caracas - venezuela laboratorio de electrónica del estado sólido
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Caracas - VenezuelaCaracas - Venezuela
Laboratorio deElectrónica del Estado Sólido
Laboratorio deElectrónica del Estado Sólido
Laboratorio deElectrónica delEstadoSólido
Laboratorio deElectrónica delEstadoSólido
Apartado Postal 89000Caracas 1080A, Venezuela
Tlf: +58-212-9064010
Apartado Postal 89000Caracas 1080A, Venezuela
Tlf: +58-212-9064010
Se localiza en la planta baja del edificio delLaboratorio de Electrónica, en la
sede del Valle de Sartenejas de la Universidad Simón Bolívar
en el Municipio Baruta del Estado Miranda
Se localiza en la planta baja del edificio delLaboratorio de Electrónica, en la
sede del Valle de Sartenejas de la Universidad Simón Bolívar
en el Municipio Baruta del Estado Miranda
Ubicación:
Adscripción del LEESAdscripción del LEES
El LEES es una dependencia del Laboratorio de Electrónica (Lab. "C"), dentro de la estructura organizativa de la…
El LEES es una dependencia del Laboratorio de Electrónica (Lab. "C"), dentro de la estructura organizativa de la…
Sus actividades de investigación corresponden a las del
GRUPO de ELECTRÓNICA del ESTADO SÓLIDOregistrado en el Decanato de Investigación y Desarrollo .
Sus actividades de investigación corresponden a las del
GRUPO de ELECTRÓNICA del ESTADO SÓLIDOregistrado en el Decanato de Investigación y Desarrollo .
33 años de HISTORIA33 años de HISTORIA
Creado en 1979 como laboratorio de investigación y de apoyo a la docencia de Ingeniería Electrónica.
Inicialmente se orienta al desarrollo de procesos de fabricación de películas semiconductoras mediante impresión por pulverización pirolítica y por serigrafía, para su utilización en
dispositivos fotovoltaicos y sensores.A finales de los ‘70 se incursiona en el estudio de las
propiedades dieléctricas de tejidos biológicos ymateriales porosos.A mediados de los ‘80 se inicia el desarrollo de modelos de
dispositivos semiconductores y de métodos parala extracción de sus parámetros.A finales de los ‘90 se proponen métodos para medir yreducir distorsión en transistores y C.I.A comienzos del SXXI se amplían los trabajosde modelación a dispositivos nanométricos.
Algunos recorridos:
Personal Personal
Personal Académico: Giovanni De Mercato Zolli, Dr. Eng. ([email protected])
Francisco J. García Sánchez, Ph.D. ([email protected])
Juan Muci, M.Sc. ([email protected]) Jefe del Grupo Adelmo A. Ortiz-Conde, Ph.D. ([email protected])
Ramón Salazar, M.Sc. (actualmente realizando doctorado en Purdue U.)
Personal Académico: Giovanni De Mercato Zolli, Dr. Eng. ([email protected])
Francisco J. García Sánchez, Ph.D. ([email protected])
Juan Muci, M.Sc. ([email protected]) Jefe del Grupo Adelmo A. Ortiz-Conde, Ph.D. ([email protected])
Ramón Salazar, M.Sc. (actualmente realizando doctorado en Purdue U.)
