TRANSISTORES

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a

los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores

en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El

fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia

propio del transistor.

Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el

primero puede trabajar de 2 formas:

Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las

veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).

Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el

fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

Fototransistor:

FOTOTRANSITOR

El transistor uniunión .-es un tipo de tiristor que contiene dos zonas

semiconductoras.

Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base

dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los

terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor,

en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del

parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o

factor intrínseco.

Transistor uniunión:

El transistor bipolar de puerta aislada es

un dispositivo semiconductor que

generalmente se aplica como interruptor

controlado en circuitos de electrónica de

potencia.

Este dispositivo posee la características de las

señales de puerta de los transistores efecto

campo con la capacidad de alta corriente y

voltaje de baja saturación del transistor

bipolar, combinando una puerta aislada FET

para la entrada de control y un transistor

bipolar como interruptor en un solo dispositivo.

El circuito de excitación del IGBT es como el

del MOSFET, mientras que las características

de conducción son como las del BJT.

Transistor IGBT

JFET:

También llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de

campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de

silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto

óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma

más básica.

MESFET:

Transistores de efecto de campo metal semiconductor.

MOSFET:

Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos

componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada

para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como

una puerta, un electrodo de metal.

Transistores de Efecto de Campo: