laboratorio 1 transistores bjt

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ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITO DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA DE POTENCIA Laboratorio # 1 Tema: “Transistores BJT” Integrantes: - Fernando Barahona. - José Parreño. - Sandra Ponce. Fecha: Martes, 24 de Abril, 2012. Sangolquí – Ecuador

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Page 1: Laboratorio 1 Transistores BJT

ESCUELA POLITÉCNICA DEL EJÉRCITODEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Laboratorio # 1

Tema: “Transistores BJT”

Integrantes:

- Fernando Barahona.

- José Parreño.

- Sandra Ponce.

Fecha: Martes, 24 de Abril, 2012.

Sangolquí – Ecuador

Page 2: Laboratorio 1 Transistores BJT

CONTENIDO O INDICE

Laboratorio # 1.............................................................................................................................1

CONTENIDO O INDICE............................................................................................................2

TEMA:...........................................................................................................................................3

NOMBRE DEL PROYECTO..........................................................................................................3

LOCALIZACIÓN DEL PROYECTO.................................................................................................3

DIAGNOSTICO Y PROBLEMA.........................................................................................................3

IDENTIFICACION, DESCRIPCION Y DIAGNOSTICO DEL PROBLEMA...........................................3

LINEA BASE...............................................................................................................................3

ALCANCE..................................................................................................................................3

OBJETIVOS....................................................................................................................................3

OBJETIVO GENERAL..................................................................................................................3

OBJETIVOS ESPECIFICOS...........................................................................................................4

MARCO TEORICO..........................................................................................................................4

TEORIA.....................................................................................................................................4

CALCULOS DE LAS PERDIDAS DE POTENCIA.............................................................................7

SIMULACIONES.........................................................................................................................8

Datos de los tiempos de conmutación Simulados vs. Calculados.............................................9

CONCLUSIONES............................................................................................................................9

RECOMENDACIONES..................................................................................................................10

BIBLIOGRAFIA.............................................................................................................................10

Page 3: Laboratorio 1 Transistores BJT

TEMA:

TRANSISTORES BJT

NOMBRE DEL PROYECTO

Determinación teórica de las pérdidas de potencias en un circuito de conmutación con un transistor BJT, y comparación de sus tiempos de conmutación teóricos con los simulados.

LOCALIZACIÓN DEL PROYECTO

El proyecto es un proyecto únicamente teórico (por cálculos) y simulado, por lo que es un proyecto únicamente de aprendizaje y la aplicación (que seria indirecta) podría tener cualquier forma, y por tanto cualquier localización.

DIAGNOSTICO Y PROBLEMA

IDENTIFICACION, DESCRIPCION Y DIAGNOSTICO DEL PROBLEMA

Cuando se necesita realizar una conmutación mediante un circuito con un transistor BJT, la potencia disipada es algo importante, puesto que en circuitos de alta potencia, la esta no es despreciable y es algo importante a tomar en cuenta tanto para optimizar los recursos, como para refrigerar adecuadamente el circuito.

También es importante tomar en cuenta que los datos calculados teóricamente no son exactos, por lo que es necesario realizar una simulación, para comprobar que los valores sean lo mas exactos a los que se aplicaran.

LINEA BASE

El proyecto incluye el análisis de las pérdidas de potencia en un circuito de conmutación con un transistor BJT, así como la comparación entre los valores de los tiempos de conmutación obtenidos con cálculos con los simulados.

ALCANCE

El proyecto definitivamente esta hecho para implementarse, y por tanto nos sirve para saber que esperar de un circuito real de estos. Entonces también sería bueno obtener los datos reales y compararlos con los calculados y los simulados para obtener mayor información acerca del comportamiento de estos circuitos.

OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL

Analizar y comprender el funcionamiento real de este tipo de circuitos.

Page 4: Laboratorio 1 Transistores BJT

OBJETIVOS ESPECIFICOS

Calcular las potencias perdidas en este circuito. Simular el circuito y observar el comportamiento del mismo en sus

tiempos de conmutación. Comparar los tiempos de conmutación simulados con los calculados. Analizar esta información para llegar a conclusiones coherentes para ser

más aptos para la implementación de dicho circuito.

MARCO TEORICOTEORIA

Page 5: Laboratorio 1 Transistores BJT
Page 6: Laboratorio 1 Transistores BJT
Page 7: Laboratorio 1 Transistores BJT

(ElectrÓnica De Potencia. Muhammad H Rashid. Pag. 267-270)

CALCULOS DE LAS PERDIDAS DE POTENCIA

Page 8: Laboratorio 1 Transistores BJT

SIMULACIONES

Page 9: Laboratorio 1 Transistores BJT

Q1BUP41

R111

R2

0.75

Vbb

Vcc

A

B

C

D

+88.8

Volts

Fig.1 Circuito simulado en Proteus

Page 10: Laboratorio 1 Transistores BJT

Fig.2 Señales obtenidas

Datos de los tiempos de conmutación Simulados vs. Calculados.Datos simulados:

SIMULADOS CALCULADOSTon Td 1.1 us 0,5 us

Tr 2.1 us 1 usTn -- --Ts 5.9 5 us

Toff Tf 3.2 3 usTo -- --

CONCLUSIONES

Los resultados simulados no son exactos con los calculados debido a que la apreciacion de los instrumentos de simulacion no son lo suficientemente pequenas para medirlas exactamente.

Las pérdidas de potencia será mayor en desactivación, luego en conducción, almacenamiento, y por ultimo en desactivado será casi nula.

Page 11: Laboratorio 1 Transistores BJT

RECOMENDACIONES

Siempre se necesita, calcular los datos, despues simularlos, corregir los datos, e implementar. Incluso después de implementar, volver a medir los datos, para corregir de ser posible, el circuito, con la finalidad de que nuestro diseño antes de llegar a la etapa de producción, con la finalidad de que el mismo sea lo mas exacto y por lo tanto funcional que pueda ser.

Para tomar en cuenta de la mejor forma posible hay que ver en que estado estará nuestro circuito la mayor parte del tiempo (en el caso que nuestro conmutador cambien mucho de estado), con la finalidad de calcular las perdidas de la mejor manera.

Hay que tomar en cuenta las pérdidas de potencia en los elementos de electrónica de potencia, para analizar el consumo de potencia de la aplicación, en caso de que estas pérdidas sean considerables comparadas con las de la aplicación.

BIBLIOGRAFIA

ElectrÓnica De Potencia . Muhammad H Rashid. Pearson (Año: 2005, 3ª edición)ISBN: 9702605326

Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. Robert L. Boylestad & Lous Nashelsky. 2003 8a edición. ISBN 9702604362