02 adaptación de impedancias en rf [modo de compatibilidad]

14
ELECTRÓNICA DE COMUNICACIONES ADAPTACIÓN DE IMPEDANCIAS EN RF Prohibida la reproducción de cualquier parte de este documento, por cualquier medio y, especialmente para su empleo en la impartición de cursos o seminarios sin permiso por escrito del autor. 1 Área de Tecnología Electrónica Dpto. de Ingeniería Electrónica y Comunicaciones UNIVERSIDAD DE ZARAGOZA · ESPAÑA Electrónica de Comunicaciones Adaptación de impedancias en RF © 2011 · Arturo MEDIANO · Carlos BERNAL - [email protected] Arturo MEDIANO [email protected] Diseño electrónico para comunicaciones en RF Índice INTRODUCCIÓN A LA ELECTRONICA DE COMUNICACIONES. Introducción y revisión de conceptos básicos. Diagrama de bloques de un sistema de comunicaciones. ESPECIFICACIONES DE DISEÑO DE TRANSMISOR Y RECEPTOR. Especificaciones del transmisor. Especificaciones del receptor. TÉCNICAS DE DISEÑO EN ELECTRÓNICA DE COMUNICACIONES. Adaptación de impedancias en RF. Filtros de RF. Amplificadores de RF. Osciladores de RF. Mezcladores de RF. Moduladores analógicos y digitales. Bucles enganchados en fase (PLLs). Demoduladores analógicos y digitales. Ruido en electrónica de comunicaciones. TÉCNICAS ESPECIALES Y APLICACIONES Técnicas especiales.

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  • ELECTRNICA DE COMUNICACIONESADAPTACIN DE IMPEDANCIAS EN RF

    Prohibida la reproduccin de cualquier parte de este documento, por cualquier medio y, especialmente para su empleo en la imparticin de cursos o seminarios sin permiso por escrito del autor.

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    rea de Tecnologa ElectrnicaDpto. de Ingeniera Electrnica y ComunicacionesUNIVERSIDAD DE ZARAGOZA ESPAA

    Electrnica de Comunicaciones

    Adaptacin de impedancias en RF

    2011 Arturo MEDIANO Carlos BERNAL - [email protected]

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    ndice

    INTRODUCCIN A LA ELECTRONICA DE COMUNICACIONES.

    Introduccin y revisin de conceptos bsicos.

    Diagrama de bloques de un sistema de comunicaciones.

    ESPECIFICACIONES DE DISEO DE TRANSMISOR Y RECEPTOR.

    Especificaciones del transmisor. Especificaciones del receptor.

    TCNICAS DE DISEO EN ELECTRNICA DE COMUNICACIONES.

    Adaptacin de impedancias en RF. Filtros de RF. Amplificadores de RF. Osciladores de RF. Mezcladores de RF. Moduladores analgicos y digitales. Bucles enganchados en fase (PLLs). Demoduladores analgicos y digitales. Ruido en electrnica de comunicaciones.

    TCNICAS ESPECIALES Y APLICACIONES

    Tcnicas especiales.

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    rea de Tecnologa ElectrnicaDpto. de Ingeniera Electrnica y ComunicacionesUNIVERSIDAD DE ZARAGOZA ESPAA

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Objetivos del tema

    Analizar la influencia de las impedancias de fuente y carga en el ancho de banda (QL) de un circuito resonante.

    Presentar equivalentes serie-paralelo y paralelo-serie de circuitos RC y RL. Este apartado permite en posteriores simplificar una red RLC.

    Analizar la influencia de los elementos parsitos de los componentes en la resonancia de circuito (QL y/o fo).

    Introducir la necesidad de TRANSFORMAR impedancias. Se presentan las redes TAPPED-C y TAPPED-L.

    Ser capaces de conseguir resonancias con factores de forma pequeos a partir del circuito resonante bsico. Introducir el concepto de FACTOR DE FORMA. Presentar los acoplamientos con C, L o transformador.

    Conocer las tcnicas de diseo de redes de adaptacin de impedancias empleadas en RF.

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Resonancia paralelo

    1 10 100 1000 10000Frequency (MHz)

    -50

    -40

    -30

    -20

    -10

    0

    142 MHz -0.0229

    20 MHz -18.2

    10 MHz -25.3

    2.01e+03 MHz -23.9

    1.01e+03 MHz -17.9

    DB(|VTG[2,1]|)Low Pass

    DB(|VTG[2,1]|)HighPass

    DB(|VTG[2,1]|)Bandpass

    Gv(dB) 50 OhmR1

    25 pFC1

    50 OhmR1

    50 nHL1 QL

    fo

    BW:=

    QL 1.123=50nH

    25pF

    50

    50

    25 pFC1

    50 nHL1

    50nH25pF

    50

    A.M

    edia

    no 2

    006

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    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Influencia de Zs y ZL

    1 10 100 1000Frequency (MHz)

    -80

    -60

    -40

    -20

    0Vgain[dB]

    CONCLUSINES DIFCIL ALCANZAR QCUANDO RS Y/O RL SON

    BAJAS.

    RS=50QL=1.1

    RS=1000QL=22.5

    C1 50 nHL1 50nH

    25pF

    RS RL=

    fR=142.353MHz

    A.M

    edia

    no 2

    006

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    El equivalente global ... OBJETIVO: construir un equivalente RLC paralelo donde:

    Xp ser la reactancia de CT o LT en fo. Rp IMPLICA QL. De forma equivalente, Rp IMPLICA QL Dadas Rs y RL, QL es mayor si L y C.

    RpRS RL

    RS RL+:=

    QLRp

    Xp:=

    fo1

    2 L C:=

    Rp

    CTLT

    1 10 100 1000 10000Frequency (MHz)

    -80

    -60

    -40

    -20

    0

    DB(|VTG[2,1]|)Bandpass

    L=50nHC=25pF

    L=2.5nHC=500pF fo=142.35MHz

    QL=1.1

    Rp=50

    QL=22.4

    Vgain[dB]

    A.M

    edia

    no 2

    006

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    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Equivalentes serie-paralelo (1)

    CpRp Cs

    Rs

    Xp 1w Cp:=

    Qp RpXp

    :=1Rs Rp

    1 Qp2+:=

    Cs Cp Qp2

    1+Qp

    2:=

    Xs 1w Cs:= Q

    CpRpCs

    Rs

    Qs XsRs

    := Rp Rs 1 Qs2+( ):=

    Cp CsQs

    2

    Qs2

    1+:=

    Los siguientes equivalentes permitirn simplificar los circuitos con los que trabajemos posteriormente ...

    SUGERENCIA: Trata de analizar el caso de Qp

    Xs Xp Qp2

    Qp2

    1+:=

    SUGERENCIA: Trata de analizar el caso de Qs

    Xp Xs 1 Qs2+

    Qs2:=

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Equivalentes serie-paralelo (2)

    LpRp

    Ls

    Rs

    Ls

    Rs

    LpRp

    Xp w Lp:=

    Qp RpXp

    :=Xs Xp

    Qp2

    Qp2

    1+:=

    Rs Rp

    1 Qp2+:=

    Ls Lp Qp2

    Qp2 1+:=

    Xs w Ls:=Qs Xs

    Rs:=

    Xp XsQs2 1+

    Qs2:=

    Rp Rs 1 Qs2+( ):=Lp Ls

    Qs2 1+Qs2

    :=

    Los siguientes equivalentes permitirn simplificar los circuitos con los que trabajemos posteriormente ...

    SUGERENCIA: Trata de analizar el caso de Qp

    SUGERENCIA: Trata de analizar el caso de Qs

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    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    1 10 100 1000Frequency (MHz)

    .1

    1

    10

    100

    1000

    100 MHz 33

    |ZIN[1]|Equivalents

    |ZIN[2]|Equivalents

    QU IMPEDANCIAES LA DE CADA UNODE LOS CIRCUITOS?

    ZTOTAL()

    A.M

    edia

    no 2

    006

    Equivalente SLO en 1 frecuenciaEJEMPLO

    Bobina de 50nH, nucleo de aire con Q=3.14 a 100MHz.

    Ls

    Rs

    Rs = 10

    LpRp Rp 108.696 =Xp 34.599 =Lp 55.066 nH=

    z Clculo del equivalente:

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Cmo influye el valor de Qu (1)

    Trataremos ahora de evaluar la influencia de los parsitos de los componentes.

