CA

te de Reflex

z-

Figura

valor del cam

n P1: n P2:

n P3:

la transform

n P1: n P2: n P3:

putacional pa

ALCULO DE

xión - Méto

P3

∆z

-∆z

a 8. Método d

mpo en tres

mada de Four

= = =

ara dos med

E PARA LOS

odo de los 3

P2

z

z

de los 3 Punt

puntos, el pu

rier al valor d

ios diferente

PARÁMETR

3 Puntos

∆z

tos para cálc

unto interme

del campo en

es con termin

ROS S

P1

z+∆z

culo de S11

edio está en

n cada punto

nación PLM [

la posición z

( (

(

o.

( ( (

26

16]

.

(126) (127)

(128)

(129) (130) (131)

Page 27: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

27  

Donde:

, ∆ , ∆ (132)

, , (133)

, ∆ , ∆ (134)

Por la propiedad: se tiene:

2 cos ∆ , ,

2 cos ∆ ,

2 cos ∆ (135)

De donde:

cos ∆ (136)

Por la propiedad: se tiene:

2j sen ∆ , , (137)

Por propiedad: sen ∆ 1 ∆ reemplazando el cos ∆ se tiene:

sen ∆ 1 (138)

Entonces:

2j 1 , , (139)

El parámetro se define como:

, ,,

(140)

Page 28: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

28  

De donde: , , , (141)

Y

2j 1

2, , ,

(142)

2j 12

, 1 , (143)

Así también para la ecuación:

, ,

Se tiene:

, , , (144)

, 1 , (145)

Y despejando

,1 ,

(146)

Que reemplazando en:

2j 12

, 1 ,

Se tiene:

2j 1

2 1 ,1 ,

(147)

De donde debe despejarse , siguiendo el siguiente procedimiento:

Page 29: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Así:

4.2

1

Coeficient

1. Se lee el Campo enCampo enCampo en

te de Trans

Figura

valor de cam

n P1_1: n P2_1: n P3_1:

smisión - M

a 9. Método d

mpo en los tr

étodo de lo

de los 3 Punt

es puntos Pu

os 3 Puntos

tos para cálc

uerto 1:

s

culo de S11

( ( (

29

(148)

(149)

(150)

(151)

(152)

(153) (154) (155)

Page 30: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

30  

2. Leo el valor de campo en los tres puntos Puerto 2:

Campo en P1_2: ∆ (156) Campo en P2_2: (157) Campo en P3_2: ∆ (158)

3. Aplico la transformada de Fourier al valor del campo en cada punto Campo en P1_1: _ = ∆ , (159) Campo en P2_1: _ = , (160) Campo en P3_1: _ = ∆ , (161) Campo en P1_1: _ = ∆ , (162) Campo en P2_1: _ = , (163) Campo en P3_1: _ = ∆ , (164) Donde:

1. _ , ∆ , ∆ (165) 2. _ , , (166) 3. _ , ∆ , ∆ (167) 4. _ , ∆ , ∆ (168) 5. _ , , (169) 6. _ , ∆ , ∆ (170)

,,, (171)

__ _

_ __

__ _

_ __

(172)

5 EVOLUCIÓN DE PRUEBAS DURANTE EL DESARROLLO DEL SOFTWARE

5.1 Simulación de una Cavidad Resonante

Page 31: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

5.2 Iniciacavid Los pa=2.2máxim

Malla

Simulació

almente se iad.

parámetros so286cm; b=1ma=18GHz.

do 28x13x49

ón de una C

implemento

on los siguie.016cm; c=4

Figu

Figur

9 celdas (178

Cavidad Res

el código F

entes: 4.064cm; N=

ra 10. Simula

ra 11. Frecue

836 celdas)

sonante

FDTD para

=20.000 itera

ación 1 - Cav

encias de cor

encontrar

aciones; Frec

vidad Resona

rte cavidad re

las frecuenc

cuencia mínim

ante [12]

esonante.

cias de corte

ma=6GHz; F

31

e de una

Frecuencia

Page 32: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

32  

Dimensiones celda FDTD: ∆ 816,42 , ∆ 781,53 , ∆ 829,38 . Señal de Excitación: Pulso gaussiano modulado:

2 ∆ (173)

Con frecuencia central 12 , Paso temporal máximo ∆ 1.56 , variando desde 0 hasta N,

.∆

68.27, 4 273.08 para un nivel relativo de señal en los extremos de la

banda de frecuencia de -35dB. Las frecuencias de corte de la cavidad, obtenidas en la simulación se observan en la figura 12.

5.3 Simulación de una Guía de Onda Prueba inicial para verificación de fronteras absorbentes PML

Figura 12. Guía de Onda Simulada

Dimensiones: a=3 cm, b=1.5 cm c=15 cm. Frec. Corte = c/2a=5GHz . Excitación: Fuente de corriente Carga Puntual. Frecuencia mínima 5GHz, frecuencia máxima=12GHz.. Número de celdas: en x “nx” =24 celdas; número de celdas en y “ny”=12 celdas; número de celdas en z “nz”= 120 celdas. Paso temporal ∆ = 2.405e-012 seg . Paso de la celda ∆ ∆ ∆ = 1.25mm. Cálculo de Parámetros S Método Guía de Referencia: Se extiende c=70cm y ahora nz=560 celdas. Se toma la medición en la celda 115 en z. Se hacen 3 simulaciones cambiando el número de celdas PML (10, 15 y 20 celdas). El número de Iteraciones= 1000. El coeficiente de Reflexión para este ejemplo se observa en la figura 14, en donde se verifica para diferentes valores de capas PML.

Page 33: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

5.4 A papropaejemp

Permmáxim

Simulació

rtir de la sagación en plo:

itividad relma=15GHz.

ón de una M

imulación dedicha estruc

lativa=2.2 Número itera

Figura 13. P

Microcinta

e una microctura. La m

Figura 14

longitud eaciones=500

Parámetro S1

ocinta se hamanera de r

4. Dimension

en z=3cm, 00.

11 Guía de O

alla la excitarealizarlo se

nes Microcint

frecuencia

Onda

ación del mpresenta m

ta

a mínima=

modo fundammediante el

1GHz, f

33

mental de siguiente

frecuencia

Page 34: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

pml=Paso Resul

5.5

ConsiSe tie

Dond

Excitadirecc

.=8.

temporal

ltados:

Densidad Microcinta

iste en hacerene una excit

de:

ación Espacición de prop

.

de corrienta

r una primeratación tempo

.

ial: Uniformeagación es e

. . nx=23

.

Figura 15.

te superfici

a simulaciónoral [6] dada

.

e para todasen z.

3 celdas. ny=

. Parámetro S

ial como ex

de una micra por:

s las celdas

=8 celdas. nz

S11 Microcin

xcitación pa

rocinta exten

bajo la cint

. z=45 celdas.

nta

ara estructu

ndiendo la lín

ta en Plano

. Número de

uras tipo

nea de alimen

xy: Para z=

34

. celdas

ntación.

(174)

(175)

=nz/2. La

Page 35: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Se copropadesea

Para

orre la simulaagación Esteada.

Fi

el ejemplo a

Figu

ación y se ge valor corre

gura 17. Tom

nterior la se

ura 16. Coord

guarda el valesponde a la

ma de campo

eñal esta de

Figura 18. S

denadas esp

lor del campa fuente de

o del modo f

excitación es

eñal de excit

aciales de ex

po cuando yacorriente qu

fundamental

spacio-tempo

tación microc

xcitación

a se tiene esue se va a a

para la micr

oral se mues

cinta

stablecido el aplicar a la e

rocinta

stra a continu

35

modo de estructura

uación:

Page 36: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

36  

6 MODELOS SIMULADOS

6.1 Diagrama de Flujo del Programa desarrollado

El siguiente es el diagrama de flujo que describe el algoritmo utilizado para implementar el método FDTD:

Inicio

Entrada de parámetros de geometría de la estructura

Cálculo de las dimensiones de las celdas y paso temporal

Inicialización de campos H y E en cero

Cálculo de conductividades para la región PML

Para las zonas donde hay conductor coloca a cero las constantes de las componentes tangenciales del campo eléctrico y las constantes de las

componentes normales del campo magnético

Actualización de Campos Magnéticos

Actualización de Campos Eléctricos

Inicializa el número de iteraciones n =0

n=n+1

n=número máximo de iteraciones ?

Guarda datos de campos de los puntos de observación

Escribe archivo de salida con los datos de los campos

Fin

si

no

Cálculo de las constantes de campo eléctrico y campo magnético

Aplicar Señal de Excitación Espacio Temporal

Figura 19. Diagrama de flujo de algoritmo implementado 

Page 37: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

37  

6.2 Antena Parche con Mallado Uniforme

Inicialmente se trabajó con mallado uniforme y como muestra de éste se presenta la siguiente estructura (tamaño en celdas):

Figura 20. Antena Parche simulada con mallado uniforme

Frecuencia mínima de operación= 1GHz. Frecuencia máxima de operación = 20GHz. Lambda mínimo= 0.0101m. Altura del dieléctrico= 3 celdas. Permitividad el dieléctrico =2.2. Los deltas espaciales en x,y,z son: dx=0.000389m; dy=0.000265m; dz=0.0004m. Número de celdas en x, y,z: nx=60; ny=16; nz=100. La excitación está ubicada en la celda 5 en z. El delta temporal es: dt=6.4033e-013seg. La simulación corrió durante 10.000 iteraciones con un tiempo de simulación de 34.11 minutos.

Page 38: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

El coeejempcon la7.5GH

6.3 Tamb

El pro

F

eficiente de plo tomado a referencia Hz de la refe

Antena Pa

bién se toma

ograma gene

Figura 21. Pa

reflexión se de la referen[9], como p

erencia.

arche con M

la estructur

Figura 22.

era el siguien

arámetro S11

muestra en ncia [9]. Se or ejemplo la

Mallado No

a del ejempl

Antema Parc

nte mallado n

1 de Antena

la figura 21observa sima frecuencia

Uniforme

o anterior to

che [1] simu

no uniforme:

Parche con m

1. Se comparmilitud en las

de corte en

omado de la

lada – malla

mallado unifo

ra con el resfrecuencias 7.44GHz (p

referencia [1

do no unifor

orme

sultado para de corte coropia) compa

1].

me

38

el mismo mparadas arada con

Page 39: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

39  

Figura 23. Vista xz mallado no uniforme Antena Parche

Figura 24. Vista xy mallado no uniforme Antena Parche

Frecuencia mínima de Operación= 1GHz. Frecuencia máxima= 20GHz.

Page 40: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

LambLos dLos dλ/50)El deLa ex El pa

Se co[9]. Sla de La simtiemp Un coiterac

bda mínimo=deltas espaciadeltas espaci); dz_min= 0lta de tiempo

xcitación está

rámetro S11

Fig

ompara tambSe observa sla referencia

mulación corpo de corrida

orte de la dición 2000 se

= 0.0101129males máximoales mínimo

0.000217m (o es dt= 4.0á ubicada en

entregado p

gura 25. Pará

bién en este similitud en laa [9] que par

rrió durante a disminuye n

stribución espuede aprec

m. s en x,y,z sos en x,y,z so(≈ λ/46). ). 09172x10-13sla celda 5 e

por el progra

ámetro S11

caso con el as frecuenciara el caso de

10.000 iteracnotoriamente

spacial del cciar en la figu

on: dx=dy=don: dx_min= eg. Número n z. Punto de

ama se mues

de Antena Pa

resultado paas de corte, e mallado un

ciones con ue cuando el m

campo eléctrura 26.

z= 0.000842=0.000224m

de celdas ene lectura: ce

stra en la figu

arche con m

ara el mismoasí como quiforme, en to

n tiempo demallado es n

ico Ey bajo

2m (≈ λ/12).(≈ λ/45); dy

n x, y, z: nx=lda (17,2,12

ura 25.

allado no un

o ejemplo tomue la respuesodo el rango

e simulación do uniforme.

la cinta (en

y_min=0.00

=41, ny=9, n).

niforme

mado de la rsta se asemede las frecu

de 11.856 m

el dieléctrico

40

0198m (≈

nz=53.

referencia eja más a encias.

minutos. El

o) para la

Page 41: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

6.4 Se sim

Frecumínimλ/12)dy_m4.106en la Puntogener

Fig

Filtro Pasa

mula la sigui

uencia mínimmo= 0.0101). Los delt

min=0.000198604x10-13segcelda 5 en z

os de lecturarado por el p

gura 26. Cort

a Bajos con

ente discont

Figu

ma de Oper129m. Los dtas espacia8m (≈ λ/50. Número de

z.

a: Puerto 1 programa se

te campo elé

n Mallado N

inuidad (filtr

ra 27. Filtro

ración= 1GHdeltas espacales mínimo0); dz_min=e celdas en x

celda (23,2muestra en

éctrico Ey (ite

No Uniforme

o pasa bajos

pasa bajos –

Hz. Frecuencciales máximos en x,y, 0.000211m

x, y,z: nx=41

2,11), puertolas figura 28

eración 1000

e

s [1]):

–mallado no

cia máxima mos en x,y,z ,z son: dx

m (≈ λ/47), ny=9, n

o 2 celda (38 y 29.

0) de Antena

uniforme

de operacióson: dx=dy

x_min= 0.0). El delta nz=53. La ex

37,2,38). El

Parche

ón= 20GHz.y=dz= 0.000000234m (≈

de tiempo xcitación est

mallado no

41

. Lambda 0842m (≈ ≈ λ/43); es dt=

tá ubicada

uniforme

Page 42: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

42  

Figura 28. Vista xz mallado no uniforme Filtro Pasa bajos

Figura 29. Vista xy mallado no uniforme Filtro Pasa bajos

Page 43: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Los pde lodatossuminAsí code co

parámetros Sos parámetros de la simnistró para tomo en el S2orrida de la s

F

F

S de esta estros S entre loulación hec

tal comparac21 se observimulación pa

Figura 30. Pa

Figura 31. Pa

ructura se pros resultadosha por el I

ción. Se obseva la frecuencara 5.000 iter

arámetro S11

arámetro S21

resentan en s del simuladIngeniero Iberva coincidecia de corte raciones fue

1 Filtro Pasa

1 Filtro Pasa

la figuras 30dor y la refebrahim Massencia en las para el filtrode 6.895 m

bajos

bajos

y 31. Se preerencia [1], sy, quien mfrecuencias

o pasa bajos minutos.

esenta la comasí como ta

muy amablemde corte para los 5GHz.