Investigadores Colaboradores Ayudantes de investigación:
o Estudiantes de Doctoradoo Estudiantes de Maestría
Investigadores Colaboradores Ayudantes de investigación:
o Estudiantes de Doctoradoo Estudiantes de Maestría
ActividadesActividades
Investigación básica y aplicada Docencia en estudios profesionales y
de postgrado (Maestría y Doctorado)
Cooperación internacional Divulgación de conocimiento (Artículos y conferencias)
Organización de eventos académicos Actividades editoriales
Participación en comités técnicos Servicios y asesorías
Investigación básica y aplicada Docencia en estudios profesionales y
de postgrado (Maestría y Doctorado)
Cooperación internacional Divulgación de conocimiento (Artículos y conferencias)
Organización de eventos académicos Actividades editoriales
Participación en comités técnicos Servicios y asesorías
DocenciaDocenciaEl personal del LEES es responsable de
asignaturas del Departamento de Electrónica y Circuitos correspondientes al área de Electrónica del Estado Sólido, dentro de los planes de Estudios Profesionales, de Maestría en Ingeniería Electrónica, y del Doctorado en Ingeniería:
Electrónica de Estado Sólido Dispositivos Semiconductores
Modelación de dispositivos Tecnología microelectrónica
Dispositivos optoelectrónicos Circuitos integrados lineales
Circuitos integrados digitales Temas Especiales
Trabajo dirigido
El personal del LEES es responsable de asignaturas del Departamento de Electrónica y Circuitos correspondientes al área de Electrónica del Estado Sólido, dentro de los planes de Estudios Profesionales, de Maestría en Ingeniería Electrónica, y del Doctorado en Ingeniería:
Electrónica de Estado Sólido Dispositivos Semiconductores
Modelación de dispositivos Tecnología microelectrónica
Dispositivos optoelectrónicos Circuitos integrados lineales
Circuitos integrados digitales Temas Especiales
Trabajo dirigido
DocenciaDocenciaLibro de texto:Libro de texto:
Analysis and Design of MOSFETsModeling, Simulation, and Parameter ExtractionJuin Jei Liou, Adelmo Ortiz-Conde, Francisco García-Sánchez 1998, 368 p., HardcoverISBN: 978-0-412-14601-5
About this book: An innovative and integral book on MOSFETs design technology. It is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). It includes MOSFET device physics, modeling, numerical simulation, and parameter extraction. The discussion of the application of device simulation to the extraction of MOSFET parameters is of particular interest to all readers and provides a valuable learning and reference tool for students, researchers and engineers.
Cooperación InternacionalCooperación Internacional
Principales propósitos:
Realizar proyectos de investigación de frontera con tecnologías de punta.
Beneficiarse de programas internacionales.
Mantener nexos con expertos extranjeros.
Propiciar visitas de profesores y estudiantes.
Proyectar a nivel mundial las actividades del LEES y de la USB.
Principales propósitos:
Realizar proyectos de investigación de frontera con tecnologías de punta.
Beneficiarse de programas internacionales.
Mantener nexos con expertos extranjeros.
Propiciar visitas de profesores y estudiantes.
Proyectar a nivel mundial las actividades del LEES y de la USB.
Algunos ejemplos deconvenios, acuerdos y proyectos:
1982 - Formación en conversión de energía solar – Ass. of Caribbean Universities and Research Institutes Foundation/UNESCO1985 - Desarrollo de procesos de fabricación de celdas solares,
Programa Regional de Desarrollo Científico y Tecnológico, OEA. 1990 - "BRAMEXVEN” primer microprocesador latinoamericano,
CNPq (Brasil), CONACYT (México), CONICIT (Venezuela) 1992 - MOSFET modeling and parameter extraction,
Binational USA/VEN Cooperation Program (NSF/CONICIT)1996 - “Red MOST” - Modelación de MOSFETs Submicrométricos,
Proyecto ALFA de la Unión Europea.2005 - “LABDILEIT” (Laboratorio de caracterización de dispositivos electrónicos a distancia a través de Internet),
Proyecto ALFA de la Unión Europea. 2010 - Modelagem Analítica e Caracterização de Transistores
SOI-MOS, Projeto de Cooperação ProSUL, CNPq (Brasil).
Algunos ejemplos deconvenios, acuerdos y proyectos:
1982 - Formación en conversión de energía solar – Ass. of Caribbean Universities and Research Institutes Foundation/UNESCO1985 - Desarrollo de procesos de fabricación de celdas solares,
Programa Regional de Desarrollo Científico y Tecnológico, OEA. 1990 - "BRAMEXVEN” primer microprocesador latinoamericano,
CNPq (Brasil), CONACYT (México), CONICIT (Venezuela) 1992 - MOSFET modeling and parameter extraction,
Binational USA/VEN Cooperation Program (NSF/CONICIT)1996 - “Red MOST” - Modelación de MOSFETs Submicrométricos,
Proyecto ALFA de la Unión Europea.2005 - “LABDILEIT” (Laboratorio de caracterización de dispositivos electrónicos a distancia a través de Internet),
Proyecto ALFA de la Unión Europea. 2010 - Modelagem Analítica e Caracterização de Transistores
SOI-MOS, Projeto de Cooperação ProSUL, CNPq (Brasil).
