la memoria ram - trabajo final

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Universidad Privada de Tacna TRABAJO DE INVESTIGACION MEMORIA RAM CURSO : ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS INTEGRANTES : LUIS PALACIOS MARTÍNEZ CARLOS VALENCIA VELA MELVYN ARIAS MOREYRA 1

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Page 1: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Universidad Privada de Tacna

TRABAJO DE INVESTIGACION

MEMORIA RAM

CURSO : ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS

INTEGRANTES : LUIS PALACIOS MARTÍNEZ

CARLOS VALENCIA VELA

MELVYN ARIAS MOREYRA

TACNA – PERU

1

Page 2: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

2

Page 3: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

INTRODUCCION

Su definición es almacenes internos en el ordenador. El término memoria identifica el

almacenaje de datos que viene en forma chips, y el almacenaje de la palabra se utiliza

para la memoria que existe en las cintas o los discos. Por otra parte, el término

memoria se utiliza generalmente como taquigrafía para la memoria física, que refiere a

los chips reales capaces de llevar a cabo datos. Algunos ordenadores también utilizan

la memoria virtual, que amplía memoria física sobre un disco duro.

Cada ordenador viene con cierta cantidad de memoria física, referida generalmente

como memoria principal o RAM. Se puede pensar en memoria principal como arreglo

de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a cabo un solo byte de

información.

Un ordenador que tiene 1 megabyte de la memoria, por lo tanto, puede llevar a cabo

cerca de 1 millón de Bytes (o caracteres) de la información.

La memoria funciona de manera similar a un juego de cubículos divididos usados para

clasificar la correspondencia en la oficina postal. A cada bit de datos se asigna una

dirección. Cada dirección corresponde a un cubículo (ubicación) en la memoria.

Para guardar información en la memoria, el procesador primero envía la dirección para

los datos. El controlador de memoria encuentra el cubículo adecuado y luego el

procesador envía los datos a escribir.

Para leer la memoria, el procesador envía la dirección para los datos requeridos. De

inmediato, el controlador de la memoria encuentra los bits de información contenidos

en el cubículo adecuado y los envía al bus de datos del procesador.

3

Page 4: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

I. HISTORIA DE LA MEMORIA RAM

“La memoria RAM es una memoria volátil, es un tipo de memoria temporal que

pierden sus datos cuando se quedan sin energía. Se utiliza generalmente para

almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y

la evolución de la memoria RAM a través del tiempo desde un punto de vista

técnico.” Mensionaremos clases de memorias

II. DEFINICIÓN DE MEMORIA RAM

Proviene de ("Read Aleatory Memory") ó memoria de lectura aleatoria: es un

dispositivo electrónico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de

manera temporal, de ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los

datos almacenados una vez apagado el equipo; pero a cambio tiene una muy alta

velocidad para realizar las acciones.

En la memoria RAM se carga el sistema operativo (Linux Ubuntu, Apple® MacOS,

Microsoft® Windows 7, etc.),  los programas (Office, Winzip®, Nero®, etc.),

instrucciones desde el teclado, memoria para desplegar el video y opcionalmente

una copia del contenido de la memoria ROM.

Ejemplo:

Cuando damos doble clic a la aplicación Microsoft® Word, el programa será leído

desde el disco duro e inmediatamente la computadora buscará almacenarlo en la

memoria RAM, ello para que el usuario lo utilice sin la lentitud que implicaría

trabajarlo desde el disco duro, y una vez terminada de usar la aplicación, la RAM se

libera para poder cargar el próximo programa.

Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston®, modelo KVR266,

capacidad 128 Mb, bus 266 MHz.

4

Page 5: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

III. TIPOS DE MEMORIAS DRAM COMERCIALES

Hay tres tipos de memorias RAM, las primeras son las DRAM, SRAM y una

emulación denominada Swap:

DRAM:

Las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") ó dinámicas, debido a

que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores, los cuáles

necesitan constantemente refrescar su carga (bits) y esto les resta velocidad pero a

cambio tienen un precio económico.

Ejemplo:

Hagamos una analogía con una empresa que fabrica hielo pero no cuenta con una

toma de agua, sino que constantemente necesita de pipas con agua para realizar

su producto. Esto la hace lenta ya que tiene que esperar que le lleven las pipas ó

carros tanque, descargarlas, etc.

La siguiente lista muestra las memorias RAM en modo descendente, la primer liga

es la más antigua y la última la más reciente.

1- MEMORIA RAM TIPO TSOP

TSOP proviene de ("Thin Small Out-line Package"), lo que traducido significa

conjunto de bajo perfil fuera de línea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de

celdas construidas a base de capacitores), los primeros módulos de memoria

aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal

("Motherboard"). Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria

RAM del equipo.

Las memorias TSOP no fueron totalmente reemplazados en aquel tiempo, sino

que se conjuntaron los módulos en una placa plástica especial y se organizaron las

terminales con forma de pin en un solo lado de la tarjeta, naciendo el estándar de

memorias SIP ("Single In-line Package").

Memorias RAM tipo TSOP, KM41464AP-12, 18 pines.

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Page 6: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA TSOP

Básicamente había de diferentes formas y tamaños como cualquier otro

circuito integrado.

