trabajo colaborativo 2_carlos casadiego
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TRABAJO COLABORATIVO 2
CARLOS ALBERTO CASADIEGO GUERRERO.CÓDIGO. 5.092.235
Ing. YACIRO CABEZASEmail: [email protected]
TUTOR
GRUPO COLABORATIVO 100414-124
UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIAPROGRAMA. INGENIERÍA DE SISTEMAS
CURSO ELECTRÓNICA DIGITALCEAD VALLEDUPAR CESAR
NOVIEMBRE 2012
OBJETIVOS
GENERAL
Adentrarnos al conocimiento de los semiconductores que nos permita entender su funcionalidad dentro de un circuito integrado.
ESPECÍFICOS
Enunciar las principales características y diferencia existentes entre los diversos tipos de materiales aislantes, conductores y semiconductores
Indagar sobre diversos tipos de diodos diferentes a los rectificadores, LED, Zéner y fotodiodos
Identificar las principales características y diferencias existentes entre los transistores NPN y PNP
Determinar la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnológico
Instalar el software Workbench, simular diversos circuitos electrónicos y analizar su comportamiento
INTRODUCCION
La unidad 2 del módulo de electrónica digital, nos adentra al conocimiento de los semiconductores, involucrándonos en la comprensión de su estructura anatómica, sus características, semejanzas y diferencias existentes entre ellos.
El conocimiento de los mismos nos permiten determinar el grado de utilidad de estos en el mundo tecnológico, permitiéndonos entender la razón por la cual los nuevos dispositivos son mucho más pequeños y veloces.
El trabajo se ubica en dos fases, una investigativa y otra de práctica.
La primera se compone de 5 preguntas que involucran temáticas como: características y diferencias de elementos conductores, semiconductores y aislantes, características de los semiconductores tipo N y P, la temática sobre diversos tipos de Diodo identificando sus características, ventajas y aplicación, seguidamente nos adentramos al conocimiento de los transistores NPN y PNP, que involucra sus características y diferencias y por último el papel preponderante del os semiconductores en la nueva era tecnológica.
La segunda fase involucra el montaje de varios circuitos, con el ánimo de adquirir destrezas y comprensión sobre el papel de cada uno de los dispositivos involucrados en ellos.
Con la realización del presente trabajo se busca afirmar a través de la práctica en los simuladores electrónicos y en los laboratorios el conocimiento adquirido en el componente teórico en lo relacionado con los elementos aislantes, conductores y semiconductores.
ACTIVIDAD 10 TRABAJO COLABORATIVO 2
GUIA DE ACTIVIDADES
FASE 1
Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores. Por favor consulte otras fuentes adicionales al Módulo del curso de Física Electrónica.
1. Enuncie las principales características y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.
MATERIAL CARACTERISTICAS DIFERENCIAS EJEMPLOSAISLANTE No existe aislante absoluto
Su resistencia al paso de corriente eléctrica hasta 2,5x1024 veces mayor que la de los buenos conductores
Mas de 4 electrones en la capa de valencia La magnitud de la banda prohibida es muy
grande (6 eV) de forma que todos los electrones de cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que al no existir portadores de carga libres, la conectividad eléctrica de cristal es nula
Mica Fibras de vidrio con un
aglutinador plástico Vidrio Porcelana
CONDUCTOR Compuesto por los metales, su estado sólido a temperatura normal
excepto el mercurio que es líquido Son buenos conductores eléctricos y
térmicos No existe banda prohibida, estando
solapadas las bandas de valencia y conducción, esto hace que siempre haya electrones en la banda de conducción, por lo que su conductividad es muy elevada
La conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los átomos de la red cristalina
Menos de 4 electrones en la capa de valencia Todo átomo de metal tiene únicamente un
número limitado de electrones de valencia con los que unirse a los átomos vecinos
El agua Sales como cloruros,
sulfatos y carbonatos que actúan como agentes reductores (donantes de electrones) los cuales conducen la electricidad
Cromo, Cobalto, Cobre, Oro, Indio, Hierro, Plomo
En general todos los metales
SEMICONDUCTOR Material sólido o líquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero menor que un metal
Incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas
A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes
Posee 4 electrones en la capa de valencia La magnitud de la banda prohibida es pequeña
(1eV), de forma que a bajas temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energía dentro de la banda de conducción, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es añadiendo impurezas que habiliten niveles de energía dentro de la banda prohibida
Silicio Germanio Selenio Arseniuro de galio Seleniuro de zinc Telurio de plomo
2. Cómo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P ? Qué cualidades o características adquiere este material con respecto al semiconductor puro ?
