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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 1
1 Versión 1.0
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
EXPERIENCIA N° 1 DIODO SEMICONDUCTOR CARACTERÍSTICAS BÁSICAS
I. OBJETIVOS
Verificar las características de operación de los diodos
semiconductores
II. EQUIPOS Y MATERIALES
Fuente de poder DC
Multímetro
Miliamperímetro
Microamperímetro
Voltímetro DC
Diodo semiconductor de Silicio y Germanio
Resistencia de 100Ω
Cables y conectores
III. INFORME PREVIO
1. Buscar en los manuales y detallar las características de los diodos a utilizar (uno
de Silicio y otro de Germanio)
2. Explicar los conceptos de Resistencia Dinámica, Corriente de Polarización
Directa, Corriente de Polarización Directa y Tensión de Pico Inverso.
IV. PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de
Silicio. Registrar los datos en la tabla 1.1
Tabla 1.1
Rdirecta Rinversa
2. Implementar el circuito de la figura 1.1.
a. Ajustando la tensión de salida de la fuente de tensión (empezando de 0V),
observar y medir la corriente y la tensión directa del diodo. Llene la tabla 1.2.
b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,
proceder como en a), registrando los datos en la tabla 1.3
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 1
2 Versión 1.0
Figura 1.1
Tabla 1.2
Vcc(V)
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V)
Tabla 1.3
Vcc(V) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Id(mA)
Vd(V)
3. Usando el ohmímetro, medir la resistencia directa e inversa del diodo de
germanio. Registrar los datos en la tabla 1.4
Tabla 1.4
Rdirecta Rinversa
4. Repetir el circuito de la figura 1.1 para el diodo de germanio de manera similar
al paso 2. Proceda a llenar las tablas 1.5 y 1.6
Tabla 1.5
Vcc(V)
Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V)
Tabla 1.6
Vcc(V) 0.0 1.0 2.0 4.0 8.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Id(mA)
Vd(V)
V. CUESTIONARIO
1. Construir el gráfico Id = F(Vd) con los datos de las tablas 1.2 y 1.3 (Si).
Calcular la resistencia dinámica del diodo
2. Construir el grafico Id = F(Vd) con los datos de la tabla 1.5 y 1.6 (Ge).
Calcular la resistencia dinámica del diodo
3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas
4. Exponer sus conclusiones en el experimento
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 1
3 Versión 1.0
VI. OBSERVACIONES
Anote sus observaciones o recomendaciones (si las tuviera)
VII. BIBLIOGRAFÍA
Listar la bibliografía considerada para el desarrollo de la experiencia
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 2
1 Versión 1.0
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
EXPERIENCIA N° 2 DIODO ZENER CARACTERÍSTICAS BÁSICAS
I. OBJETIVOS
Verificar experimentalmente las características de funcionamiento del
diodo Zener
II. EQUIPOS Y MATERIALES
Fuente de poder DC
Multímetro
02 miliamperímetros
01 diodo Zener
Voltímetro DC
Resistencia de 100Ω, 330Ω y 4.7KΩ
Cables y conectores
III. INFORME PREVIO
1. Buscar en los manuales y detallar las características del diodo Zener a utilizar
2. Explicar la curva característica del diodo Zener y su utilidad como regulador de
tensión
IV. PROCEDIMIENTO
1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo Zener.
Registrar los datos en la tabla 2.1
Tabla 2.1
Rdirecta Rinversa
2. Armar el circuito de la figura 2.1
Figura 2.1
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 2
2 Versión 1.0
a. Aumentar lentamente la tensión de la fuente a fin de observar y medir los
datos registrados por los instrumentos. Llene la tabla 2.2
Tabla 2.2
Vcc(V)
Iz(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V)
b. Invertir el diodo a fin de verificar la polarización directa. Complete la tabla 2.3
Tabla 2.3
Vcc(V)
Iz(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V)
3. Implementar el circuito de la figura 2.2
Figura 2.2
a. Aumentar lentamente la tensión aplicada. Registre valores obtenidos en la
tabla 2.4
Tabla 2.4
Con carga Sin carga
VAA VZ(V) IZ(mA) It(mA) VZ(V) IZ(mA) It(mA)
V. CUESTIONARIO
1. Usando los datos de las tablas 2.2 y 2.3 construir la curva característica del
diodo Zener. Identificar el diodo Zener y también la corriente nominal
2. Verificar el porcentaje de regulación usando los resultados de la tabla 2.4.
Haga sus comentarios al respecto.
