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  • (5)(5)

    (2)(2)

    (1)(1)

    (3)(3)

    (4)(4)

    Calcula la posicin del nivel de Fermi a T=50 K para una muestrade silicio impurificada con una concentracin de impurezas Nd=1E16 cm-3 que crean un nivel de energa en el interior de la banda prohibida a 15 meV de la banda de conduccin. Calcula el nmero de electrones y huecos en el material, as como el porcentaje de impurezas que se encuentran ionizadas:

  • (5)(5)

    (7)(7)

    (6)(6)

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