Instituto Tecnolgico de Minatitln

INTRODUCCINEste tipo de polarizacin es la ms utilizada en circuitos lineales, por este motivo algunas veces se le conoce como polarizacin universalLas resistencias R1 y R2, forman un divisor de tensin del voltaje Vcc. La funcin de esta red es facilitar la polarizacin necesaria para que la unin base- emisor este en la regin apropiada. Este tipo de polarizacin es mejor que las anteriores, pues proporciona mayor estabilidad del punto de operacin con respecto de cambios en .

Anlisis en la malla de baseEn la terminal de base existen dos mallas por lo que se empleara el teorema de Thvenin para simplificar a una sola malla.

Anlisis en la malla de colector LVKVcc= Rc*Ic +VCE+REiE*1Como Ic iE y >>1Ic = Vcc-VcE /Rc+RE

La corriente de colector en saturacin esIcsat= Vcc/Rc+RE Y puede notarse que si RB= 0 Entonces Ic= VBB-VBE/REEste valor de corriente nunca satura al transistor.

DESARROLLO DE LA PRCTICAPRCTICA N 5: POLARIZACIN III/TRANSISTOR BJT NPNOBJETIVO: COMPROBAR EXPERIMENTALMENTE LA POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR Y LA INFLUENCIA DE DISTINTOS PARMETROS EN SU POLARIZACIN PARA LA CONFIGURACIN DE POLARIZACIN POR DIVISOR DE TENSIN.Nota: Antes de implementar los circuitos , mida los valores de las resistencias y la beta del transistor a utilizar adems todos los valores medidos de forma prctica , comprelos con los datos tericos de la configuracin del amplificador.MATERIAL:Transistor (MPS2222)ResistenciasFuente variable de voltaje3 multmetros digitales1 protoboardCaimanes

AMPLIFICADOR EN CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA1.-Implemente el circuito de la figura 1 Los valores de las resistencias son las asignadas con base al equipo de laboratorio.2.- Una vez implementado el circuito de la figura 1, haga las mediciones: IR1, IR2, IB, VB,VBE,VBC, VE,VCE,VC,IC E IE.3.- Con los datos obtenidos de las mediciones del paso 2, determine la beta del transistor y obtenga la recta descarga del circuito en configuracin de polarizacin por divisor de tensin ubicando de forma grfica el punto Q.4.- Con base a la beta medida con el multmetro la obtenida de forma prctica con los datos del paso 2; son iguales las betas? Si no son iguales escriba una explicacin de porque no son iguales.5.- Realice los clculos correspondientes para obtener Vth y Rth del circuito de la figura 1.6.- Con los datos del paso 5 implemente el circuito equivalente de la figura 1.7.- con el circuito del paso 6 implementado, comience a variar la fuente de VTH de voltaje de CD desde 0V hasta el obtenido por el clculo realizado del paso 5 , en la tabla 1 realice las lecturas correspondientes y anote los valores medidos en dicha tabla.

RESULTADOS OBTENIDOSDespus de implementar el circuito de la figura 1, se midieron, obteniendo los siguientes resultados:IR1= 0.29mAIR2= 174AIB= 120AVB= 3.88VVBE= 0.648VVBC= -12.83VVE= 3.28VVCE= 13.8VVC=17.06VIC= 14.86mAIE= 14.35mACalculamos la beta del transistor con los datos obtenidos, tenemos una beta de:123.833 Vs. la beta medida que es de 167.Una vez realizadas las mediciones, ajuste Vth para el punto medio de la recta de carga, obteniendo una resistencia de Thevenin de 17.34K y un voltaje de Thevenin de 5.076V. A continuacin se presentan los valores obtenidos en la medicin del circuito implementado, as como el clculo de las betas para cada variacin de VCC:VTHVBVBEVBCVCVEVCEVRTHIBICIE

0.5V0.50V0.50V-23.3V24V2.7V24V2.8Mv0.43A52 A5.36A120.93

1V0.88V0.61V-22.4V23.4V0.268V23.1V0.123v6.33 A1.221mA1.01 mA192.89

1.5V1.261V0.637V-21.2V22.6V0.625V22V0.262v13.26 A3.05 mA2.68 mA231.06

2V1.639V0.640V-20V21.8V1.001V20.8V0.396V19.38 A4.61 mA4.76 mA237.87

2.5V1.98V0.63V-19.65V21.1V1.2V19.7V0.523V29.2 A6.23 mA6.27 mA213.35

3V2.39V0.63V-17.83V20.2V1.75V18.75V0.65V32.3 A8.13 mA7.86 mA251.70

3.5V2.72V0.62V-16.80V19.60V2.09V17.51V0.75V43.5 A9.58 mA9.50 mA220.22

4V3.13V0.63V-15.460V18.67V2.49V16.12V0.89V51.2 A11.44 mA11.17 mA223.43

4.5V3.48V0.63V-14.33V17.88V2.85V14.99V1V58.8 A13.23 mA12.98 mA225

5V3.84V0.63V-13.2V17.18V3.19V13.92V1.12V66.1 A15.11 mA14.52 mA228.59

5.076V3.90V0.63V-13.05V16.99V3.27V13.67V1.15V66.33 A14.93 mA14.96 mA225.18

Ahora se ajusta VTH para el punto medio de la recta de carga y se realizo la medicin de IB e Ic se fue aumentando la temperatura, se realizo la medicin del voltaje a diferentes temperaturas.Se obtienen los siguientes resultados:Sin incremento de temperatura: IB= 0.39mAIc= 24.5mACon incremento de temperaturaIB= 0.39mAIc= 24mA Voltajes a diferente temperatura:Sin incremento de temperaturaVTH= 5.076VVB= 12.08VVBE= -6.39VVBC= 0.64VVC= 11.43VVE= 18.47VVCE= -7.03VCon incremento de temperaturaVTH= 5.076VVB= 12.07VVBE= -6.40VVBC= 0.58VVC= 11.47VVE= 18.44VVCE= -6.96VCada de tensin en RTh:Sin incremento de temperatura:7.08vCon incremento:7.04VCUESTIONARIO

JUSTIFICAR PORQUE UN CAMBIO DE BETA PROVOCA UN DESPLAZAMIENTO DEL PUNTO DE TRABAJO Y EN PARTICULAR SI ESTO SE DA CUANDO SE TIENE UNA POLARIZACIN POR DIVISOR DE TENSIN. Como lo expliquen el reporte anterior al tener un cambio significativo en el factor de amplificacin se tendr un cambio con los puntos Q (IBQ Y VCEQ) , por lo que el punto de trabajo se desplaza , en el caso de utilizar polarizacin por divisor de tensin tenemos muy poca variacin en la beta .Este tipo de polarizacin es muy utilizada, adems se le conoce como polarizacin universal.

RAZONAR PORQUE LAS CONDICIONES DE CORTE Y SATURACIN DETERMINAN LA RECTA DE CARGA PARA ESTE CIRCUITO.Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas que tienen y que nos aseguran que no se sobrepasen los valores mximos y mnimos, adems que aplicando esta polarizacin es seguro que el punto de trabajo estar en el punto que se estabilice.

CONCLUSIONESEn esta prctica se comprob lo que se sabia de forma terica respecto al cambio del punto de operacin, observe que este tipo de polarizacin es mejor que las anteriores debido a que proporciona mayor estabilidad del punto de operacin con respectos a lo cambios de beta. Adems tambin se observo que con el cambio de temperatura al implementar este tipo de polarizacin se tiene un cambio mnimo en las corrientes los voltajes.