Transistores IGBTs de potencia y Rels de estado slidos.

Transistores IGBTs de potencia y Rels de estado slidos.

Transistores IGBT

Transistor bipolar de puerta aislada.(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)

Transistores IGBT

Este dispositivo aparece en los aos 80.Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET.La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente.se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.

Transistores IGBT

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)Facilidad de manejo (MOSFET)

Transistores IGBT

Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 VEl MOSFET es el mejor por debajo de 250 VEn los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frecuencia etc.

Transistores IGBTPolarizacin:

Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S.

La seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G.

Transistores IGBT

Una vez se enve el pulso de 15v al terminal gate (G), el transistor empieza a funcionar continuamente.

Para apagar el transistor IGBT simplemente se quita el pulso o la seal de voltaje en gate (G).

El transistor IGBT requiere un valor lmite VGS (voltaje gate-source) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa.

Transistores IGBTCondiciones de uso de un IGBT:

Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Transistores IGBT

Aplicaciones del IGBT:

Control de motores.Sistemas de soldadura. Iluminacin de baja frecuencia (