tarea de fet y mosfet
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7/24/2019 Tarea de Fet y Mosfet
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Instituto Tecnolgico de San Juan del Ro
DISEO DE TRANSISTORES
VEGA MANCILLA SOFIA
P RE S E N T A:
RAMIREZ VAZQUEZ CARLOS EDUARDO
ING. ELECTRNICA
JFET
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7/24/2019 Tarea de Fet y Mosfet
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El transistor JFET (Junction Field Effect Transistor, que se traduce como transistor
de efecto de campo) es un dispositivo electrnico activo unipolar.
IDEAS BSICAS
La figura131a muestra una seccin de semiconductor tipo n. El e!tremo inferior
se llama fuente (source) " el superior drenador (drain).La fuente de alimentacin
#$$o%liga a los electrones li%res a circular desde la fuente &acia el drenador. 'ara
producir un JFET, el fa%ricante difunde dos reas de semiconductor tipo p en el
semiconductor tipo n, como se muestra en la Figura 131%. Estas dos reas p
estn conectadas internamente para tener un solo terminal de cone!in e!terno
llamado puerta (gate).
EFECTO DE CAMPO
La figura 13 muestra la manera normal de polari*ar un JFET. La tensin de
alimentacin del drenador es positiva " la de la puerta negativa. El termino efecto
de campo se relaciona con las *onas de deple!in que rodean a cada *ona p. Las
uniones entre cada *ona p " las *onas n tienes capas de deple!in de%ido a que
los electrones li%res se difunden desde las *onas n en las *onas p. La
recom%inacin de los electrones li%res " los &uecos crea las *onas de deple!in
mostradas por las reas som%readas.
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LA TENSIN DE PUERTA CONTROLA
LA CORRIENTE DE DRENADO
En la Figura 13, los electrones que circulan desde la fuente &acia el drenador
de%en pasar a trav+s del estrec&o canal situado entre las dos *onas de deple!in.
uando ms negativa sea la tensin de puerta, ms se e!pande la *ona de
deple!in " ms estrec&o ser el canal de conduccin. En otras pala%ras, la
tensin de puerta puede controlar la corriente a trav+s del canal. uanta ms
negativa sea la tensin de puerta, menor ser la corriente entre la fuente " el
drenador.
El JFET act-a como un dispositivo controlado por tensin, "a que una tensin de
entrada controla una corriente de salida. En un JFET, la tensin puertafuente #/
determina cuanta corriente circula entre la fuente " el drenador. uando #/ es
cero, la corriente m!ima de drenado circula a trav+s del JFET. 'or otra parte, si
#/es suficientemente negativa, las capas de deple!in entran en contacto " la
corriente se corta.
MOSFET
El transistor de efecto de campo metal!idosemiconductor o 0/FET (en ingl+s
Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utili*ado paraamplificar o conmutar se2ales electrnicas.
ESTRUCTURA
El 0/FET consta de cuatro terminales
ate4 ompuerta
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$rain4$rena5e
/ource4 Fuente
6od" o /u%strate4
uerpo o /u%strato
TIPOS DE
MOSFET
E!isten dos tipos
de transistores0/FET, am%os %asados en la estructura 0/.
Los 0/FET de enriquecimiento se %asan en la creacin de un canal entre el
drenador " el surtidor, al aplicar una tensin en la compuerta. La tensin de la
compuerta atrae portadores minoritarios &acia el canal, de manera que se forma
una regin de inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que ten7a el
sustrato originalmente. El t+rmino enriquecimiento &ace referencia al incremento
de la conductividad el+ctrica de%ido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la regin correspondiente al canal. El canal puede formarse con un
incremento en la concentracin de electrones (en un n0/FET o 80/), o&uecos (en un p0/FET o '0/). $e este modo un transistor 80/ se
constru"e con un sustrato tipo p " tiene un canal de tipo n, mientras que un
transistor '0/ se constru"e con un sustrato tipo n " tiene un canal de tipo p.
Los 0/FET de empo%recimiento tienen un canal conductor en su estado de
reposo, que se de%e &acer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin
el+ctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de
portadores de carga " una disminucin respectiva de la conductividad.
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Figura 1.- MOSFET d !"#$r%i!i&'#
FUNCIONAMIENTO
uando #s4 9.
:$/ circula li%remente
uando #/circula negativa o polari*ada inversamente
:6 act-a como %arrera en :$/ 4 9. ; medida que #/se &ace ms negativa :6aumenta e :$/disminu"e.
uando #/ es positiva o polari*ada inversamente
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FUNCIONAMIENTO
uando #s4 9.
4 /4 64 9, :$/4 9.
uando #ses positiva " ma"or que #T
#T4 Tensin um%ral. :n"eccin de electrones en 6, recom%inndose con los &uecos e!istentes
en dic&a *ona. Los electrones li%res se aglutinan en las pro!imidades de /i creacin
canal de conduccin entre $ " / (:nversin superficial) :$/en funcin de #$/. ; medida que #/es ms positiva, la anc&ura de canal es ma"or.
Referencias
'rincipios de Electrnica. /e!ta Edicin.
;utor ;l%ert 'aul 0alvino.