SEMICONDUCTOR TIPO N
4 de los 5 electrones del átomo de arsénico se unirán a los correspondientes electrones de los 4 átomos de silicio vecinos, y el quinto quedará inicialmente libre, sin una posible unión y por tanto se convertirá en un portador de corriente.
Características
No solo aumenta el número de electrones sino que también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el semiconductor puro
SEMICONDUCTOR TIPO P
Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga 3 electrones externos, solo podrá formar 3 uniones completas con los átomos de silicio y la unión incompleta dará lugar a un hueco
Este tipo de impurezas proporcionarán entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores o impurezas de tipo p
Características
Al contrario de lo que sucedía antes en el tipo N en un semiconductor con impurezas tipo P los portadores que disminuyen son los electrones en comparación con los que tenía en semiconductor puro.
3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zéner y el fotodiodo.
Diodos de Tratamiento de Señal (RF):
Los diodos de tratamiento de señal requieren algo más de calidad de fabricación que los típicos rectificadores. Estos diodos están destinados a formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitación de señales. etc.
Uno de los puntos más críticos en el diodo, a la hora de trabajar con media y alta frecuencia, se centra en la capacidad de unión, la cual se debe a que en la zona de la unión PN se forman dos capas de carga de sentido opuesto que conforman una capacidad real.
En los diodos de RF (Radio-frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su mínima expresión, lo cual ayudará a que el diodo conserve todas sus "habilidades" rectificadoras, incluso cuando tenga que trabajar en altas frecuencias.
Entre los diodos más preparados para bregar con las altas frecuencias destaca:
el diodo denominado Schottky. Este diodo fue desarrollado a principio de los setenta por la firma Hewletty deriva de los diodos de punta de contacto y de los de unión PN de los que han heredado el procedimiento de fabricación.
Diodo Schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente.
Funcionamiento
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy bajo, poniendo en peligro el dispositivo.
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los diodos normales.
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles)
desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida.
Características
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.
La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite poco gasto de energía, otra utilización del diodo Schottky es en variadores de frecuencia (inverters) para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por los transistores IGBT del chopper, lo cual conduciría a su rápido deterioro. Cuando el motor se comporta como generador, la corriente circula hacia el bus de continua a través de los diodos y no es absorbida por los IGBTs.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lógica TTL. Por ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean mucho menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que se da una mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.
Diodos de capacidad variable (varicap):
El diodo varicap sustituye con gran éxito a los obsoletos condensadores variables.
Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, además de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una resistencia de muy bajo valor óhmico, lo que conforma un condensador de elevadas pérdidas. Sin
embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo se pueda comportar como un condensador con muy bajas pérdidas.
Si aumentamos la tensión de polarización inversa las capas de carga del diodo se espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminución de la capacidad del hipotético condensador (similar al efecto producido al distanciar las placas de un condensador estándar).
Por esta razón podemos concluir que los diodos de capacidad variable (conocidos más popularmente como Varicaps varían su capacidad interna al ser alterado el valor de la tensión que los polariza de forma inversa.