43

mparación mbién los mente los ra el S11. El tiempo

Page 44: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Un coiterac

7 S

La esfigurados racoplRT/D Para Lado=AnchoApert En el ApertApert La pe

orte de la dición 1000 se

SIMULACIÓ

structura a sa 33) con el resonadores le eléctrico uroid) con a

cada resona=16mm o de la cintatura en el laz

plano de tietura magnétitura eléctrica

ermitividad d

stribución espuede aprec

Figura 32.

ÓN ESTRUC

imular fue toplano de tieren lazo abiey magnéticltura=1.27m

dor:

=1.5mm. zo =1mm.

erra: ica: dx=4.5 ma: dx=4 mm

e ambos die

spacial del cciar en la figu

. Corte camp

CTURA MUL

omada de larra en la mitaerto (ver figuco (ver figu

mm.

mm y dy=2.5y dy=2.55m

léctricos es d

campo eléctrura 32.

po eléctrico E

LTICAPA

a referencia ad de las dos

uras 34 y 36)ura 35). Am

55mm. mm.

de 10.2.

ico Ey bajo

Ey (iteración

[4] y consis capas. Cad). En el plano

mbos dieléctr

la cinta (en

1000) de filt

ste de dos ca dieléctrico o de tierra sricos tienen

el dieléctrico

tro

capas dielécttiene en su

se tienen apeεr=10.2 (d

44

o) para la

tricas (ver superficie

erturas de dieléctrico

Page 45: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

FrecuLamb

uencia de Opbda mínima=

peración: 800= 0.078278m

Figura 33.

Figura 34.

0MHz a 1.2GH.

Distribución

. Capa Inferio

Hz.

de capas de

or estructura

e la estructur

a multicapa.

ra. Vista Late

Unidades mm

eral

m.

45

Page 46: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Figura 35.. Capa Centrral estructuraa multicapa. Unidades mm

m.

46

Page 47: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Con ede canegatpudo El ma

el fin de impada placa etivo en el larealizar por

allado no uni

Figura 36.

lementar en n Ansoft Deboratorio pafallas en la m

forme gener

Capa Superi

el laboratoriesigner y seara luego reamáquina par

rado por el p

ior estructura

io el circuito e generaron alizar la pruera circuitos m

rograma se p

a multicapa.

impreso dellos archivos

eba de la immulticapa.

presenta en

Unidades m

modelo se rs *.ger, que

mplementació

las figuras 3

mm.

realizaron lose fueron impón. Esta prue

7 y 38.

47

s modelos presos en eba no se

Page 48: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

F

Los dLos d(≈ λ/2El de

Figura 37. Ge

deltas espaciadeltas espacia246); dz_minlta de tiempo

eometría y m

ales máximoales mínimosn=0.0001312o es dt= 3.6

mallado no u

s en x,y,z sos en x,y,z so2m (≈ λ/5966376x10-13s

niforme estrusuperpuest

on: dx=dy=don: dx_min=). eg.

uctura multictas

z= 0.006523=0.0002499m

capa Vista xz

3m (≈ λ/12).m (≈ λ/313);

z. Todas las c

dy_min=0.0

48

capas

0003174m

Page 49: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Núme Con 200.0iteraciteracparámpresecoinctransy 101

ero de celdas

el delta esp000 iteracionciones la señciones hastametros S se entan los residencia en lamisión. Ya p

13MHz (figur

Figur

s en x, y,z: n

pacial mínimnes, cuya real todavía no que la señpresentan e

sultados de loas bandas d

para las 600.0a 41).

ra 38. Geome

nx=92, ny=1

mo generadoespuesta en po estaba estañal en el tieen las figuraos parámetrode frecuencia000 iteracion

etría y malla

16, nz=57.

por el maparámetros Sable en el tieempo quedóas 41 y 42. os S dados pa para el S1nes se aprec

ado no unifor

llado no unS está dada empo, con lo totalmente Con el fin d

por HFSS. C11, pero todian los dos c

rme estructu

iforme se reen las figuracual fue necestabilizada

de presentarCon 200.000 avía no se aceros de tran

ura multicapa

ealizaron inias 39 y 40. Ccesario correa. Para ester una compaiteraciones saprecian los nsmisión en 9

a Vista xy.

49

icialmente Con estas

er 600.000 caso los

aración se se aprecia

ceros de 994.2MHz

Page 50: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Figu

Figu

ura 39. Parám

ura 40. Parám

metro S11 es

metro S21 es

structura mu

structura mu

ulticapa para

ulticapa para

200.000 iter

200.000 iter

raciones

raciones

50

Page 51: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

Para HFSSFracc

Figu

Figu

la respuestaS=1.011MHz.cional HFSS=

ura 41. Parám

ura 42. Parám

a de S21 (f. Error del 0.