    RS=1000

    RL=1000

    1.- Red adaptada en potencia ...

    1000

    1000fo

    142.3MHz

    2.- Se introduce una LC paralelo ...

    50nH

    25pF

    POSIBILIDAD IDEAL:

    L = 50nHQu = 3.14 @ 100MHz

    ESR = 10

    QuC = 25pF

    POSIBILIDAD REAL:

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    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Cmo influye el valor de Qu (2)

    1 10 100 1000Frequency (MHz)-80

    -60

    -40

    -20

    0Vgain[dB]

    RS=1000 RL=1000IDEAL

    143 MHz -16.7dB

    -6dB

    REAL

    Rp=211

    Permiten comparar lasituacin SIN y CON la red.

    PRDIDAS DE INSERCININSERTION LOSSES (IL)

    A.M

    edia

    no 2

    006

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    L y Cpueden no

    ser prcticassi se desea un alto Q y el

    paralelo de Rs y RL es pequeo

    Dos conclusiones

    1) La mala calidad de los componentes (Qu) provoca: una reduccin en QL (ms ancho de banda) y, prdidas de insercin (IL) en la seal deseada (que se acumulan en la

    cadena de etapas).

    2) El diseador puede para un cierto QL deseado ... Seleccionar L y C para unas ciertas Rs y RL.

    Seleccionar Rs y RL ptimas.

    Rs y RLnormalmente

    definidas

    QL Xpfija L y C

    Rs y RLnormalmente

    definidas

    QL TRANSFORMARIMPEDANCIAS

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    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Transformacin de impedancias

    La TRANSFORMACIN DE IMPEDANCIAS permite engaar a un circuito haciendole ver la impedancia que nos interesa a una(s) determinada(s) frecuencia (s).

    Transformador o dividir uno de los componentes en dos obteniendo un grado de libertad.

    TAPPED-C

    C1

    C2R2

    Rt

    L

    TAPPED-L

    L1

    L2R2

    Rt

    C

    Rt > R2 Rt > R2

    Rt

    R2

    TRANSFORMADOR

    n1 n2

    N=n1n2

    Rt = N2 x R2

    NOTA: Cuidado con la definicin de N

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Transformador Tapped-C

    SUGERENCIA: Trata de deducir las ecuaciones haciendo uso de las equivalencias serie-paralelo.

    Rt > R2 OBJETIVO HABITUAL

    Calcular C1 y C2 para que R2sea transformada a Rt a la frecuencia de resonancia de la red (fo) y con el ancho de banda BW especificado (BW).

    C1

    C2R2

    Rt

    L

    Q p

    RtCt

    LN Rt

    R2:=

    QtfoBW

    := Ct 12 BW Rt:=

    L1

    2 fo( )2 Ct:=

    RseCse

    Qp Qt2

    1+N

    2

    1:=

    CseC2 Qp

    21+( )

    Qp2

    :=

    C2 N Ct:=

    C1C2

    N 1:=

    C2Qp

    2 fo R2:=

    C1 Cse CtCse Ct:=

    CASO TPICO Y SIMPLIFICACIN:

    Qp QtN

    :=QtN

    10

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    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Transformador Tapped-L

    SUGERENCIA: Trata de deducir las ecuaciones haciendo uso de las equivalencias serie-paralelo.

    Rt > R2 OBJETIVO HABITUAL

    Calcular L1 y L2 para que R2sea transformada a Rt a la frecuencia de resonancia de la red (fo) y con el ancho de banda BW especificado (BW).

    RtC

    LtN Rt

    R2:=

    QtfoBW

    :=

    Qp Qt2

    1+N

    2

    1:=

    RseLse

    Qp QtN

    :=

    CASO TPICO Y SIMPLIFICACIN:

    QtN

    10

    L1

    L2R2

    Rt

    C

    Q p

    LseL2 Qp

    2( )Qp

    21+( ):=

    L2 R22 fo Qp:=

    L1 Lt Lse:=

    L2 LtN

    :=L1 Lt L2:=

    C 12 BW Rt:=

    Lt1

    2 fo( )2 C:=

    Arturo [email protected]

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    Transferencia de potencia

    Vout RL( )

    V

    Pout RL( )

    W

    RL()0.1 1 100.01

    1

    0.5

    0

    Valor de RL para obtener mxima Pout ?.RS=1

    RLVS=1V

    Vout

    z Habitualmente se emplea adaptacin de impedancias para:

    OBTENER PTIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA ENTRE ETAPAS.