La utilización más solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos sistemas mecánicos de condensador variable en etapas de sintonía en todo tipo de equipos de emisión y recepción. Por poner un ejemplo, cuando actuamos en la sintonía de un viejo receptor de radio estamos variando (mecánicamente) el eje del condensador variable que incorpora éste en su etapa de sintonía; pero si, por el contrario, actuamos sobre la ruedecilla o, más comúnmente, sobre el botón (pulsador) de sintonía de nuestro moderno receptor de TV color lo que estamos haciendo es variar la tensión de polarización inversa de un diodo varicap contenido en el módulo sintonizador del equipo
Diodo Túnel
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.1
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador).
También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión. Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.
Diodo Gunn
Es una forma de diodo usado en la electrónica de alta frecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.
La frecuencia de la oscilación obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero también puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinación con circuitos resonantes construidos con guías de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio y hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en inglés) y la sintonización es realizada mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son eléctricos.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.
El dispositivo recibe su nombre del científico británico, nacido en Egipto, John Battiscombe Gunn quien produjo el primero de estos diodos basado en los cálculos teóricos del profesor y científico británico Cyril Hilsum.
Diodo Laser
El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. A veces se los denomina diodos láser de inyección, o por sus siglas inglesas LD o ILD.
Cuando un diodo convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse cayendo el
electrón al hueco y emitiendo un fotón con la energía correspondiente a la banda prohibida (véase semiconductor). Esta emisión espontánea se produce normalmente en los diodos semiconductores, pero sólo es visible en algunos de ellos (como los LEDs), que tienen una disposición constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida por el material circundante, y habitualmente una energía de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible; en otros diodos, la energía se libera principalmente en forma de calor, radiación infrarroja o radiación ultravioleta. En condiciones apropiadas, el electrón y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de nanosegundos, antes de recombinarse, de forma que si un fotón con la energía apropiada pasa por casualidad por allí durante ese periodo, se producirá la emisión estimulada (véase láser), es decir, al producirse la recombinación el fotón emitido tendrá igual frecuencia, polarización y fase que el primer fotón.
En los diodos láser, para favorecer la emisión estimulada y generación de luz láser, el cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lámina delgada con un lado totalmente reflectante y otro sólo reflectante de forma parcial (aunque muy reflectante también), lográndose así una unión PN de grandes dimensiones con las caras exteriores perfectamente paralelas y reflectantes. Es importante aclarar que las dimensiones de la unión PN guardan una estrecha relación con la longitud de onda a emitir. Este conjunto forma una guía de onda similar a un resonador de tipo Fabry-Perot. En ella, los fotones emitidos en la dirección adecuada se reflejarán repetidamente en dichas caras reflectantes (en una totalmente y en la otra sólo parcialmente), lo que ayuda a su vez a la emisión de más fotones estimulados dentro del material semiconductor y consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el bombeo derivado de la circulación de corriente por el diodo). Parte de estos fotones saldrán del diodo láser a través de la cara parcialmente transparente (la que es sólo reflectante de forma parcial). Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor parte (debido a la emisión estimulada), posee una gran pureza espectral. Por tanto, como la luz emitida por este tipo de diodos es de tipo láser, a estos diodos se los conoce por el mismo nombre.
Ventajas
Son muy eficientes. Son muy fiables. Tienen tiempos medios de vida muy largos. Son económicos. Permiten la modulación directa de la radiación emitida, pudiéndose modular a
décimas de Gigahercio. Su volumen y peso son pequeños. El umbral de corriente que necesitan para funcionar es relativamente bajo. Su consumo de energía es reducido (comparado con otras fuentes de luz) El ancho de banda de su espectro de emisión es angosto (puede llegar a ser de sólo
algunos kHz)
Algunas aplicaciones
Comunicaciones de datos por fibra óptica. Lectores de CD, DVD, Blue-rays, HD DVDs, entre otros. Interconexiones ópticas entre circuitos integrados. Impresoras láser. Escáneres o digitalizadores. Sensores. Tratamiento con láser odontológico.