Cuentan con una forma física como cualquier otro chip y se introducen las

terminales en el espacio asignado para ello

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA TSOP

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

Esquema de una memoria

RAM tipo TSOP.

1.- Encapsulado: integra dentro de

sí una gran cantidad de elementos

electrónicos microscópicos

(transistores, capacitores,

compuertas, etc.), formadores de la

memoria RAM.

2.- Pines: se encargan de

transmitir las señales eléctricas y

los datos. 

3.- Punto de referencia: indica

cuál es la terminal No. 1.

4.- Módulo ó zócalo: permite

albergar e insertar la memoria

TSOP.

CONECTORES - PINES PARA LAS TERMINALES

Se muestra un ejemplo de memoria TSOP del equipo Acer 915 con

microprocesador AMD 286.

Conector Figuras

TSOP de 20

terminales

Conector de la

memoria

Zócalos de la tarjeta

principal

6

Page 7: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

LA MEMORIA DE PARIDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la

detección de errores  durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,

antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el

número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el

número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0, ejemplo:

Carácter

HumanoByte Número de unos Impar ó par Bit de paridad

A 0100 0001 2 Par 1

L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad

asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se desarrollo

posteriormente la tecnología ECC.

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO TSOP

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria

TSOP es el Kilobyte (Kb) y se muestra un ejemplo de una memoria para placa

915P(N) de Acer®.

Tipo de memoria Capacidad en Kilobytes (Mb)

TSOP KM41464AP-12 128 Kb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA TSOP

Los TSOP se utilizaron básicamente en computadoras con microprocesadores de

la familia Intel® 286 y modelos anteriores.

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Page 8: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

2.- MEMORIA RAM TIPO SIP.

SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte

simple en línea: son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas

construidas a base de capacitores), que integraron en una sola tarjeta varios

módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores capacidades en

una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de

pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta

principal (Motherboard).

Las memorias SIP fueron rápidamente reemplazadas por las memorias RAM

tipo SIMM ("Single In line Memory Module"), ya que las terminales se

integraron a una placa plástica y se hizo mas resistente a los dobleces.

Memoria RAM tipo SIP.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA SIP

Solo se comercializó una versión de memoria SIP de 30 terminales.

Cuentan con una forma física especial,  pero tenían el inconveniente de

que al tener los pines libres y en línea corrían el riesgo de doblarse y

romperse.

La memoria SIP de 30 terminales permite el manejo de 8 bits.  

La medida del SIP de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm.

de alto.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA SIP

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

8

Page 9: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Figura 3. Esquema de una

memoria RAM tipo SIP.

1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál

están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (30 pines): son terminales tienen

forma de pin, que se insertan en el módulo especial

para memoria SIP.

CONECTORES - PINES PARA LA RANURA

Son 2 versiones:

Conector Figuras

SIP 30

pines

Conector

de la

memoria

"Ranura"

de la

tarjeta

principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA SIP

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz

(MHz). En el caso de los SIP su velocidad de trabajo  era la misma que los

microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33

MHz.

LA MEMORIA DE PARIDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la

detección de errores  durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,

antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el

número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el

9

Page 10: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0,

ejemplo:

Carácter

HumanoByte Número de unos Impar ó par Bit de paridad

A 0100 0001 2 Par 1

L 0100 1100 3 Impar 0

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad

asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se

desarrollo posteriormente la tecnología ECC.

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA SIP

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoriaTiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

SIP 30 pines 60 nseg

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO SIP

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria SIP es Kilobyte (Kb) y el Megabyte (Mb). En este caso como hubo 2

versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron

básicamente las siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)

SIP 30 pines 256 Kb, 512 Kb, 1 Mb?

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA SIP

10

Page 11: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Los SIP de 30 pines se utilizaron básicamente en computadoras con

microprocesadores de la familia Intel® 286.

3.- MEMORIA RAM TIPO SIMM.

SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa

módulo de memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que

sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un

tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores),

las cuales tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan

con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta

principal (Motherboard).

Las memorias SIMM reemplazaron a las memorias RAM tipo SIP ("Single In-

Line Package").

Las memorias SIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DIMM

("Dual In line Memory Module").

Figura 2. Memoria RAM tipo SIMM,

genérica, L-9645-8ML-194V-0, 3

chips, 30 pines, capacidad de 1 Mb.

Figura 3. Memoria RAM tipo SIMM,

genérica, HYM591000PM, 12 chips, 72

pines, capacidad 32 Mb.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA SIMM

Hay 2 versiones de memoria SIMM, con 30 y con 72 terminales, siendo el

segundo el sucesor.

Cuentan con una forma física especial,  para que al insertarlas, no haya

riesgo de colocarla de manera incorrecta. Adicionalmente el SIMM de 72

terminales cuenta con una muesca en un lugar estratégico del conector.

La memoria SIMM de 30 terminales permite el manejo de 8 bits y la de 72

terminales 32 bits.

La medida del SIMM de 30 terminales es de 8.96 cm. de largo X 1.92 cm.

de alto.

11

Page 12: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

La medida del SIMM de 72 terminales es de 10.88 cm. de largo X 2.54 cm.

de alto.

