Tema I. Contactos Óhmicos para semiconductores tipo “p” con una banda prohibida ancha.

Actividades:

-Deposito de contactos metálicos multi-capas sobre p-GaAs y p-GaN: Ni-Au, In-Au, Pd-Au, ect.-Recocido en gases diferentes: aire, N2, N2+O2, etc - Medición de I-V, PL y otros características de las estructuras.-Medición con método SIMS perfiles en profundidad sobre estructuras con contactos. -Implantación de In en estructura: película metálica-semiconductor.-Simulación de implantación iónica en semiconductores con el método de Monte - Carlo.

Estudio: Técnica SIMS, XRD, AFM/SCM, PL, SKM, técnica de implantación de iones, mediciones I-V, recocido en vacio y varias gases.Nivel: Maestría y doctorado.

0 200 400 600100

101

102

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104

105

106

Inte

ncity

,cps

Time, sec

NiAu

Ga

N

CO

"Thick" Au/Ni contact

0 500 1000 1500 2000 2500

100

101

102

103

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105

106

Inte

nsity

, cps

Time, sec

C N O Ga In

In2O3 In GaN

1

10

100

1000

10000

100000

1000000

Counts

Position [°2Theta] (Copper (Cu))35 40 45

-15 -10 -5 0 5 10 15

Cor

rient

e, m

A

Vottaje, V

contacto Ni/Au sin recoser

0.02

0.01

0.00

-0.01

Perfiles de SIMS para dos contactos de Au/Ni/GaN y In/GaN

Difractograma y Característica I-V de un contacto recosido.

Tema II. Estudio de la difusión en semiconductores

Actividades:- Construcción de una estufa de alto vacío (10-6 Torr) para calentar muestras semiconductores hasta la temperatura de 1200oC;- Construcción de una línea de gases (N2, Ar, H2+N2, etc) para hacer un recosido en gases diferentes;- Preparación de las muestras de prueba por implantación de cristales semiconductores y depósito de una película de silicio amorfo como un fuente del hidrógeno;- Deposito de los contactos metálicos sobre GaN/AlGaN;- Mediciones con SIMS de perfiles de profundidad para elementos difundidos; - Comparación de perfiles para varias temperaturas y varias gases;

Estudio: Técnica SIMS, técnica de implantación de iones, efecto de difusión, construcción y uso de los sistemas de alto vacío.Nivel: Maestría, doctorado

Estufa de alto vacio Difusión de Ar en GaN estimulado por radiación

Re-distribucion de Na en Si después de recosido con varias temperaturas

Tema III. Investigación de la morfología superficial después del bombardeo con iones acelerados (ion sputtering).

Actividades:- Estudio teórico de la formación morfológica superficial bajo el bombardeo iónico.- Preparación de cráteres experimentales por erosión iónica con iones de Oxigeno y de Cesio (ion sputtering) sobre los semiconductores de interés. Variación del tipo de iones de bombardeo, su energía y ángulo de incidencia.-Mediciones de rugosidad superficial por el método microscopia de fuerza atómica (AFM) o con un perfilómetro de punta.-Estudio de aplicación de los superficies nano-estructurados

a) Microscopio de Fuerzas Atómicas Solver-Next (NT-MDT). b) Mapa superficial 3-dimensional de un cristal de CdS después del bombardeo iónico con iones de cesio.

Estudio: técnica AFM, efecto de “ion sputtering”.Nivel: Maestría y doctorado

Formacion de piramides sobre superficie de epi- GaN por bombardimiento con iones de O2+ con energia 12.5 keV

Tema IV. Investigación de la morfología y características eléctricas de las hetero-estructuras semiconductoras

Actividades:Medición de la resistencia y del potencial superficial local sobre varias semiconductores. Preparación de biseles y comparación entre estructura de los capas y sus características eléctricas investigación de p-n unión.Descubrimiento de técnicas nuevas para una caracterización eléctrica local superficial.

Estudio: Técnicas AFM, EFM, SKM, FMM, LFM, MFM, otras.Nivel: Maestría y doctorado

500nm

Vbias= 0.5 V Izquierda: AFM imagen de una celda solar de CdTe/CdS (sección transversal) . a) imagen de topografía. b) imagen de la potencial superficial (posición

de p-n unión).

Relieve (arriba) y distribución de la potencial superficial sobre p-n unión en Si (sección transversal)

Resistencia local superficial de GaN