= 3.85%.

metro S11 es

metro S21 es

figura 42) s79%. Ancho

structura mu

structura mu

se observa Fo de banda F

ulticapa para

ulticapa para

Frecuencia cFraccional sim

600.000 iter

600.000 iter

central = 1.0mulador =3.9

raciones

raciones

003MHz con98%. Ancho

51

ntra la de de banda

Page 52: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

 

En la bajo

figura 43 sela cinta de la

Figura

e presenta laa capa super

43. Corte ca

a distribuciónior (en el die

ampo eléctric

n espacial deeléctrico) par

co Ey (iteraci

el campo elécra la iteración

ión 20.000) d

ctrico Ey en n 20.000.

de estructura

el plano xz

a multicapa

52

una celda

Page 53: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

53  

CONCLUSIONES

El presente proyecto se ha basado en el estudio de un gran marco teórico del método FDTD, el manejo de las fronteras absorbentes PML, la manera de excitar el circuito, como calcular los parámetros S, como implementar el mallado no uniforme, entre otros, para poder obtener los resultados presentados, también se ha invertido gran tiempo en la búsqueda y corrección de errores.

Con este trabajo se verificó el funcionamiento del Método FDTD en el simulador implementado, lo cual se realizó revisando cuidadosamente el código y corrigiendo fallas en el funcionamiento deducidas a partir de las pruebas realizadas para tal fin.

Con respecto a las estructuras multicapa se concluye que el tiempo de simulación aumenta considerablemente debido a los deltas espaciales tan pequeños. Para estas estructuras el simulador arroja resultados muy comparables a otros simuladores electromagnéticos como el caso de HFSS.

La implementación de circuitos con tecnología multicapa 3D presenta dificultades en cuanto al costo de materiales, los cuales deben ser optimizados para evitar desechar material o circuitos realizados. Es aquí donde se valora la importancia de poder contar con herramientas de simulación, como la aquí implementada en donde se puedan estimar los resultados y así proceder a una fabricación de un circuito confiable.

El presente proyecto ha sido muy enriquecedor en cuanto al conocimiento del método FDTD y su implementación con lo cual se ha adquirido experiencia gracias al gran proceso de aprendizaje que conllevó su realización.

Page 54: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

54  

ANEXO A – LA HERRAMIENTA DE SIMULACIÓN

Entrada a la herramienta: Archivo de texto llamado “datos.txt” con la siguiente información por línea:

1. Frecuencia mínima de operación. 2. Frecuencia máxima de operación. 3. Número de Objetos: Un objeto corresponde a una representación rectangular de cada uno

de los elementos que constituyen la estructura a simular. Los objetos incluyen el aire, los dieléctricos y los conductores.

4. Total tipos de Material Dieléctricos. 5. Permitividad relativa del dieléctrico tipo 1: Aire 6. Permeabilidad relativa del dieléctrico tipo 1: Aire 7. Conductividad eléctrica del dieléctrico tipo 1: Aire 8. Conductividad magnética del dieléctrico tipo 1: Aire 9. Permitividad relativa del dieléctrico tipo 2: Material x 10. Permeabilidad relativa del dieléctrico tipo 2: Material x 11. Conductividad eléctrica del dieléctrico tipo 2: Material x 12. Conductividad magnética del dieléctrico tipo 2: Material x 13. Si hay más tipos de material dieléctrico se ingresan a continuación sus propiedades (en la

misma secuencia que los dieléctricos tipo1 y 2). 14. Definición de cada objeto (consta de 7 líneas):

Línea 1: Tipo de Objeto: Si es dieléctrico se coloca el número de tipo de dieléctrico que le corresponde según sus propiedades ( líneas 5 en adelante). Si es conductor se colocan los siguientes datos:

91: Objeto que corresponde a cinta conductora de puerto 1. 92. Objeto que corresponde a cinta conductora de puerto 2. 93. Simulación solamente de microcinta. 94: Objeto que corresponde a plano de tierra. 99: Cualquier otro objeto conductor. La distribución geométrica en los ejes x, y, z es de la siguiente manera: La altura de la estructura (todas las capas) es el eje y. El plano xz corresponde a la vista superior de la geometría. La dirección de propagación es el eje z. Línea 2: Longitud en x del objeto (metros) Línea 3: Longitud en y del objeto (metros) Línea 4: Longitud en z del objeto (metros) Línea 5: coordenada inicial en x del objeto (metros) Línea 6: coordenada inicial en y del objeto (metros) Línea 7: coordenada inicial en z del objeto (metros)

Page 55: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

55  

En una misma carpeta debe estar el archivo ejecutable y el archivo de entrada de datos “datos.txt”. De esta manera se puede llamar el ejecutable “simulador.exe”, el cual empezará a correr la simulación, mostrándose una ventana de aplicación de consola durante el tiempo en que corra la simulación. Cuando se termina ésta, se generan dos archivos de texto llamados “example.txt” y “example_P2.txt”, cuyos datos son los valores de los campos en el tiempo. Estos archivos son procesados en Matlab corriendo el archivo “Parametros_3p.m” para el cálculo de los parámetros S y la visualización gráfica.