3. Desarrollar sus conclusiones acerca del experimento.
VI. OBSERVACIONES
Anote sus observaciones o recomendaciones (si las tuviera)
VII. BIBLIOGRAFÍA
Listar la bibliografía considerada para el desarrollo de la experiencia
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 3
1 Versión 1.0
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
EXPERIENCIA N° 3 EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP CARACTERÍSTICAS BÁSICAS
I. OBJETIVOS
Comprobar las características de funcionamiento de un transistor
bipolar PNP
II. EQUIPOS Y MATERIALES
Fuente de poder DC
Multímetro
Microamperímetro
Voltímetro DC
Transistor 2N3906
Resistores: Re = 330Ω, Rc = 1KΩ, R1 = 56KΩ y R2 = 22KΩ
Condensadores: Cb = 0.1uF, Cc = 0.1uF y Ce = 3.3uF
Osciloscopio
Potenciómetro
Cables y conectores
III. INFORME PREVIO
1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un
transistor bipolar
2. De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar 2N3906
3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento
IV. PROCEDIMIENTO
1. Verificar el estado operativo del transistor usando un ohmímetro. Llenar la tabla
3.1
Tabla 3.1
Rdirecta Rinversa
Base – Emisor
Base – Colector
Colector – Emisor
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 3
2 Versión 1.0
2. Implementar el circuito de la figura 3.1
Figura 3.1
a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener B
(P1 = 0)
b. Medir las tensiones entre el colector – emisor y entre emisor – tierra
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 3.2
d. Cambiar R1 a 68KΩ. Repetir los pasos a y b. Anote los resultados obtenidos
en la tabla 3.3
e. Aumentar el valor de resistencia de P1 a 100KΩ, 250K, 500K y 1M. Observar
lo que sucede con las corrientes Ic e Ib así como con la tensión Vcc (usar Re
= 0). Llene la tabla 3.5
3. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar la
salida Vo con el osciloscopio. Anote sus resultados en la tabla 3.4.
Tabla 3.2
Valores (R1 = 56KΩ) Ic(mA) Ib(uA) B VCE(V) VBE(V) VE(V)
Teóricos
Medidos
Tabla 3.3
Valores (R1 = 68KΩ) Ic(mA) Ib(uA) B VCE(V) VBE(V) VE(V)
Teóricos
Medidos
Tabla 3.4
Tabla Vi(mVpp) Vo (Vpp) AV Vo(Sin Ce) AV(Sin Ce)
3.2
3.3
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 3
3 Versión 1.0
Tabla 3.5
Q3 Q4 Q5 Q6
P1 100KΩ 250KΩ 500KΩ 1MΩ
Ic (mA)
Ib (uA)
Vcc (V)
V. CUESTIONARIO
1. Explicar el comportamiento del transistor al realizar su verificación de
operatividad con el ohmímetro.
2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del experimento.
Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 3.2, 3.3 y 3.5
3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 3.2 y 3.3?
4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 120KΩ?
5. Exponer sus conclusiones acerca del experimento
VI. OBSERVACIONES
Anote sus observaciones o recomendaciones (si las tuviera)
VII. BIBLIOGRAFÍA
Listar la bibliografía considerada para el desarrollo de la experiencia
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 4
1 Versión 1.0
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
EXPERIENCIA N° 4 EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN CARACTERÍSTICAS BÁSICAS
I. OBJETIVOS
Comprobar las características de funcionamiento de un transistor
bipolar NPN
II. EQUIPOS Y MATERIALES
Fuente de poder DC
Multímetro
Microamperímetro
Voltímetro DC
Osciloscopio
Transistor 2N3904
Resistores: Re = 220Ω, Rc = 1KΩ, R1 = 56KΩ y R2 = 22KΩ
Condensadores: Cb = 0.1uF, Cc = 0.1uF y Ce = 3.3uF
Potenciómetro de 1MΩ
Cables y conectores
III. INFORME PREVIO
1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un
transistor bipolar
2. De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar 2N3904
3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento
IV. PROCEDIMIENTO
1. Verificar el estado operativo del transistor usando un ohmímetro. Llenar la tabla
4.1
Tabla 4.1
Rdirecta Rinversa
Base – Emisor
Base – Colector
Colector – Emisor
2. Implementar el circuito de la figura 4.1
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 4
2 Versión 1.0
Figura 4.1
a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener B
(P1 = 0)
b. Medir las tensiones entre el colector – emisor (Vce), entre base – emisor (Vbe)
y entre emisor – tierra (Ve)
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 4.2
d. Cambiar R1 a 68KΩ. Repetir los pasos a y b. Anote los resultados obtenidos
en la tabla 4.3
e. Aumentar el valor de resistencia de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ y 1MΩ.
Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib así como con la tensión Vc
(usar Re = 0). Llene la tabla 4.5
3. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar la
salida Vo con el osciloscopio. Anote sus resultados en la tabla 4.4.
Tabla 4.2
Valores (R1 = 56KΩ) Ic(mA) Ib(uA) B VCE(V) VBE(V) VE(V)
Teóricos
Medidos
Tabla 4.3
Valores (R1 = 68KΩ) Ic(mA) Ib(uA) B VCE(V) VBE(V) VE(V)
Teóricos
Medidos
Tabla 4.4
Tabla Vi(mVpp) Vo(Vpp) AV Vo(Sin Ce) AV(Sin Ce)
4.2
4.3
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 4
3 Versión 1.0
Tabla 4.5
Q3 Q4 Q5 Q6
P1 100KΩ 250KΩ 500KΩ 1MΩ
Ic (mA)
Ib (uA)
Vc (V)
V. CUESTIONARIO
1. Explicar el comportamiento del transistor al realizar su verificación de
operatividad con el ohmímetro.
2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del experimento.
Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 4.2, 4.3 y 4.5
3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de las tablas 3.2 y 3.3?
4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 150KΩ? Explicar
los valores obtenidos
5. Indicar las diferencias más importante entre el circuito de este experimento
(transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP)
6. Exponer sus conclusiones acerca del experimento
VI. OBSERVACIONES
Anote sus observaciones o recomendaciones (si las tuviera)
VII. BIBLIOGRAFÍA
Listar la bibliografía considerada para el desarrollo de la experiencia
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 5
1 Versión 1.0
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA
EXPERIENCIA N° 5 DISPOSITIVOS FOTOELECTRÓNICOS DE DOS TERMINALES
CARACTERÍSTICAS BÁSICAS
I. OBJETIVOS
Verificar las características de funcionamiento de un LED
Verificar las características de un LDR
Verificar las características de funcionamiento de un fotodiodo
II. EQUIPOS Y MATERIALES
Fuente de poder DC
Multímetro
Miliamperímetro
Microamperímetro
Voltímetro DC
LED
LDR
Fotodiodo azul
Resistores: 510Ω, 1Ω, 51Ω
Cables y conectores
III. INFORME PREVIO
1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un LED.
¿Qué significa LED?
2. ¿Qué significa LDR? Indicar y explicar sus especificaciones de funcionamiento
3. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un
fotodiodo
IV. PROCEDIMIENTO
1. Verificación de un LED
a. Identificar los terminales de un LED
b. Usando un ohmímetro, verificar sus resistencias directa e inversa. Llenar la
tabla 5.1
c. Ajustar la fuente de corriente continua a una tensión comprendida entre 2 a
3V. Verificar la propiedad luminescente del diodo (No usar un mayor valor
de tensión).
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 5
2 Versión 1.0
Tabla 5.1
Rdirecta Rinversa
d. Implementar el siguiente circuito
Figura 5.1
Tabla 5.2
Vcc (V)
Id (mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd (V)
e. Ajustar los valores de tensión de la fuente DC, según se indica en la tabla
4.2. Anotar los valores leídos por el miliamperímetro y el voltímetro
2. Verificación de un LDR (fotoresistencia)
a. Usando el ohmímetro, verificar la propiedad fotoeléctrica del LDR. Anotar
su valor resistivo en la tabla 5.3
Tabla 5.3
Roscuridad Riluminando
b. Armar el siguiente circuito
Tabla 5.4
VLDRoscuridad VLDRiluminando
Figura 5.2
c. Medir la tensión en los terminales del LDR y anotar los datos en la tabla
5.4
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS EXPERIENCIA N° 5
3 Versión 1.0
3. Verificación de un fotodiodo
a. Usando el ohmímetro, verificar la propiedad fotoeléctrica del fotodiodo.
Anotar el valor resistivo en la tabla 5.5
Tabla 5.5
Roscuridad Riluminando
b. Implementar el circuito de la figura 5.3
Tabla 5.6
Roscuridad (uA) Iiluminando (uA)
Figura 5.3
El microamperímetro deberá estar en la escala de 150 uA por lo menos.
Llene la tabla 5.6
V. CUESTIONARIO
1. Explicar lo que sucede con el LED al realizar las actividades del paso 1.
2. Explicar el funcionamiento del LDR usado en el paso 2
3. Explicar el funcionamiento del fotodiodo usado en el paso 3 y compararlo
con respecto al LDR
4. Exponer sus conclusiones respecto al experimento
VI. OBSERVACIONES
Anote sus observaciones o recomendaciones (si las tuviera)
VII. BIBLIOGRAFÍA
Listar la bibliografía considerada para el desarrollo de la experiencia