circuitos_integrados

Tecnología de circuitos integradosTecnología de circuitos integrados

Vi(t) Vo(t)

Circuito electrónico discreto Circuito integrado

Circuitos integrados: Escala de integración

SSI(Small Scale Integration)Un único chip incluye entre 1 y 10 puertas básicasEjemplo: biestables

MSI (Medium Scale Integration) Un único chip incluye entre 10 y 100 puertas básicasEjemplo: decodificadores, contadores, multiplexores

LSI (Large Scale Integration) Un único chip incluye entre 100 y 10000 puertas básicasEjemplo: memorias y algunos microprocesadores

VLSI (Very Large Scale Integration) Un único chip incluye entre 10000 y 100000 puertas básicasEjemplo: microprocesadores, memorias

ULSI (Ultra Large Scale Integration)Un único chip incluye más de 100000 puertas básicas

Ejemplo: memorias de gran capacidad


Símbolo

Tecnología Bipolar --> Transistores Bipolares

Esquema circuital

Sección del circuito integrado

EmisorBase


Tecnología MOS --> Transistores Mosfet

Símbolo

Esquema circuital

Sección del circuito integrado

Vdd

VinVout


Proceso de Fabricación de Circuitos Integrados

Lingote de Silicio Obleas de Silicio

Pasos para transferencia del diseño a la oblea

Oblea de Silicio con diseño de

CI´s transferido

Dados de SilicioTest dados de Silicio

Encapsulado del chip

Test final


Proceso de Fabricación de Circuitos Integrados Elaboración del substrato

Método Czochralsky


Proceso de Fabricación de Circuitos Integrados Realización de capas activas

Difusión TérmicaHorno

Dopante

Portaobleas

Implantación Iónica

Crecimiento Epitaxial


Proceso de Fabricación de Circuitos Integrados Definición de la geometría de los

componentes

Proceso de fotolitografía


Proceso de Fabricación de Circuitos Integrados Deposición de materiales

• Pulverización Catódica o Sputtering

Alto vacío

Porta substratos

Oblea

Ar+

- - - - - - -

Ar+ Ar+

Campanade cuarzo


Proceso de Fabricación de Circuitos Integrados Transistor MOSFET con tecnología de

puerta de polisilicio

Substrato tipo pOxidación de la oblea

Substrato tipo p

Grabado del óxido gruesoSubstrato tipo p

Crecimiento del óxido depuerta

Substrato tipo p

Deposición y grabado delpolisilicio

Substrato tipo p

Implantación de lasregiones de fuente ydrenador

N+ N+

Substrato tipo p

Oxidación y apertura decontactos

N+ N+

Substrato tipo p

MetalizaciónN+ N+

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