cinã‰tica en el plano de un cuerpo rã-gido impulso y momentum

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Palabras Clave Movimiento, impulso, impacto excéntrico, cantidad de movimiento. Resumen En esto caso utilizaremos los principios de impulso, cantidad de movimiento lineal y angular, los cuales implican casos en los que están implícitas la fuerza, velocidad y tiempo. La cantidad de movimiento lineal es la sumatoria de todos los momentos lineales de las partículas que conforman en ese cuerpo. Cantidad de movimiento angular se da con respecto a un punto referencial eso es igual al “momento” de su cantidad de movimiento lineal. El principio de impulso y cantidad de movimiento o momentum para un cuerpo las cuales se pueden desarrollar si se conjuntar la ecuación del movimiento con la cinemática. I. INTRODUCCIÓN Los circuitos rectificadores que analizaremos sus armónicos y ventajas de uso son los siguientes: 1. Momentum lineal y angular 2. Principio del impulso y el momentum 3. Conservación del momentum 4. Impacto excéntrico Estos tres tipos de rectificadores trifásicos cumplen la misma función, tendremos que analizar las ventajas y desventajas que estos crean al comenzar a rectificar la onda sinusoidal de voltaje trifásico, mediante esto podremos tener nuestras propias conclusiones del tema analizado. II. SEMICONDUCTORES Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores como por ejemplo el campo eléctrico o el campo magnético, la temperatura o la presión, los elementos químicos más utilizados para crear semiconductores son el silicio (Si) y el germanio (Ge), estos se dividen en dos tipos: semiconductores tipo N y tipo P. Los semiconductores tipo N son los que se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de cargas libres (electrones) Los semiconductores tipo P como en el caso anterior también se obtienen del dopaje de un semiconductor, añadiéndole un cierto tipo de átomos para que aumente el número de portadores de carga libres. 1. Diodos de Potencia Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperación rápida) y Schottky. Los diodos de uso general están disponibles hasta de 3000V, 3500A, los diodos de recuperación rápida puede llegas hasta 3000V, 1000A. La recuperación inversa varía entre 0.1 y 5µs estos son esenciales para la interrupción en los circuitos rectificadores de potencia a alta frecuencia. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperación muy pequeño, típicamente en nano segundos. 2. Tiristores Un tiristor es uno de los tipos más importantes de dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma, se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. La característica de un tiristor es su

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Page 1: Cinã‰Tica en El Plano de Un Cuerpo Rã-gido Impulso y Momentum

Palabras ClaveMovimiento, impulso, impacto excéntrico, cantidad de movimiento.

ResumenEn esto caso utilizaremos los principios de impulso, cantidad de movimiento lineal y angular, los cuales implican casos en los que están implícitas la fuerza, velocidad y tiempo. La cantidad de movimiento lineal es la sumatoria de todos los momentos lineales de las partículas que conforman en ese cuerpo. Cantidad de movimiento angular se da con respecto a un punto referencial eso es igual al “momento” de su cantidad de movimiento lineal.

El principio de impulso y cantidad de movimiento o momentum para un cuerpo las cuales se pueden desarrollar si se conjuntar la ecuación del movimiento con la cinemática.

I. INTRODUCCIÓN

Los circuitos rectificadores que analizaremos sus armónicos y ventajas de uso son los siguientes:

1. Momentum lineal y angular2. Principio del impulso y el momentum3. Conservación del momentum4. Impacto excéntrico

Estos tres tipos de rectificadores trifásicos cumplen la misma función, tendremos que analizar las ventajas y desventajas que estos crean al comenzar a rectificar la onda sinusoidal de voltaje trifásico, mediante esto podremos tener nuestras propias conclusiones del tema analizado.

II. SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores como por ejemplo el campo eléctrico o el campo magnético, la temperatura o la presión, los elementos químicos más utilizados para crear semiconductores son el silicio (Si) y el germanio (Ge), estos se dividen en dos tipos: semiconductores tipo N y tipo P.

Los semiconductores tipo N son los que se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de cargas libres (electrones)

Los semiconductores tipo P como en el caso anterior también se obtienen del dopaje de un semiconductor, añadiéndole un cierto tipo de átomos para que aumente el número de portadores de carga libres.

1. Diodos de Potencia

Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperación rápida) y Schottky. Los diodos de uso general están disponibles hasta de 3000V,

3500A, los diodos de recuperación rápida puede llegas hasta 3000V, 1000A. La recuperación inversa varía entre 0.1 y 5µs estos son esenciales para la interrupción en los circuitos rectificadores de potencia a alta frecuencia.

Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperación muy pequeño, típicamente en nano segundos.

2. Tiristores

Un tiristor es uno de los tipos más importantes de dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma, se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor.

La característica de un tiristor es su estructura de 4 semiconductores pnpn con tres uniones pn. Tiene tres terminales: ánodo, cátodo y la compuerta como se puede observar en la figura 1.

Fig. 1. Estructura de un tiristor sus tres uniones pn y su simbología.

Los tiristores se fabrican por difusión.Cuando el voltaje de ánodo se hace positivo con respecto al de cátodo, las uniones J1 yJ3 tienen la polarización directa o positiva. La unión J2 tienen la polarización inversa, y solo fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que un tiristor esta en condición de bloqueo directo o está en estado desactivado llamando así a la corriente como corriente de estado inactivo.

