informe 3 a

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  • 8/16/2019 informe 3 a

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    UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOSUniversidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA

    FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICAEAP DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

    Apellidos y no!"es C#di$o de%&"i'(l%

    • Quispe Loa Alvaro Joel• Aliaga Estrada Juan Jere!• Anton Cru" #evin•

    Me$i%ano Quispe Eri%&

    '(')*'+

    '(')**-*'(')*'..

    '(')*+/+

    C("so Te%

    Dispositivos Ele%tr0ni%os Cara%ter1sti%as 23si%as deldiodo sei%ondu%tor

    In)o"e Fe'*% No&%

    4inal Re%li+%'

    i#n

    En&"e$

    %N,e"o

    '(5*(5'/ '65*(5'/-

    G"(po P"o)eso"

    - Ing7 Luis Paretto Quispe

  • 8/16/2019 informe 3 a

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    I- Te%

    Cara%ter1sti%as 93si%as del diodo sei%ondu%tor

    II- O!.e&i/os

    • Cono%er las %ara%ter1sti%as 23si%as de los diodossei%ondu%tores de sili%io ! geranio7

    • Cono%er el %oportaiento de los diodos polari"adosdire%ta e inversaente7

    III- In&"od(''i#n &e#"i'%

    EL DIODO SEMICONDUCTOR

    Es el dispositivo semiconductor más sencillo y se puede encontrar 

    prácticamente en cualquier circuito electrónico. Los diodos se fabrican enversiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.

    Constan de dos partes una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura  también llamada barrera  o unión. Esta barrera o unión es de .!voltios en el "ermanio y de .# voltios apro$imadamente en el diodo de silicio.

    El diodo se puede %acer funcionar de & maneras diferentes'

    Polarización directa: Es

    cuando la corriente que circulapor el diodo si"ue la ruta de laflec%a (la del diodo), o sea delánodo al cátodo. En este casola corriente atraviesa conmuc%a facilidad el diodocomportándose ésteprácticamente como un cortocirc!ito 

    Diodo en "olarización directa 

    +

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    Polarización in#ersa: Es

    cuando la corriente en el diododesea circular en sentido

    opuesto a la flec%a (la flec%a deldiodo), o se del cátodo alánodo. En este caso lacorriente no atraviesa el diodo,comportándose ésteprácticamente como un circ!itoa$ierto 

    Diodo en "olarización in#ersa

    NOT%: El funcionamiento antes mencionado serefiere al diodo ideal, esto quiere decir que eldiodo se toma como un elemento perfecto(como se %ace en casi todos los casos), tantoen polarización directa como en polarizacióninversa 

    &'!( a"licaciones tiene el diodo)  Los diodos tienen muc%as

    aplicaciones, pero una de la más comunes es el proceso de conversiónde corriente alterna (C.A.) a corriente continua (C.C.). En este casose utiliza el diodo como rectificador

    S*m$olo del diodo + % , ánodo - , cátodo.

    IV- M%&e"i%l y e0(ipo (&ili+%do

    • 4uente de %orriente %ontinua regula2le

    • Un diodo sei%ondu%torde :ili%io ! uno de ;eranio

    -

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    • Mi%ro aper1etro anal0gi%o de C7C7

    • Resistor =>o de '**?

    (

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    • Mult1etro digital

    • Ca2les %one%tores 2anana5%o%odrilo

    /

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    V- P"o'ediien&o

    '7 Usando el o@1etro, edir las resisten%ias dire%ta e inversa del diodo7Registrar los datos en la ta2la '7

    +7 Arar el siguiente %ir%uito

    *

    +.

     Amps

    --/-E

    +.

    Volts

    a7 A>ustando el volta>e %on el poten%i0etro, o2servar ! edir la %orriente! el volta>e dire%to del diodo, registrar sus datos en la Ba2la + usandoiliaper1etro727 Invertir el diodo veri=%ando al iso tiepo la polaridad de losinstruentos, pro%eder %oo en a, registrando los datos en la Ba2la -usando i%roaperietro7

    -7 Usando el o@1etro, edir las resisten%ias dire%ta e inversa del diodode ;eranio, de anera siilar al paso + pro%eder a llenar las ta2las ( ! /7

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    .7 Repetir el %ir%uito anterior para el diodo de ;eranio, de anerasiilar al paso + pro%eder a llenar las ta2las ( ! /7

    VI- D%&os o!&enidos

    T%!l% 1 2Si34

    Rdi"e'&% 253 Rin/e"s% 253678 5 96:M 5

    T%!l% ;4V''2V3

    *7.6

    *7((

    *7(

    *7//

    *7/

    *76

    '7'/

    '7.6

    '7/6

    '766

    +7'6

    +7/6

    Id2A3

    :-1 :-; :-< :-= 1-6

    ;-> >-: =-: 1:-:

    1;-:

    1>-:

    ;:-:

    Vd2V3

    *7.-

    *7('*

    *7(-*

    *7(*

    *7/ *7/+'

    *7/(.

