es la memoria dinámica de acceso aleatorio cuyo acrónimo corresponde a su nombre en inglés...

7/23/2019 Es La Memoria Dinmica de Acceso Aleatorio Cuyo Acrnimo Corresponde a Su Nombre en Ingls Dynamic Rando

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Es la memoria dinmica de acceso aleatorio cuyo acrnimocorresponde a su nombre en ingls Dynamic Random Access Memory.

Tiene una capacidad de retencin de datos muy corta en tiempo,razn por la cual requiere de circuitera para re!rescar el contenido

almacenado en ella cada determinado tiempo. Esto !unciona demanera similar a un cubo con agua lleno de "oyos# al llenarsecomienza a $aciarse y debe de "aber una persona que est re$isandoconstantemente el cubo para mantenerlo al ni$el original dentro deun rango de seguridad. El cubo lleno sera el equi$alente al uno %&'lgico y el $aco al cero %(' lgico. Al tiempo que toma la re$isin delestado del agua de la analoga, se le llama tiempo de re!resco en elcircuito.

Esta es la memoria de traba)o, por lo que a mayor cantidad dememoria, ms datos se pueden almacenar en ella y ms aplicacionespueden estar !uncionando simultneamente. De manera similar, amayor cantidad de memoria mayor $elocidad de acceso relati$a, pueslos programas no necesitan buscar datos continuamente en el discoduro, el cual es muc"o ms lento. Esta situacin constantemente, caside manera "abitual, pro$oca con!usin sobre la relacin cantidad dememoria * $elocidad de proceso, ya que com+nmente se cree que lamemoria aumenta la $elocidad de procesamiento, sin embargo, la$elocidad de proceso sigue siendo la misma# la di!erencia en eltiempo de respuesta es meramente apreciati$a debido a que con msmemoria los datos estn en RAM, que es un medio de

almacenamiento que regularmente tiene un tiempo de acceso dadoen nanosegundos mientras que el disco duro tiene un tiempo deacceso dado en milisegundos. a cantidad de memoria no a!ecta la$elocidad de procesamiento, sino la de acceso a los datos, siempre ycuando se encuentren cargados en ella.

DRAM est disponible en el mercado con di$ersas tecnologas quecentralmente son iguales. a di!erencia est com+nmente en la !ormaen que est organizada y cmo es accesada. Esto usualmenteconduce a una con!usin com+n en las computadoras que mencionanla utilizacin de DRAM o simplemente RAM, ya que todo tipo de

memoria en uso es una $ariacin de la DRAM y absolutamente toda lamemoria de uso en la computadora es RAM.

En tanto los procesadores adquieren mega"ertz, la memoria debe deincrementar linealmente su e-ciencia y $elocidad. as compaas!abricantes "an in$entado arquitecturas progresi$amente ms$eloces para permitir este incremento, sin embargo, las di!erenciasentre las tecnologas no es tan grande, ya que usualmente la$ariacin entre los acrnimos de las tecnologas DRAM es resultadode cambios en la !orma en que la DRAM est conectada, con-guradao direccionada internamente, adems de algunos circuitos especialespara me)orar el desempeo del dispositi$o, llegando a e/tremos en


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los que se integran circuitos de 0RAM directamente en el mduloDRAM para aumentar el desempeo.

De manera similar, usualmente la cantidad de memoria en un equipode cmputo tendr un e!ecto ms incisi$o en el desempeo que la

calidad de la memoria en s.

a memoria RAM dinmica puede ser de di!erentes tipos de acuerdo ala tecnologa de !abricacin1 23M, ED4, 0DRAM, 5ED4 , RDRAM yDDRRAM. Adems, cualquiera de los tipos anteriores puedepresentarse en mdulos de memoria sin paridad, con paridad, con o

sin E66, etc.

os mdulos de memoria con paridad sedistinguen porque tienen un n+mero impar depastillas de silicio. El circuito impar es el deparidad, que se utiliza para comprobar el 7u)ode datos y eliminar los errores que se puedenproducir. Este tipo de memoria se utiliza

especialmente en ser$idores, por la necesidad de mantener laintegridad de los datos.

a memoria con cdigo de correccin de errores o E66 por las siglasde su nombre en ingls Error 6orrecting 6ode usa principalmente enser$idores y poseen un mtodo di!erente de correccin de erroresms preciso que el anterior. a di!erencia consiste en que en los

mdulos con paridad se compara cada byte antes y despus de pasarpor la DRAM y si se detecta un error se eliminan los datos y se repiteel proceso de lectura, pero no se sabe dnde ocurri e l error. En losmdulos E66 los errores se detectan con mayor precisin y se puedencorregir los errores.

