1. ALUMNO: DILFOR ZEVALLOS ZARATECARRERA: ING. DE SISTEMAS

2. El transistor es un dispositivo electrnicosemiconductor que cumple funciones deamplificador, oscilador,conmutadororectificador. El trmino "transistor" es la contraccinen ingls de transfer resistor ("resistencia detransferencia"). Actualmente se encuentranprcticamente en todos los aparatos domsticosde uso diario: radios, televisores, grabadoras,reproductores de audio y video, hornos demicroondas, lavadoras, automviles, equipos derefrigeracin, alarmas,relojes de cuarzo,ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparasfluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos,ecgrafos, reproductores mp3, telfonos celulares,etc. 3. El transistor de unin unipolar, tambin llamadode efecto de campo de unin (JFET), fue elprimer transistor de efecto de campo en laprctica. Lo forma una barra de materialsemiconductor de silicio de tipo N o P. En losterminales de la barra se establece un contactohmico, tenemos as un transistor de efecto decampo tipo N de la forma ms bsica. Si sedifunden dos regiones P en una barra dematerial N y se conectan externamente entre s,se producir una puerta. A uno de estoscontactos le llamaremos surtidor y al otrodrenador. Aplicando tensin positiva entre eldrenador y el surtidor y conectando a puerta alsurtidor, estableceremos una corriente, a la quellamaremos corriente de drenador conpolarizacin cero. Con un potencial negativo depuerta al que llamamos tensin deestrangulamiento, cesa la conduccin en elcanal. 4. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, quecontrola la corriente en funcin de una tensin; tienen altaimpedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido medianteuna unin PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el quela compuerta se asla del canal mediante un dielctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significaMetal-xido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica yest separada del canal semiconductor por una capa de xido. 5. Los fototransistores sonsensibles a la radiacinelectromagntica enfrecuencias cercanas a lade la luz visible; debido aesto su flujo de corrientepuede ser regulado pormedio de la luz incidente.Un fototransistor es, enesencia, lo mismo que untransistor normal, slo quepuede trabajar de 2maneras diferentes: 6. Como un transistor normal con la corrientede base (IB) (modo comn). Como fototransistor, cuando la luz queincide en este elemento hace las veces decorriente de base. (IP) (modo deiluminacin). 7. Llamado tambin transistor depunta de contacto, fue el primertransistor capaz de obtenerganancia, inventado en 1947 porJ. Bardeen y W. Brattain. Constade una base de germanio,semiconductor para entoncesmejor conocidoque lacombinacin cobre-xido decobre, sobre la que se apoyan,muy juntas, dos puntas metlicasque constituyen el emisor y elcolector. La corriente de base escapaz de modular la resistenciaque se "ve" en el colector, de ahel nombre de "transfer resistor". 8. Se basa en efectos de superficie, pococonocidos en su da. Es difcil de fabricar (laspuntas se ajustaban a mano), frgil (un golpepoda desplazar las puntas) y ruidoso. Sinembargo convivi con el transistor de unin (W.Shockley, 1948) debido a su mayor ancho debanda. En la actualidad ha desaparecido. 9. CARACTERISTICAS Los valores mximos absolutos TC = 25 C amenos que se indique lo contrario Smbolo de los parmetros NDP6030PLNDB6030PL unidades VDSS drenaje-fuente de tensin -30 V VGSS puerta-fuente de tensin - Continuo 16 V Identificacin Consumo de corriente - continua -30 ACARACTERSTICAS TRMICAS RqJC Resistencia trmica, conexin a Caso 2 C /W RqJA Resistencia trmica, Junction-a-ambiente62.5 C / W NDP6030PL Rev.B1 Un -30, -30 V. RDS (on) = 0,042 W @ VGS = -4,5 V RDS (on) = 0,025 W @ VGS = -10 V. Crticos de los parmetros elctricos de corrientecontinua especificadas a temperaturas elevadas 10. Popular Fairchild JFET transistor para lospedales de guitarra y preamplificadores enun caso de TO-92.Compatible con RoHS. 11. CARACTERISTICAS Material: Si La estructura de transistor: npn Mxima disipacin de potencia continuacolector del transistor (Pc): 117W Limite el colector DC-base (Ucb): 110V Lmite de colector-emisor del transistor detensin (Uce): 100V Lmite de tensin emisor-base (Ueb): 7V Mxima corriente continua de colector deltransistor (Ic max): 15A Temperatura lmite de unin pn (Tj): 200C Frecuencia de corte de la relacin detransferencia corriente del transistor (Ft):800KHz Capacidad de la unin de colector (Cc), Pf: - Esttica coeficiente de transferencia decorriente en el circuito con emisor comn(Hfe), min/max: 20/70 Fabricante: KELTRON Caso: TO3 12. CARACTERISTICAS Material: Si La estructura de transistor: npn Mxima disipacin de potencia continuacolector del transistor (Pc): 75W Limite el colector DC-base (Ucb): 70V Lmite de colector-emisor del transistor detensin (Uce): 60V Lmite de tensin emisor-base (Ueb): 8V Mxima corriente continua de colector deltransistor (Ic max): 10A Temperatura lmite de unin pn (Tj): 150C Frecuencia de corte de la relacin detransferencia corriente del transistor (Ft):800KHz Capacidad de la unin de colector (Cc), Pf: - Esttica coeficiente de transferencia decorriente en el circuito con emisor comn(Hfe), min/max: 20/80 Fabricante: STI Caso: TO220 13. CARACTERISTICAS Material: Si La estructura de transistor: npn Mxima disipacin de potencia continuacolector del transistor (Pc): 3.5W Limite el colector DC-base (Ucb): 80V Lmite de colector-emisor del transistor detensin (Uce): 40V Lmite de tensin emisor-base (Ueb): 5V Mxima corriente continua de colector deltransistor (Ic max): 1A Temperatura lmite de unin pn (Tj): 150C Frecuencia de corte de la relacin detransferencia corriente del transistor (Ft):60MHz Capacidad de la unin de colector (Cc), Pf:25 Esttica coeficiente de transferencia decorriente en el circuito con emisor comn(Hfe), min/max: 40/300 Fabricante: PHO Caso: TO126