    *7/

    *7/66

    *7/)/

    *7*/

    *7'6

    T%!l% ?4

    V''2V3 :-: ;-: -: ;:-:Vd2V3

    *7*'

    +7*.*

    .7*'

    (7)6'

    7)(

    )7)(

    ''7)(

    '.7)-

    ')76+

    Id2(A3

    * * * * * * * * *

    T%!l%

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    T%!l% >4

    V''2V3

    *7')

    *7+(

    *7-/

    *7((

    *7(6

    *7/

    '7+-

    '7)

    +7'+

    +7..

    +7).

    -7(

    Id2A3

    :-1 :-; :-< :-= 1-6 ;-> >-: =-: 1:-:

    1;-:

    1>-:

    ;:-:

    Vd2V3

    *7'(

    *7')*

    *7+-*

    *7+66

    *7-)

    *7.(

    *7/+6

    *76'+

    *7)'

    '7*+*

    '7'/)

    '7-)+

    T%!l% 64

    V''2V3

    :-: 1-: ;-: -:

    1=-:

    ;:-:

    Vd2V3

    * '7*-.

    '7))

    -76/

    (76-

    76 )76

    ''7/+

    '.7/'

    '7.(

    ')7./

    Id2(A3 * + +7( -7( .7( / 7 )76 '-7) '67/ ++7

    VII- C(es&ion%"io n%l

    1- Cons&"(i" el $"%'o IdBF2Vd3 'on los d%&os de l%s &%!l%s; y ?- 2Si3-

    *7.( *7( *7(( *7/ *7/( *7 *7(*

    *7*'

    *7*'

    *7*+

    *7*+

    *7*-

    e del diodo

    Intesidad del diodo

    C

    alc!lar la resistencia dinamica del diodo

    Interpreta%i0n

    )

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    En polari"a%i0n dire%ta se o2serva Fue a peFueGos volta>es el diodo poseeuna intensidad de %orriente 2a>a la %ual auenta de po%o en po%o7 :ine2argo una ve" llegado al valor de *7/66 < se o2serva Fue la intensidadFue pasa por el diodo epie"a a auentar en a!or agnitud lo %ual se

    eviden%ia en la gr3=%a al ver Fue la pendiente se pronun%ia asResisten%ia Din3i%a

    La resisten%ia din3i%a de un diodo se %al%ula %oo

     R= ΔVd

     ΔId

    :e %al%ulara en %ada %aso 

    Prier %aso R=

    0.718−0.706

    0.02−0.015  R=2.4Ω

    • :egundo %aso

     R=0.706−0.696

    0.015−0.012  R=3.333Ω

    •  Ber%er %aso   R=0.696−0.688

    0.012−0.01  R=4Ω

    • Cuarto %aso   R=0.688−0.677

    0.01−0.008   R=5Ω

    • Quinto %aso   R=0.677−0.654

    0.008−0.005  R=7.666Ω

    • :e$to %aso   R=0.654−0.621

    0.005−0.0025  R=13.2Ω

    • :8ptio %aso   R=0.621−0.6

    0.0025−0.0016  R=23.333Ω

    • H%tavo %aso  R=

    0.6−0.57

    0.0016−0.0008  R=37.5Ω

    • Noveno %aso   R=0.57−0.53

    0.0008−0.0004  R=100Ω

    • De%io %aso   R=0.53−0.51

    0.0004−0.0002  R=100Ω

    • Unde%io %aso  R=0.51−0.473

    0.0002−0.0001  R=370Ω

    '*

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    * ( '* '( +* +(*

    *7+

    *7.

    *7/

    *76

    '

    e del diodo

    Intensidad del diodo

  • 8/16/2019 informe 3 a

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    :egún la ta2la su resisten%ia ser1a u! grande en %opara%i0n a las%antidades o2tenidas

    ?- In&e"p"e&%" los d%&os o!&enidos en l%s &%!l%s-

    Para a2os %asos diodo sili%io, geranio e$isten dos %asos polari"adosdire%taente e inversaente7

    • Cuando se en%uentran polari"ados inversaente la resisten%iadin3i%a es grande por lo Fue se %oportara %oo un %ir%uitoa2ierto ipidiendo el paso de la %orriente7

    • Cuando se en%uentran polari"ados dire%taente la resisten%iadin3i%a es peFueGa por lo Fue se %oportara %oo un %ir%uito%errado de>ando Fue u!a la %orriente7

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    4a%ultad de Ingenier1a Ele%tr0ni%a,El8%tri%a Dis ositivos

    Fue esta en el rango de los M?7

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