En la memoria sin paridad, no se detectan los errores y los datos seprocesan tal y como estn almacenados en la circuitera con laconsiguiente posibilidad de corrupcin que se produceocasionalmente en los equipos.

FPM(Fast Page Mode , Modo de Paginamiento Rpido )

0u nombre procede del modo en que trans-ere los datos, llamadopaginamiento rpido. Es la memoria ms com+n y la que utiliza latecnologa ms $ie)a. Es el tipo de memoria estndar en lascomputadoras con procesadores 89:, ;9: y los primeros 3entium .leg a alcanzar $elocidades de "asta :( nanosegundos %ns'. 0epresentaba en mdulos 0


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como el puerto simple, que slo permita un acceso de &: bits a la$ez, as como su ba)a $elocidad de operacin dieron pie a la creacinde nue$as tecnologas con mayor $elocidad, una ruta de datos msamplia y puerto doble para permitir la lectura?escritura simultnea.

EDO (Extended Data Output, Salida Extendida de datos)

a memoria ED4 , cuyo nombre son las siglas para 0alida E/tendidade Datos en ingls, utiliza la misma tecnologa que la 23M con unaligera modi-cacin en el ciclo de acceso que aumenta su desempeode un @ a >(. En la memoria ED4 la lectura a memoria puedecomenzar antes de que la anterior "aya terminado completamente.

0u mayor calidad le "izo alcanzar $elocidades de "asta ;@ ns,de)ando satis!ec"os a los usuarios de los ordenadores 3entium,3entium 3ro, y los primeros 3entium bits y mdulos D


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Este tipo de memoria, en principio con tecnologa 0DRAM, ye$entualmente con ED4, cumple las especi-caciones establecidas por


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>ns y alcanzar tasas de trans!erencia de @88 MBz, con picos de &.:I5?s.

Es el complemente ideal para equipos con uso intensi$o de memoriaque requieran de altas tasas de trans!erencia sostenidas tales como

estaciones de traba)o, ser$idores e inclusi$e tar)etas gr-cas AI3,e$itando los cuellos de botella en la trans!erencia entre la tar)etagr-ca y la memoria de sistema durante el acceso directo a memoriapara el almacenamiento de te/turas gr-cas.

no de los problemas ms grandes con la memoria Rambus es su altocosto de produccin comparado con el de la 0DRAM y DDR RAM,adems de que por tratarse de una tecnologa propietaria de Rambus@MBz, pudiendo doblar estas$elocidades en la trans!erencia de datos a memoria. Esta $elocidadpuede incluso llegar a triplicarse o cuadriplicarse, con lo que seadapta a los nue$os procesadores y al AI3 &((M"z />, /; y /9. Estetipo de memoria tiene la $enta)a de ser una e/tensin de la memoria0DRAM, con lo que !acilita su implementacin por la mayora de los!abricantes, aunque en un principio no dispona del apoyo de


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quien contaba con su tecnologa propietaria RDRAM, y adems, al seruna arquitectura abierta, no "ay que pagar derec"os a !abricantealguno. F


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presentacin de un gran n+mero de colores y para altasresoluciones de pantalla. Es un poco ms econmica que laanterior.

RAM de Etiueta (-ag RAM)

Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato dememoria DRAM que "ay en la memoria cac". 0i el procesadorencuentra una direccin en la Tag RAM, $a a buscar los datosdirectamente a la memoria cac" si no, $a a buscarlos directamente ala memoria principal.

6uando se "abla de la memoria cac"eable en las placas basepara3entium con los con)untos de circuitos ;8(2, ;8(F, ;8(B y ;8(Tde


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Esta tecnologa, bautizada como Memoria 4$nica ni-cada %4$onic ni-edMemory', se "a puesto en estudio como memoria base para la siguiente generacinde dispositi$os independientes.

a memoria 4$nica adquiere su nombre de O4$s"insKyO y OElectronicO, y podra serun reemplazo de la memoria de parpadeo, adems de la DRAM y la 0RAM para los

dispositi$os independientes que no requieren de una memoria de alto desempeo.

