catalogo de semiconductores
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Catálogo de semiconductores
Alumna: Rebeca Mena Flores Sección: 5-9
Diodo Rectificador
Características• Trabajan tanto en polarización inversa
como en directa. • Diseñados especialmente para convertir
CA en CC.• Se dividen en diodos de señal y diodos
de potencia.
precio 1N4004 ¢501N4007 ¢100
Diodo ZenerCaracterísticas• si se le aplica una corriente
del ánodo al cátodo (polarización directa) toma las características de un diodo rectificador básico, pero si se le suministra corriente de cátodo a ánodo (polarización inversa), el diodo solo dejara pasar una tensión constante.
• se comporta como un diodo convencional en condiciones de alta corriente porque cuando recibe demasiada corriente se quema.
Precio 5,6 V ¢250
Diodo túnel Características• Se denominan también diodos
Esaki.• Poseen una zona de agotamiento
extremadamente delgada.• En la curva V-I tiene una región de
resistencia negativa.
Precio¢60 a ¢100
Diodo LED
características• Hechos generalmente de arseniuro
de galio fosfatado (GaAsP).• Emiten una luz continua o
intermitente cuando se polarizan directamente.
• Se utilizan principalmente como indicadores y para la construcción de visualizadores.
• Bajo ciertas condiciones, pueden también actuar como detectores de luz.
Precio ¢45 a ¢250
Fotodiodo Características• Diodo provisto de une ventana
transparente cuya corriente inversa puede ser contralada regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide sobre la unión PN.
• Son muy utilizados como sensores de luz en fotografía, sistemas de iluminación, contadores de objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones ópticas.
Precio ¢80 a ¢100
Transistores
Dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
BJT
Características• Formado por dos uniones
PN de cristal semiconductor.• Se usan en electrónica
analógica primordialmente.• Esta formado por 3
regiones: Base, colector, emisor.• En su funcionamiento
normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa.Precio
¢ 250
JFET (Junction Field Effect Transistor)
Características• Se basan en el campo eléctrico
para controlar a un semiconductor.• Tiene 3 terminales llamadas: Puerta, drenador y fuente.• La puerta es la equivalente a la
base en un BJT.• Los transistores de efecto de
campo o FET más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.
Precio¢80 a ¢100
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET)
Características• Su nombre en realidad es
transistor de campo metal-óxido-semiconductor.
• Es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B).
• Existen dos tipos en función de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento.
Precio¢150 a ¢200
Tiristores
Dispositivo semiconductor que consta de cuatro capas parecidas a las de un diodo, es decir, con estructura pn. Tiene tres uniones, una pn, otra np, y otra pn. Así también tres terminales (ánodo, cátodo, compuerta).
SCRCaracterísticas• Esta formado por 3 uniones PN.• Su conducción entre ánodo y
cátodo es controlada por la puerta.• Es unidireccional en el caso de la
corriente.• Funciona como rectificador y
amplificador.• Es un interruptor casi ideal.• Es un amplificador eficaz.Precio
¢150 a ¢300
TRIACCaracterísticas:• Su nombre es: tríodo para corriente
alterna.• La diferencia es que este es
bidireccional.• Su disparo se realiza aplicando una
corriente a la puerta.• Funciona como interruptor estático
o electrónico.• Los de baja potencia se utilizan
como atenuador de luz.
Precio¢1300 de 4A
DIACCaracterísticas:• conduce cuando haya superado su
tensión de disparo.• La mayoría de los DIAC tiene una
tensión de disparo de 30 V.• Posee dos terminales el ánodo y el
cátodo.• Su uso específico (primordialmente)
es disparar los TRIACS.• Conduce en los dos sentidos de sus
terminales, o sea, bidireccional.
Precio¢60 a ¢150
IGBTCaracterísticas:• Su nombre es transistor bipolar de
puerta aislada.• Posee las características del FET
pero en alta corriente y baja saturación del BJT.
• Usado en aplicaciones de alta y media energía en fuentes conmutadas.
• Dispositivo de conmutación en sistemas de alta tensión.
Precio¢15 a ¢150
FIN