ejercicio de electronicaanalogica. … · @la corriente colector y la de base 7°. al aumentar el...
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EJERCICIO DE ELECTRONICAANALOGICA. 5/3/2012.1°GS
1°. Un transistor está constituido por dos uniones P-N, polarizadas:
a) Ambas inversamente
@ Una directamente y otra inversamente
c) Ambas directamente
2°. La corriente de electrones que circula por la base de un transistor NPN:
a) Es del orden del 20% de la total
@ Es del orden del 4% de la total
e) Es la totalque pasa por el transistor
3°. El efecto transistor, consiste en:
a) Hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada inversamente
b) Hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada directamente
0' Hacer pasar una gran corriente por una unión P-N polarizada inversamente,polarizando directamene la otra unión
4°. La barrera de potencial que se crea en un transistor de Si, tiene un valor aproximadode: . ,
a) O,3V
b) 1V
@0,7V
5°. En la operación nonnal de un transistor, el diodo colector - base, tiene
a) Polarización directa
® Polarización inversa
e) La misma que la del diodo emisor - base
6°. La ganancia de corriente de un transistor es la razón entre:
a) La corriente de colector y la de emisor
b) La corriente de emisor y la de base
@La corriente colector y la de base
7°. Al aumentar el voltaje de fuente del colector en un transistor, aumentará:
a) La corriente de base
@ La corriente de colector
e) La corriente de emisor
8°. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 200 y la corriente de colector es de100mA, la corriente de la base es de:
Gi)0,5mA
b) 2mA
e) 102mA
9°. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 100 y la corriente de emisor es300mA, la corriente de la base es exactamente de:
. JE- ~ 1\"]'0 = -- ',,: qt v..r.../~f-rla) O,33mA
@2,97mA
e) 3,3mA
10°. En un transistor NPN se mide VBE = 0,7V, VCE = 10V, la VCB es:
a) 10,7V
b) -9,3V
@9,3V (-
110. La potencia disipada por un transistor es aproximadamente igual a la corriente delcolector multiplicada por.
a) Vse
~~-=._~- ~~ b} VCs - - ~~ -=--=~-~~~ ~~"Ic _\J~~_~~~'._.---~- _--~ -=_- '_
0Yee
12°. Si en el emisor de un transistor PNP se miden 5V, la tensión que se mide en la basees:
a) 5,7V
04,3Vc) 5V
13°. Si en la base de un transistor NPN se miden 5V, la tensión que se mide en el emisores:
a) 5,7V
@,3Ve) 5V
5
14°. Si en la base de un transistor NPN se miden SV, la tensión que se mide en el emisores:
a) 5,7V
@,3Vc) 5V
------
/
15°. Si entre colector y base de un transistor PNP de Silicio se miden 5,1V. .ía tensión quese mide entre colector y emisor es:
a) 5,1V
b) 4,4VGs,8V16°. La le de saturación es:
a) 20 mA~ 5,84mAc:D 6,06 mA
a} 1;8 VA16,11V ••(3)10 V
18°. ta I por el LED es:
~13mAb) 50 mAe) 30 mA
1SO. El valor mínimo de Vi para saturar el transistor es:2'-1-2 t: 1.L_","", /).~ 24V
<..9V 7,59 Ve) 8,22 V
~+i 5v'20°. El valor de RB es:
á)S90Kb) 2 Ke) 143 K
Ue:.. 2 - 0\ t -= 1, ~ V
. \JF \-;']t~J<..:-:~ ~n~
,"" O , ( (S) I \ - -=-
21°. La Ve es:
+ \'Ov
~
3,02Vb) 5,21 Ve 8,89 V u c. """- lo - \S .D '']c. ::- iJ'2 IJ
~.~
22°. La Ve es:
\1 \0'"7 VJ í3.::' Y3) J : Jti ~ 5c¿~
U't -:..VtJ.fD 1-1: lt I~::t\J
le ~'IL -: l~ _O \3C ,-~A~~)' - I . 3JK
Ve ;.. Tc~) D:::- ~ \ ')C \J.< ~
fa)) 1,36 V'6) 3,27 V
e) 1,09 V
. + iS\.!
23°. La Ve es:L iI-=¡. lA
25°. La I por el LEO es: T +12.V U¡] :: '-!-, oJJ{ : f,':}LJ
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T{~3'L : I~_-_\)_('r -1.1~~JI. '2-'iJ-o. (
~
~ 20mA~27,88mA
e) 22,10 mA
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