metodos de disparo de un scr

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INFORME FINAL Nº1 “Circuitos de Control y Disparo sobre SCR” Alumno: Rojas Laura, Kevin Harnold Fecha de Entrega: 22 de Abril de 2014 LABORATORIO EE-435

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os rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de control.El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos estados estables: en uno conduce, y en otro está en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conducción directa).El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en conducción del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio SCR se hace conductor no sólo cuando la tensión en sus bornes se hace positiva (tensión de ánodo mayor que tensión de cátodo), sino cuando siendo esta tensión positiva, se envía un impulso de cebado a puerta.El parámetro principal de los rectificadores controlados es el ángulo de retardo, a.Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente sólo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el semiciclo en que el ánodo del SCR es mas positivo que el cátodo. Esto significa que el SCR no puede estar encendido más de la mitad del tiempo. Durante la otra mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier corriente a la carga.

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Page 1: Metodos de disparo de un scr

INFORME FINAL Nº1

“Circuitos de Control y Disparo sobre SCR”

Alumno:

Rojas Laura, Kevin Harnold

Fecha de Entrega:

22 de Abril de 2014

Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Universidad Nacional de Ingeniería

LABORATORIO EE-435

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Laboratorio de Electrónica Industrial

1.- RESULTADOS DE LA EXPERIENCIA

1.1.- CIRCUITO A:

Figura1. Circuito A simulado en Proteus ISIS.

RESULTADOS EXPERIMENTALES:

De la experiencia obtuvimos los siguientes resultados

%POT (R3) VR2=10KΩ*2.4mA VL θi7.5Ω 24.8V 46V 4.84°

29.4KΩ 25.2V 95V 19.17°

60.5KΩ 23.8V 155V 33.12°

91KΩ 24.8V 180V 54°

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Laboratorio de Electrónica Industrial

Figura2. Resultados de la experimentacion, visualizado en osciloscopio. Angulo de dispara entre 0-45°.

Figura3. Resultados de la experimentacion, visualizado en osciloscopio. Angulo de dispara entre 45-90°.

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Laboratorio de Electrónica Industrial

CONCLUSIONES:

Se pudo comprobar cómo se pudo variar el ángulo de de disparo desde < 0 – 90°>. Esto se muestra en las Figuras2 y 3.

Experimentalmente se verifico que la corriente de disparo IGT varió un poco ya que en la resistencia de 2K el voltaje oscilo en valores cercano a 24V, este valor no fue fijo y eso se debe a q las característica eléctricas del SCR varían según la temperatura o el voltaje entre cátodo y ánodo.

1.2.- CIRCUITO B:

Figura 4. Esquema de la simulacion en Proteus.

Datos tomados en la experimentación el Laboratorio:

%POT (R6) VDisparo θi7.5Ω 30V 5.55°

17.1KΩ 76V 14.18°30KΩ 108V 20.37°

56.5KΩ 164V 31.92°89KΩ 210V 47.3°

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Laboratorio de Electrónica Industrial

Comparando los valores teóricos con los experimentales:

θi(Teorico ) θi(experimental) Error (%)

5.15° 5.55° 7.76713.38° 14.18° 5.97919.77° 20.37° 2.9533.9° 31.92° 5.8455.8° 47.3° 15.233

CONCLUSIONES:

En el circuito 2 pudimos observar como el ángulo de disparo podía aumentar gracias a que el condensador produce un retraso en la corriente de disparo con lo cual se puede alcanzar valores mayores a 90°, incluso cercano al 180°.

Se desarrollo una fórmula para calcular el ángulo de disparo en función del valor del condesador y esto lo pudimos corroborar con los datos teoricos.

1.3.- CIRCUITO C:

Circuito de Disparo con UJT, simulado en Laboratorio

Datos de Obtenidos en la experimentación:

Laboratorio 1 Página 5

Page 6: Metodos de disparo de un scr

Laboratorio de Electrónica Industrial

%POT R6 V Disparo7K 52V

20K 122V

30K 148V50K 182.1V

100K 39.30V

Datos tomados en el laboratorio:

Comparando los valores teóricos con los experimentales:

V Disparo(Teorico) V Disparo(experimental) Error (%)

52V 60V 13.32%

122V 120V 1.67%

148V 150V 1.334%

182.1V 182V 0.05%

39.30V 35V 12.2%

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%POT R6 V Disparo7K 60V

20K 120V30K 150V50K 182V

100K 35V

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Laboratorio de Electrónica Industrial

Figura x. Disparo en el rango de 10 -180 grados.

CONCLUSIONES:

Como pudimos observar en este circuito se pudo alcanzar un gran barrido del ángulo de disparo desde 0° hasta 180° , esto se debe a que el oscilador de relajación permite un retraso mejor que el condensador, ya que este oscilador funciona como carga y descarga.

1.4.- CIRCUITO D:

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Figura. Circuito propuesto para la experiencia, simluado en ISIS.

Datos obtenidos en el experimento:

POTENCIOMETRO Voltaje de disparo114 304

193.7 180296 136386 100508 74984 4223 K 12

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Laboratorio de Electrónica Industrial

Figura . Circuito D en funcionamiento implementado en el laboratorio.

CONCLUSIONES:

En el circuito D pudimos observar como el ángulo de disparo del SCR variaba inversamente con el potenciómetro.

Tambien se pudo observar como el el Volatje de disparo mantenía una relación inversamente proporcional con el potenciometro

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