3. Transistores (IGBT)

III. CIRCUITOS RECTIFICADORES DE VOLTAJE TRIFÁSICO

Un rectificador trifásico o convertidor trifásico es un

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dispositivo electrónico capaz de convertir una corriente alterna de entrada en una corriente continua de salida, mediante dispositivos semiconductores capaces de manejar grandes potencias como diodos, tiristores, entre otros. Los rectificadores trifásicos estos rectificadores son alimentados por fuentes trifásicas, por lo que son más eficientes y pueden manejar grandes potencias, ya que en su salida presentan menor rizado de la señal. Son utilizados principalmente en la industria para producir voltajes y corrientes continuos que generalmente impulsan cargas de gran potencia, como motores DC.

A pesar que estos rectificadores presentan menos rizo que un rectificador convencional, en muchas aplicaciones el factor de potencia y la distorsión armónica total de la línea se ven afectados, es por ello que se requiere el uso de filtros de armónicos

IV. AGRADECIMIENTOS

A continuación se coloca un ejemplo de agradecimiento. (Por favor tome en cuenta que el soporte económico debe ser agradecido en el pie de página sin numerar en la primera página.)

Los autores agradecen la colaboración prestada al ingeniero N. Sotomayor por la revisión de este documento.

V. REFERENCIAS

Las referencias son importantes por lo tanto deben estar completas y correctas. Ya que no hay se realiza comprobación de las mismas, una referencia equivocada o incompleta será publicada a menos que un revisor la note, por lo cual disminuirá el valor del artículo. Las referencias deben ser publicaciones de fácil obtención.

A continuación se presenta varios formatos correctos para diferentes tipos de referencia. En el artículo que se presente no se debe separar las referencias según el tipo, en el presente se las separa solo con fines didácticos. Las referencias se deben numerar de acuerdo a su aparecimiento en el texto, si no se las nombra pero se las utiliza se coloca a continuación de las anteriores en orden alfabético

Publicaciones periódicas:[1] L. I. Ruiz, A. García, J. García, G. Taboada. “Criterios para la

optimización de sistemas eléctricos en refinerías de la industria petrolera: influencia y análisis en el equipo eléctrico,” IEEE CONCAPAN XXVIII, Guatemala 2008

[2] G. Song, S. P. Schmidt and B. N. Agrawal, “Active vibrationsuppression of a flexible structure using smart material and modularcontrol patch,” Proc. Inst. Mech. Eng. vol .214, 2000, pp. 217–29.

Libros:[3] Barrientos A.; Peñin L.; y otros, “Fundamentos de Robótica,” Segunda

Edición. Editorial McGraw-Hill. España. 2007.. [4] G. O. Young, "Synthetic structure of industrial plastics," in Plastics, 2nd

ed., vol. 3, J. Peters, Ed. New York: McGraw-Hill, 1964, pp. 15-64.[5] J. Jones. (1991, May 10). Networks. (2nd ed.) [Online]. Disponible:

http://www.atm.com

Reportes Técnicos:[6] E. E. Reber, R. L. Mitchell, y C. J. Carter, "Oxygen absorption in the

Earth's atmosphere," Aerospace Corp., Los Angeles, CA, Tech. Rep. TR-0200 (4230-46)-3, Nov. 1968.

[7] S. L. Talleen. (1996, Apr.). The Intranet Architecture: Managing information in the new paradigm. Amdahl Corp., Sunnyvale, CA. [Online]. Disponible: http://www.amdahl.com/doc/products/bsg/intra/ infra/html

Artículos presentados en conferencias (No publicados):[8] Minchala, Ismael, Presentación curso “Visión Artificial”. National

Instruments. Ecuador, 2009.

Artículos de Memorias de Conferencias (Publicados):

[9] Basantes, J.; TORRES, F., “Desarrollo de un Sistema de Control para un Brazo Robótico mediante Adquisición y Procesamiento de Imágenes,” XXI JIEE, Quito, Ecuador, Nov. 2009.

Tesis:[10] Basantes, J.; TORRES, F., “Desarrollo de un Sistema de Control para

un Brazo Robótico mediante Adquisición y Procesamiento de Imágenes,” Proyecto de titulación, Escuela Politécnica Nacional, Quito, Ecuador. Feb. 2009.

[11] S.M. Newman, “Active damping control of a flexible space structure using piezoelectric sensors and actuators,”Master Thesis, U.S. Naval Postgraduate School, 1992

Estándares:[12] IEEE Guide for Application of Power Apparatus Bushings, IEEE

Standard C57.19.100-1995, Aug. 1995.

Patentes:[13] G. Brandli y M. Dick, "Alternating current fed power supply," Patente

U.S. 4 084 217, Nov. 4, 1978.

VI. BIOGRAFÍA

David Peñafiel, nació en Quito-Ecuador el 23 de febrero de 1990. Realizó sus estudios secundarios en el Colegio Nacional Técnico Vicente Rocafuerte en la cuidad de Quito. Se graduó con el título de Bachiller Técnico Eléctrico y Electrónico, en 2007. Participó en el Curso Intercolegial de física Aplicada, llevado a cabo en el Colegio Nacional José Rafael Bustamante, ganando el tercer lugar pro en proyecto de “Suelda Eléctrica a base de Solución salina”.

Actualmente desempeña el cargo de Auxiliar de ingeniería en la empresa Proyectos integrales del Ecuador PIL S.A., y Está cursando el 4º semestre en la carrera de Ingeniería eléctrica en la Universidad Politécnica Salesiana.Áreas de interés: Eléctrica de Potencia, Energías Renovables, informática y redes, microcontroladores, automatización y control industrial.([email protected]; [email protected])