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MEMORIAS

CLASIFICACIN:

MEMORIAS DE ACCESO SECUENCIAL

MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO

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MEMORIAS

MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO:

Memorias de Lectura/Escritura (RAM)

Memorias de slo lectura (ROM)

Memorias de sobre todo lectura (PLDs)

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MEMORIAS

Memorias de Lectura/Escritura:

DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos

se almacenan como en la carga de un capacitor. Tiende

a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de

refresco peridico. Son ms simples y baratas que las

SRAM.

SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se

almacenan formando biestables, por lo que no require

refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas

que las DRAM y ms caras.

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MEMORIAS

Memorias de slo lectura:

ROM (Read Only Memory): se usan principalmente en

microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las

suelen emplear cuando producen componentes de

forma masiva.

PROM (Programmable Read Only Memory): El

proceso de escritura es elctrico. Se puede grabar

posteriormente a la fabricacin del chip, a diferencia de

las anteriores que se graba durante la fabricacin.

Permite una nica grabacin y es ms cara que la ROM.

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MEMORIAS

Memorias de sobre todo lectura:

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory):

Se puede escribir varias veces de forma elctrica, sin

embargo, el borrado de los contenidos es completo y a

travs de la exposicin a rayos ultravioletas (suelen tener

una pequea ventanita en el chip).

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read

Only Memory): Se puede borrar selectivamente byte a

byte con corriente elctrica. Es ms cara que la EPROM.

Memoria FLASH: Est basada en las memorias EEPROM

pero permite el borrado bloque a bloque y es ms barata y

densa.

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MEMORIAS

Unidad bsica de Memoria:

Bit (Binary digit). Puede tomar slo 2 valores: 0 1.

Celdas de Memoria:

Flip-Flops (biestables) pueden almacenar 1 bit.

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MEMORIAS

Organizacin en palabras de l bits (Data Bus: d lneas)

# lneas de datos d = l

Seleccin de las 2n palabras (Address Bus: n lneas)

# palabras m = 2n (n lneas de direcciones)

Capacidad de la memoria: 2n x d celdas bsicas

# total celdas c = m l

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Jerarquas de Memoria:

A medida que baja, aumentan los tiempos de acceso.

A medida que baja, aumenta la capacidad de almacenamiento.

A medida que baja, disminuyen los costos.

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Jerarquas de Memoria:

Registros: nanosegundos (1 ns= 10-9 s)

Cachs: nanosegundos

Memoria principal: decenas de nanosegundos

Disco magntico: milisegundos (1 ms= 10-3 s)

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