4. Cuáles son las principales características y diferencias existentes entre un transistor NPN y uno PNP.
TRANSISTOR CARACTERISTICAS DIFERENCIASNPN
Componente semiconductor que
tiene 3 terminales Colector (C), Base (B), Emisor (E)
Enciende con un voltaje mayor de 0.7 V, es decir un (1) lógico y se apaga con un voltaje inferior.
Su base positiva solo le puede aplicar tensión positiva internamente
Formado por un cristal que contiene una región P entre 2 regiones N
Permiten el paso desde el colector hacia el emisor cuando reciben un voltaje mayor de 0.7V
PNP Componente semiconductor que tiene 3 terminales Colector (C), Base (B), Emisor (E)
Se enciende con un voltaje menor de 0,7V, es decir un (0) lógico y se apaga con un voltaje mayor a 0.7V
Por poseer una base negativa solo se puede aplicar sobre ellos una tensión negativa inferior a 0.7V
Posee una región N entre 2 regiones P
Permite el paso de corriente desde el emisor al colector cuando se le aplica un voltaje inferior a 0.7V
5. Cuál es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnológico ?
En una etapa de la humanidad, la evolución de esta ha ido a la par de la evolución de la electrónica lo que ha permitido la construcción de diversos sistemas electrónicos que mejoran las condiciones de vida del hombre
En la actualidad los sistemas de cómputo interconectan una gran cantidad de hogares facilitando el acceso a la información, el desarrollo de la red social 2.0, contar con la disponibilidad de servicios transaccionales
La radio y la televisión han permitido fortalecer la comunicación de las personas (vivir informados e informar)
La aparición de nuevos sistemas electrónicos obligó a las empresas a fabricar nuevos circuitos a muy bajos costos
De igual manera las ciencias médicas y de investigación han desarrollado prototipos y sistemas que mejoran las condiciones de muchas personas (Robótica)
La aparición de los CI, disminuyó el tamaño y aumentó la capacidad de procesamiento de los nuevos equipos
FASE 2 Simulación de Circuitos Electrónicos: realice la simulación de los siguientes circuitos y analice los resultados obtenidos.
1. Polarización del Diodo Común. Construya los siguientes circuitos y realice su simulación por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.
En el simulador de la parte izquierda el indicador enciende debido a que el diodo se polarizó de manera directa lo que permite que la corriente circule a través del circuito y encienda el indicador de color rojo. En la simulación de la parte derecha el indicador no enciende debido a que el diodo está polarizado en inversa con respecto a la fuente de voltaje lo que impide el paso de corriente a través del circuito.
2. Aplicación del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su simulación por medio del software Workbench. Anexe al informe las gráficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la señal de entrada con la señal de salida. Explique lo sucedido.
a) Rectificador de Media OndaInstrumentos: "Osciloscopio"
Indicador Zona Roja
Para la rectificación de media se trabaja con solo diodo que da una señal de salida que es igual a la señal de entrada, para este caso 12V a 60 Hertz sin el lóbulo negativo del ciclo de la onda; debido a que en el semiciclo negativo el diodo se polariza en inversa y la corriente no circula a través del circuito lo que genera que idealmente en la señal de salida haya un 0 de voltaje que en la realidad equivale a 0.7V debido al potencia generado en la juntura del diodo.
b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz
El puente rectificador cumple la función de invertir el lóbulo perteneciente al semiciclo negativo de la onda, lo consigue gracias al arreglo de los diodos que permiten que el voltaje se invierta cuando es negativo en la salida generando una onda de salida en corriente directa (Eliminando la parte alternante de esta volviéndola puros semiciclos positivos en la salida) 3. Aplicación del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y realice su simulación por medio del software Workbench. Anexe al informe las gráficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la señal de entrada con la señal de salida. Explique lo sucedido.
Nota: Tenga en cuenta que la señal del Generador de Funciones es una onda seno, de 2 mV de amplitud y 60 Hz ( ver figura anterior )
El arreglo que se realizó en la simulación se llama emisor común y gracias al arreglo de los resistores el transistor PN2222A está en la zona del trabajo de amplificación realizando una multiplicación de una constante beta (ganancia) por la señal de entrada. Esta acción consigue que la señal de entrada con dos milivoltios de pico se transforme en una señal de salida con aproximadamente 300 milivoltios a la misma frecuencia de la señal de entrada, lo que indica que la ganancia es aproximadamente 150 milivoltios.