RAM Magn1tica (Magnetic RAM, MRAM)

a Memoria Magntica de Acceso Aleatorio o MRAM por las siglas de su nombre eningls, Magnetic Random Access Memory, !ue desarrollada durante la dcada de&G=(, pero raramente comercializada, "a sido in$estigada y desarrollada por


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RAM de 2entana (3indo4 RAM, 3RAM)

a RAM de Fentana o LRAM, por su nombre en ingls Lindo RAM,es una modi-cacin de la FRAM que me)ora el desempeo y reduce elcosto en base bit a bit. Est diseada espec-camente para ser

utilizada en tar)etas gr-casy "ereda el puerto dual con un >@ deme)ora en su anc"o de banda con respecto a la FRAM, adicionando!unciones que permiten una mayor desempeo en las trans!erenciasde memoria para las operaciones gr-cas comunes como el dibu)adode te/to y llenado a bloques. Tiene un costo intermedio entre la FRAMy la DRAM.

a LRAM es ideal para ser utilizada en tar)etas gr-cas de alto ni$el y!ue popularizada por las 0eries Millennium de Ma/tor, que !ueron lasprimeras en alcanzar resoluciones de &:((/&>(( con color $erdadero.

a RAM de Fentana o Lindo RAM no tiene nada que $er conMicroso!t Lindos.

RAM S!ncona de 5/cos (Synchonous 5aphics RAM,S5RAM)

Esta es una tecnologa relati$amente nue$a que ataca el problemadel ba)o desempeo de la DRAM com+n incrementando la $elocidad ala que se trans-eren los datos de la memoria. 0IRAM tambin

incorpora !unciones espec-cas para traba)ar con caractersticas deaceleradores gr-cos integrados en las tar)etas de $ideo, me)orandoas la $elocidad de procesamiento del $ideo. 0IRAM sigue siendo untipo de memoria con un solo puerto, a di!erencia de la FRAM o laLRAM, pero o!rece un desempeo ms cercano a la FRAM que laDRAM debido a su diseo.

0IRAM es utilizada en tar)etas gr-cas de ni$eles medios ysuperiores donde el desempeo es importante, mas no as altasresoluciones. Matro/ Irap"ics es la empresa que es reconocida por sue/tensi$o uso de 0IRAM.

DRAM Multianco (Multian6 DRAM, MDRAM)

n tipo ms de memoria para $deo es la DRAM multibanco%MultibanK DRAM, MDRAM', creada por Mo0ys P5que pueden ser accesados directamente, en $ez de la utilizacin deun bloque monoltico, utilizado por las dems tecnologas, pudiendoreducir el costo de algunos componentes, ya que con esta tecnologaes posible crear circuitos con >.@M5, que es el mnimo requerido parauna resolucin de &(>;/=:9/>;, en $ez de los ;M5 que otras
http://www.tecnotopia.com.mx/mecatronica/video.htmhttp://www.tecnotopia.com.mx/mecatronica/vcomponentesvideo.htm#RAMDAChttp://www.tecnotopia.com.mx/mecatronica/memoriadram.htm#VRAMhttp://www.tecnotopia.com.mx/logitronica/somswindows.htmhttp://www.tecnotopia.com.mx/mecatronica/video.htmhttp://www.tecnotopia.com.mx/mecatronica/vcomponentesvideo.htm#RAMDAChttp://www.tecnotopia.com.mx/mecatronica/memoriadram.htm#VRAMhttp://www.tecnotopia.com.mx/logitronica/somswindows.htm


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tecnologas requieren. En general, esta tecnologa o!rece lassiguientes $enta)as1

Entela7ado8os accesos a memoria pueden ser entrelazadosentre los bancos, permitiendo que los accesos se superpongan

para pro$eer un me)or desempeo, sin la utilizacin de puertosdobles.

Flexiilidad en tama9os de memoia8 6on la memoriacon$encional +nicamente se pueden !abricar tar)etas de $deocon memoria en megabytes completos, lo que puede lle$ar a ungran desperdicio de memoria. 6on esta tecnologa se puedencrear tar)etas de $deo en incrementos de 8>P5.

Alteaciones en el desempe9o a causa del tama9o de la

memoia8En algunos casos, el diseo de la tar)eta de $deopermite que el incremento de memoria tambin a!ecte eldesempeo, lo cual no sucede con esta tecnologa.

a MDRAM tambin tiene $enta)as econmicas al ser ms barata su!abricacin con respecto a la FRAM, ms a+n cuando puede serorganizada para reducir la subutilizacin de la memoria. MDRAM esutilizada en equipos de alto ni$el y "a ganado popularidad gracias asus caractersticas de me)ora en desempeo as como en costoreducido, siendo su implementacin ms popular en la circuitera

Tseng abs ET:(((.

es la memoria dinámica de acceso aleatorio cuyo acrónimo corresponde a su nombre en inglés...

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