ANEXO B - CÓDIGO IMPLEMENTADO  

El código fue desarrollado en C++. Para el cálculo de parámetros S y visualización gráfica se utilizó Matlab.

A continuación se presentan las rutinas más relevantes del código implementado en C++

/************************************************** //Subrutina de Lectura de Archivo con datos de entrada ***************************************************/ leer_datos(parametros_ref, nmax, min_obj_x, min_obj_y, min_obj_z, fmin, fmax, n_obj, t_mat, par_mat, objetos); /**************************************************************** Selección de las dimensiones de la celda FDTD – Llamado a funcion que genera mallado no uniforme **************************************************/ mallado(celdas_x, dx, objetos_c, npml, n_obj, min_obj_x, lambda_min, objetos, 1); // Mallado variable x mallado(celdas_y, dy, objetos_c, npml, n_obj, min_obj_y, lambda_min, objetos, 2); // Mallado variable y mallado(celdas_z, dz, objetos_c, npml, n_obj, min_obj_z, lambda_min, objetos, 3); // Mallado variable z nx = objetos_c[0][1]; ny = objetos_c[0][2]; nz = objetos_c[0][3]; dt=(sqrt(min_eps))/(c*(sqrt(1.0/(dx_min*dx_min)+1.0/(dy_min*dy_min)+1.0/(dz_min*dz_min)))); //*********************************************************************** Cálculo de Conductividades para Región PML ************************************************************************* sigma(sigx, sigmx, dx, m, nx, ny, nz, npml, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, 0); sigma(sigy, sigmy, dy, m, nx, ny, nz, npml, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, 1); sigma(sigz, sigmz, dz, m, nx, ny, nz, npml, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, 2); /********************************************************** %Cálculo de Coeficientes de Ecuaciones de Actualización: **********************************************************/ //cálculo de constantes c: constante(ca_xy, cb_xy, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, n_obj, sigy, celdas_y,0,1,celdas_z); constante(ca_xz, cb_xz, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, n_obj, sigz, celdas_z,0,2,celdas_y); constante(ca_yz, cb_yz, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, n_obj, sigz, celdas_z,1,2,celdas_x); constante(ca_yx, cb_yx, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, n_obj, sigx, celdas_x,1,0,celdas_z); constante(ca_zx, cb_zx, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, n_obj, sigx, celdas_x,2,0,celdas_y); constante(ca_zy, cb_zy, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, n_obj, sigy, celdas_y,2,1,celdas_x); // cálculo de constantes d: constante_d(da_xy, db_xy, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, sigmy, celdas_y, 0,1); // constante_d(da_xz, db_xz, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, sigmz, celdas_z, 0,2); //

