ejercicios resueltos optoelectronica 12722

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OPTOELECTRÓNICA CURSO 06/07 ELAI-EUITI TEMA 1 - INTRODUCCIÓN Problema 1 Un láser de inyección tiene una región activa GaAs con un salto de energía de 1.43 eV, si la velocidad de la luz en el material es v=10 8 m/s, calcule: 1. La longitud de onda de las emisiones ópticas del dispositivo y su ancho de frecuencia en Hertz cuando el ancho espectral es 0.1 nm. 2. El módulo del vector de ondas h = 6,624 10 -34 J.seg ; c = 3 10 8 m/s Problema 2 Una fuente de luz puntual emite una potencia de 10W de forma isótropa a una longitud de onda de λ =500nm. Calcule 1. La intensidad radiante y la intensidad luminosa 2. La irradiancia y la iluminancia a una distancia de 1 Km de la fuente 3. La energía de un fotón a esa longitud y a la velocidad de la luz c = 3 10 8 m/s 4. El número de fotones por unidad de tiempo que atraviesa una superficie de 1mm 2 colocada a 1Km de la fuente h = 6,624 10 -34 J.seg ; c = 3 10 8 m/s Problema 3 Calcular el ángulo crítica para obtener una reflexión interna total entre In1-xGaxAsyP1-y y GaAs trabajando en la tercera ventana a una longitud de onda λ =1550nm Datos: GaAs : µ r =1 y ε r =13,1 In 1-x Ga x As y P 1-y siendo x= 0,4084 e y=2,2x Para determinar el valor del índice de refracción se puede utilizar la fórmula de Nahoruy- Pollack: n(y)= 3,4+0,256y-0,095y 2 Cuestión Explicar cuales son las principales diferencias entre un material de gap directo y uno de gap indirecto. Poner un ejemplo de cada uno de estos materiales

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  • OPTOELECTRNICA CURSO 06/07 ELAI-EUITI

    TEMA 1 - INTRODUCCIN

    Problema 1 Un lser de inyeccin tiene una regin activa GaAs con un salto de energa de 1.43 eV, si la velocidad de la luz en el material es v=108 m/s, calcule:

    1. La longitud de onda de las emisiones pticas del dispositivo y su ancho de frecuencia en Hertz cuando el ancho espectral es 0.1 nm.

    2. El mdulo del vector de ondas h = 6,624 10-34 J.seg ; c = 3 108 m/s

    Problema 2 Una fuente de luz puntual emite una potencia de 10W de forma istropa a una longitud de onda de =500nm. Calcule

    1. La intensidad radiante y la intensidad luminosa 2. La irradiancia y la iluminancia a una distancia de 1 Km de la fuente 3. La energa de un fotn a esa longitud y a la velocidad de la luz c = 3 108 m/s

    4. El nmero de fotones por unidad de tiempo que atraviesa una superficie de 1mm2

    colocada a 1Km de la fuente

    h = 6,624 10-34 J.seg ; c = 3 108 m/s

    Problema 3 Calcular el ngulo crtica para obtener una reflexin interna total entre In1-xGaxAsyP1-y y GaAs trabajando en la tercera ventana a una longitud de onda =1550nm

    Datos: GaAs : r=1 y r=13,1 In1-x Gax Asy P1-y siendo x= 0,4084 e y=2,2x Para determinar el valor del ndice de refraccin se puede utilizar la frmula de Nahoruy-Pollack: n(y)= 3,4+0,256y-0,095y2

    Cuestin

    Explicar cuales son las principales diferencias entre un material de gap directo y uno de gap indirecto. Poner un ejemplo de cada uno de estos materiales

  • OPTOELECTRNICA CURSO 06/07 ELAI-EUITI

  • OPTOELECTRNICA CURSO 06/07 ELAI-EUITI

    Problema 1 Un lser de inyeccin tiene una regin activa GaAs con un salto de energa de 1.43 eV, si la velocidad de la luz en el material es v=108 m/s, calcule: 3. La longitud de onda de las emisiones pticas del dispositivo y su ancho de frecuencia en

    Hertz cuando el ancho espectral es 0.1 nm. 4. El mdulo del vector de ondas h = 6,624 10-34 J.seg ; c = 3 108 m/s

    Solucin 1. El salto de energa es 1.43 eV

    m)( 0,289

    10 43x1,6,110 x 10 6,624

    E vh

    19-

    8-34===

    Si =1nm

    Hz19 9,3910 0,1)10 867,0(

    10 3 c 9-9-26-8

    2 ===

    2. 1-66- m10 7,2110 868,022h ==

    =

    Problema 2 Una fuente de luz puntual emite una potencia de 10W de forma istropa a una longitud de onda de =500nm. Calcule

    5. La intensidad radiante y la intensidad luminosa 6. La irradiancia y la iluminancia a una distancia de 1 Km de la fuente 7. La energa de un fotn a esa longitud y a la velocidad de la luz c = 3 108 m/s

    8. El nmero de fotones por unidad de superficie que atraviesa una superficie de 1mm2

    colocada a 1Km de la fuente

    h = 6,624 10-34 J.seg ; c = 3 108 m/s

    Solucin 1. Fuente de luz puntual emitiendo de forma istropa (sr) 4 =

    lm09,220610x609,220lum ==

  • OPTOELECTRNICA CURSO 06/07 ELAI-EUITI

    cd 8,1754

    09,2206I sg/J 795,0410I lumlum

    radrad ==

    ====

    2. lux 10 8,1751000

    8,175dI

    E :anciaminIlu W/m10 5,791000

    795,0dI

    E :aIrradianci 6-22lum2-8

    22rad ======

    3. Energa de un fotn a =500nm : J10 3,9 10 500

    10 3 x 10 6,624c hE 199-8-34

    f==

    4. El flujo sobre un rea A

    sg/J10 5,79W10 5,7910x10 5,79A E A

    E Irradiacia 14-14-6-8recibidorecibido =====

    619-

    -1410 2

    10 9,310 5,79n == fotones/sg

    Problema 3 Calcular el ngulo crtica para obtener una reflexin interna total entre In1-xGaxAsyP1-y y GaAs trabajando en la tercera ventana a una longitud de onda =1550nm Datos:

    GaAs : r=1 y r=13,1 In1-x Gax Asy P1-y siendo x= 0,4084 e y=2,2x Para determinar el valor del ndice de refraccin se puede utilizar la frmula de Nahoruy-Pollack: n(y)= 3,4+0,256y-0,095y2

    Solucin 1. 61,31,13 n rrGaAs === y= 0,89848 n(y)= 3,4+0,256x0,89848 -0,095x0,898482 =3,55533

    Reflexin total n1>n2

    016,803,61

    3,55533sen arc nnsen arc

    nn

    2sen

    nnsen

    1

    2

    1

    2c c

    1

    2 =====