Pueden convivir en la misma tarjeta principal ("Motherboard") ambos tipos

si esta tiene las ranuras necesarias para ello.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA SIMM

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

Esquema externo de una memoria

RAM tipo SIMM.

1.- Tarjeta: es una placa plástica

sobre la cuál están soldadas los

componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria

volátil.

3.- Conector (30 terminales): base

de la memoria que se inserta en la

ranura especial para memoria SIMM.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA

Son 2 versiones:

Conector Figuras

SIMM 30

terminales

Conector

de la

memoria

Ranura

de la

tarjeta

principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA SIMM

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz

(MHz). En el caso de los SIMM su velocidad de trabajo  era la misma que los

12

Page 13: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

microprocesadores del momento, esto es aproximadamente entre 25 MHZ y 33

MHz.

LA MEMORIA DE PARIDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la

detección de errores  durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,

antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el

número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el

número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0,

ejemplo:

Carácter

HumanoByte

Número de

unosImpar ó par

Bit de

paridad

A 0100 0001 2 Par 1

L 0100 1100 3 Impar 0

    

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad

asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la

tecnología ECC.

TECNOLOGÍA DE CORRECCIÓN DE ERRORES (ECC)

La tecnología ECC en memorias SIMM se utilizaba básicamente para equipos

que manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su uso en

equipos domésticos porque esta tecnología aumentaba en gran medida los

costos de la memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código

para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de

detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no

detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el

cual se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se

13

Page 14: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la

no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para

determinar la falla y se procede a corregirlo.

MODO DE ACCESO FPM

FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") ó modo rápido de paginación. Es

una tecnología que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic

Read Aleatory Memory", es decir memorias con almacenamiento basado en

capacitores , accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de

página.

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA SIMM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoriaTiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

SIMM 30 terminales 60 nseg

SIMM 72 terminales 40 nseg

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO SIMM

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria SIMM es Kilobyte (Kb) y el Megabyte (Mb). En este caso como hubo 2

versiones, estas varían de acuerdo al modelo y se comercializaron

básicamente las siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)

SIMM 30 terminales 256 Kb, 512 Kb, 1 Mb, 2 Mb, 4 Mb, 8 Mb

SIMM 72 terminales 4 Mb, 8 Mb, 16 Mb, 32 Mb, 64 Mb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA SIMM

Los SIMM de 30 terminales se utilizaron básicamente en computadoras con

microprocesadores de la familia Intel® 386 y 486.

Los SIMM de 72 terminales fueron posteriores a los SIMM de 30 terminales,

pero algunas placas integraban ranuras para ambos. Se utilizaban en

14

Page 15: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

computadoras con básicamente procesadores de la familia Intel® 486 y

Pentium.

4.- MEMORIA RAM TIPO DIMM - SDRAM.

DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa

módulo de memoria de línea dual (este nombre es debido a que sus contactos

de cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta

de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a

base de capacitores), las cuáles pueden tener chips de memoria en ambos

lados de la tarjeta ó solo de un lado, cuentan con un conector especial de 168

terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Cabe destacar

que la característica de las memorias de línea dual, es precursora de los

estándares modernos RIMM y DDR-X), por ello no es de extrañarse que

también se les denomine DIMM - SDRAM tipo RIMM ó DIMM - SDRAM DDR-X.

SDRAM proviene de (Synchronous Dynamic Random Access Memory),

memoria de acceso aleatorio sincrónico, esto significa que existe un cierto

tiempo entre el cambio de estado de la misma sincronizado con el reloj y bus

del sistema, en la práctica se le denomina solo DIMM.

Reemplazaron a las memorias RAM tipo SIMM ("Single In line Memory

Module").

Las memorias DIMM - SDRAM fueron reemplazadas por las memorias tipo

RIMM ("Rambus Inline Memory Module") y las memorias tipo DDR ("Double

Data Rate").

Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM, marca Kingston® PC133, sin capacidad

definida, 168 pines.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM

Cuenta con conectores físicamente independientes en ambas caras de

la tarjeta de memoria, de allí que se les denomina duales.

Todas las memorias DIMM - SDRAM cuentan con 168 terminales.

15

Page 16: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Cuentan con un par de muescas en un lugar estratégico del conector,

para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera

incorrecta.

La memoria DIMM - SDRAM permite el manejo de 32 y 64 bits.

La medida del DIMM - SDRAM es de 13.76 cm. de largo X 2.54 cm. de

alto.

Puede convivir con SIMM en la misma tarjeta principal ("Motherboard")

si esta cuenta con ambas ranuras.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DIMM – SDRAM

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

Figura 3. Esquema de la

memoria RAM tipo DIMM -

SDRAM.

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cual

están soldadas los componentes de la

memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (168 terminales): base de la

memoria que se inserta en la ranura especial

para memoria DIMM - SDRAM en la tarjeta

principal (Motherboard).

