diseño de la red snubber
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I. DISEÑO DE LA RED SNUBBER
El diseño de la red snubber es un circuito de amortiguamiento de sobre picos,ya que a veces dichos sobre picos son capaces de generar rupturas en el semiconductor, dejándolo fuera de funcionamiento, para el diseño de la red de protección del semiconductor se procede a observar los datos arrojados por el fabricante del dispositivo. En la siguiente tabla se muestran las limitaciones del dispositivo.
Tabla 1 limitaciones del dispositivo [2]
La tabla 1 permite la visualización de los limitantes del dispositivo que se emplea para la función de switch.Máxima tensión que soporta (200v) y una corriente máxima (9 A). Es por ello que el transistor IRF630cuenta con las condiciones optimas para la conmutación del circuito.
La tabla 2 presenta las características inherentes del funcionamiento del transistor Mosfet IRF 630, entre las cuales se encuentran los siguientes parámetros:
Ls= internal source inductance. Cp= output capacitance. ID= continuous drain current tr= tum-on rise time. tf= tum-off fall time. VDSS= drain-sourcevoltage
Tabla 2 características eléctricas [2]
Ls=7.5 nH Cp=93 pf ID=9 A tr=19 ns tf =15 ns VDSS=200 v
A través de la información anterior se procede a hallar el circuito snubber [3] de protección para el transistor IRF-630.
R=√ LsCp
Ecuación (11)
¿√ 7.5 nf93 pf
=8.98Ω
C=ID (tr+tf )
vdssEcuación (12)
¿9(19 ns+15 ns)
200=1.53 nf