leidy prieto, wendy gomez

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Leidy Johana Prieto Bautista Geraldin Gómez Ortiz 11-03

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Leidy Johana Prieto BautistaGeraldin Gómez Ortiz

11-03

La memoria volátil de una computadora, contrario a memoria no volátil, es aquella memoria cuya información se pierde al interrumpirse el flujo eléctrico.

Algunos tipos de memorias volátiles son: DRAM RAM SRAM HPU GJR

contrario a memoria volátil, es un tipo de memoria que no necesita energía para perdurar.

Algunos dispositivos listados en esta categoría son:

BD-ROM, BD-R, BD-RW

CD, CD-ROM, CD-R, CD-RW

Cinta magnética

DVD

Diskette

Disco duro

EPROM

EEPROM

MRAM

Flash

PROM

MEMORIA NO VOLÁTIL

La memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el computador guarda los datos que está utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamenteFísicamente, están constituidas por un conjunto de chips o módulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre.

MEMORIA RAM

MEMORIA RAM

La memoria ROM, también conocida como firmware, es un circuito integrado programado con unos datos específicos cuando es fabricado. Los chips de características ROM no solo se usan en ordenadores, sino en muchos otros componentes electrónicos también. Hay varios tipos de ROM, por lo que lo mejor es empezar por partes.

MEMORIA ROM

O

T

R

O

S

T

I

P

O

S

D

E

E

N

C

A

P

S

U

L

A

D

O

S

Memoria que poseen los ordenadores. Funciona de una manera similar a como lo hace la memoria principal (RAM), pero es de menor tamaño y de acceso más rápido. Es usado por la unidad central de procesamiento para reducir el tiempo de acceso a datos ubicados en la memoria principal que se utilizan con más frecuencia.Cuando el procesador necesita leer o escribir en una ubicación en memoria principal, primero verifica si una copia de los datos está en el caché.

Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas).

Tambien es capaz de almacenar los datos que se han programado en ella durante un plazo que oscila entre los 10 y 20 años de su vida útil, pudiendo ser leída ilimitadamente, requiriendo como protección cubrir la Ventana de Borrado, para evitar que la luz del sol realice un borrado accidental, siendo generalmente utilizada una Etiqueta del Fabricante.

Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no volátiles.

Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1 lógico.

DIP: Los pines se extienden a lo largo del encapsulado y tiene como todos los demás una muestra que indica el pin número 1. Este encapsulado básico fue el más utilizado hace unos años y sigue siendo el preferido a la hora de armar plaquetas por partes de los amantes de la electrónica casera debido a su tamaño lo que facilita la soldadura. Hoy en día, el uso de este encapsulado (industrialmente) se limita a UVEPROM y sensores.

SIP: Los pines se extienden a lo largo de un solo lado del encapsulado y se lo monta verticalmente en la plaqueta. La consiguiente reducción en la zona de montaje permite un densidad de montaje mayor a la que se obtiene con el DIP.

PGA: Los múltiples pines de conexión se sitúan en la parte inferior del encapsulado. Este tipo se utiliza para CPU de PC y era la principal opción a la hora de considerar la eficiencia pin-capsula-espacio antes de la introducción de BGA. Los PGA se fabricaron de plástico y cerámica, sin embargo actualmente el plástico es el mas utilizado, mientras que los PGA de cerámica se utilizan para un pequeño número de aplicaciones.

SOP: Los pines se deponen en los 2 tramos más largos y se extienden en una forma denominada “gull wing formación”, este es el principal tipo de montaje superficial y es ampliamente utilizado especialmente en los ámbitos de la microinformática, memorias y IC analógicos que utilizan un número relativamente pequeño de pines.

TSOP: Simplemente una versión más delgada del encapsulado SOP.

1. Excluir las influencias ambientales: La humedad y el polvo en el aire son causas directas de defectos en los dispositivos semiconductores, además de las vibraciones y los golpes. La iluminación y los imanes también pueden causar mal funcionamiento. EL encapsulado evita estas influencias externas, y protege el chip de silicio.

2.Permitir la conectividad eléctrica: Si los chips de silicio fueran simplemente encerrados dentro de un encapsulado no podrían intercambiar señales con el exterior. Los encapsulados permiten la fijación de conductores metálicos denominados pines o esferas de soldadura (BGA) permitiendo que las señales sean enviadas a y desde el dispositivo semiconductor.

3.Disipar el calor: Los chips de silicio se calientan durante el funcionamiento. Si la temperatura del chip se eleva hasta valores demasiados alto, el chip funcionara mal, se desgastara o se destruirá dependiendo del valor de temperatura alcanzado. Los encapsulados pueden efectivamente liberar el calor generado.

5 Mejorar el manejo y montaje: Debido a que los circuitos incorporados en chips de silicio y los chips de silicio en sí son tan pequeños y delicados, no pueden ser fácilmente manipulados, y realizar un montaje en esa pequeña escala sería difícil. Colocar el chip en una cápsula hace que sea más fácil manejar y de montar en placas de circuitos impresos.

DRAM (Dynamic RAM)

VRAM (Vídeo RAM)

SRAM (Static RAM)

FPM (Fast Page Mode)

EDO (Extended Data Output)

BEDO (Burst EDO)

SDRAM (Synchronous DRAM)

DDR SDRAM ó SDRAM II (Double Data Rate SDRAM)

PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)

RAMBUS