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro

de la ranura de memoria.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física:

Conector Figuras

16

Page 17: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

DIMM -

SDRAM 168

terminales

Conector

de la

memoria

Ranura de

la tarjeta

principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz

(MHz). En el caso de los DIMM - SDRAM, tiene varias velocidades de trabajo

disponibles, la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del

sistema. Básicamente fueron las siguientes:

Nombre asignadoVelocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side

Bus")

---- 25 MHz, 33 MHz, 50 MHz

PC66 66 MegaHertz (MHz)

PC100 100 MHz

PC133 133 MHz

PC150 150 MHz

LA MEMORIA DE PARIDAD

Es una característica integrada en los chips de memoria, la cuál consiste en la

detección de errores  durante las operaciones de lectura dentro de la memoria,

antes de que la computadora utilice el dato.

Esto se logra añadiendo un "bit extra" por cada byte (8 bits), de modo que si el

número de "unos" del byte es par, el "bit extra ó bit de paridad" será 1 y si el

número de "unos" del byte es impar, el "bit extra ó bit de paridad" será 0,

ejemplo:

Caracter

HumanoByte

Número de

unosImpar ó par

Bit de

paridad

A 0100 0001 2 Par 1

L 0100 1100 3 Impar 0

17

Page 18: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Entonces al momento de utilizar el byte, si este no coincide con su paridad

asignada, se produce error de paridad pero no se corrige, para ello se utiliza la

tecnología ECC.

TECNOLOGÍA DE CORRECCIÓN DE ERRORES (ECC)

La tecnología ECC en memorias DIMM - SDRAM se utilizaba básicamente para

equipos que manejaban datos sumamente críticos, ya que no era común su

uso en equipos domésticos porque esta tecnología aumentaba en gran medida

los costos de la memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código

para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de

detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no

detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el

cuál se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se

comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la

no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para

determinar la falla y se procede a corregirlo.

MODO DE ACCESO FPM

FPM son las siglas de ("Fast Page Mode") ó modo rápido de paginación. Es

una tecnología que mejora el rendimiento de las memorias DRAM ("Dinamic

Read Aleatory Memory"), es decir memorias con almacenamiento basado en

capacitores, accediendo a las direcciones solicitadas por medio de cambios de

página.

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoriaTiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

DIMM - SDRAM 168 terminales 12 nseg - 10 nseg - 8 nseg

18

Page 19: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

LATENCIA DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que

toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está

relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que

al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencia promedio CAS

DIMM - SDRAM 168 terminales 3

Capacidades de almacenamiento DIMM – SDRAM

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria DIMM - SDRAM es el Megabyte (Mb). Actualmente en México todavía

se venden de manera comercial algunas de las siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)

DIMM - SDRAM 168 terminales PC100 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb

DIMM - SDRAM 168 terminales PC133 32 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DIMM – SDRAM

Los DIMM - SDRAM de 168 terminales se utilizaron básicamente en

computadoras de escritorio con microprocesadores de la familia Intel® Pentium

Pro, Pentium II, Celeron y algunos modelos Pentium III.

LA MEMORIA SODIMM - SDRAM (VARIANTE DE DIMM - SDRAM)

Significado de SODIMM - SDRAM: proviene de ("Small Outline Dual In line

Memory Module"), siendo la variante de memorias DIMM - SDRAM para

computadoras portátiles.|

CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODIMM - SDRAM:

Todas las memorias SODIMM - SDRAM cuentan con 144 terminales,

especiales para computadoras portátiles.

19

Page 20: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,

velocidad, etc., son iguales a la del formato DIMM - SDRAM para computadora

de escritorio.

Memoria SODIMM - SDRAM, 144 terminales, 100/133 MHz.

5.- MEMORIA RAM TIPO DDR.

DDR proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisión

doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para

enviar los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM

de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de

memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de

184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se

les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores

físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.

Compitió directamente contra las memorias RAM tipo RIMM ("Rambus In line

Memory Module").

Estas memorias están siendo reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR2

("Double Data Rate - 2").

Memoria RAM tipo DDR, marca Kingston®, modelo KVR266, capacidad 128

Mb, bus 266 MHz.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR

Todos las memorias DDR cuentan con 184 terminales.

20

Page 21: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que

al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.

La medida del DDR mide 13.3 cm. de largo X 3.1 cm. de alto y 1 mm.

de espesor.

Como sus antecesores (excepto la memoria RIMM), pueden estar ó no

ocupadas todas sus ranuras para memoria.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DDR

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

Esquema de partes de la

memoria RAM tipo DDR

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la

cuál están soldadas los componentes de

la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (184 terminales): base de

la memoria que se inserta en la ranura

especial para memoria DDR.

4.- Muesca: indica la posición correcta

dentro de la ranura de memoria DDR.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física:

Conector Figuras

DDR 184

terminales

Conector

de la

21

Page 22: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

memoria

Ranura

de la

tarjeta

principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz

(MHz). En el caso de los DDR, tiene varias velocidades de trabajo disponibles,

la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema.

Básicamente se comercializaron las siguientes:

Nombre asignadoVelocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side

Bus")

PC-2100 266 MHz

PC-2700 333 MHz

PC-3200 400 MHz

TECNOLOGÍA DDR ECC

La tecnología ECC en memorias DDR se utiliza básicamente para servidores

que manejan datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en equipos

domésticos porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos de la

memoria.

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código

para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de

detectar y corregir errores de 1 ó más bits, de tal suerte que el usuario no

detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el

cual se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se

comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la

no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para

determinar la falla y se procede a corregirlo.

