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Práctica 2 1. Diga cuatro diferencias entre una memoria SRAM y una DRAM 1. La SRAM es estática (no necesita poder-actualizar periódicamente) mientras la SDRAM es dinámica (necesita poder-actualizar periódicamente). 2. La velocidad de acceso de SDRAM es dependiente del reloj, mientras SRAM accede directamente. 3. La memoria DRAM puede empaquetar varios gigabits en un chip DRAM, mientras la memoria SDRAM sólo puede empaquetar varias decenas de mega bits en su chip. 4. El consumo de la SRAM es estable, mientras que el de la SDRAM es mayor debido a los ciclos de actualización. 5. La SRAM es más cara que la SDRAM debido a su mayor velocidad. 2. ¿Cómo se realiza el borrado en una memoria EEPROM? ¿Y en una UVPROM? Las EEPROM PUEDEN SER BORRADAS POR IMPULSOS ELECTRICOS Memoria UVPROM (Ultra Violet PROM= memoria de solo lectura programable que puede ser borrada por rayos ultravioletas) cuyo borrado, tal como se indica, se realiza mediante rayos ultravioletas. ¿Cuál es la ventaja de una sobre la otra? Explique UVPROM o Se programan eléctricamente o Se borran exponiéndolas a una radiación UV de la longitud adecuada. o Encapsulado con ventana de cuarzo para dejar pasar la luz. o Celdas de memoria MOSFET con puerta flotante. EEPROM o Electricaly Erasable PROM o Se puede programar dentro del propio sistema digital. o Usan celdas de memoria con MOSFET de puerta flotante modificado 3. Describa el proceso de conversión de una señal analógica a digital y diga cuando se usa este proceso

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Page 1: Práctica 2

Práctica 21. Diga cuatro diferencias entre una memoria SRAM y una DRAM

1. La SRAM es estática (no necesita poder-actualizar periódicamente) mientras la SDRAM es dinámica (necesita poder-actualizar periódicamente).    2. La velocidad de acceso de SDRAM es dependiente del reloj, mientras SRAM accede directamente.   3. La memoria DRAM puede empaquetar varios gigabits en un chip DRAM, mientras la memoria SDRAM sólo puede empaquetar varias decenas de mega bits en su chip.    4. El consumo de la SRAM es estable, mientras que el de la SDRAM es mayor debido a los ciclos de actualización.   5. La SRAM es más cara que la SDRAM debido a su mayor velocidad.

2. ¿Cómo se realiza el borrado en una memoria EEPROM? ¿Y en una UVPROM?

 Las EEPROM PUEDEN SER BORRADAS POR IMPULSOS ELECTRICOS

Memoria UVPROM (Ultra Violet PROM= memoria de solo lectura programable que puede ser borrada por rayos ultravioletas) cuyo borrado, tal como se indica, se realiza mediante rayos ultravioletas.

¿Cuál es la ventaja de una sobre la otra? Explique

UVPROMo Se programan eléctricamenteo Se borran exponiéndolas a una radiación UV de la longitud adecuada.o Encapsulado con ventana de cuarzo para dejar pasar la luz.o Celdas de memoria MOSFET con puerta flotante.

EEPROMo Electricaly Erasable PROMo Se puede programar dentro del propio sistema digital.o Usan celdas de memoria con MOSFET de puerta flotante modificado

3. Describa el proceso de conversión de una señal analógica a digital y diga cuandose usa este proceso

 el conversor ADC (Analog-to-Digital Converter - Conversor Analógico Digital) tiene que efectuar los siguientes procesos:

 1.-Muestreo de la señal analógica.2.- Cuantización de la propia señal3.- Codificación del resultado de la cuantización, en código binario

Page 2: Práctica 2

7. Diga qué función realizan los registros Acumulador y Contador de programa

el acumulador es un registro en el que son almacenados temporalmente los resultados aritméticos y lógicos intermedios que serán tratados por elcircuito operacional de la unidad aritmético-lógica (ALU).

El contador de programa (en inglés Program Counter o PC), también llamado Puntero de instrucciones (Instruction Pointer), parte del secuenciador de instrucciones en algunas computadoras, es un registro del procesador de un computador que indica la posición donde está el procesador en su secuencia de instrucciones.

8. Para una memoria RAM defina los términos latencia y tasa de transferencia

Latencia: se demonina latencia ade una memoria ram a los diferente retados producidos en el acceso a los distintos componentes de esta.Tipos:Existen varios tipos de latencias en las memorias, sin embargo, las más importantes son:

CAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una columna o celda.

RAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una fila. ACTIVE: indica el tiempo que tarda la memoria en activar un tablero. PRECHARGE: indica el tiempo que tarda la memoria en desactivar un tablero.

9. Diga una semejanza y una diferencia entre una memoria EEPROM y unamemoria FLASH

La memoria flash es una manera desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez. Por ello, flash permite funcionar a velocidades muy superiores cuando los sistemas emplean lectura y escritura en diferentes puntos de esta memoria al mismo tiempo.

10. ¿Cuantas entradas de datos, salidas de datos y entradas de direcciones senecesitan para una SRAM de 256 x 8?