En el circuito amplificador, la polarización del transistor se consigue dividiendo la tensión formada por la resistencia R1 y R2 con el círculo en reposo (Sin V e), podemos saber si el círculo funciona midiendo las tensiones de polarización y las intensidades de base, de emisor y de colector (Hay que recordar que Ie = Ib + Ic)
Al amplificar una señal alterna en la entrada, estamos modificando la tensión de base - emisor del circuito, por consiguiente la intensidad de la base depende de la conducción del transistor.
Suponiendo que en la entrada aparezca el semiciclo positivo de una señal alterna. A través del condensador de acople C1, se elevará la tensión de la base y por tanto, la base - emisor. Esto hace que aumente la intensidad de la base y se reduzca la barrera entre el emisor y el colector. El resultado es que el transistor conduzca más (aumenta la Ic), aumenta la VR c y decrete entre colector y emisor (por tanto también decrece entre colector y masa). La tensión de colector que antes era constante, ha disminuido y el condensador de desacoplo C2 transmitiendo a la salida el descenso de Ve como el semiciclo negativo, igual que en el de entrada. A través de C1 la tensión de base disminuirá, por tanto, la tensión V b-e, con lo que también lo hará la I b. De esta forma crece la barrera entre base y colector y el transistor conducirá menos.
Así aumenta la V e y al haber menos corriente, baja la tensión en Rl. El efecto ese que la tensión de colector sube .
el condensador de emisión se utiliza para estabilizar la tensión de emisor V e. Con las variaciones de corriente de colector se producen variaciones de tensión en Re, en colector emisor y en la resistencia del emisor. Esta última nos interesa mantenerla estable para que esta polarización continúe como si estuviera en estado de reposo, en el que la polarización del transistor es estable. El condensador C mantiene la polarización de emisor constante y evita la distorsión producida por la misma tensión alterna de entrada.
CONCLUSIONES
Al terminar este trabajo podemos concluir lo siguiente:
Existe en el medio natural elementos aislantes, conductores y semiconductores de la electricidad
Los elementos aislantes poseen más de 4 y has 8 electrones de valencia, los conductores menos de 4 y los semiconductores 4 electrones de valencia como el caso del germanio y el silicio.
Los materiales semiconductores puros se denominan intrínsecos y los que se les agrega impurezas se les denomina extrínsecos, los segundos dan origen a los semiconductores tipo N y P y sus combinaciones.
Los semiconductores tipo N se les adicionan átomos de impureza que tienen 5 electrones de valencia de tal manera que al formarse los enlaces covalentes queda sobrando un electrón.
Los semiconductores tipo P se les agregan impurezas que contiene 3 electrones de valencia, de tal manera que vamos a tener ausencia de electrones a lo que se le llama huecos.
El diodo es un semiconductor sencillo compuesto por materiales tipo N y tipo P.
Se identifican diversos tipos de diodo dentro de los que se destacan: los diodos rectificadorse, los Zéner, los LED, los varistores, los fotodiodos, Diodos de Tratamiento de Señal (RF), Diodo Túnel, Diodos de capacidad variable (varicap), Diodo Gunn, Diodo Laser.
De igual manera se trató el tema del transistor dentro de los que se destacan los bipolares como los NPN y PNP, cada uno de ellos consta de un emisor, colector y base y son utilizados como amplificadores, conmutadores, en sistemas digitales y como adaptadores de impedancia.
BIBLIOGRAFIA Y CIBERGRAFIA
http://www.geocities.ws/pnavar2/semicon/tip_diod.html
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Gunn
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Laser
TELLEZ, A. Freddy R. Módulo de Física Electrónica. Universidad Nacional Abierta y a Distancia. 2008