UNIVERSIDAD NACIONAL DE PILARFACULTAD DE CIENCIAS APLICADAS

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INSTITUTO TECNOLOGICO

PROFESORA: Ing. Freddy Medina

INTEGRANTES: Víctor Porfirio RiverosMelissa Silvia Giménez Báez

CURSO: 4˚ Año

CARRERA: Ingeniería Industrial

A ÑO : 2011

ElectrónicaCuestionario.

1. ¿Qué nombres se asignan a los dos tipos de transistores BTJ? Dibuje la construcción básica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios en cada uno. Dibuje el símbolo grafico junto a cada uno ¿Se altera algún elemento de esta información al cambiar de una base de silicio a una de germanio?

Los nombres que se le asignan a los dos tipos de transistores BTJ, pueden ser de germanio o de silicio.

Símbolos y tipos de transistor  Estructura interna del transistor bipolar

NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

PNP: El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

No se altera ninguna información.

2. ¿Cuál es la diferencia más importante entre un dispositivo bipolar y uno polar?

La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor polar es el modo de actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el polar el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.

Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.En resumen, destacamos tres cosas fundamentales: En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. En un FET, la tensión VGS controla la corriente ID. En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor.

3. ¿Cómo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operación de amplificación correcta del transistor?

Si se reduce la polarización en directo de la unión base-emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. A los electrones que dejan el emisor les será más difícil alcanzar el tope. Los electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energía, y los que alcanzarán el colector. Por tanto, una reducción de la polarización en directo provoca que la corriente a través del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al aumentar la polarización en directo de la unión base-emisor se reduce la barrera de potencial y se permite el flujo de un mayor número de electrones a través del transistor.

4. ¿Cuál es la corriente de fuga de un transistor?

Se dice que el transistor de la figura está en corte. Ha alcanzado su resistencia máxima entre colector y emisor y ha cortado la corriente. La escasa comente que aún fluye se debe a los portadores minoritarios de carga en el transistor y se considera como una corriente de fuga.

5. Dibuje una figura similar a la 3.3 para la unión con polarización directa de un transistor npn. Describa el movimiento resultante del portador.

6. Dibuje una figura similar a la 3.4 para la unión con polarización inversa de un transistor npn. Señale el movimiento resultante del portador.

7. Dibuje una figura similar a la 3.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor npn. Describa el movimiento resultante del portador.

8. ¿Cuál de las corrientes del transistor es siempre la mayor? ¿Cuál es siempre la menor? ¿Cuáles de las dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud?

En el transistor la corriente del emisor es la mayor. La corriente de base es mucho menor, la I E y I C son relativamente cercanas.

9. Si la corriente del emisor de un transistor es de 8mA e I B es de 1/100 de I C. Determine

los niveles de I C e I B

Datos : I E=8mA Formula, y Solución : I E=IC+ I B

I B=1

100mA I E=1 I C+ 1

100I C

I C=?8 mA=101

100IC → I C=

8 mA101100

=7.92 mA

I B=? I E=IC+ I B → I B=I E−I C=8 mA−7.92 mA=0.079 mA

10. Defina I CBOe I CEO ¿En que son diferentes? ¿Cómo están relaciones? ¿Por lo general sus magnitudes son cercanas?I CBO=corriente de fuga .Colector−base .

I CEO=corriente de fuga .Colector−emisor .

En queuno relaciona base−colector , y el otrocolector−emisor .En queambos soncorrientes de fuga y sus magnitudes soncercanas.

11. Utilizando las características de la figura 3.14:a) Encuentre el valor I C correspondiente a V BE=+750 mV y V CE=+5V

b) Encuentre el valor de V CE y V BE correspondiente a I C=3mA e I B=30 μA

Datos : I C=? I B=30 μA

V BE=750 mV I C=3.2 mA

V CE=5 V

V C E=? V BE=750 mV

V BE=? V C E=3 .4V

I C=3mA

I B=30 μA