caracterización de una película delgada de tixcnx mediante drx y ftir

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UNIVERSIDAD DEL VALLE ESCUELA DE INGENIERÍA DE MATERIALES TÉCNICAS DE CARACTERIZACIÓN DE MATERIALES ANDRES ESCARRAGA - WILL PIEDRAHITA BERNARDO SANCHEZ - MELISSA YAQUENO CARACTERIZACIÓN DE UNA PELÍCULA DELGADA DE TiCN MEDIANTE ANALISIS DRX Y FTIR

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Page 1: Caracterización de una película delgada de TixCNx mediante DRX y FTIR

UNIVERSIDAD DEL VALLE

ESCUELA DE INGENIERÍA DE MATERIALES

TÉCNICAS DE CARACTERIZACIÓN DE MATERIALES

ANDRES ESCARRAGA - WILL PIEDRAHITA BERNARDO SANCHEZ - MELISSA YAQUENO

CARACTERIZACIÓN DE UNA PELÍCULA DELGADA

DE TiCN MEDIANTE ANALISIS DRX Y FTIR

Page 2: Caracterización de una película delgada de TixCNx mediante DRX y FTIR

TiCN

Investigaciones reportan que el TiCN es una solución sólida de TiN (FCC) y TiC (FCC). Por lo

tanto, el TiCN tiene mejores

propiedades anti-desgaste y mayor dureza que el TiN y TiC.

La inclusión de los átomos de C en la red de TiN, aumenta sustancialmente la dureza de la película y reduce el coeficiente de fricción.

Los tamaños más pequeños de grano del TiCN producen una lubricación superficial más suave y ligeramente mayor que el TiN, y por lo tanto, el coeficiente de fricción de TiCN es inferior a la de TiN.

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TiCN

El Carbonitruro de Titanio (TiCN) tiene una alta estabilidad química y propiedades mecánicas superiores, como el bajo coeficiente de fricción, alta dureza (HV 2500-3000), alta tenacidad, alto punto de fusión (3.050 °C), alta conductividad eléctrica, y excelente resistencia al desgaste.

El recubrimiento TiCN puede reducir significativamente la fuerza de corte que un recubrimiento de TiN.

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ANALISIS DE DRX DE TICN

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Análisis de DRX Ti-C-N (1 1 1) está asociado a un mecanismo de sustitución, donde los átomos de C reemplazan átomos de N, resultando Ti ordenado y C-N desordenado obteniendo una estructura FCC tipo NaCl. Esta es la orientación preferencial, plano más densamente compacto en la película, favorece el crecimiento columnar de las capas. Para 2θ=50,85 y 55,09, picos correspondiente al enlace C-C, que está formada por moléculas no reactivas del gas (CH4) en la deposición de TiCN. Carbono libremente enlazado entre si mismo.

Referencia datos teóricos: 00-042-1488

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Se observa un considerable ruido experimental del 6,55% aportado por el equipo de medición de difracción de rayos X, donde puede haber un dismatch es los colimadores.

Ruido experimental

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Análisis de DRX

No se observa una formación significante de TiN debido a un adecuado flujo de CH4, que proporciona el C necesario para formar Ti(C)N. Si el aporte de C es superior al requerido se forma TiC (fase frágil)

Reacción ocurrida en la deposición

Ti+CH4+N2→TiC+TiN+TiCN

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En los picos para los planos 111, 200, 220, 331 y 420 el ángulo se ha reducido (corrimiento hacia la izquierda), es decir que el parámetro de red aumentó debido a un esfuerzo de tipo tensil.

El pico 400 es el complejo conjugado o reflejo del 200, por lo que se observa un desplazamiento hacia la derecha, lo que indica que se han generado esfuerzos de compresión.

ANÁLISIS DE RESULTADOS

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Entre los valores teóricos de los planos 311 y 222 se observa un pico en teta= 74.82°, el cual tiene un corrimiento mayor a +/-1° respecto a estos planos, lo que lleva a pensar que existe otra fase en lugar en lugar de una distorsión de la red.

ANÁLISIS DE RESULTADOS

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Plano h2+k2+l2 2θ(°) d(Å) a(Å) d teórico a teórico ∆a

<111> 3 34,69 2,584 4,475 2,462 4,265 0,210

<200> 1 40,95 2,202 2,202 2,132 2,132 0,070

<220> 8 61,22 1,513 4,279 1,508 4,265 0,014

<400> 16 92,71 1,064 4,258 1,066 4,264 -0,007

<331> 19 102,41 0,988 4,308 0,978 4,265 0,043

<420> 20 107,27 0,957 4,278 0,954 4,265 0,013

Distancia interplanar estructura tipo NaCl

COMPARACIÓN DATOS EXPERIMENTALES Y TEÓRICOS

Longitud de ángulo incidente: Cukα (λ=1.5405 Å)

<111> presenta la mayor distorsión de la red

Page 11: Caracterización de una película delgada de TixCNx mediante DRX y FTIR

• K= Es un factor de forma adimensional, tiene un valor típico de aprox. 0,9, pero varía con la forma real del cristalito.

• λ=Longitud de onda incidente, equipo de XRD. Cukα (λ=1.5405 Å) • β= Ancho de la mitad de la intensidad ( FWHM ), después de restar la ampliación de la línea instrumental • Θ= Es el ángulo de Bragg.