Page 56: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

56  

constante_d(da_yz, db_yz, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, sigmz, celdas_z, 1,2); // constante_d(da_yx, db_yx, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, sigmx, celdas_x, 1,0); // constante_d(da_zx, db_zx, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, sigmx, celdas_x, 2,0); // constante_d(da_zy, db_zy, nx, ny, nz, npml, dt, tipo_obj_pml, par_mat, objetos_c, sigmy, celdas_y, 2,1); // //*************************************************************** //Coloca a cero las constantes ubicadas donde hay Conductor PEC //Componenetes tangenciales del campo eléctrico =0 //componenetes normales del campo magnético = 0 //*************************************************************** for(i=i_ini; (i< i_fin); i++) for(j=j_ini; (j< j_fin); j++) for(k=k_ini; (k< k_fin); k++) { //Para hx: da_xy[i][j][k] =da_xy[i][j][k]*hx_cero[i][j][k]; da_xz[i][j][k] =da_xz[i][j][k]*hx_cero[i][j][k]; db_xy[i][j][k] =db_xy[i][j][k]*hx_cero[i][j][k]; db_xz[i][j][k] =db_xz[i][j][k]*hx_cero[i][j][k]; //Para hy da_yz[i][j][k] =da_yz[i][j][k]*hy_cero[i][j][k]; da_yx[i][j][k] =da_yx[i][j][k]*hy_cero[i][j][k]; db_yz[i][j][k] =db_yz[i][j][k]*hy_cero[i][j][k]; db_yx[i][j][k] =db_yx[i][j][k]*hy_cero[i][j][k]; //Para hz da_zx[i][j][k] =da_zx[i][j][k]*hz_cero[i][j][k]; da_zy[i][j][k] =da_zy[i][j][k]*hz_cero[i][j][k]; db_zx[i][j][k] =db_zx[i][j][k]*hz_cero[i][j][k]; db_zy[i][j][k] =db_zy[i][j][k]*hz_cero[i][j][k]; //Para ex ca_xz[i][j][k] =ca_xz[i][j][k]*ex_cero[i][j][k]; ca_xy[i][j][k] =ca_xy[i][j][k]*ex_cero[i][j][k]; cb_xz[i][j][k] =cb_xz[i][j][k]*ex_cero[i][j][k]; cb_xy[i][j][k] =cb_xy[i][j][k]*ex_cero[i][j][k]; //Para ey ca_yz[i][j][k] =ca_yz[i][j][k]*ey_cero[i][j][k]; ca_yx[i][j][k] =ca_yx[i][j][k]*ey_cero[i][j][k]; cb_yz[i][j][k] =cb_yz[i][j][k]*ey_cero[i][j][k]; cb_yx[i][j][k] =cb_yx[i][j][k]*ey_cero[i][j][k]; //Para ez ca_zx[i][j][k] =ca_zx[i][j][k]*ez_cero[i][j][k]; ca_zy[i][j][k] =ca_zy[i][j][k]*ez_cero[i][j][k]; cb_zx[i][j][k] =cb_zx[i][j][k]*ez_cero[i][j][k]; cb_zy[i][j][k] =cb_zy[i][j][k]*ez_cero[i][j][k]; }// fin for(i=i_ini; (i< i_fin); i++) ... //************************************************************ // Señal de excitación temporal: // f(ndt)=Acos(2*pi*fc*dt*(n-n_0))*exp(-((n-n_0)^2)/Beta^2) //************************************************************ exc = (double *)malloc((nmax)*sizeof(double)); for (n=0; n<nmax; n++) { exc[n] = cos(2*pi*fc*dt*((n+1)-n_0)) * exp(-pow(((n+1)-n_0),2)/pow(Beta,2)); } //************************************************************ //Coordenadas para excitación: c_exc_z==(2*npml+nz)/2; // c_exc_z= 5+npml; // k=c_exc_z; cont1=objetos_c[cy_tierra][5]; cont2=objetos_c[obj_exc1][5];

for(i=objetos_c[obj_exc1][4]+npml; i<=(objetos_c[obj_exc1][4]+objetos_c[obj_exc1][1]+npml); i++)

{ for(j=(cont1+npml); j<(cont2+npml); j++) //desde coory plano de tierra coord_exc[i][j][k] = 1.0;//

Page 57: DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SIMULADOR …

57  

} //*********************************************************************** //Definición de Fuente de corriente que se halla con una primera simulación usando coord_exc J da tanto la distribución espacial plano x,y de la excitación como temporal Se usan fronteras PML tipo microcinta (estructura=2) El tamaño es el normal de la ínea (parametros_ref=0) Jy[i][j][n]: Jy = 2*Hx --> Se inyecta en la ecuación de ey Jx[i][j][n]: Jx =-2*Hy --> Se inyecta en la ecuación de ex //*********************************************************************** //******************************************** /* Definición de Excitación Jx, Jy */ for(i=1; i<(2*npml+nx); i++) for(j=0; j<(2*npml+ny); j++) for(n=0; n<(nmax); n++) Jy[i][j][n] = coord_exc[i][j][c_exc_z]*exc[n]; }//fin if (exc_ok==0 //*********************************************************************** //*********************************************************************** //Rutina Principal //*********************************************************************** //*********************************************************************** for (int n = 0; n < nmax; n++) { //*********************************************************************** // Actualización de Campos magnéticos //*********************************************************************** for(i=i_ini; i< i_fin; i++) for(j=j_ini; j< j_fin; j++) for(k=k_ini; k< k_fin; k++) { //hx : if(i!=i_ini) {

hxy[i][j][k] = da_xy[i][j][k]*hxy[i][j][k]- db_xy[i][j][k]*(ezx[i][j+1][k]+ezy[i][j+1][k]-ezx[i][j][k]-ezy[i][j][k]); hxz[i][j][k] = da_xz[i][j][k]*hxz[i][j][k]+ db_xz[i][j][k]*(eyz[i][j][k+1]+eyx[i][j][k+1]-eyz[i][j][k]-eyx[i][j][k]);

hx[i][j][k] = hxy[i][j][k]+ hxz[i][j][k]; if ((k==nz_copia*3/4)&&(exc_ok==0)) //Foto del campo para fuente de corriente - en primera simulación

