UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA

PROGRAMA DE ASIGNATURA

ELECTRONICA I I GENERALIDADES Cdigo : ELC 115 Prerrequisito : Anlisis Elctrico I Nmero de horas / ciclo : 96 Nmero horas tericas semanales : 4 Nmero horas de laboratorio semanales: 2 Duracin del ciclo : 16 semanas Duracin hora clase : 50 minutos Unidades valorativas : 4 Ciclo : II/2013 Docentes : Ing. Jos Ramos Lpez II DESCRIPCION DE LA ASIGNATURA Este es un curso bsico de dispositivos electrnicos para estudiantes de ingeniera elctrica. La metodologa del curso establece un fundamento slido del funcionamiento fsico, anlisis y diseo de circuitos y sistemas electrnicos. Esta asignatura est pensada como la primera parte del estudio de la electrnica y se concentra en los principales dispositivos semiconductores diodo de unin, transistor de efecto de campo (MOSFET) y Transistor de unin bipolar (BJT). Esta parte del estudio de la electrnica est pensada para estudiantes que no tienen ningn conocimiento previo de electrnica. La base de matemticas y fsica obtenida en los primeros dos aos del programa de ingeniera elctrica son el nico requisito real para estudiar electrnica. Sin embargo la mayora de estudiantes ha tomado cursos de anlisis de circuitos antes de estudiar electrnica.

III OBJETIVOS GENERALES

1. Conocer y comprender la operacin fsica, anlisis y diseo de circuitos y sistemas electrnicos

IV METODOLOGIA DE LA ENSEANZA Dos lecturas semanales con una duracin de 1 hora 40 minutos por lectura. Ms una sesin experimental bisemanal

- Clases expositivas y demostraciones: (75%) - Laboratorios, y Tareas (25%)

V CONTENIDO.

DURACION UNIDAD CONTENIDO H.

CLASE H.

LABORA-TORIO

I- DIODO DE UNION P-N II- TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

1.0 Semiconductores intrnsecos y extrnsecos

1.1 Variaciones en las propiedades del silicio

1.2 Difusin

1.3 3.1 La unin en circuito abierto

1.4 3.2 La unin polarizada 1.5 La caracterstica voltaje-

corriente del diodo de unin 1.6 Dependencia de la

temperatura 1.7 Diodos de germanio 1.8 Diodos como elementos

circuitales 1.9 Modelos y aplicaciones 1.10 Diodos Zener

2.2 Transistor de Efecto de Campo

2.3 Caractersticas Voltaje corriente

2.4 FET de enriquecimiento (enhancement)

2.5 Caractersticas V-I del enhancement FET

2.6 FET de agotamiento (Depletion)

2.7 Caractersticas V-I del depletion FET

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III-TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR IV-AMPLIFICADORES DE UNA ETAPA

2.8 Anlisis DC 2.9 FETs como interruptores 2.10 FETs como

amplificadores 2.11 Modelo en pequeas

seales 2.12 Dispositivos CMOS

3.1 El BJT 3.2 Representacin Ebbers Moll 3.3 Caractersticas Base-Comn 3.4 Configuracin emisor comn 3.5 Modos de corte y saturacin 3.6 Modelos en DC 3.7 El BJT como interruptor 3.8 El BJT como amplificador 3.9 Modelo para pequeas seales

del BJT 3.10 BJT como diodo 3.11 Par con acoplamiento de

emisor 4.1 Amplificadores MOSFET 4.2 Amplificadores BJT

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VI EVALUACIONES Las evaluaciones y ponderaciones de los contenidos del curso se distribuirn de la siguiente forma: * Primera evaluacin parcial : Unidad 1 (semana del 12/09) 25% * Segunda evaluacin parcial : Unidad 2-4 (semana del 17/10) 25% * Tercera evaluacin parcial : Unidad 3-4 (semana del 21/11) 25% * * Laboratorios 25% Laboratorio 1 (Semana del 12/08) Laboratorio 2 (Semana del 26/08) Laboratorio 3 (Semana del 23/09) Laboratorio 4 (Semana del 07/10) Laboratorio 5 (Semana del 04/11) Totales 100%

VII BIBLIOGRAFIA

1 Sedra y Smith. Circuitos Microelectrnicas, Quinta Edicin. Mc-Graw-Hill, 2 edicin en espaol, 2006

2 Hambley. Electrnica, 2 edicin. Prentice Hall, 2001. 3 Horowitz. The Art of Electronics, 2nd Edition. Cambridge, 1990