PLANO 2θ(°) FWHM TAMAÑO

CRISTALITO (Å)

<111> 34,69 0,693 240,342

<200> 40,95 1,039 163,202

<220> 61,22 0,438 421,208

<400> 92,71 0,212 1087,759

<331> 102,41 0,204 1240,292

<420> 107,27 0,279 960,054

Ecuación de Scherrer

DETERMINACIÓN DE TAMAÑO CRISTALITOS

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Plano Intensidad α TiCN/hkl

(%planos) Intensidad

normalizada (Ihkl) α*(L o d)

<111> 458,97 0,411 1 1,063

<200> 318,01 0,285 0,693 0,628

<220> 172,66 0,155 0,376 0,234

<400> 46,62 0,042 0,102 0,044

<331> 53,97 0,048 0,118 0,048

<420> 65,26 0,059 0,142 0,056

DISTANCIA PROMEDIO ENTRE ÁTOMOS DE Ti

Distancia promedio de átomos de Titanio en TICN es igual a 2,0732 A

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Medición de esfuerzos residuales

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Medición de esfuerzos residuales • Determinando mediante el método de incidencia

rasante a bajo ángulo.

• Angulo de incidencia a pequeño y constante, reduce penetración del haz de rayos x a través del recubrimiento.

• ψ = θ – α (ángulo de medida que forma la normal a la superficie y la normal al plano difractante (hkl))

• Se supone un estado biaxial de esfuerzos donde existe una relación entre parámetro de red y tensión:

Constantes elásticas para TiN

Los valores de a en cada plano se grafican en función de f(ψ), de la pendiente se obtiene σ

Método del (sen ψ)2

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Medición de esfuerzos residuales

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En general se evidencia un esfuerzo residual de carácter tensil de σ = 5,03 GPa

Medición esfuerzos residuales

Plano d(Å) a(Å) d0 (Å) a 0(Å) ∆ a(Å) ψ (°) 2S1(TPa-1) 𝟏

𝟐*S2(TPa-1) f(ψ)

<111> 2,5837 4,4750 2,4623 4,2648 0,2102 12,3450 -1,0600 2,0600 -0,9658 <200> 2,2020 2,2020 2,1324 2,1324 0,0696 15,4750 -0,6800 1,5200 -0,5718

<220> 1,5127 4,2785 1,5078 4,2647 0,0138 25,6100 -0,9600 1,9200 -0,6013 <400> 1,0644 4,2577 1,0661 4,2644 -0,0067 41,3550 -0,6800 1,5200 -0,0164

y = -0,0503x + 0,9938 R² = 0,6613

0.001

0.001

0.001

0.001

0.001

0.001

0.001

0.001

-1,2 -1 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0a/

a 0

f(ψ)

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ANALISIS DE FTIR DE TICN

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Espectroscopia de radiación Infrarroja.

Un espectro IR se obtiene al pasar radiación a través de una muestra y determinar que fracción de esta radiación incidente ha sido absorbida. La energía particular a la que aparece cada pico en un espectro guarda relación con la frecuencia de vibración de una parte de la molécula.

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Espectroscopia de radiación Infrarroja.

Región del espectro electromagnético de IR se encuentra entre 12800 – 10 cm-1.

Clasificación:

(NIR): 12800 – 4000 𝑐𝑚−1.

(MIR): 4000-400 𝑐𝑚−1.

(FIR) 400-1 𝑐𝑚−1.

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FTIR de TiCN (Análisis Cualitativo)

Espectro infrarrojo en unidades de absorbancia para una pelicula de TiCN.

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FTIR de TiCN

Los picos de 1380 cm-1 con una menor intensidad y 1540 cm-1 a mayor intensidad, según las cartas, me indican la presencia de compuestos nitro alifáticos . Mostrando estiramiento simétrico y asimétrico respectivamente.

Page 22: Caracterización de una película delgada de TixCNx mediante DRX y FTIR

FTIR de TiCN

C-N C-N

La región comprendida entre 1020 y 1250 cm-1 indican la presencia de modos vibraciones de estiramiento en enlaces C-N como lo indica la literatura, correspondiente a aminas alifáticas.

Page 23: Caracterización de una película delgada de TixCNx mediante DRX y FTIR

FTIR de TiCN

En aproximadamente 985 cm-1 se encuentra el modo vibracional de estiramiento de un enlace C-O. acorde con las cartas. Tiemblen se puede apreciar enlaces N-H tipo rotacional a 897 cm-1.

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FTIR de TiCN

En 612 cm-1 se encuentra el pico de máxima intensidad que indica la molécula con mayor absorción que puede indicar la molécula de C-Ti-N con una vibración tipo doblamiento.

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Referencias

• The residual stress measurement of TiCN PVD films , Takago, Masahide Gotoh, Toshihiko Sasaki, Yukio Hiro. Industrial Research Institute of Ishikawa , Japon.

• Determinación de tensiones residuales en recubrimientos de TiN sobre sustratos de Cu. C. Carrasco, V. Vergara S., R. Benavente G, N. Mingolob y J.C.Ríos. Universidad de Concepción, Concepción, Chile.

• Characterization of TiCN and TiCN/ZrN coatings for cutting tool application, Ping Chuan Siow, , Jaharah A. Ghani. Ceramics International, Volume 39, Issue 2, March 2013, Pages 1293–1298.

• Estudio de la hemocompatibilidad de películas de TiCNx producidas por arco pulsado, Diana Shirley Galeano Osorio.

• http://orgchem.colorado.edu/Spectroscopy/specttutor/irchart.html

• http://es.wikipedia.org/wiki/Anexo:Tabla_de_correlaciones_en_espectroscopia_infrarroja

• http://www.upct.es/~minaeees/espectroscopia_infrarroja.pdf