Jy[i][j][n]=2*hx[i][j][k]; } //hy : if(j!=j_ini) {

hyz[i][j][k] = da_yz[i][j][k]*hyz[i][j][k]- db_yz[i][j][k]*(exy[i][j][k+1]+exz[i][j][k+1]-exy[i][j][k]-exz[i][j][k]); hyx[i][j][k] = da_yx[i][j][k]*hyx[i][j][k]+ db_yx[i][j][k]*(ezx[i+1][j][k]+ezy[i+1][j][k]-ezx[i][j][k]-ezy[i][j][k]);

hy[i][j][k] = hyz[i][j][k] + hyx[i][j][k]; if ((k==nz_copia*3/4)&&(exc_ok==0)) //Foto del campo para fuente de

corriente - en primera simulación Jx[i][j][n]=-2*hy[i][j][k]; } //hz: if(k!=k_ini) {

hzx[i][j][k] = da_zx[i][j][k]*hzx[i][j][k]- db_zx[i][j][k]*(eyz[i+1][j][k]+eyx[i+1][j][k]-eyz[i][j][k]-eyx[i][j][k]); hzy[i][j][k] = da_zy[i][j][k]*hzy[i][j][k]+ db_zy[i][j][k]*(exy[i][j+1][k]+exz[i][j+1][k]-exy[i][j][k]-exz[i][j][k]);

hz[i][j][k] = hzx[i][j][k] + hzy[i][j][k]; } //*********************************************************************** // Actualización de campos eléctricos //*********************************************************************** //ex: if((j!=j_ini)&&(k!=k_ini))

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{ if(k==c_exc_z)

exz[i][j][k] = ca_xz[i][j][k]*exz[i][j][k]- cb_xz[i][j][k]*(hyz[i][j][k]+hyx[i][j][k]-hyz[i][j][k-1]-hyx[i][j][k-1]+Jx[i][j][n]*(celdas_z[k+1]-celdas_z[k-1])/2);

else exz[i][j][k] = ca_xz[i][j][k]*exz[i][j][k]- cb_xz[i][j][k]*(hyz[i][j][k]+hyx[i][j][k]-hyz[i][j][k-1]-hyx[i][j][k-1]); exy[i][j][k] = ca_xy[i][j][k]*exy[i][j][k]+ cb_xy[i][j][k]*(hzx[i][j][k]+hzy[i][j][k]-hzx[i][j-1][k]-hzy[i][j-1][k]);

ex[i][j][k] = exy[i][j][k] + exz[i][j][k]; } //ey: if((i!=i_ini)&&(k!=k_ini)) { if(k==c_exc_z)

eyz[i][j][k] = ca_yz[i][j][k]*eyz[i][j][k]+ cb_yz[i][j][k]*(hxy[i][j][k]+hxz[i][j][k]-hxy[i][j][k-1]-hxz[i][j][k-1]-Jy[i][j][n]*(celdas_z[k+1]-celdas_z[k-1])/2);

else eyz[i][j][k] = ca_yz[i][j][k]*eyz[i][j][k]+ cb_yz[i][j][k]*(hxy[i][j][k]+hxz[i][j][k]-hxy[i][j][k-1]-hxz[i][j][k-1]); eyx[i][j][k] = ca_yx[i][j][k]*eyx[i][j][k]- cb_yx[i][j][k]*(hzx[i][j][k]+hzy[i][j][k]-hzx[i-1][j][k]-hzy[i-1][j][k]);

ey[i][j][k] = eyz[i][j][k] + eyx[i][j][k]; } //ez: if((i!=i_ini)&&(j!=j_ini)) {

ezx[i][j][k] = ca_zx[i][j][k]*ezx[i][j][k]+ cb_zx[i][j][k]*(hyz[i][j][k]+hyx[i][j][k]-hyz[i-1][j][k]-hyx[i-1][j][k]); ezy[i][j][k] = ca_zy[i][j][k]*ezy[i][j][k]- cb_zy[i][j][k]*(hxy[i][j][k]+hxz[i][j][k]-hxy[i][j-1][k]-hxz[i][j-1][k]);

ez[i][j][k] = ezx[i][j][k]+ ezy[i][j][k] ; } }//fin for(i=i_ini; i< i_fin; i++)... //*********************************************************************** //Se Guardan los datos de los campos de la iteración n //***********************************************************************

campo_c1[n]=ey[c_xP1][c_yP1][c_zP1+offset]; campo_c2[n]=ey[c_xP1][c_yP1][c_zP1]; //

campo_c3[n]=ey[c_xP1][c_yP1][c_zP1-offset]; // campo_c4[n]=ey[c_xP2][c_yP2][c_zP2+offset]; // campo_c5[n]=ey[c_xP2][c_yP2][c_zP2]; // campo_c6[n]=ey[c_xP2][c_yP2][c_zP2-offset]; // } }//Fin del ciclo de iteraciones //*********************************************************************** //Escribir campo en 3 celdas a txt: // 0-> example.txt //línea normal - 3 Puntos Puerto 1 // 2-> example_P2.txt //línea normal - 3 Puntos Puerto 2 //*********************************************************************** if(exc_ok==1) escribir_campo(time1,dt,fmin,fmax,nmax,campo_c1,campo_c2,campo_c3,parametros_ref); if((exc_ok==1)&&(parametros_ref==0)) escribir_campo(time1,dt,fmin,fmax,nmax,campo_c4,campo_c5,campo_c6,2); //3 Puntos Puerto 2 //***********************************************************************

 

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