22

Page 23: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA DDR

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoriaTiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

DDR PC2100 7.5 nseg

DDR PC2700 6 nseg, 

DDR PC3200 5 nseg

LATENCIA DE LA MEMORIA DDR

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que

toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está

relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que

al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)

DDR PC2100 2.5

DDR PC2700 2.5

DDR PC3200 2.5 hasta 4

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria DDR es el Megabyte (Mb). y el Gigabyte (Gb). Actualmente en México

se comercializan las siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)

DDR 184 terminales 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb y 1 Gb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DDR

23

Page 24: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Los DDR de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con

microprocesadores de la familia AMD® Athlon y por su bajo precio y eficiencia

también la firma Intel® lo adopto para sus productos Pentium 4.

LA MEMORIA SODDR (VARIANTE DE DDR)

Proviene de ("Small Outline Dual Data Rate"), siendo la variante de memoria

DDR para computadoras portátiles. Otro tipo de memorias DDR para

computadoras portátiles son las microDRR, utilizadas en ciertos modelos de

portátiles de las marcas Toshiba® y Sony®.

CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODDR:

Todas las memorias SODDR cuentan con 200 terminales, especiales para

computadoras portátiles, mientras que las microDDR cuentan con 172

terminales.

Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,

velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR para computadora de

escritorio.

Memoria SODDR, 200 terminales, 266/333 MHz.

6.- MEMORIA RAM TIPO RIMM.

RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido

significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es

debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran

velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del

tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, también 

24

Page 25: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

están basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integran

circuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven

para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta

principal (Motherboard).  También se les denomina DIMM tipo RIMM, debido a

que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras

como el primer estándar DIMM.

Se buscaba que fueran el estándar que reemplazaría a las memorias RAM tipo

DIMM ("Dual In line Memory Module").

Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo DDR

("Double Data Rate") las cuáles eran más económicas.

Memoria RAM tipo RIMM, marca Samsung®,  modelo PC800, 184 terminales,

chips RDRAM, capacidad 256 Mb, con ECC.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA RIMM

Este tipo de memorias siempre deben ir por pares, no funcionan si se coloca

solamente un módulo de memoria.

Todos las memorias RIMM cuentan con 184 terminales.

Cuentan con 2 muescas centrales en el conector, para que al insertarlas, no

haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.

La memoria RIMM permite el manejo de 16 bits.

Tiene una placa metálica sobre los chips de memoria, debido a que estos

tienden a calentarse mucho y esta placa actúa como disipador de calor.

Como requisito para el uso del RIMM es que todas las ranuras asignadas para

ellas estén ocupadas.

 

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA RIMM

25

Page 26: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Los componentes internos están cubiertos por una placa metálica que actúa

como disipador de calor:

Figura 3. Esquema externo de

una memoria RAM tipo RIMM

1.-  Disipador: es una placa

metálica que cubre la tarjeta

plástica y los chips, ya que tienden

a sobrecalentarse y de este modo

absorbe el calor y lo transmite al

ambiente.

2.- Conector (184 terminales):

base de la memoria que se inserta

en la ranura especial para memoria

RIMM.

3.- Muescas: son 2 hendiduras

características de la memoria RIMM

y que indican la posición correcta

dentro de la ranura de memoria.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física:

Conector Figuras

RIMM 184

terminales

Conector

de la

memoria

Ranura de

la tarjeta

principal

(viene por

pares)

TECNOLOGÍA DE CORRECCIÓN DE ERRORES (ECC)

La tecnología ECC en memorias RIMM se utiliza básicamente para equipos

que van a manejar datos sumamente críticos, ya que no es común su uso en

equipos domésticos porque esta tecnología aumenta en gran medida los costos

de la memoria.

26

Page 27: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

ECC son las siglas de ("Error Code Correction"), que traducido significa código

para corrección de errores. Se trata de un código que tiene la capacidad de

detectar y corregir errores de 1 ó mas bits, de tal suerte que el usuario no

detecta la falla, pero en caso de ser mas de un bit se muestra error de paridad.

Esto se logra mediante el uso de un algoritmo matemático de parte del ECC, el

cuál se almacena junto con los otros datos, así al ser solicitados estos, se

comparará el código almacenado con el que genera la solicitud. En caso de la

no coincidencia exacta de lo anterior el código original se decodificará para

determinar la falla y se procede a corregirlo.

VELOCIDAD DE LA MEMORIA RIMM

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz

(MHz). En el caso de los RIMM, tiene varias velocidades de trabajo disponibles,

la cuál se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema.

Básicamente fueron las siguientes:

Nombre asignadoVelocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side

Bus")

PC600 300 MegaHertz (MHz)

PC700 356 MHz

PC800 400 MHz

PC1066 533 MHz

(...) 800 MHz

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA RIMM

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoriaTiempo de respuesta en

nanosegundos (nseg)

RIMM 184 terminales 40 nseg aproximadamente

27

Page 28: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

 

LATENCIA DE LA MEMORIA RIMM

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que

toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está

relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que

al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencia CAS

RIMM 184 terminales 4 y 5

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO RIMM

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria RIMM es el Megabyte (Mb). Se comercializaron básicamente las

siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)

RIMM 184 terminales 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA RIMM

Los RIMM de 184 terminales se utilizaron inicialmente en computadoras con

microprocesadores de la familia Intel® Pentium 4, pero era muy caro y tendía a

sobrecalentarse, por lo que terminó siendo reemplazado en el ámbito general

por las memorias RAM tipo DDR que eran más económicas y no necesitaban

ventilación adicional.

