ALGUNOS TIPOS DE TRANSISTORES

TRANSISTORESLic. Ronald Jess Guizado GonzalesDefinicin de TransistorEl transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia)

ALGUNOS TIPOS DE TRANSISTORESTransistor JFETTransistor MOSFETFototransistorTransistor de contacto puntualTransistor de unin bipolar3Transistor JFET

El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor de efecto de campo) es un dispositivo electrnico activo unipolar.4Las curvas caractersticas tpicas para estos transistores se encuentran en la imagen, ntese que se distinguen tres zonas importantes: la zona hmica, la zona de corte y la zona de saturacin.CURVA CARACTERSTICA DEL Transistor JFET

Ficha tcnica

TRANSISTOR MOFSET(En ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor): Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.

Estructura MOSFET y formacin del canalUn transistor (MOSFET) se basa en controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta est localizada encima del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de silicio. Si se utilizan otros materiales dielctricos que no sean xidos, el dispositivo es conocido como un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (MISFET). Comparado con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales (surtidor y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn separadas por la regin del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se indica con un signo '+' despus del tipo de dopado.

FICHA TCNICA

AplicacionesEs mayormente utilizado en circuitos tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Vase Tecnologa CMOS.

Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:

Resistencia controlada por tensin.Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.Fototransistor

Combinan en un mismo dispositivo la deteccin de luz y la ganancia. Su construccin es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se expone a la luz a travs de una ventana o lente.Un fototransistor es igual a un transistor comn, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:

Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo comn).Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminacin).Puede utilizarse de las dos en formas simultneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.CARACTERSTICAS

Ficha tcnica de un fototransistor

transistores de contacto puntualLlamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ah el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolarEl transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

CONSTRUCCIN DEL TRANSISTOREl transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaramos hablando de un transistor npn.

En la figura aparecen los smbolos que se utilizan para la representacin del transistor de unin bipolar. Para las corrientes se han representado los sentidos reales de circulacin de las mismas.Curva caracterstica