practica iii

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PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE III.1 ING EMV PRÁCTICA III CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DE LOS PRINCIPALES DIODOS OBJETIVO GENERAL Obtener, medir e interpretar las características y parámetros típicos de los principales diodos. Objetivos particulares Obtener, medir e interpretar las características y parámetros de los principales diodos semiconductores, usando el software de simulación PSpace. Obtener, medir e interpretar las características y parámetros típicos de algunos diodos semiconductores, mediante los circuitos propuestos y el equipo del laboratorio de electrónica. Material necesario Software de simulación de circuitos PSpace. Manual de prácticas de laboratorio. Protoboard Pinzas de punta y corte Cables Un diodo rectificador, un diodo Zener con voltaje menor a 10V, un diodo LED y un diodo Schottky. Una resistencia de 1KΩ/0.5W Desarrollo de la Práctica. Empleando el software de simulación de circuitos PSpace y los ejercicios del instructivo de prácticas de laboratorio, el alumno obtendrá las curvas de comportamiento eléctrico de diferentes diodos semiconductores. En cada uno de los casos analizará, medirá e interpretará las principales características y parámetros de los mismos, los cuales reportará de acuerdo a lo indicado en el instructivo.

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Page 1: Practica III

PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE III.1 ING EMV

PRÁCTICA III

CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DE LOS

PRINCIPALES DIODOS

OBJETIVO GENERAL Obtener, medir e interpretar las características y parámetros típicos de los principales diodos. Objetivos particulares • Obtener, medir e interpretar las características y parámetros de los principales

diodos semiconductores, usando el software de simulación PSpace. • Obtener, medir e interpretar las características y parámetros típicos de algunos

diodos semiconductores, mediante los circuitos propuestos y el equipo del laboratorio de electrónica.

Material necesario ♦ Software de simulación de circuitos PSpace. ♦ Manual de prácticas de laboratorio. ♦ Protoboard ♦ Pinzas de punta y corte ♦ Cables ♦ Un diodo rectificador, un diodo Zener con voltaje menor a 10V, un diodo LED

y un diodo Schottky. ♦ Una resistencia de 1KΩ/0.5W Desarrollo de la Práctica. Empleando el software de simulación de circuitos PSpace y los ejercicios del instructivo de prácticas de laboratorio, el alumno obtendrá las curvas de comportamiento eléctrico de diferentes diodos semiconductores. En cada uno de los casos analizará, medirá e interpretará las principales características y parámetros de los mismos, los cuales reportará de acuerdo a lo indicado en el instructivo.

Page 2: Practica III

PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE III.2 ING EMV

3.1.- Curvas características del diodo rectificador Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.1 y obtenga la curva característica del diodo rectificador y reporte lo que se le solicita en la tabla 3.1.

+VG1

Ch1+ - Ch2+ -

OSC1

D1 1N4004

R1 1k

Figura 3.1.- Circuito utilizado para obtener la curva característica del diodo

rectificador.

Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Frecuencia de la señal de entrada Voltaje de umbral del diodo Voltaje de ruptura del diodo Corriente máxima en sentido directo para un voltaje pico VG1 = 30V

Tabla 3.1 Usando el mismo VG1 inicial aumente la frecuencia de la señal hasta 50kHz y observe la curva característica del diodo, indique si se modifica o permanece igual que la primera que obtuvo. _________________________________ 3.2.- Curva característica del diodo Zener Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.2 y obtenga la curva característica del diodo zener y reporte lo que se solicita en la tabla 3.2.

+

VG1

Ch1+ - Ch2+ -

OSC1

R1 1k

Z1 1N2804

Figura 3.2.- Circuito propuesto para obtener la curva característica del diodo

zener.

Page 3: Practica III

PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE III.3 ING EMV

Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Frecuencia de la señal de entrada Voltaje de umbral del diodo Voltaje de ruptura del diodo Corriente máxima en sentido inverso para un voltaje pico VG1 = 12V

Tabla 3.2 3.3.- Curva característica del diodo LED Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.3 y obtenga la curva característica del diodo LED, reporte lo que se indica en la tabla 3.3.

+

VG1

Ch1+ - Ch2+ -

OSC1

R1 1k

LED1 CQX35A

Figura 3.3.- Circuito propuesto para obtener la curva característica del diodo LED

Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Voltaje de umbral del diodo Voltaje de ruptura del diodo Corriente máxima en sentido directo para un voltaje pico VG1 = 5V

Tabla 3.3 3.4.- Curva característica del diodo Schottky Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.4, obtenga la curva característica del diodo schottky y reporte lo que se indica en la tabla 3.4.

Page 4: Practica III

PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE III.4 ING EMV

+

VG1

Ch1+ - Ch2+ -

OSC1

R1 1k

SD1 1N5817

Figura 3.4.- Circuito propuesto para obtener la curva característica del diodo

schottky Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Voltaje de umbral del diodo Corriente máxima en sentido directo para un voltaje pico VG1 = 5V

Tabla 3.4 Aumente el voltaje VG1 hasta observar el voltaje de ruptura del diodo Schottky usado, y reporte el valor VR = ___________ 3.5.- Curva característica del diodo Varicap en CD (Simulación) Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.5 y obtenga la curva característica del diodo varicap en corriente directa CD, reporte lo que se le solicita en la tabla 3.5.

+

VG1

Ch1+ - Ch2+ -

OSC1

R1 1k

VD1 BA102

Figura 3.5.- Circuito propuesto para obtener la curva característica en CD del

diodo varicap.

Page 5: Practica III

PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE III.5 ING EMV

Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Voltaje de umbral del diodo Corriente máxima en sentido directo para un voltaje pico VG1 = 15V

Tabla 3.5 Aumente el voltaje VG1 hasta observar el voltaje de ruptura del diodo Varicap y reporte el valor VR = ___________ 3.6.- Curva característica del diodo Diac (Simulación) Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.6 y obtenga la curva característica del diodo DIAC, reporte lo que se indica en la tabla 3.6.

+

VG1

Ch1+ - Ch2+ -

OSC1

R1

DIAC/30V

Figura 3.6.- Circuito propuesto para obtener la gráfica de un diodo DIAC.

Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Corriente máxima en el diac Voltaje de disparo positivo

Tabla 3.6. 3.7.- Curva característica del diodo Rectificador Controlado de Silicio SCR (Simulación) Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.7, obtenga la curva característica del diodo SCR, reporte lo que se indica en la tabla 3.7.

+

VG1

Ch1+ - Ch2+ -

OSC1

R1 10k

U2 2N1595

Figura 3.7.- Circuito propuesto para obtener la gráfica de un diodo rectificador

controlado de silicio SCR, cuando se anula la terminal de control.

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PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE III.6 ING EMV

Parámetro a medir Valor medido

Voltaje pico de la señal VG1

Voltaje de conmutación del diodo SCR

Voltaje de ruptura en sentido inverso

Tabla 3.7 3.8.- Curva característica del TRIAC (Simulación) Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.8, obtenga la curva característica del diodo TRIAC, reporte lo que se indica en la tabla 3.8.

+

VG1

Ch1+ - Ch2+ -

OSC1

R1 1k

U1 2N5444

Figura 3.8.- Circuito propuesto para obtener la gráfica de un TRIAC (doble diodo controlado de silicio), cuando la terminal de compuerta es anulada.

Parámetro a medir Valor medido

Voltaje pico de la señal VG1

Voltaje de conmutación para polarización positiva

Voltaje de conmutación para polarización inversa

Tabla 3.8