7.- MEMORIA G-RAM / V-RAM (ACTUAL).

TIPOS DE MEMORIA INTEGRADA Y CAPACIDADES

Las tarjetas de video, además de integrar su propio microprocesador, también

integran cierta cantidad de memoria RAM especial llamada VRAM ó GRAM

("Video Read Only Memory ó Graphic Read Only Memory"), la cual se encarga

28

Page 29: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

exclusivamente de almacenar datos referentes a gráficos mientras una

aplicación gráfica los solicite, esto permite que la memoria RAM principal se

mantenga disponible para otros procesos, aunque es importante mencionar

que mientras la VRAM no sea solicitada, esta se utilizara como RAM por la

computadora.

MEMORIAS Y SIGNIFICADO DE GDDR: ("Graphics Double Data Rate"), la

memoria integrada en las tarjetas de video es de tipo RAM ("Read Aleatory

Memory"), por lo que es volátil, es decir, al apagar la computadora, todos los

datos almacenados en ella se pierden. Se muestra en la siguiente tabla los

tipos básicos de memoria que se han integrado actualmente, en este momento

es la GDDR5 la que comienza a ser introducida al mercado comercial.

Tipo de RAM CaracterísticasCapacidad comercial

instalada Mb/Gb

GDDR5 "Graphics Double

Data Rate 5"

Basada en tecnología DDR2,

esta nueva especificación para

tarjetas gráficas de alto

rendimiento, provee un doble

ancho de banda a diferencia

de GDDR4, que permite ser

configurada a 32 y 64 bits,

1.024 Gb, 1.536 Gb, hasta

4 Gb

GDDR4 "Graphics Double

Data Rate 4"

Es un tipo de memoria que

también se basa en la

tecnología DDR, que mejora

las características de consumo

y ventilación con respecto a la

GDDR3.

256 Mb

GDDR3 "Graphics Double

Data Rate 3"

Es un tipo de memoria

adaptada para el uso con

tarjetas de video, con

características de la memoria

DDR2, mejoradas para reducir

consumo eléctrico y hacer

eficiente la disipación de calor.

256 Mb, 384 Mb, 512 Mb,

768 Mb, 896 Mb, 1 Gb,

1.792 Gb

GDDR2 "Graphics Double

Data Rate 2"

Es un tipo de memoria

adaptada para tarjetas de

256 Mb, 512 Mb, 1 Gb

29

Page 30: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

video, con características de la

memoria DDR y DDR2.

GDDR "Graphics Double

Data Rate"

Es un estándar de RAM que

transmite datos de manera

doble por canales distintos de

manera simultánea, en este

caso está diseñada para el uso

en tarjetas de video.

64 Mb, 128 Mb, 256 Mb,

512 Mb

8.- MEMORIA RAM TIPO DDR2

DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión

doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora

dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son

un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de

capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la

tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la

tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2,

debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas

caras como el primer estándar DIMM.

Actualmente compite contra un nuevo estándar: las memorias RAM tipo DDR-3

"Double Data Rate -3 ".

Memoria RAM tipo DDR-2, marca Kingston®, capacidad para 512 Mb,

velocidad  667 MHz, tipo PC5300.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR-2

Todos las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales.

Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que

al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta.

Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras

para memoria.

Tiene un voltaje de alimentación de 1.8 Volts.

30

Page 31: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DDR-2

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

Figura 3. Esquema de partes

externas de una memoria DDR-2

1.-  Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál

están soldadas los componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria volátil.

3.- Conector (240 terminales): base de la memoria

que se inserta en la ranura especial para memoria

DDR2.

4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la

ranura de memoria DDR2.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física:

Conector Figuras

DDR-2 240

terminales

Conector

de la

memoria

Ranura de

la tarjeta

principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR-2

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz

(MHz). En el caso de los DDR-2, tiene varias velocidades de trabajo

disponibles, la cual se tiene que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del

sistema. Básicamente se comercializaron las siguientes:

31

Page 32: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Nombre asignadoVelocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side

Bus")

PC5300 667 MHz

PC6400 800 MHz

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA DDR-2

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado

que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoriaTiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

DDR-2 PC5300 6 nseg

DDR-2 PC6400 5 nseg, 

LATENCIA DE LA MEMORIA DDR-2

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es: Tiempo que

toma a un paquete de datos en llegar a su destino. Este factor está relacionado

directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que al aumentar

está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)

DDR2 PC5300 4 y 5

DDR2 PC6400 4, 5 hasta 6

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR-2

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria DDR-2 es el Megabyte (Mb) y el Gigabyte (Gb). Actualmente en

México se comercializan las siguientes capacidades:

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)

32

Page 33: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

DDR-2 240 terminales256 Mb, 512 Mb, 1 Gb, 2 Gb, y 4

Gigabytes (Gb)

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DDR-2

Los DDR-2 de 240 terminales se utilizan en equipos con microprocesadores de

la firma AMD®: Athlon 64, Athlon 64 X2, Athlon 64 X2 Dual Core. En el caso de

Intel® se utilizan en equipos: Pentium 4, Core 2 Duo,  Core 2 Quad y Core

Quad.