Cooperación InternacionalCooperación Internacional
SEES, CINVESTAV-IPN, MéxicoDept Electrónica, INAOE, México
Dept Eng. Sist. Eletrônicos, Escola Politéc. Univ. de São Paulo, Brazil
Dept Eletrôn., Centro Univ da FEI, São Bernardo do Campo, Brazil
ICTEAM, Univ. Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, Belgium
Dept de Ing E, E & A, Univ Rovira i Virgili, Catalunya, SpainDept de Física, Univ de les Illes Balears, Spain
EE Dept, University of Vermont, USASchool of EE & CS, Univ of Central Florida, USA
Freescale Semiconductor (Motorola), USAModeling & Simulation Group, LUCENT Technologies, USA
Flash TDM, INTEL, USATechnology Development, INTERSIL, USA
R & D Div, Pro MOS Technologies Inc, TaiwanTechnology Development, Mosel Vitelic Inc, Taiwan
Powerchip Semiconductor Corporation, Hsinchu, TaiwanDept Electron Sc Technol, Huazhong Univ Sc & Technol,
ChinaDepartment of ISEE, Zhejiang University, Hangzhou, China
SEES, CINVESTAV-IPN, MéxicoDept Electrónica, INAOE, México
Dept Eng. Sist. Eletrônicos, Escola Politéc. Univ. de São Paulo, Brazil
Dept Eletrôn., Centro Univ da FEI, São Bernardo do Campo, Brazil
ICTEAM, Univ. Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, Belgium
Dept de Ing E, E & A, Univ Rovira i Virgili, Catalunya, SpainDept de Física, Univ de les Illes Balears, Spain
EE Dept, University of Vermont, USASchool of EE & CS, Univ of Central Florida, USA
Freescale Semiconductor (Motorola), USAModeling & Simulation Group, LUCENT Technologies, USA
Flash TDM, INTEL, USATechnology Development, INTERSIL, USA
R & D Div, Pro MOS Technologies Inc, TaiwanTechnology Development, Mosel Vitelic Inc, Taiwan
Powerchip Semiconductor Corporation, Hsinchu, TaiwanDept Electron Sc Technol, Huazhong Univ Sc & Technol,
ChinaDepartment of ISEE, Zhejiang University, Hangzhou, China
Algunos nombres:
Cooperación InternacionalCooperación Internacional
Investigación
Investigación
Dispositivos semiconductores: BJTs , Celdas fotovoltaicas, Díodos
PIN Transistores de Efecto de Campo
(FETs): Silicon-On-Insulator, Thin Film, Ultra Thin Body, Multi Gate, Nano Wire, etc.
Circuitos Integrados: Reducción de distorsión armónica en CI analógicos
Propiedades dieléctricas de tejidos biológicos: Huesos largos y craneales Membrana meníngea duramadre Tomografía de Impedancia Eléctrica
Caracterización eléctrica de materiales: Polímeros conductores Cerámicas y materiales porosos
Principales líneas dePrincipales líneas de
Divulgación de resultadosDivulgación de resultadosArtículos recientes más relevantes:Artículos recientes más relevantes:
A Rigorous Classical Solution for the Drain Current of Doped Symmetric Double-Gate MOSFETs, A. Ortiz-Conde, F.J. García-Sánchez, IEEE Transactions on Electron Devices, In Press, 2012.
A formula for the central potential’s maximum magnitude in arbitrarily doped symmetric double-gate MOSFETs, F.J. García-Sánchez, A. Ortiz-Conde, Solid-State Electronics, In Press, 2012.
An Explicit Multiexponential Model as an Alternative to Traditional Solar Cell Models With Series and Shunt Resistances, A. Ortiz-Conde, D. Lugo-Muñoz, F.J. García-Sánchez, IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 2, no. 3, pp. 261-268, 2012.
