ESCUELA POLITECNICA NACIONAL

Nombre: Willy Coronel

Fecha: 23 de abril del 2015

Tema: Consultar el funcionamiento de un mosfet de agotamiento canal n

Figura 1. [1]

Imaginar la compuerta como un capacitor de placas paralelas y al canal como otra placa,

la placa aislante de bixido de silicio es el dielctrico. Con un voltaje negativo en la

compuerta, las cargas negativas en est repelen los electrones de conduccin

provenientes del canal y dejan a los iones positivos en su lugar. Por eso, el canal n se

queda con pocos de sus electrones lo cual disminuye su conductividad, mientras mas

grande es el voltaje negativo en las compuertas mas grande es el empobrecimiento o

agotamiento de electrones en el canal n. Con un voltaje de compuerta a fuente negativo,

VGS, el canal se empobrece totalmente y la corriente en el drenaje es cero. [1] [2]

Referencias:

[1] T. L. Floyd, El Mosfet, de Dispositivos electronicos, Mexico, Pearson Prentice Hall, 2008, p. 397.

[2] U. T. Nacional, Transistores De Efecto De Campo, de Electronica 1, pp.

http://www.frro.utn.edu.ar/repositorio/catedras/electrica/3_anio/electronica_1/apuntes/Transistor%20de%20Efecto%20de%20

Campo.%20-%20fets_2002.pdf.

Compuerta

Canal

Fuente