LA MEMORIA SODDR (VARIANTE DE DDR2)

Proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 2"), siendo la variante de memoria

DDR2 para computadoras portátiles.

CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODDR2:

Todas las memorias SODDR2 cuentan con 200 terminales, especiales

para computadoras portátiles.

Las demás especificaciones como latencia, capacidades de

almacenamiento, velocidad, etc., son iguales a la del formato DDR2

para computadora de escritorio.

9.- MEMORIA RAM TIPO DDR3 (ACTUAL).

DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión

doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de

memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las

cuales tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con

un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal

(Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que

cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el

primer estándar DIMM.

Actualmente compite contra el estándar de memorias RAM tipo DDR-2

("Double Data Rate - 2 ") y se busca que lo reemplace.

33

Page 34: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Memoria RAM tipo DDR-3, marca Kingston, ValueRAM, 240 terminales,

capacidad para 2 Gb, latencia CL 9, voltaje 1.5V.

CARACTERÍSTICAS GENERALES DE LA MEMORIA DDR3

Todas las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales.

Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al

insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar

que se inserten en ranuras inadecuadas.

Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para

memoria.

Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts.

Con los sistemas operativos Microsoft® Windows más recientes en sus

versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria

DDR3 total instalada, ya que solo se reconocerán como máximo 2 Gb ó 3 Gb,

sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64

bits.

PARTES QUE COMPONEN LA MEMORIA DDR3

Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son

básicamente los siguientes:

34

Page 35: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Figura 3. Esquema de partes de

la memoria DDR-3

1.-  Tarjeta: es una placa plástica

sobre la cuál están soldadas los

componentes de la memoria.

2.-Chips: son módulos de memoria

volátil.

3.- Conector (240 terminales): base

de la memoria que se inserta en la

ranura especial para memoria DDR2.

4.- Muesca: indica la posición

correcta dentro de la ranura de

memoria DDR3.

CONECTORES - TERMINALES PARA LA RANURA

Solo hay una versión física:

Conector Figuras

DDR-3 240

terminales

Conector de la

memoria

Ranura de la tarjeta

principal

VELOCIDAD DE LA MEMORIA DDR3

La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en MegaHertz (MHz). En

el caso de los DDR-3, tiene varias velocidades de trabajo disponibles, la cuál se tiene

que adaptar a la velocidad de trabajo del resto del sistema. Básicamente se

comercializaron las siguientes:

Nombre asignadoVelocidad de la memoria (FSB: "Frontal Side

Bus")

DDR3 PC3-8500 1066 MHz

DDR3 PC3-10666 1333 MHz

DDR3 PC3-12800 1600 MHz

DDR3 PC3-14900 1866 MHz

35

Page 36: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

EL TIEMPO DE ACCESO DE LA MEMORIA DDR-3

Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el

sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg):

Tipo de memoriaTiempo de respuesta en nanosegundos

(nseg)

DDR3 PC3-8500 7.5 nseg.

DDR3 PC3-10666 6 nseg, 

DDR3 PC3-12800 5 nseg, 

DDR3 PC3-14900 ±4 nseg, 

LATENCIA DE LA MEMORIA DDR-3

CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria

en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que

toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está

relacionado directamente con la velocidad de la memoria (MegaHertz), ya que

al aumentar está, también aumenta la latencia.

Tipo de memoria Latencias (CL)

DDR3 PC3-8500 6 hasta 8

DDR3 PC3-10666 7 hasta 10

DDR3 PC3-12800 8 hasta 11

DDR3 PC3-14900 11 hasta 13

CAPACIDADES DE ALMACENAMIENTO DDR-3

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una

memoria DDR-3 es el Gigabyte (Gb). Actualmente se comercializan módulos

independientes y también en tipo Kit; es importante mencionar que las

memorias de más de 6 Gb no vienen en un sólo módulo de memoria, sino que

vienen en Kit (esto es, se venden 4 memorias de 2 Gb, dando resultado 8 Gb),

por lo que al momento de decidir cómo comprar la memoria, hay que tomar en

36

Page 37: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

cuenta el número de ranuras con que cuenta la tarjeta principal y cuál es su

máxima capacidad en caso de que después queramos escalarla.

Tipo de memoria Capacidad en Megabytes (Mb)

DDR-3 240 terminales en un sólo módulo 1 Gb, 2 Gb,  4 Gb y 6 Gb

USOS ESPECÍFICOS DE LA MEMORIA DDR-3

Los DDR-3 de 240 terminales se comienzan a utilizar en equipos con el

procesador iX (i5 e i7) de la firma Intel® y también en equipos con procesador

AMD® Phenom y AMD® FX-74.

LA MEMORIA SODDR3 (VARIANTE DDR3)

Proviene de ("Small Outline Dual Data Rate 3"), siendo la variante de memoria

DDR3 para computadoras portátiles.

CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA SODDR3:

Todas las memorias SODDR3 cuentan con 204 terminales, especiales para

computadoras portátiles.

Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento,

velocidad, etc. son iguales a la del formato DDR3 para computadora de

escritorio.

FUNCIONAMIENTO DE UNA MEMORIA RAM

Como apoyo a la comprensión del tema, te ofrecemos una animación sobre

el funcionamiento interno de una memoria RAM:

Animación de funcionamiento interno de una memoria RAM

37

Page 38: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

1) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo

indica el valor 1.

2) La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo

indica el valor 0.

3) Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la

información se pierde.

4) Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que

tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 ó un

1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y

ello las vuelve relativamente lentas.

ESTRUCTURA LOGICA DE UNA MEMORIA RAM

Desde las primeras computadoras, la estructura lógica ha sido la siguiente:

Memoria base: desde 0 hasta 640 Kb (Kilobytes), es en esta zona

dónde se almacena la mayoría de los programas que el usuario utiliza.

Memoria superior y reservada: de 640 a 1.024 Mb (Megabytes), carga

unas estructuras llamadas páginas de intercambio de información y

unos bloques de memoria llamados UMB.

Bloques UMB (Upper Memory Blocks): se trata de espacios

asignados para el sistema dentro de la memoria superior, pero debido a

la configuración de diversos dispositivos como el video, en algunos

casos estos espacios quedaban sin utilizar, por lo que se comenzó a

Memoria expandida: se trata de memoria paginada que se asigna a

programas en memoria superior, la cuál algunas veces no se utilizaba

debido a la configuración del equipo y con este método se puede

utilizar.

Memoria extendida: de 1.024 Mb hasta 2 Gb (Gigabytes), se cargan

todas las aplicaciones que no caben en la memoria base.

 Antes debido a que los equipos contaban con memoria RAM limitada, existían

utilerías que reacomodaban los programas cargados en memoria para

optimizar su funcionamiento, inclusive el sistema operativo Microsoft® Ms-DOS

necesitaba de un controlador especial (himem.sys), para reconocer la memoria

extendida, sin él solo reconocía 640 Kb aunque hubiera instalados 16 ó 32 Mb.

38

Page 39: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

DEFINICION DE UN BUFER DE MEMORIA

Un Buffer (amortiguador), es un espacio físico en cualquier dispositivo de

almacenamiento masivo de lectura/escritura, comúnmente en RAM, que se

asigna para almacenar información que será procesada casi inmediatamente y

tenerla en espera de proceso, hasta que una vez utilizados los datos, estos se

borren para esperar nuevos. Estos segmentos se utilizan mucho en las

impresoras, que guardan en Buffer los documentos en cola de impresión, en

los antiguos Discman®, que para evitar que la melodía se detuviera, iban

almacenando unos segundos más de música en caso de un movimiento brusco

en el aparato y finalmente en Youtube mientras reproduce, se va adelantando

en descargar el resto del video.

TABLA DE TIPOS DE MEMORIAS ACTUALES EN GENERAL

39

Page 40: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

Tipo de memoria

Significado Descripción

Tipo RAM

RAM"Random Aleatory

Memory", memoria de acceso aleatorio

Memoria primaria de la computadora, en la que puede leerse y escribirse información en

cualquier momento, pero que pierde la información al no tener alimentación

eléctrica.

EDO RAM

"Extended Data Out Random Access

Memory", memoria de acceso aleatorio con

salida de datos extendida

Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que permite acortar el camino de la transferencia de datos entre

la memoria y el microprocesador.

BEDO RAM

"Burst EDO Random Access Memory",

memoria de acceso aleatorio con salida de

datos extendida y acceso Burst

Tecnología opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a direcciones

contiguas de memoria.

DRAM

"Dinamic Random Access Memory",

memoria dinámica de acceso aleatorio

Es el tipo de memoria mas común y económica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el

proceso hasta cierto punto lento.

SDRAM

"Synchronous Dinamic Random Access

Memory", memoria dinámica de acceso

aleatorio

Tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la

entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias

comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia de  memorias DDR

(DDR, DDR2, DDR3, GDDR, etc.), entran en esta clasificación.

FPM DRAM

"Fast Page Mode Dinamic Random Access Memory",

memoria dinámica de paginación de acceso

aleatorio

Tecnología opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que aumenta el rendimiento a las direcciones mediante

páginas.

RDRAM

"Rambus DRAM", memoria dinámica de acceso aleatorio para tecnología Rambus

Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta

clasificación se encuentra la familia de  memorias RIMM.

SRAM / Caché

"Static Random Access Memory", memoria estática de acceso

aleatorio

Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no

necesitan de proceso de refresco de datos. Anteriormente había módulos de memoria independientes, pero actualmente solo se

encuentra integrada dentro de microprocesadores y discos duros para

hacerlos mas eficientes.

BIBLIOGRAFIA

40

Page 41: LA MEMORIA RAM - TRABAJO FINAL

PAGINA WEB

http://ensanblaje.blogspot.com/2009/01/historia-de-la-memoria-ram.html

http://www.monografias.com/trabajos11/memoram/memoram.shtml

http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/int/mem_intr.htm

http://informaticamoderna.com/Memoria_RAM.htm#defin

41