    EVITAR REFLEXIONES CUANDO SE TRABAJA CON LINEAS DE TRANSMISIN.

    PROTEGER AMPLIFICADORES DE POTENCIA QUE VEN DESADAPTADA SU SALIDA.

    z Ejemplo prctico ...

    Transmisor Linea de transmisin (50) Sistema radiante(50) (50)

    A. Mediano 2007

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    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Adaptacin de impedancias

    MAmplificador

    FiltroMezcladorOscilador

    Etc

    AmplificadorFiltro

    MezcladorOscilador

    Etc

    REDDE

    ADAPTACIN

    Zs ZLZs* ZL* z Topologas ms habituales ...X1

    X2RED EN L

    X1

    X2

    RED EN TX1

    X2

    X3

    RED EN PI

    X2 X3X1

    600

    10

    122.4nH

    20.4pF

    600 @ 100MHz600

    10

    ATT = -11.9dB 10 @ 100MHz

    SUGERENCIA: Trata de utilizar los equivalentes serie-paralelo y paralelo-serie para entender el modo en que trabaja la red.

    IMPORTANTESLO SE CONSIGUE ADAPTACINPERFECTA EN UNA FRECUENCIA

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Red en L: diseo.

    Pasobajo

    Pasoalto

    IDEANo pasa DC.

    Qs RpRs

    1:=

    Qp Qs:=Xs Qs Rs:=Xp Rp

    Qp:=

    ECUACIONES DE DISEO

    z Precauciones Usar como valor de Rp en las ecuaciones el mayor de las

    resistencias terminales. Siempre Xs y Xp debern ser de naturaleza diferente

    (inductiva vs capacitiva). Dadas Rs y Rp, esta red NO PERMITE fijar un Qtotal.

    Xs

    Xp Rp

    Rs

    Rama Serie Rama ParaleloQs Qp

    Rp > Rs

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    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Redes en PI y T: diseo.

    Si Rs y Rp son fijas,Q est definido.

    Qs RpRs

    1:=

    Limitacin red en L. Solucin. Aadir un elemento ms. El Q alcanzado es siempre mayor o igual al de la L. Las redes se disean como en L pero hacia una

    resistencia intermedia virtual.

    X2 X3X1

    X2

    X1a

    X3

    X1b

    R

    X1 X3

    X2a R

    X1

    X2

    X3

    RLRS RLRS

    RS RL

    RL

    RS

    R < RsR < RL

    R > RsR > RL

    Q RhR

    1:=

    Rh = la mayor entre RS y RL

    El Qtotal (Q), lo determina la rama L con mayor Q

    Rs = la menor entre RS y RL

    PI T

    Q RRs

    1:=

    X2b

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Adaptacin en banda ancha

    HASTA EL MOMENTO ... Una red en L me permite adaptar Rs y RL pero el Q es fijo (al estar Rs y RL fijas). Si el Q ofrecido por esa red no es suficiente utilizo una red en PI o en T. Solucin idonea

    para adaptacin de banda estrecha (NARROWBAND MATCHING). QU HACER SI NECESITO BANDA ANCHA Y EL Q DE UNA RED L ES

    DEMASIADO ALTO?. SOLUCIN 1: transformadores de RF. SOLUCIN 2: encadenar N redes en L.

    Xs1

    Xp1 R RLRS

    Rs < R < RL

    Xs2

    Xp2

    Suponiendo un caso de RS < RL:

    Si RS > RL se invierte la red.

    DISEO:1) Establecer Qtotal.2) Elegir qu extremo controlar el Q total.3) Despejar R:

    si el extremo escogido es el paralelo:

    si el extremo escogido es el serie:

    4) La mxima anchura de banda (Qmin) se obtiene cuando:

    QRmax

    R

    1:=

    QR

    Rmin

    1:=

    RRmin

    1

    RmaxR

    1:= R RS RL:=

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    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Impedancias terminales complejas

    El diseo de redes L aisladas, encadenadas, en PI o en T se ha presentado haciendo uso de impedancias reales Rs y RL en los extremos. Qu hacer si una o ambas impedancias fueran complejas? Se ABSORBEN o HACEN RESONAR las partes reactivas procediendo con las resistivas como hasta ahora.

    MTODO 1ABSORCIN

    X1

    X2

    Las reactancias de fuente y/o carga forman parte de elementos de igual naturaleza de la red, son absorbidas.

    Puede combinarse el uso de ambos

    MTODO 2RESONANCIA

    X1

    X2

    La reactancia de la fuente y/o carga se coloca en serie o paralelo con un elemento de naturaleza opuesta que resuene haciendola desaparecer a la frecuencia de trabajo.

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Cmo medir la adaptacin ...

    RELACIN DE ONDAS ESTACIONARIAS (ROE) VOLTAGE Standing Wave Ratio (VSWR) Es un NMERO SIN UNIDADES que mide la dasadaptacin.

    PRDIDAS DE RETORNO Return Loss (RL) Medida de la desadaptacin en dB.

    X Adaptacin VSWR Descripcin1.0:1 Perfecta adaptacin. Imposible en la prctica.1.4:1 Excelente adaptacin. Tpico criterio de diseo.2.0:1 Aceptable en muchas aplicaciones.10:1 Inaceptable en todos los casos.

    infinito:1 Imposible. Conectar una manguera a un tunel.

    VSWR RL1.0:1 infinito1.4:1 15.6dB2.0:1 9.5dB10:1 1.7dB

    infinito:1 0dB

    Hace referencia a la REFLEXIN que provoca la desadaptacin.

    Tpico caso de un short o un open que provocan la

    reflexin de toda la RF daando habitualmente el

    emisor de RF.

    X : 1

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    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Adaptando con lineas (1)

    MICROSTRIP

    STRIPLINE

    CONDUCTORESPARALELOS

    COAXIAL

    vp=1/r cm= vp x 30000/fMHz

    Zo,pd L, C

    Long

    Long = =360Long = /2 =180Long = /4 =90Long = /8 = 45

    En UHF y MW ES MUY PRCTICO ADAPTAR EMPLEANDO

    LINEAS DE TRANSMISIN

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Adaptando con lineas (2)

    /4 (90)Zo

    Rin = Zo2/RLRL Zo = (Rin*RL)MUY TIL

    ADAPTAR Rin con RL EMPLEANDO LINEA DE Zo IGUAL A:

    Zo

    Zin = XC = Zo2/XLXL

    /4 (90) Zo

    XCZin = XL = Zo2/XC

    /4 (90)

  • ELECTRNICA DE COMUNICACIONESADAPTACIN DE IMPEDANCIAS EN RF

    Prohibida la reproduccin de cualquier parte de este documento, por cualquier medio y, especialmente para su empleo en la imparticin de cursos o seminarios sin permiso por escrito del autor.

    13

    rea de Tecnologa ElectrnicaDpto. de Ingeniera Electrnica y ComunicacionesUNIVERSIDAD DE ZARAGOZA ESPAA

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Adaptando con lineas (3)

    90 < < 180: Zin = = 180: Zin = SHORT

    = 90: Zin = OPEN0 < < 90: Zin =

    = 45: XL=Zo

    90 < < 180: Zin = = 180: Zin = OPEN

    = 90: Zin = SHORT0 < < 90: Zin =

    = 45: XL=Zo

    Zin = Zo tg Zo, long

    LINEA TERMINADA EN CORTO

    Zin = Zo cotg Zo, long

    LINEA TERMINADA EN ABIERTO

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Ejemplo 1

    Diseo en UHF. Componentes SMD. Lineas microstrip. 10W de RF Adaptacin en entrada, interetapa y a la salida.

    Q1

    VDC

    Q2M1 M2 M3

    Q1 Q2

    IN OUT

    A. Mediano 2007

  • ELECTRNICA DE COMUNICACIONESADAPTACIN DE IMPEDANCIAS EN RF

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    14

    rea de Tecnologa ElectrnicaDpto. de Ingeniera Electrnica y ComunicacionesUNIVERSIDAD DE ZARAGOZA ESPAA

    Arturo [email protected]

    Diseo electrnico para comunicaciones en RF

    Ejemplo 2

    Ejemplo de PolyFET: 60W 30-512MHz