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TRANSISTOR JFET JUNCTION FIELD EFECT TRANSISTOR

Daniel Santiago Bonilla Betancour Jairo Sebastián Páez Rive

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CONTENIDO

1. Historia

2. Construcción

3. Polarización

4. Principio de Funcionamiento

5. Corriente en el Drain

6. Voltaje Umbral7. Voltaje y Corriente de Saturación en el Drain

8. Curva Característica de un JFET

9. Aplicaciones

10. Ventajas y Desventajas

11. Resumen

12. Bibliografía

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HISTORIA

 Julius Edgar Lilienfeld John Bardeen, William Shockley y Walt

Houser Brattain.

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CONSTRUCCIÓN

• D = Drenador: (Del inglés Dterminal por al que salen los pdispositivo (los electrones en elos huecos en el de canal p)

• S = Fuente: (Del inglés Sourc

por el que entran los portado• G = Puerta: (Del inglés Gate)

mediante el que se controla laportadores a través del canal.

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CONSTRUCCIÓN

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POLARIZACIÓN

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

LINK

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

El JFET bajo polarización de compuerta cero de modo que el canal tiene un aberturagrande. Un dispositivo de esta clase se conoce como un dispositivo de modo deagotamiento

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

El dispositivo con una polarización de compuerta negativa muestra reducción en laabertura de canal y corriente.

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

La polarización de compuerta es grande y negativa y el canal se constriñe con lacorriente en el canal cero.

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

La polarización de drenaje es pequeña

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

La polarización de drenaje se incrementa y el canal se constriñe cerca del drenaje.

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PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

La polarización de drenaje aumenta a un punto donde el canal se constriñe en el ladodel drenaje.

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CORRIENTE EN EL DRAIN

Con Vg=0

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VOLTAJE UMBRAL

• Con Vg

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VOLTAJE UMBRAL

• Aplicando un Vg más grande.• Aplicando Vds más grande.

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VOLTAJE UMBRAL

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VOLTAJE Y CORRIENTE DE SATURACIÓN EN EL DR

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CURVA CARACTERÍSTICA DE UN JFET

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EJEMPLO

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APLICACIONES

Multiplexor

Amplificadores de bajo ruido

Resistencia controlada por voltaje

Aislador ó desacoplador

Muestreador

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APLICACIONES

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APLICACIONES

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APLICACIONES

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APLICACIONES

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VENTAJAS Y DESVENTAJAS

Poco ruido

Impedancia elevada

Facilidad en fabricación

Respuesta en frecuencia pobre

Linealidad pobre

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RESUMEN

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RESUMEN

Corriente debido a portadores mayoritarios.

Uniones p+n en inverso. Corriente inversa

Diferencia de potencial de saturación

Resistencia controlada por la diferencia de potencial

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BIBLIOGRAFÍA

Malvino, A.. (2000). Principios de electrónica. Buenos Aires: Mc Graw Hill.

Singh, J. (1997). Dispositivos semiconductores. Buenos Aires: Mc Graw Hill.

Colinge, J. (2005). Physics of semiconductor devices. New York: Kluwer Academic Publishers.