An Explicit Analytic Compact Model for Nanocrystalline Zinc Oxide Thin-Film Transistors, F.J. García-Sánchez, A. Ortiz-Conde, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 59, pp. 46-50, 2012.
A continuous semi-empiric transfer characteristics model for surrounding gate undoped polysilicon nanowire MOSFETs, F.J. García-Sánchez, A.D. Latorre-Rey, W. Liu, W.-C. Chen, H.-C. Lin, J.J. Liou, J. Muci, A. Ortiz-Conde, Solid-State Electronics, vol. 63, pp. 22-26, 2011.
An explicit multi-exponential model for semiconductor junctions with series and shunt resistances, D. Lugo-Muñoz, J. Muci, A. Ortiz-Conde, F.J. García-Sánchez, M. de Souza, M.A. Pavanello, Microelectronics Reliability, vol. 51, pp. 2044–2048, 2011.
Coferencias Simposios Minicoloquios Talleres Seminarios
Coferencias Simposios Minicoloquios Talleres Seminarios
DivulgaciónDivulgación
DivulgaciónDivulgaciónConferencias recientes más relevantes dictadas por miembros del Grupo:Conferencias recientes más relevantes dictadas por miembros del Grupo:
Explicit lumped-parameter modeling of solar cells (IEEE-EDS Distinguished Lecture), F.J. García-Sánchez, A. Ortiz-Conde, VII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology (SEMINATEC 2012), 12-13 April 2012, São Paulo, Brazil.
A Succinct Overview of Microelectronics Evolution (Invited Lecture), F.J. García-Sánchez, Microelectronics Seminar, 11 April 2012, Centro Universitario da FEI, São Bernardo do Campo, São Paulo State, Brazil.
Modeling and Characterization of Diodes(IEEE-EDS Distinguished Lecture), A. Ortiz-Conde, F.J. García-Sánchez, IEEE-EDS Region 9 Mini-colloquium, 13 March 2012, Playa del Carmen, Quintana Roo, México.
ICCDCSICCDCS
IEEE International Caribbean Conferenceon Devices, Circuits and Systems
Technically co-sponsored by
IEEE International Caribbean Conferenceon Devices, Circuits and Systems
Technically co-sponsored by 1st: December 1995, Caracas, Venezuela 2nd: March 1998, Margarita, Venezuela 3rd: March 2000, Cancún, México 4th: April 2002, Aruba 5th: November 2004, Dominican Republic6th: April 2006, Playa del Carmen, México7th: April 2008, Cancún, México8th: March 2012, Playa del Carmen, México9th: April 2014, Dominican Republic
1st: December 1995, Caracas, Venezuela 2nd: March 1998, Margarita, Venezuela 3rd: March 2000, Cancún, México 4th: April 2002, Aruba 5th: November 2004, Dominican Republic6th: April 2006, Playa del Carmen, México7th: April 2008, Cancún, México8th: March 2012, Playa del Carmen, México9th: April 2014, Dominican Republic
Organización de eventosOrganización de eventos
(Proceedings published in IEEE Xplore)
El LEES es la sede del:El LEES es la sede del:
IEEE VenezuelaElectron Devices /
Circuits and SystemsSocieties
Joint Chapter
IEEE VenezuelaElectron Devices /
Circuits and SystemsSocieties
Joint Chapter
Actividades Profesionales
Actividades Profesionales
Actividades Profesionales
Actividades Profesionales
Cargos actualmente desempeñados por miembros del grupo:
Silicon Devices and Technology Area Editor ofIEEE Electron Devices Letters, A. Ortiz-Conde
L. A. Regional Editor of EDS Newsletter, F.J. García-Sánchez
Chair of EDS/CAS Venezuela Chapter, A. Ortiz-Conde
Member of EDS Education Committee, A. Ortiz-Conde
Member of EDS Masters and PhD Fellowship Committee, F.J. García-Sánchez
Fin de la presentaciónFin de la presentación
Grupo deElectrónica delEstado Sólido
Grupo deElectrónica delEstado Sólido
de la Universidad Simón Bolívar